이정용 서울대학교 재료공학과 졸업 한국과학기술원 재료공학과 석사 미국 캘리포니아 대학교(버클리 ) 재료공학과 박사 금성사 / 금성정밀 중앙연구소 재직 현재 한국과학기술원 교수 저서 『재료결정학 』 논문 ''High Resoluti on Transmi ss io n Electr o n Mi cr oscopy Stu d y of Soli d Phase Crys ta ll i ze d Sil ic o n Thin Fil m s on SiO , : Crys t a l Growt h and Defa c ts F ormati on 의 다수
전자현미경의 원리와 응용
전자현미경의 원리와 응용
머리말 전자 현미경이 발명된 지 반 세기가 지나면서 지난 50 년간 재 료공학 및 생물학, 의학 등에 전자 현미경이 미천 영향은 매우 크다. 특히 최근 성능과 기능의 향상에 따라 전자 현미경은 재료 공학에서 재료 연구 및 분석의 필수 불가결한 연구 수단이 되었 다. 특히 현재는 현미경의 발달로 인하여 원자 규모로 결정의 원 자 배열을 육안으로 직접 관찰할 수 있게 되었고 그 원자의 종류 까지 알아 낼 수 있는 정도가 되어 재료공학뿐만 아니라 여타 학 문에도 큰 영향을 주고 있다. 따라서, 전자 현미경은 필수 연구 장비로 의국은 물론이거니와 국내에서도 산업체, 연구소, 대학교 등은 많은 수의 전자 현미경을 보유하고 있을 뿐만 아니라 전자 현미경을 잘 아는 유능한 과학자나 공학자를 많이 필요로 하고 있고, 일반 재료공학자나 과학자, 공학자들도 전자 현미경을 분 석 및 연구의 기본 장비로 사용함에 따라 전자현미경학을 공부해 야 할 필요성이 증대하였다. 또한 현재 대부분 대학의 재료공학 과, 금속공학과, 세라믹공학과, 전자재료공학과 등의 재료 분야 학과의 학부 과정과 대학원 과정에서 전공 필수 또는 선택으로 한 학기 동안 3 학접으로 전자현미경학 및 실험 강의를 개설하고 있다. 현재 의국 원서로는 대학원 교재로 사용하는 전자현미경학 교 재들이 많이 있으나 어떤 책들은 내용이 연구 위주로 되어 있어 이해하기 어렵고 어떤 책들은 실험 위주로 되어 있어 전자 현미
경의 원리를 이해하기 힘들게 되어 있다. 따라서 주교재 하나를 선택하여 그것을 위주로 한 학기 강의를 진행하기가 상당히 어려 워 교수와 학생이 모두 곤란을 느껴 왔다. 본서는 한국 과학 기술원에서 10 년간 강의한 전자현마경학 강 의 자료와 미국의 매사추세츠 공과 대학교, 버클리 캘리포니아 대학교, 스탠퍼드 대학교, 애리조나 주립 대학교, 케이스 웨스턴 대학교와 영국의 옥스퍼드 대학교 등의 유명 교수들의 강의록을 참고로 하여 재료 공학자들이 이해하기 힘든, 물리학적인 기본 지식을 필요로 하는 전자 현미경의 기본 원리를 기초부터 쉽게 설명하여 그 기본 원리를 완전히 파악하고 이해한 후, 이 원리를 응용하여 전자현미경학을 쉽게 알 수 있도록 하였다. 따라서 전 자 현미경 기계 자체의 복잡한 내용이나 전자 현미경의 작동 기 술과 지엽적인 전자 현미경 분석 기술 등은 과감히 생략하였다. 재료공학 분야 전공 학생이나 연구자들이 알고 있어야 할 전자현 미경학에 대한 모든 경우의 내용을 다 공부할 수 없으므로 본서 에서는 전자 현미경의 기본 원리를 충실히 공부하고 그 응용을 익힘으로써 여러 연구 수행시 필요로 하는 다양한 전자현미경학 의 응용을 이해하는 데 아주 좋은 토대가 되도록 하였다. 전자현미경학에서 다루는 세 분야는 회절, 결상 및 분광학이 다. 회절은 전자와 시편 내의 원자 간의 간섭을 이용하여 원자의 위치 및 배열에 대한 정보를 실공간이 아닌 역공간에서 얻는?! 으로 여기서 제한 시야 회절상, 키쿠치 회절상, 수렴성 빔 전자 회절상 등을 다룬다. 결상은 실제 시편을 역공간이 아닌 실공간 에서 시편, 죽 물체를 관찰하여 각종 정보를 얻는 방법으로 물리 적으로는 회절상이 한번 더 회절되어 결상이 된다. 본서에서는 암시야 상, 명시야 상, 약빔 암시야 상, 고분해능 전자 현미경 상 등을 다룬다. 분광학은 전자와 시편이 상호 작용하여 생기는
x- 선이나 전자를 분석하여 시편 내에 존재하는 원자의 종류와 양을 알아 내는 방법으로 에너지 분산 x- 선 분광학과 전자 에너 지 손실 분광학을 다룬다. 본서에서는 위에서와 같이 크게 회절, 결상, 분광학의 순서로 되어 있고 구체적으로 살펴보면 먼저 서론에서 전자 현미경의 간 단한 역사, 장점, 구성을 기술하였고 , 회절, 결상, 분광학 모두 전자가 물리학적으로 파동이라는 사실에서 생기는 현상이므로 파 의 정의와 특성, 그리고 회절은 수학적으로 푸리에 변환이므로 푸리에 법, 푸리에 해석, 푸리에 변환 등을 기술하고, 그 다음 원자의 규칙적인 배열로 되어 있는 결정을 수학적으로 표시하는 방법인 콘볼루션과 결상의 기본 원리인 회절상의 회절, 즉 푸리 에 변환을 한번 더 푸리에 변환한 푸리에 반전에 대해 기술하 였다. 다음은 회절로 먼저 회절 적분, 간단한 1 차원 물체에서의 회 절, 2 차원 물체에서의 회절을, 다음 여러 개의 물체에서의 회철 인 간섭을, 그리고 실제 원자 하나에서의 회절, 원자 군에서의 회절, 격자의 회절상인 역격자, 단위 포에서의 회절, 구조 인자, 결정 형태에 따른 결정의 회절, 편차 변수에 따른 강도의 변화, 미소 영역에서 회절상을 얻는 제한 시야 회절 및 미소 빔 회절, 그 다음으로 실제 회절상의 지수 매기기, 쌍정의 회절상, 여분의 회절 점 등에 대해 기술하고 키쿠치 회절상과 이룰 이용한 편차 변수의 측정, 그리고 결정 대칭과 점 군, 수렵성 전자 빔 회절 등의 차례로 기술하였다. 물리학적으로 회절상이 회절되어 실제 물체의 상이 만들어지는 결상으로는 현미경의 기초가 되는 렌즈 전달 함수와 프레넬 전파 자 및 프레넬 줄무늬, 렌즈의 변환 성질과 실제 렌즈의 여러 수 차, 그리고 현미경 전달 함수에 대해 기술하였다.
대부분의 전자는 투과하고 약하게 산란하는 경우에 적용하는 운동학적 이론으로 물체를 작은 위상 변화만 일으키는 위상 체로 간주하는 약상 근사, 비정질 시편에서의 상 콘트라스트, 암시야 상과 명시야 상을 다루는 두꺼운 결정에서의 운동학적 산란, 분 해능, 두께 줄무늬와 굴곡 줄무늬를 다루는 완전 결정의 운동학 적 상 콘트라스트와 적충 결함 및 전위 등 결함의 운동학적 상 콘트라스트를 다루었다. 산란이 많이 일어날 경우에 적용하는 동 력학적 이론으로 동력학적 방정식, 분산 면, 라우에 경우의 해, 흡수 등을 다루고, 적층 결함, T - 경계, 계면, 침전물, 전위, 버 거스 벡터의 결정 등 각종 결함의 콘트라스트에 대해 기술하였 다. 원자를 육안으로 관찰할 수 있는 기술인 고분해능 전자현미 경학에 대해서는 투사 전하 밀도 근사, 콘트라스트 전달 함수, 광학 회절과 상 처리, 현미경 상 전산 모사, 모아레 줄무늬 등을 기술하였다. 다음은 원소의 종류와 양을 분석할 수 있는 분광법으로 x- 선 의 발생 원리와 스펙트럼, 그리고 에너지 분산 x - 선 분광학으로 시편 원소의 정량 및 정성 분석을 기술하고 전자 에너지 손실의 원리와 전자 에너지 손실 분광학을 기술하였다. 전자 현미경 시편 준비, 전자 현미경 작동 기술, 자세한 회절 상 및 상의 분석법 등은 본서에서 다루지 않았으므로 전자 현미 경의 실험 시간에는 이 부분을 다룬 다른 부교재를 사용하는 것 이 학생들에게 도움을 줄 것이다. 실험은 물론 소홀히 다루어서 는 안 되지만 기본적인 원리의 이해가 없는 실험 또한 크게 도움 이 되지 않을 것이다. 이 책을 저술하는 데 최선을 다하였으나 혹 내용이 미비한 점, 오류 등이나 탈자, 오자 등을 지적해 주시면 감사히 받아들이고 수정하는 데 최선을 다할 것이며 후에 이보다 더 나온 책이 나오
기를 바란다. 본서를 준비하는 데 수석 부분의 타이핑과 그림 그리기와 사진 준비에 수고한 한국과학기술원 전자 현미경 실험실 대학원 학 생들과 전자 현미경 사진을 제공한 분들께 감사드린다. 본 논저 가 나오도록 지원해 준 대우재단에 감사드리며 한 권의 책으로 발간되도록 도와 준 민음사에 감사드런다. 1997 년 4 월 대전에서 李廷鎔
차례
머리말•5제1장 서론1-1 전자 현미경 개요 151-1-1 전자 현미경의 역사•151-1-2 전자 현미경의 장점•191-1-3 전자 현미경의 구성•26l-2 파와 푸리에 변환 361-2-1 파의 정의와 특성•361-2-2 푸리에 법과 푸리에 해석•461-2-3 푸리에 변환•571-2-4 콘볼루션•701-2-5 푸리에 반전•82제2장 회절2-1 회절 872-1-1 호이겐스의 원리와 투과 함수•872-1-2 키르히호프의 회절 적분•912-1-3 1차원 물체의 회절•1062-1-4 2차원 물체의 회절•1162-2 간섭 123
2-2-1 1차원 간섭•1252-2-2 2차원 간섭•1382-3 원자의 회절 1452-3-1 전자 파와 전자기 파•1452-3-2 원자와 전자의 상호 작용•1582-4 회절상 1702-4-1 역격자•1702-4-2 격자 단위 포에서의 회절•1752-4-3 구조 인자•1862-4-4 형상 인자•1982-4-5 편차 변수•2112-4-6 제한 시야 회절과 미소 빔 회절•2172-4-7 지수 매기기•2262-4-8 쌍정 점과 여분의 점•2482-5 키쿠치 회절상 2592-5-1 키쿠치 회절상•2592-5-2 편차 변수의 측정•2682-6 수렴성 빔 전자 회절 2712-6-1 결정 대칭과 결정계•2712-6-2 점 군과 라우에 군•2832-6-3 수렴성 빔 전자 회절•303제3장 결상
3-1 현미경 이론 3353-1-1 렌즈 전달 함수와 프레넬 전파자 및 줄무늬•3393-1-2 렌즈의 푸리에 변환 성질•3503-1-3 수차와 현미경 전달 함수•3593-2 운동학적 이론 3763-2-1 약상 근사•3763-2-2 비정질 시편의 상•3843-2-3 두꺼운 결정의 운동학적 산란•3873-2-4 분해능•3933-2-5 완전 결정의 운동학적 상 콘트라스트•4033-2-6 결함의 운동학적 콘트라스트•4163-3 동력학적 이론 4283-3-1 동력학적 방정식•4283-3-2 분산 면•4343-3-3 라우에 경우의 해•4373-3-4 비정상 흡수•4493-3-5 흡수가 있을 때의 라우에 해•4543-3-6 결정 결함 콘트라스트•4563-4 고분해능 투과 전자 현미경학 479
3-4-1 투사 전하 밀도 근사•4793-4-2 콘트라스트 전달 함수와 외피 함수•4913-4-3 광학 회절과 상 처리•5013-4-4 현미경 상 전산 모사•5083-4-5 모아레 줄무늬•519제4장 분광학4-1 x-선의 원리 5254-1-1 x-선의 생성과 스펙트럼•5254-1-2 특성 방사•5344-l-3 x-선과 시편의 상호 작용•5494-2 에너지 분산 x-선 분광학 5554-2-1 정성 분석•5554-2-2 정량 분석•5624-3 전자 에너지 손실 5714-3-1 전자 에너지 손실•5714-3-2 전자 에너지 손실 분석•580참고문헌•591찾아보기•605제|장 서론 1- 1 전자 현미경의 개요 1-1-1 전자 현미경의 역사 1855 년 가이슬러 Geis l er 가 방전관을 발명한 이래 과학자들은 방전관 내의 여러 현상에 대해 많은 연구를 해왔다. 1897 년 톰 슨 Tom p son 은 방전관 내의 음극선이 전자로 구성된 입자의 흐 름이 라고 생 각하였고, 1912 년 폰 라우에 von Laue 는 x- 선 회 절 이 론을, 1914 년 다윈 Darwi n 은 운동학적 회 절 kin e mati ca l dif frac ti on 이론을 각각 발표하였다. 1924 년에 드 브로이 de Bro gli e 는 전자가 입자인 동시에 파라는 개념을 도입하여 그 전 자 파 electr o n wave 의 파장이 드 브로이 식으로 주어 침울 주장 하였고 [1-1] , 1927 년, 데 이 비 슨 Davis s on 과 저 머 Germer 는 얇 은 전자 회절 시편을 이용하여 간섭 int e r fe r ence 에 의한 전자 회 절상 electr o n dif fra cti on pa tt er n 을 얻는 데 성공함으로써 전 자를 파동으로도 생각할 수 있다는 드 브로이의 가설을 실험적으
로 증명하였다 ll, 2]. 1926 년 슈뢰딩거 Schrodin g e r 는 파동 역 학에서 유명한 슈뢰딩거 방정식을 만들었고, 1928 년 베이터 Beth e 는 블로흐 Bloch 파 개 념 을 사용하여 동력 학적 회 절 dy n ami ca l dif fra cti on 이론을〔이, 니시카와 Ni sh ik a wa 와 키쿠 치 Ki ku chi 는 전자 회절상에 대한 이론을 발표하였다. 1939 년 코셀 Kossel 과 뮐렌스데트 Mollens t ed t는 수령성 빔 전자 회절 converge nt beam electr o n dif fra cti on (CBED) 에 대 한 이 론을 발 표하여 전자 회절에 대한 거의 모든 이론이 다 나오게 되었다. 1926 년 부쉬 Busch 는 축 대 칭 자계 mag n eti c fiel d 가 전자에 대해 렌즈 역할을 할 수 있다는 것을 보여 주었는데 이를 이용하 여 전자 현미경을 이용한 결상i ma gi n g 이 가능해졌다. 1932 년 놀 Knoll 과 러스카 Ruska 는-처음으로 투과 전자 현미경 tra ns-mi ss io n electr o n mi cro scop e (TEM) 을 발명 하였고, 러 스카는 이 전자 현미경 발명의 공로로 1986 년 노벨상을 수상하였다• 1938 년 독일 지멘스 S i emens 사에서 약 10nm 의 분해능을 지닌 최초 의 상업용 현미 경 인 지 멘스 엘미스코프 Sie m ens Elmi sk op 를 만 들고 난 후 유럽, 미국, 일본의 업체들이 상업용 전자 현미경을 제작, 판매하기 시작하였다. 1949 년 하이덴라이히 Heid e nreic h 는 알루미늄 박판 시편을 전자 현미경으로 관찰하여 그 결과를 분석하였고, 1950 년대에는 레플리카 re p l i ca 법과 전해 연마 electr o p o lis h in g 법 에 의 한 투과 전자 현미 경 시 편 제 작법 이 확 립되었다. 1955 년 허스 H i r t h 와 윌란 Whelan 은 박판 금속에서 전위 d i sloca ti on 의 전자 현미경 사전을 촬영하고 이 전자 현미경 상 im ag e 에 대한 이론을 확립하고 해석하였다. 이와 같이 재료의 기계적 및 전기적인 성질에 큰 영향을 주는 전위를 직접 관찰함 으로써 이 분야에 매우 큰 영향을 미치게 됨에 따라 그때까지 사
용이 활발하지 않았던 전자 현미경에 대해 사람들은 많은 관심을 갖기 시 작하였다. 1957 년 카울리 Cowley 와 무디 Moodie 는 얇 은 박판 s li ce 법에 의한 결상 법을 발표하였고 1958 년 멘터 Mente r 는 최 초로 격 자 결 상 latt ice im ag ing 으로 격 자 상을 얻 어 현재의 고분해능 투과 전자 현미경 hig h -resoluti on tra nsmi s- sio n electr o n m i crosco py (HRTEM) 상의 기초를 마련하였다. 1961 년 호위 Howi e 와 윌란 Whelan 은 운동학적 회 절 kin e mati - cal dif frac ti on 이 론에 의 한 결 함의 해 석 에 대 한 논문을 발표하 였다. 1960 년대에는 바금속 전자 현미경 시편 제작법인 이온 빔 beam 연마 방법이 도입되었고 여러 나라에 고압 투과 전자 현 미 경 hig h -volta g e tra nsmi ss io n electr o n mi cr oscop e (HVTEM) 이 설치되었다. 주사 전자 현미경 secondary electr o n m i crosco p e(SEM) 은 폰 아르덴 von Ardenne 에 의하여 1938 년에 처음으로 제작되었다. 주사 전자 현미경은 한동안 기술적인 어려움 때문에 실용화가 늦 어졌으나 1965 년경에 상업용 주사 전자 현미경이 판매되기 시작 한 후 여러 방면에 많이 활용되기 시작하였다. 1970 년대에는 전자 현미경의 분해능 향상으로 고분해능 투과 전자 현미경 기술이 보편화되었고 전자 현미경에서 원소의 종류 와 양을 분석할 수 있는 여러 검출기들이 부착된 분석 투과 전자 현미 경 analyt ica l tra nsmi ss io n electr o n mi cr oscop y 이 많이 사 용되고, 또한 관찰 중 탄소 침착을 막기 위해 고전공 기술이 전 자 현미경에 이용되었다. 1980 년대에는 전자 현미경에 컴퓨터의 응용이 보편화되어 더 욱 편리하고 다양하게 전자 현미경을 사용할 수 있게 되었다. 그 리고 1986 년 비 닝 Bi nn in g 과 로러 Rohrer 가 주사 턴넬링 현미 경 scannin g tun nell ing mi cr oscop e (STM) 의 개 발 공로로 노벨
상을 러스카와 함께 수상하였다. 1990 년대에는 전자원 electr o n source 을 열전자에서 전계 방출 전자로 바꾼 전계 방출 총 fiel d emi ss io n gu n (FEG) 을 부착한 현 미경이 보편화되기 시작하여 전자원의 크기 및 에너지 분산 s p read 울 최소화하여 아주 미소한 영역에서 성분 분석을 정확히 하고 공간 분해능도 향상시킬 수 있게 되었다. 전계 방출 총은 휘도가 높고, 에너지 분산이 작고, 정합성이 좋은 빔을 만들 수 있는 장점이 있다. 이룰 이용하면 홀로그래피 holo g ra py가 가능 해져 구면 수차 때문에 한계가 있는 상의 분해능을 향상시킬 수 있다. 이 전계 방출 총을 이용하여 미국 버클리 캘리포니아 대학 교의 로렌스 버클리 연구소에서는 단지 300 keV 에너지의 전자 빔을 사용하여 0 .1 nm 의 분해능을 낼 수 있는 현미경울 제작하였 다. 기존 열전자 총으로는 lMeV 에너지의 전자 빔울 사용하여 0.16nm 의 분해능을 얻을 수 있었다. 이와 같이 전자 에너지가 1 MeV에 서 300keV로 감소함에 따라 시편에서의 방사 손상 radia t i on dama g e 을 크게 줄일 수 있게 되었다. 또한 시편이 결상될 때 전자 현미경 대물 렌즈의 전자계 electr o mag n eti c fi eld 를 사용하는데 시편 자체가 자성을 지니고 있으면 이 전자 계에 영향을 주기 때문에 여러 나쁜 효과를 주게 된다. 따라서 시편에 자계의 영향을 주기 않기 위해서 전자계 대물 렌즈 obje c ti ve lens 를 두 부분으로 나누고 각 렌즈의 자계 가 반대 방 향으로 반씩 흐르게 하고 이 렌즈 사이에 시편을 두면 시편의 자 계는 그대로 있는 무자계 fiel d-fr ee 대물 렌즈를 이 용한 자성 재 료 현미경도 사용되기 시작하였다.
1-1-2 전자 현미경의 장점 재료의 여러 성질들은 미세 구조, 즉 원자의 종류와 위치에 큰 영향을 받는다. 광학 현미경보다 분해능이 훨씬 좋은 전자 현미 경으로 재료 내의 전위, 적충 결함 s t ack i n g fau lts , 계면 int e r fa c e 등울 직접 관찰함에 따라 이들이 재료의 여러 성질들 에 미치는 영향을 정확히 규명할 수 있게 되었다. 또한 전자 회절로써 결정의 격자 상수와 대칭성 등을 규명할 수 있고, 분석 전자 현미경으로 원자의 종류와 양을 분석할 수 있다. 그리고 고분해능 전자 현미경으로 원자의 배열을 육안으로 관찰할 수 있다. 이들 전자 현미경 기술을 이용하면 원자의 종류 와 위치를 원자 규모로 규명할 수 있고 따라서 이들이 재료의 성 질에 미치는 영향을 규명하여 새로운 재료의 개발에 이용할 수 있다. 일반 광학 현미경의 광원으로는 텅스텐 필라멘트를 많이 쓰는 데, 전자 현미경에서도 값이 싼 텅스텐 필라멘트롤 사용하여 열 이 온 방출 the rmi on ic emi ss io n 로써 매 우 쉽 게 전자를 만들어 낼 수 있다. 이 방출된 전자는 수 mm 의 아주 짧은 거리 내에서 수 백 볼트로 비교적 쉽게 가속될 수 있고, 가속된 전자들은 매우 좋은 단색성을 나타내는 장점이 있다. 전계 방출 총 (FEG) 을 사 용하면 열 이온 방출 전자보다 훨씬 더 향상된 단색성을 얻을 수 있다. 빠른 속도로 가속된 전자의 파장 (2 장 2-3-1 절)은 가시 광선의 파장보다 훨씬 짧기 때문에 전자 현미경의 분해능은 광학 현미경 보다 훨씬 향상되어 배율을 수 백만 배로 높일 수 있어 원자 배 열의 관찰까지도 가능하게 한다(예를 둘어 배율이 5 백만 배이고 원자 간격 이 0.1 run 라면 5 X l06 X 10-10 m = 5 X 10-4 m = 0.5 mm) . 가
속 전압 accelerati on volta g e 이 100 kV 의 경우 전자의 파장 A 가 3 . 72 p m 로 매우 짧아 결정의 면 간격 d 보다 작으므로 브래그 Brag g 법칙에 의해 회절을 잘 일으키며, 현미경의 수차 aberrati on 가 작은 좋은 현미경일 경우 결정 내에서 면 간격이 0.1~0.2 n m 정도 되는 원자 배열을 현미경으로 직접 관찰할 수 있는 장점이 있다. 전자의 파장이 짧고 결상 렌즈에서 결상에 기여하는 부분의 구 경, 죽 각 조리개 ang u lar a p er t ure 가 작기 때문에 전자 현미경 의 시편에서 초점이 맞는 깊이인 초점 심도 de pt h of fo cus 와 상 에서 초점이 맞는 깊이인 상 심도 de pt h of i ma g e 가 광학 현미 경에 비해 매우 크다. 그림 1-1은 현미경의 초점 심도와 상 심도 를 나타낸 그림이다. 그림 1 - 1 에서 초점 심도 T 는 분해능 8r(3 장 3-2-4 절) 범위 내에서 시편에서 변화될 수 있는 최대 거리이 므로, 그림에서 보면 광축을 따라 土 T/2 거리 이내에서 분해능 8r 로써 초점을 맞출 수 있다. 그림 1-1 에서
s
—o2r =—T2 tan 0 (1- 1) T= 笠 (1- 2) 。 이 고 여 기 서 O 는 산란 각 scatt er in g ang le 이 다. 예 를 들어 분해 능이 5nm 이고 산란 각이 10mrad 、이면 윗식에서 초점 심도 T = 500 nm 가 되나 광학 현미경의 경우 산란 각이 O 는 1 rad 정도 이기 때문에 T = 5 nm 가 된다. 따라서 전자 현미경에서 분해능 범위 내에서 시편을 0.5µm 의 초점 심도로 시편을 관찰할 수 있 다. 그러므로 고압 전자 현미경을 사용하면 0 .5 µm 정도의 두꺼 운 두께 내에서 시편의 아랫면과 윗면 사이에 있는 여러 결함들 을 동시에 관찰할 수 있으며 두 눈을 이용하여 관찰하면 3 차원 의 입체적 영상을 관찰할 수 있고, 주사 전자 현미경에서는 울퉁 불퉁한 파면을 관찰할 수 있다. 상 심도 S 를 나타낸 그림 1-1 에 서 배율이 M 일 때 시편에서 분해능 o r 은 상에서는 M or 로 확 대된다. 상 심도는 상에서의 분해능 M or 범위 내에서 상의 초 점을 변화시킬 수 있는 최대 범위로 생각할 수 있으므로 그림에 서 상 M or 이 士 S/2( 여기서 S 는 상 심도)의 거리 범위에서 관찰 된다. 이들의 관계는 그림에서 M28 r = 2s tan 0' = 군s ’ (1- 3) s = M0 8' r = M20 8 r (1- 4) 이고 여기서 0' = 0/M 으로 최종 상 면에서 각 조리개를 나타내 고 O 는 산란 각이다. Br 이 5nm 이며 0 = lOmrad 이고 배율이 10,000 이면 S 는 50cm 를 훨씬 넘게 된다. 따라서 전자 현미경
의 사진 필름은 형 광 판 fluo rescent screen 보다 제 법 아래 쪽에 있어도 다시 초점을 맞출 필요가 없고 형광 판을 전자 빔에 정사 지게 하여 상의 초점을 맞추더라도 상관이 없다. 전자는 중량이 다른 입자들에 비해 매우 가볍고 음의 전하를 띠고 있기 때문에 전계 electr i c fiel d 나 자계에 의해 쉽게 편향이 되어 10nm 이하의 작은 빔 beam 크기를 만들 수 있다. 그러므 로 작은 영역에서 회절 dif frac ti on 이나 성분 분석 등이 가능하 다. 또한 편향이 되는 성질을 이용하면 자계 렌즈를 만들어 결상 을 할 수 있으며 이 상을 매우 높은 배율로 확대할 수 있다. 전 자는 물질과 상호 작용하여 산란을 매우 잘 일으켜 회절을 잘 하 므로 매우 작은 양의 시편에서도 회절상을 얻을 수 있다. 그러므 로 전자 현미경의 상에서 조리개를 사용하여 1~lO µm 내의 좁 은 영 역 에 서 회 절 상을 얻 는 제 한 시 야 회 절 selecte d area dif fra cti on (SAD) 이 가능하고 전자 빔 의 크기 를 작게 하여 10 ~100nm 의 미소 영역에서 미소 빔 회절 m i cro-d iffr ac ti on 상을 얻을 수 있고, 전자 빔의 크기를 더욱 더 작게 하여 0.5~5nm 영역에서 나노 회절 nano-dif fra cti on 상을 얻을 수 있는 장점이 있다. 전자는 x- 선보다 10000 배로 물질과 산란을 잘 일으키므로 공 , 기와도 매우 심한 산란을 일으킨다. 그러므로 x- 선의 경로는 공 기중이라도 상관이 없지만 전자의 경로는 반드시 진공이어야 한 다. x- 선의 경우 회절 정보를 얻기 위해서는 전자의 경우보다 시편의 크기가 더 커야 하고 필름에 기록하기 위해서는 전자보다 훨씬 장시간 동안 노출시켜야 한다. 전자는 물질과 산란을 찰 일 으키므로 스크린의 형광판에서 강한 형광을 일으키기 때문에 쉽 게 형광판으로 검출할 수 있고 사전 필름과도 상호 작용을 잘 하 므로 수 초의 노출 시간, 다시 말하면 거의 실시간 real ti me 으
로 사진으로 기록할 수 있다. 전자 회절의 강도i n t ens ity는 결정의 회절 조건에 따라 매우 민감하게 변한다. 따라서 이를 이용하면 결정 내에 결함이 존재 할 때 결함 근처에서 결정의 회절 조건이 변하므로 회절상이나 상으로 결정 결함에 대한 정보를 얻을 수 있다. 한편 주사 전자 현미경 (SEM) 에서 주로 이용하는 전자는 이차 전자 seconda ry electr o n 인데, 이는 회절 조건에 민감하게 변하지 않고 표면 형 상에 따라 민감하게 변하므로 표면 형상의 정보는 주로 주사 전 자 현미경을 사용하여 얻는다. 또한 전자는 시편과 상호 작용을 심하게 하여 시편의 아주 미 세한 영역에서 원소를 분석하는 데 사용될 수 있는 여러 특성 신
x- 선 (EDS, WDS)
호 characte r is t i c sig l).al 를 만들어 낸다. 그림 1-2 는 입사된 전 자가 시편과 상호 작용하여 일어나는 현상을 보여 준다. 두과 tra nsmi tted 및 회절 dif frac te d 빔으로는 전자 회절상 및 수령성 빔 전자 회절 (CBED) 상을, 투과 전자 빔으로는 명시야 상 brig h t- field im ag e 을, 회 절 빔 으 로 는 암 시 야 상 dark-fi el d i ma g e 을, 이 두 빔 모두를 이용하면 고분해능 전자 현미경 상 hig h -resoluti on electr o n mi cr oscop y im ag e 을 만든다. 그리 고 시편과의 각도를 10° 이하의 낮은 각도로 시편에 전자 빔울 조사 하여 시편에서 만들어지는 반사 전자 빔을 이용하여 결상을 하는 반사 전자 현미경 refl ec ti on electr o n mi cr oscop y( REM) 기술이 있다. 분광 분석 s p ec t rosco py으로는 투과 전자의 에너지를 측 정하여 손실 에너지로 원소를 분석하는 전자 에너지 손실 분석 electr o n energy loss spe ctr o scop y (EELS) , 입 사된 전자가 시 편 과 상호 작용 후 시편에서 나오는 x- 선을 이용하여 원소를 분석 하는 에 너 지 분산 x- 선 분광 분석 energy dis p e rsiv e x-ray spe ctr o scop y (EDS) 과 파장 분산 x- 선 분광 분석 waveleng th dis p e rsiv e x-ray spe ctr o scop y (WDS) , 후방 산란 전자 backs-catt er ed electr o n 와 에 너 지 가 작은 이 차 전 자 secondary elec- t ron(SE) 를 이용하는 주사 전자 현미경 기술, 그리고 시편에서 나오는 오제 Aug e r 전자를 이용하는 오제 전자 분광 분석 Aug e r electr o n spe ctr o scop y (AES) 이 있다. 또한, 반도체 에 서 전자-공 공 쌍 electr o n-hole pa ir 이 형 성 ge nerati on 되 어 서 생 기 는 전류 룰 이용한 전자 빔 유도 전류 electr o n-beam-in d uced current (EBIC), 전자-공공 쌍이 재결합 recomb i na ti on 하면서 생기는 음극 발광 cath o do-lumi ne scence (CL) 을 분석 하는 기 술 둥이 있 어, 이와 같이 전자와 시편과의 상호 작용을 이용하여 시편에 대 한 많은 정보를 얻을 수 있다.
또한 시 편 지 지 대 spe c im en holder 를 특수하게 만들어 시 편을 기울이거나, 가열, 냉각, 변형하고, 기체와 반응하는 실험 등을 할 수 있다. 주사 코일울 사용하면 주사 전자 현미경에서와 같이 시편에 전자를 주사하여 여러 정보를 얻을 수 있는 장점이 있다. 가속 전압이 일반 전자 현미경보다 높은 고압 투과 전자 현미 경은 값은 고가이나 다음과 같은 여러 장점들이 있다. 가속 전자 의 에너지가 증가함에 따라 전자가 투과할 수 있는 시편의 두께 가 더 커진다. 따라서 시편을 얇게 준비하기가 어려운 시편이나 두꺼운 시편들을 관찰할 수 있다. 가속 전압이 2.5MeV 인 경우 경원소 재료의 시편 두께 14 µm 까지 관찰 가능하고, l MeV 인 경우 중원소 재료의 시편 두께 3µm 까지 관찰 가능하다. 전자 현미경의 분해능은 파장의 3/4 승에 따라 비례하므로 (3 장 3-2-4 절), 파장이 짧아짐에 따라 현미경의 분해능도 크게 향상된다. 결정에서 가속 전압을 낮은 전압에서 높은 전압으로 차츰 변화시 키면 여러 빔의 동력학적안 상호 작용 때문에 2 차 또는 고차 hig h order 회절 점 dif frac ti on spo t 에서의 강도가 최소가 되는 전 압이 생 기 는데 이 를 임 계 전 압 효과 criti ca l volt ag e eff ec t 라 하고 이 전압은 결정면 간격, 디바이 Deby e 온도와 구조 인자에 따라 민감하게 변화한다〔 4-6 〕. 임계 전압을 측정하면 미소 영역 의 성 분, 산란 인자 scatt er in g fac to r 및 디 바이 온도 등을 알아 낼 수 있어 재료의 상 변태 연구를 할 수 있다. 전자의 에너지가 크기 때문에 시편에 결정 결함 cr y s t al de fe c t을 만들 수 있어 원 자로에서 일어나는 현상을 모사 실험 sim ulati on 할 수 있다. 1 MeV 의 에너지로 철 시편에 1 분 조사하면 원자로에서 450 일간 조사된 시편에서와 같은 효과를 볼 수 있다. 또한 에너지가 증가 함에 따라 이온화 손상 ion iz a ti on damag e 을 줄일 수 있고, 전 자 빔의 밝기가 향상되고 x- 선 분석이나 전자 에너지 손실 분석
울 더 정확히 할 수 있는 장점이 있다. 또한 가속 전압이 증가함 에 따라 대물 렌즈의 초점 거리가 증가하여 렌즈에서 시편이 둘 어 갈 수 있는 공간이 확대되어 시편을 큰 각도로 기울이거나 인 장, 가열, 냉각, 기체와의 반응 등 여러 시편 조작을 할 수 있다. 1-1-3 전자 현미경의 구성 광학 투과 현미경은 대략 네 부분으로 구성되어 있다. 그림 1-3(a) 에 광학 투과 현미경의 대략적인 구조가 나타나 있다. 즉 주로 텅스텐 필라멘트로 되어 있는 광원, 물체에 비치는 빛이 밝 고 평행 광선이 되도록 하는 집속 렌즈 condenser lens, 푸리에 변환 Fourie r tra nsfo r m 을 두 번하여 결상하는 역 할을 하는 제 일 중요한 렌즈인 대물 렌즈, 그리고 대물 렌즈만으로는 확대가 조금밖에 되지 않으므로 주로 확대의 역할을 하는 대안 렌즈 또 는 두사 렌즈p ro j ec t or lens 로 구성되어 있다. 투과 전자 현미 경도 그림 1-3(b) 에 나타난 것과 같이 전자원, 집속 렌즈, 대물 렌즈, 배율을 높이기 위한 여러 개의 두사 렌즈 등으로 광학 현 미경과 유사하게 구성되어 있다. 여기에 시편에 조사되는ill um i na ti ng 전자 빔을 평행하게 하고 전자 빔의 크기를 조절할 수 있도록 하는 집속 조리개 condenser ape rtu r e, 시편을 넣어서 조작하고 처리할 수 있는 시편실 spe ci m en chamber, 전자와 시편의 상호 작용으로 생기는 전자 와 파를 감지할 수 있는 여러 감지기 dete c to r , 전자 회절상의 한 점, 또는 몇 개의 점을 선택하여 결상할 수 있도록 하는 대물 조리개 obje c ti ve ap e rtu r e, 제한 시야 회절을 위해 렌즈에 의해 제법 확대된 상에서 어떤 영역을 선택할 수 있게 하는 중간 조리 개 int e r media t e ap e rtu r e 와, 상과 회 절상을 기 록할 수 있는 기
발생 원 一 Lu_ 卜一고압
그림 1-4 가속 전자의 에너지가 lMeV인 원자 분해능 전자 현미경.
록 장치 등이 추가되어 있다. 그림 1-4 는 미국 로렌스 버클리 연구소의 국립 전자 현미경 센터에 있는 가속 전자의 에너지가 l MeV 인 원자 분해능 전자 현미경이다. 고분해능 전자 현미경은 고압이 매우 안정적으로 공 급되어야 하며, 고분해능 전자 현미경 상은 조그만 진동에도 매 우 민감하므로, 이 현미경의 고성능 고전압 공급 장치는 이 현미
경의 위충에, 전자 현미경의 고급 전동 방지 장치는 이 현미경의 아래충에 위치하여 각각 한 충씩을 차지하고 있다. 보통의 주사 전자 현미경이나 에너지가 200 keV 인 두과 전자 현미경에 비해 이 현미경이 더 고압의 현미경이기 때문에 발생 x- 선이 더 강하 므로 발생 x- 선으로부터 보호받도록 하기 위해 현미경의 경통이 더 굵게 되어 있다. 전자 현미경에서는 광학 현미경과 마찬가지로 텅스텐 필라멘트 를 사용하지만 가열 필라멘트에서 나오는 광자를 이용하지 않고 머리핀 형태의 가열 필라멘트에서 나오는 방출 전자를 이용한다. 텅스텐 필라멘트에서보다 더 밝고 더 작은 빔을 얻기 위해서는 열이온 방출 재료를 텅스텐 대신 일 함수 work fu nc ti on 가 낮은 란탄 핵 사보라이 드 lanth a num hexaborid e (LaBs) 를 주로 사용한 다. 또 빔의 크기를 0.3mm 정도로 작고 밝은 빔울 얻기 위해서 는 필라멘트 주위의 진공 상태가 초전공이 되어야 하는 전계 방 출 총을 사용한다. 그림 1-5 에서와 같이 텅스텐 필라멘트를 나 온 열전자는 조절하는 역할을 하는 베넬트 원통 Wehnel t c y l i nder 을 지나 수만에서 수백만 볼트의 전압이 걸려 있는 양 극 anode 의 작은 구멍을 지나면서, 낮게는 주사 전자 현미경에 서와 같이 20keV 의 에너지로, 또는 높게는 고압 투과 전자 현 미경에서의 같이 수 MeV 의 에너지로 가속된다. 이 가속된 전자 빔은, 평행 빔이 되게 하거나 수령 converge nt 각을 조절하게 하고 또 빔의 크기를 조절하는 역할을 하는 주로 두 개 이 상의 집 속 렌즈로 구성 된 조명 계 illum i na ti on sys t e m 를 지나 시편에 도달하게 된다. 또한 이 두 개의 집속 렌즈로 구성 된 조명계는 시편에 비치는 전자 빔의 경사tilti n g와 이동 tra nslati on 이 가능하도록 해 준다. 전자 현미경은 여러 개의 렌즈로 구성되어 있다. 전자 현미경
广一
렌즈는 전자계를 이용해서 만들어지는데 이 렌즈에 대해 알아보 자. 전자는 전하를 띤 입자이므로 정전계 electr o sta t i c fiel d 나 자계를 이용하여 전자의 이동 경로를 변화시킬 수 있다. 그러므 로 투과 전자 현미경 내부에서 입사된 전자는 전자계 렌즈에 의 하여 렌즈의 초점에 모일 수 있다. 전계 E 에 의해 전자가 받는 힘 F 는 F- = —eE- (1-5) 이고, 여기서 e 는 전하량이다. 이 힘을 이용하여, 전압을 가했 울 때 두 평행 판 사이의 구멍과 같은 불연속이 생기는 근처에 있는 전계의 비축상 nonax i al 성분을 이용하여 렌즈 효과를 내도 록 한다. 수백 내지 수천 V / mm 의 전계가 있어야 100keV 전 자에 대해 수 mm 의 초점 거리를 만들어 낼 수 있다. 한편 자계 H 속에서 속도 記 로 운동하는 전자에 작용하는 힘은 F一 = —ev X µ H- (1-6) 이고, 여기서 µ는 자기 두자율이다. 두 자극 사이의 구멍과 같 이 불연속이 생기는 근처에서 자계의 비축상 성분을 이용하여 렌 즈 역할을 하도록 한다. 윗식의 硏야? 항 때문에 힘의 방향은 5 와 R 에 수직이고, 이 힘의 방향이 전자가 축 주위를 나선형 길을 따라 움직이도록 한다. 단위 면적당 수 Tesla 의 자계만 있 으면 100keV 전자에 대해 수 mm 의 초점 거리를 만들어 낼 수 있다. 현재 사용되는 전자 현미경의 렌즈는 바로 이 자계에 의해 초점이 만들어지는 것을 이용하여 만든다. 전계를 이용하여 만든 렌즈는 초기 단계의 전자 현미경 제작에 이용되었으나 현재는 사 용되지 않는다. 그리고 광학 현미경과 전자 현미경은 렌즈의 질 적인 측면, 죽 구면 수차의 측면에서 바교해 보면 매우 큰 차이
점이 있다. 전자 현미경의 렌즈는 광학 현미경 렌즈보다 약 104 배 더 나쁘다. 시편실은 시편을 넣고 빼기에 편리하며 관찰중에는 진공 상태 가 유지되도록 되어 있다. 또한 시편 지지대 속의 시편을 원하는 결정 축으로 기울이게 하고, 관찰 영역으로 시편을 이동하고, 시 편을 냉각, 가열, 인장, 기체와의 반응 등을 가능하게 하는 장치 둘이 있으며, 시편이 관찰중 오염되지 않도록 액체 질소로 냉각 하는 장치 등이 부착되어 있다. 시편을 고분해능으로 관찰하기 위해서는 시편 흐름 dr ifti n g 이 2 nm/sec 이하로 시편 지지대가 기계적으로 안정하여야 한다. 시편 주위에는 시편과 전자와의 상 호 작용에서 생기는 전자와 파를 감지하기 위한 여러 검출기가 부착되어 있다. 시편을 지난 전자는 회절상과 상을 만들며, 몇 개의 중간 렌즈 와 투사 렌즈들에 의해 확대된 회절상과 상을 형광판이나 아래에 있는 사전 필름 위에 만든다. 기록 장치에는 사전 필름, 광섬유 로 연결된 텔레비전 카메라와 수상기, 비디오 데이프 기록 장치, 디지털 전자 사전 기록 장치 등이 있다• 전자가 지나는 모든 부분은 전공 상태로 유지하고 조절하도록 전공 장치가 부착되어 있고, 수백만 분의 일 정도로 매우 안정된 전압과 전류를 공급할 수 있는, 고전압 발생 장치와 렌즈 전류 공급 조절 장치 등이 있다. 투과 전자 현미경의 광학 시스템은 전자 총과 여러 개의 집속 렌즈, 대물 렌즈, 투사 렌즈, 형광판 등 많은 복잡한 체계로 구 성되어 있다. 하지만 이 복잡한 시스템에서 일어나고 있는 모든 현상울 전자 파 electr o n wave, 시 편 obje c t, 렌즈 하나로 구성 된 하나의 단순한 그림으로 표현할 수 있는데, 그것이 그림 1-6 이 다. 중앙의 수평선은 광축이며 점선으로 표시된 화살표는 물체이
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고, 그 우측에 렌즈, 후방 초점 면 back foc al pla ne, 그리 고 상 면 im ag e pla ne 이 차례 로 존재 한다. 전자 파가 평행하게 시편에 입사되어 시편과 상호 작용한 후 나온 전자 또는 x - 선은 앞에서 설명한 바와 같이 전자 에너지 손실 분석 (EELS) , 에 너 지 분산 X 선 분광 분석 (EDS) , 파장 분 산 x- 선 분광 분석 (WDS), 주사 전자 현미경 (SEM), 그리고 오 제 전자 분광 분석 (AES) 등에 이용된다. 한편 그대로 투과된 전자는 렌즈를 지나 후방 초점 면의 중심 울 지나고 상 면에서 상을 만든다. 이렇게 똑바로 투과된 전자들 만으로 이루어진 상이 명시야 상이다. 그리고 시편이 결정인 경 우 시편은 규칙적으로 배열된 격자 la tti ce 로 구성되어 있으므로 격자의 면간 거리 d 와 입사 전자파의 파장 A 에 따라 브래그 법 칙, ??A = 2d sin 0s( 여기서 n 은 정수이고, OB 는 회절면과 회절 전자 선 간의 각도)에 의하여 20B = 0 에 (0 는 투과 전자선과 회절 전자선 간의 각도) 따라 그립 1-6 에서 점선으로 표시된 회절 빔이 나온 다. 이 빔들은 초점 면 위의 초점에서 조금 떨어전 거리에 점들 을 만들게 되는데 이 점들이 바로 회절상을 만드는 점들이다. 회절 점을 만들면서 초점 면을 지난 전자들도 또한 상 면에서 상울 만드는 데 기여한다. 후방 초점 면에서 조리개로 투과 전자 빔만 투과하도록 하여 상을 만들면 명시야 상이 되고, 조리개로 20B= O 로 회절된 빔만으로 상을 만들면 암시야 상이 된다. 그 , 리고 비교적 큰 조리개로 투과 빔과 회절 빔 모두를 사용하여 투 과 빔과 회절 빔의 간섭으로 인한 위상 차p hase d iff erence 로 상이 만들어지도록 하면 고분해능 투과 전자 현미경 상이 된다. 전자가 지니고 있는 물체에 대한 정보가 렌즈를 통과하여 후방 초점 면에서는 회절상이 되고 이 회절상의 정보가 상 면에서는 다시 상이 된다. 죽 실공간 real sp a ce 의 물체 또는 시 편은 푸리
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에 변환으로 회절 면에서 회절상 또는 푸리에 공간에서의 역격자 recip ro cal latt ice 가 되고, 이 회절상은 다시 푸리에 변환이 되 어 상 면, 즉 실공간에서 상이 된다. 이상적인 렌즈 계에서는 물 체(또는 시편)가 그대로 상으로 나타나게 된다. 고분해능 투과 전자 현미경 상에서는 바로 이 원리를 이용하여 결상을 한다. 그 런데 렌즈에서 수차가 심하여 아주 비이상적인 렌즈 계가 되면 현미경의 분해능이 떨어져 원자 배열을 볼 수 없게 된다. 그림 1-7 은 렌즈의 역할을 보여 주는 것이다• 전자원에서 방 출된 전자들은 구면 파 s p her ic al wave 로서 사방으로 퍼져 나가 고, 물체에 평행하게 입사되지 못한다. 하지만 렌즈의 초점 면에
파원을 두면 렌즈를 통과한 전자들은 평행하게 진행하므로 전자 들을 물체에 평행하게 입사시킬 수 있다. 이것은 물체에서 무한 대의 거리만큼 떨어전 파원에서는 물체에 파가 평행하게 입사되 는 것과 같은 현상이다. 죽 렌즈는 파원을 무한대로 보내는 역할 울 한다. 현미경의 집속 렌즈의 앞 초점에 파원을 두면 집속 렌 즈는 평행 빔을 만들어 주어 시편에 평행 빔이 입사되도록 한다. 한편 물체를 투과한 전자 빔들의 회절은 물체에서 멀리 떨어 진, 이론적으로 무한대로 떨어진 회절 면에서 일어나므로 대물 렌즈 없이는 제한된 공간에서 관찰할 수 없다. 그러나 그립 1-8 에서와 같이 물체롤 지나 거의 평행하게 진행하는 전자 파에 대 물 렌즈를 두면 물체에서 바교적 가까운 곳, 즉 렌즈의 초점 면 에 회절상이 만들어진다. 이렇듯 회절상이 시편 가까이에서 만들어 지도록 회절 면을 무한대에서 초점 면으로 끌어들이는 것이 대물 렌 즈의 역할이다 . 전자 현미경의 회절상은 진행하는 전자 파와 물체와의 상호 작 용에 의해 결정되고 렌즈는 단지 파원과 회절상까지의 거리를 조 절하는 역할을 한다. l-2 파와 푸리에 변환 1-2-1 파의 정의와 특성 우선 진행되는 전자 파를 이해하기 위하여 파에 대해 알아보 쟈 파는 시간 또는 공간 속에서 진행되는 어떤 변화이다. 이 변 화를 함수 lf!(x , t)로 나타낼 수 있는데, 여기서 x 는 어떤 공간 좌표, t는 시간 좌표이다. 함수 깐 (x, t)는 매체 내에서 입자의
운동, 어떤 부위의 온도 변화, 전계 또는 자계 내에서의 변화 등 여러 가지를 나타낼 수 있다. 먼저 생각할 수 있는 제일 간단한 파는 일정한 속도 v 로 한 방향으로 움직이면서 그 형태를 그대 로 유지하는 파이다. 즉 조금 전에 있었던 파가 현재 그대로 있 는 것이다. 이것을 수식으로 표시하면, 어떤 위치 x 에 대해 1Jl(x , t) = 1Jl(x -vt, 0) (1-7) 이다. 물론 반대 방향으로 진행하는 파는 1Jl(x , t) = 1Jl(x + vt, 0) (1-8) 이고 따라서 1 차원에서 임의의 방향으로 진행하는 파는 1Jf(x , t) = 1Jf(x 士 vt, 0) (1-9) 로 표시할 수 있다. 이 식을 공간 x 와 시간 t에 대해 미분하면 8alxJ f =- o(x8 士lJ f v t)' 一aalt/= ! -土 ~ vv a(x a土l/ ! vt) (1-10) 이 되고 미분을 한 번 더 하면 8a 맹x2 -a(x 장土 W v t) 2 ' —aa2t—w2 -=v V2 ? a(x a士2w v t) 2 (1- 11) 이 되어 윗식에서 하나의 미분 방정식을 얻을 수 있다. 장a1갔 Jf Vl 2 장a1tj2f • (1-12) 이 식이 1 차원 파동 방정식이고 이 식의 일반 해는 바로 lJf(x , t) = lJf(x 士 vt, 0) (1-9)
이다. 또한 3 차원으로 확장하면, 紅dX2 +1 紅d 넛 +—紅8 궁 =—v12 —장8ltJ2f (1-13) 西=》皇 (1- 14) 이고 여기서 v2 는 라풀라스의 작동자로 v2= 函장7 + 守장- +戶강 (1-15) 이다. 식 (1-12) 의 특별 해 중의 하나는 단순 조화 파인 lJf(x , t) = A sin 27rk(x 土 vt) (1- 16) 이다. 여기서 A 는 파동의 진폭 amp litud e 이고 27rk(x 土 v t)는 파동 의 위 상 ph ase 이 다. 1jJ' 는 단 순 조 화 진 동 sim p le harmonic osc ill a ti on 으로 진행하는 어떤 성질인데, 예를 들면 매질 속에 서 입자의 진동을 나타낼 때에는 伊는 입자의 위치 변화를 나타 낸다. 그러한 운동 방향이 파의 진행 방향에 수직일 때는 횡파, 진행 방향에 평행할 때는 종파라고 한다. 하지만 운동 방향이 파 의 진행 방향에 수직 또는 평행하지 않고 임의의 각도를 가질 수 도 있다. 식 (1-16) 을 식 (1 - 12) 에 대입해 보면 이 단순 조화 파 는 파동 방정식을 만족한다는 것을 알 수 있다. 그림 1-8 과 같이 +x 방향으로 전행하는 단순 s i n 횡파를 사용 하여 상수 k 가 어떤 중요한 역할을 하는지 알아보자. 여기서 W 를 x 축에서부터 어떤 입자의 변위 d i s p lacemen t를 나타낸다고 하자. 원점에서 x 만큼 떨어전 한 입자 P 의 운동을 생각해 보자. 이 입자는 x 축에 수칙하게 아래 위로 최대 전폭 A 만큼 전동한 다. 시간 t가 0 일 때 변위는
qr A JI
lJf(x , 0) = A sin 27rkx (1-17) 이다. A 가 파동의 파장일 때 변위 1[f의 값은 위치 (x —A) 에 있 는 입자 P' 에 대해서도 똑같은 값을 지닌다. lfl(x , 0) = A sin 21rkx = A sin 날 (x _ A) == Alfl (sxi n - 21 trt,k x0 )c os 2 Jr臥 —co s 21rkx sin 2 따 (1-18) 식 (1-18) 는 모든 x 에 대해 k = n/ 1t이면 만족한다. 여기서 n 은 정수이다. 물론 k = l/1 t도 만족한다. 어떤 시간 t가 경과한 후 x 에서의 변위 lJf(x , t)는 t = 0 일 때 위치 (x - v t)에 있는 접 P 에서의 변위와 같다. 죽 1/f(x , t) == AA ssiinn 22K7rkk{(x(x --v vtt) ) = — 1O/f}( x - vt, 0) (1-19)
특히 입자가 완전한 한 번의 진동을 한 후 다시 P 로 되돌아 오 는 데 걸리는 시간이 t’이면, vt' = 11 (1-20) 이다. 시간 t'동안 진행한 거리는 A 이고, 파동의 주파수 l/는 1/t' 이므로 V= !.IA = 오27[ A (1- 21) 이 다. 여 기 서 (J)는 각 주파수 ang u lar freq u ency 이 고 단위 는 , rad/sec 이다. 그러므로, 1Jf'(x , t) = A sin 21rk(x - vt) = A sin (27rkx — 27rk ~27[ 11t ) (1-22) 이다. 죽 양의 x 방향으로 전행하는 파에 대해서 1Jf(x , t) = A sin (27rkx - (J}t) (1-23) 이다. 여기서 항 (21rkx —(J )t)은 파동의 위상이다• 위상에 포함 되어 있는 k 대신에 파동의 진행 방향까지 표시할 수 있도록 벡 터 r 로 나타낸다. 벡터 E 를 파동 벡터라고 하는데 E 의 크기는 1/;l 이고 방향은 파동의 진행 방향이다. 3 차원에서의 파동을 나타내기 위해서 이 결과를 일반화시키 면, 1Jf( r, t) = A sin (27rk· r -( J)t) (1-24) 이 된다. 여기서 7 은 원점으로부터의 위치를 나타내는 벡터이고 k· r 은 r 를 7 위에 투사한 것이다. 식 (1-16) 에서 한 해를 sin
함수로 사용하였는데, cos 함수 역시 식 (1-12) 의 해로 생각할 수 있다. 그러므로 파동 방정식의 또 하나의 해는 l/f( r , t) = A cos (27rk • r -(J Jt) (1-25) 이 다. 한편 미 분 방정 식 에 서 해 의 선 형 조합 line ar combin a ti on 도 그 방정식의 해가 되기 때문에 exp 沿 = cos 0 + i sin 0 (1- 26) 를 이용하여 식 (1-24) 와 식 (1-25) 을 선형 조합하면 파동은 lJf( r, t) == AA ecoxsp (i2(12r 1f•r k ·r r一 — (J ()Jt)) t)+ iA sin (21rk· r —(J) t) (1- 27 ) 로 나타낼 수 있고 이것 역시 미분 방정식의 해이다. 수학적인 측면에서 파동을 복소 지수 형식으로 나타내면 미분이나 적분할 때 s i n 이나 cos 으로 나타낼 때보다 훨씬 편리하므로 이제부터 단 순 조화 파를 복소 지수 형식으로 나타내기로 하자. 3 차원에서 는파동을 1Jf( r , t) = A exp i(2 1r/c • r -(J Jt) (1- 28) 로 표시하기로 하자. 이 석은 위상이 일정한 면이 평면인 평면 파를 나타내고 있다. 죽 그림 1-9 와 같이 f. r 이 일정하므로 파동의 진행 방향 r 에 수직인 면 위에서는 (21ric • r -( JJt)로 표 시되는 파의 위상이 어디서나 일정하다. 1 차원에서 간단히 표시 하면 lfJ'(x , t) = A exp i(2 7rkx — (J)t) (1-29) 이다. 만일 어떤 파동이 원점을 중심으로 하여 퍼져나가는 점원으로
r 。
부터 나온다면 그 파는 위상이 일정한 면이 평면이 아니고 위상 이 반경이 r 인 구면 위에서 일정하게 된다. 이런 파동을 구면 파라고 하고 다음과 같이 표시 한다. 1/f( r , t) = 沿 exp i(2 7rk• r —따) . (1-30) 그리고 구면 파에서는 r 의 방향과 7 의 방향이 같으므로 1/f( r, t) = 갑 exp _i (2 7rkr - (l)t) (1-31) 로도 나타낸다. 이 경우 파의 강도는
I == TlJA7flJ ff*e x p i•(I2n 1r,k. · r- -( J,) \ t)A芹 丁 ex p{( 규• (I n2 간,.. r -( J)t)} = Ar 22 (1- 32) 로 표시하는데 파의 강도는 거리의 자승에 반비례한다. 공액 복 소수 깐 * 는 함수 1/f에서 i가 나타날 때마다 1대 신 -i를 대입하 여 얻는다. 한편 평면 파의 세기는 I = 1/fl/f* = A exp i(2 1rk· r 一 (J)t) A exp {규 (21r f· r — (J)t)} = A2 (1-33) 으로 거리에 무관하게 일정하다 .. 식 (1 - 29) 를 해로 갖는 좀더 일반적인 파동 방정식이 있는데, 1 차원에서는 식 (1-29) 를 n 번 미분함으로써 이 방정식을 얻을 수 있다. 1Jf(x , t) = A exp z (27rkx - (J}t) (1- 29) 言an 1Jf = (z°2 7rk)n A exp £(27rkx - (J}t) = (£27rk) 慣 (1- 34) a8nt 1n Jf = (—i(J})n Aexp £(27rkx - (J}t) = (규(J}) n 1Jf (1-35) 식 (1-34) 와 식 (1-35) 를 연립하여 1jJ'를 제거하면 다음의 일반 파 동 방정식을 얻는다. {(玉 )n 을 -(i 2 ;rk ) 틀} 1Jf = o. (1- 36) 여기서 lJf의 미분 사이에는 다항 관계가 있음울 알 수 있다. 죽
을=나 )n (1-37) 이고, 을=틀 )n (1- 38) 이다. 따라서, G( 玉t)lf/ = O (1-39) 이 된다. 여기서 G 는 (玉,훑)의 다항 함수이다. 미'--- 기~ ’ G= 나 )2 ―》틀 )2 (1-40) 이면 식 (1-39) 는 皇」중 ~=O (1-41) 의 파동 방정식이 되고, 이 식에 ft서신 i 2Kk 를, 그리고 :려 신 (―i(/))를 대입하면, (i 2 7[ k)2 伊 —》 (玉)맹 = O (1-42) 이 된다. 따라서, i21 Ck = 土프u쓰 (1-43) v = 土_!2!1C!k_ (1-44)
가 된다. 파의 속도 u 는 파동 벡터 r 에 무관하게 일정할 수 있 으므로, 각주파수 (J)와 파동 벡 터 r 의 분산관계 dis p e rsio n relati on 는 다음과 같다. (J) = 土 (27ru)k. (1-45) 진공 속의 빛의 속도와 같이 u=c 로 파의 속도가 일정한 경 우도 있지만, 대부분의 매질에 대해서 파의 속도는 변하게 된다. 속도 u 가 실수부 이의에 허수부를 포함하고 있으면, U = U1 + iu2 • (1-46) 이고 각 주파수 (J)가 실수라면, 파동 벡터 r 는 다음과 같이 쓸 수 있다. k = k1 + ik2 . (1-47) 따라서, 단순 조화 파 伊는 lJf(x , t) = A exp i(2 7rkx - (J)t) == AA eexxpp (i-{22 77rr(kk12 x+) eixk2p ) xi (2- 7rk (J1)xt} - (J)t) (1-48) = A' exp i(2 7rk1x - (J)t) 이 된다. 여기서 파의 진폭 A' = A exp (-21rk2x) 는 거리가 증 가할수록 지수 함수적으로 감소한다. 죽 파동 벡터의 허수부가 파의 전폭에 감쇄 효과를 일으킨다. 이와 유사하게 전자 현미경 시편에서 전자 파가 흡수되는 것을 수학적으로 표시할 때 소멸 거리(令)의 역수를 실수 부분과 허수 부분으로 분리하여 허수 부 분이 파의 진폭에 감쇄를 일으켜 흡수되는 효과를 표시하도록 한 다 (3 장 3-3-4 절). 만약 파의 속도가 허수부만을 가지게 되어 k
= i k2 라면, l/f(x , t) = A exp (- 2 Jr k2 x ) exp ( 규 (J}t) (1- 49) 이 된다. 죽 파가 x 방향으로 진행하지 않고 파의 진폭만 급격히 감소한다. 이 를 소실 파 evanescent wave 라고 한다. 1-2-2 푸리에 법과 푸리에 해석 지금까지는 파동 방정식의 해가 , 이해하기 쉽고 계산하기 편리 한 정현 sin u soid a l 형태를 갖는다고 생각하였다. 이렇게 가정하 면 훑대신 i 2 ;r k 를 훑-대신 (규(JJ)를 간편하게 대입할 수 있는 이점이 있었다. 그렇지만 파동이 반드시 정현 형태로 되어야 한 다는 것은 아니다. 예를 들면 소음과 같이 아주 불규칙한 파나 음성과 음향 정보를 전달하기 위해 파의 전폭이나 주파수를 변조 해야 하는 라디오 파도 정현 형태의 파가 아니다. 19 세 기 초 프랑스의 수학자 푸리 에 (J.- B.J . Fourie r , 1768 ~ 1830) 는 어떤 임의의 함수를 정현 항의 합으로 표시할 수 있는 훌륭한 방법을 고안해 내었다 [1- 끽. 푸리에 법 Fourie r me t hod 울 사용 하면 임의의 파동 방정식의 해를 그 파동 방정식을 만족시키는 각각의 정현 해의 합으로 표시할 수 있으므로 정현 또는 지수 해 의 장점을 이용할 수 있게 된다 [1 - 3]. 뒤로 가면 이 방법이 매우 유용하게 사용된다는 것을 알 수 있을 것이다. 푸리 에 정 리 the orem 는 어 떤 주기 함수 f (x) 라도 함수 f (x) 의 파장 A 의 정수 분의 일 (0, 1, 1/2, 1/3, 1/4, …, l/n) 의 파장을 지 닌 일련의 정현 함수의 합으로 표시할 수 있다는 것이다. 정현 항들 울 지수 형태로 나타내면 푸리에 정리는 다음 식으로 표시할 수
있다 [1-4 〕. f(x ) = 홀 an exp (27 fi 맛 x) = 홉00。 따 exp (27rik n x). (1- 50 ) 여기에서 k = l / 11 이다. 상수 an 을 푸리에 계수 Fourie r coeff i- cien t 라고 하고 실수뿐만 아니 라 복소수도 될 수 있다. 죽 an = An + iBn (1- 51) 이다. 위처럼 합을 표시하는 데 n = O 의 항이 포함되어 있다. 이것은 급수의 첫 항으로 함수 f (x) 의 평균값을 나타내는 상수 항이다. 한 예로써 그림 1-10 에 쇄선으로 나타낸 방형 파 squ are wave 를 생 각해 보자. 각 푸리 에 성 분은 그림 1-10 (a) 에 나타나 있다. 영번째 성분은 단순히 이 방형 파의 평균값이다. 첫번째 성분은 방형 파와 같은 주기를 지니는 정현 파이고 두번 째 성분은 그 파의 주기 p er i od icity가 방형 파 주기의 배가 되 는 정현 파이다. 각각의 성분에다 적당한 상수 인자를 곱한 결과 가 그림 1- lO (b) 에 나타나 있다. 급수에 항을 추가하면 할수록 점점 더 본래의 함수에 가까운 결과를 얻을 수 있다. 급수의 각 항에서 뒤에 있는 정현 항(또는 지수 항)은 정해져 있는 것이고 함수에 따라 정해 주어야 할 것은 바로 적당한 상수 인자, 죽 푸리에 계수 an 이다. 이 푸리에 계수를 구하는 것을 푸리 에 해 석 Fourie r analys i s 이 라고 한다. 그림 1-10 에 나타낸 방형 파의 예는 순수 실함수의 예이다. 순수 실함수의 경우 양의 n 값으로 푸리에 급수를 나타낼 수 있다. 만일 허함수의 경우 푸 리 에 급수 Fourie r serie s 로 표시 하려고 하면 n 의 값을 양의 값 뿐만 아니라 음의 값까지도 포함시켜야 한다.
r---- 卜~ ~)---I
어떤 함수 f (x) 를 푸리에 해석하기 위해서는 정현 함수의 특징 중의 하나인 완전한 한 주기의 정수 배 구간으로 적분하면 항상 영이 된다는 사실을 이용하여야 한다 [1-5, 1- 이. 정현파 exp
(27rix / tl) = exp (27r i kx) 를 완전히 한 파장 구간으로 적분하여 보 자. 0 = 27rkx = 27rx/ tl라 하고 한 파장 구간인 _ 7[ ~ 0 ~ 7[를 생각해 보자. 적분울 하면, I = 1-T:r exp i0 d0 = +1t exp i 0I 몬 r = +1t {exp 7ri —ex p (-7ri) } (1- 52) = +11{ cos 7r + i sin 7r -c os (-7r) - i sin ( —7r)} =O 이 다. 이 제 함수 exp (27rin x /11) = exp (27rin k x) = exp (i n0) 를 n 파장 구간에서 적분해 보자. 여기서 n 은 영이 아닌 정수이고 파 장은 n 배만큼 작다. 적분하면, I = J-1:1: exp• (• in0 )• d0 = ¼nz e xp (i n0)| 프 r = 一n1t {exp ( nm) —ex p ( —n7r i) } = —-n1t : c o{cso ( s -(nn7 찌r ) +- i i ssiinn ( (n —7rn)7 r )} (1- 53) =O 이 되 어 적분이 영 이 된다. 예를 들면 exp (i m0) 와 exp (-in0) 와 같이 m 과 n 이 정수인 두 정현 함수의 곱의 적분은,
I == 11--7: :711 eexxpp {( i—(mi m - 0) ne)x0p} (d0규 n0) d0 (1-54) 이 되어 (m - n ) 이 영이 아닌 정수면 완전한 (m 一 n) 파장에 대해 적분하면, I = 1-:, re xp {i(m —n) 0} d0 = 0 (1-55) 이 된다. 만일 m = n 이면 적분은, I == 11--1-: :rT 1ex dp0 {=i( m7 r -— n()급 8}),d =0 27f (1-56) 으로 영이 되지 않고 2 7f가 된다. 어떤 주기 함수 f ( x ) 가 푸리에 급수로 f(x ) = 흠 am exp (21ri 뿐 기 = -~o0o0 am exp (21rim kx) (1-57) 이고, /(0) = -Ic00!o am exp (im0 ) (1- 58) 로 표시된다고 하자. 여기서 m 은 정수이고, fJ = 21rkx 이다. 함 수 f (x) 에 다른 함수 exp (— 21rin k x) = exp (-i n fJ)를 곱한다. n 이 정수라면 exp (-i n fJ)를 곱한 적분은,
I == Jf국:> ~(0 a)m e xepx p( (-iimn00 )) edx0p (-in0) d0 (1-59) = 1: 홍 m exp {i(m -n)0} d0 = 27ran 이 되어 m = n 이 될 때만 적분의 값이 2m% 이고 m = n 이 아닌 급수의 다른 각 항에서는 적분이 영이 된다. 따라서 n 번째의 푸 리에 계수를 구하는 방법을 찾을 수 있게 되었다. 즉, an = ½1 : /(0) exp (-in0) d0 (1-60) 이고 여기서 0 = 27[ k x = 2 7[x /A 이다. 푸리에 계수는 함수가 우함수 even fun cti on 또는 기함수 odd fun cti on 에 따라 달라전다. 함수 k(O) 가 /e(0) = k(-O) 이면 우 함수, 함수 lo(B) 가 lo(B) = ―fo (-O) 이면 기함수라고 한다. 예 를 들면 앞의 방형 파는 x 축을 따라 어디에 위치하느냐에 따라 그림 1-11(a) 처럼 우함수가 되기도 하고 그림 1 - 11(b) 처럼 기함 수가 되기도 한다. 우함수 A 가 있으면 그 푸리에 계수는 an = 吉 1>e( 0 ) exp (-in 0 ) d0 (1-61 ) 이다. 여기에 0 대신 -0', d0 대신 -d0' 울 대입하면 an 玉 1-TC fe( -0') exp (in0 ') (-d0') = 吉 1:fe(8 ') exp (in0 ') (d0') (1-62)
f
= 吉 i:/e(O ) exp (in0 ) (d0) = an * 가 된다. 여기서 an* 는 an 의 공액 복소수이다. 윗식에서 an = an* 이므로 An + iBn = An - zB 저서 En = 0 이 되고 an 은 순전 히 실수이므로 우함수의 푸리에 계수는 순수 실수이다. 마찬가지 로 기함수 fo 의an =푸 리-2b1에r 1J-계n::f 수o는( 0 ,) exp (-in0 ) d0 (1- 63)
이다. 여기에 0 대신 —0', d0 대신 ― d0’ 을 대입하면 an = 吉fr -?。 (- 0') exp (in0 ') (-d0') = 」; f-:fo(O ') exp (in0 ') (d0') (1-64) = —an * 이다. an = -an* 이므로 An 十 iBn = —An + iB n 이 되어 An = 0 이 된다. 그러므로, 기함수의 모든 푸리에 계수는 순수 허수이 다. 푸리에 해석의 한 예로써 회절을 공부할 때 많이 이용되는 우 함수로 나타낸 방형 파의 푸리에 계수를 구해 보자. 우함수로 나 타내었으므로 푸리에 계수 an 의 값은 실수만 나오게 된다. 그림 1-12(a)f 에(O )나 =타 [낸 방형_ 7파 [ <는 2f)수 <학 _적망으,로 2뭉 다 <음 f)과 < 같7[이 표시된(1다-6.5 ) ―프< 0 三프 푸리 에 계 수를 구하는 식 (1-60) 으로부터 an = 吉 1>(0) exp (-in0) dB = 吉 1:1 exp (—in0 ) dB = 2T(~exp ( -in0) j~ = 幸 -{ex p (-i국) —ex p (국)} (1- 66)
f(0 )
= ~(cos 투 —i s i n 부 -co s 뚜 —i s i n 투) = —n1T si.n — n2J r = 21 s i nn 뿐Jr 2 이다. 그러므로, a1 = l/Jr, a2 = 0, a3 = -1/(3 미, a4 = 0, as = 1/(57r), … 등이 된다. 계수 ao 는 다음과 감이 n 이 0 으로 수령할 때 의 극한값으로 계 산한다. a 。 = lni 一m o — 12 sm. n Tn21 r =—21 • (1-67) 2 그림 l-12(b) 에는 방형 파의 푸리에 계수를 나타내었다. 영번째 푸리에 계수 ao = 1/2 울 제의하고는 짝수의 푸리에 계수는 0 이 댜 변수 8 = 21rf:x = 21rx/A 라는 원래의 정의를 이용하고, d0 = 21rk dx = 21r j1- dx 를 대입하여 적분식을 다음과 같이 고쳐 쓸수 있다. an = 亡 i:f( ()) exp (-in( )) d() = 六 f亨/ (x) exp (— i27 rknx) (27rk dx). (1-68) -百 다시 정리하면
a(k)
an = +f! t(x) e xp (-27r i于) dx = f 1_17A/ (x) exp (-2Jr ink x) dx (1- 69) 아 된다. an 은 n 의 함수이지만, nk 의 함수로 생각하기 위해 nk 룰 일반적인 k, 죽 여러 값을 지닐 수 있는 k 로 생각하고 또한 여기에 an 이 어떤 특정한 값들에 대해서만 영이 아닌 값을 지닌 다는 조건을 부가하면 함수 an 을 k 만의 함수로 생각할 수 있다. 즉 a(k) = +1: /(x) exp (-21rik x ) dx (1- 70) A 이다. 이 함수 a(k) 를 그림 l-12(c) 에 나타내면 푸리에 계수에 서 n = 0, l, 3, 5, ···에 해당하는 k = 0, l/J, 3/J, 5/,-l, …의 지접에 일련의 막대가 생기게 된다. A 는 x 축을 따라 실공간에서 거리 롤 나타내는 것이므로 길이의 단위를 가지는데 비하여 k 는 길이 의 역수 단위를 가진다. 따라서 a(k) 는 1 차원 역공간, 죽 k 공 간에서의 함수이다. 실공간과 역공간, 두 공간의 척도는 당연히 서로 역관계에 있다. 그림 l-13(b) 에서 볼 수 있듯이 방형 파의 배열 주기 A 를 점점 감소시키면 a(k) 의 막대들은 점점 더 듬성 듬성하게 되고 그림 l-13(c) 에서처럼 A 를 점점 늘리면 a(k) 의 막대들은 점점 촘촘하게 위치한다. • 1-2-3 푸리에 변환 이제까지 우리는 주기 함수인 방형 파를 공부해 왔다• 이 주기
함수는 n = 0, 1, 2, 3 , …에 대해 파장 역수의 정수 배 n/1 1, 즉 0/ 11, 1/11, 2/1 1, 3/11, …의 함수로 푸리에 해석울 하였다. 만일 비주기 함수의 푸리에 급수는 어떻게 될 것인가에 대해 생각해 보자. 먼 저 우리가 살펴보고자 하는 비주기 함수가 하나의 단위를 구성하 면서 그림 l-14 (a) 와 같이 파장이 A 인 주기 함수로 만들어 보 자. 그리고 새로 만든 이 주기 함수의 푸리에 계수를 앞에서 한 것 처 럼 a(k) 함수로 만들어 보자. 그림 l-14 (b) 와 같이 파장을 늘리면 파장이 증가함에 따라 a(k) 함수를 나타내는 막대들이 점점 더 가까이 접근하게 된다. 그림 l-14(c) 와 같이 파장이 감 소함에 따라 a(k) 함수를 나타내는 막대들이 점점 더 멀리 떨어 지게 된다. 그리고 그림 l-15(a) 에 있는 방형 파의 한 단위인 중 절모 함수 top -h a t fun cti on 가 그림 l-14 (d) 와 같이 펄스 폭 wi dt h 이 . 그대로 유지되면서 펄스의 간격 A 가 배로 늘어나면 a(k) 함수를 나타내는 막대는 배로 더 촘촘해지게 된다. 중절모 함수로 나타낸 펄스의 간격이 4 배로 되면 a(k) 를 나타내는 함수 의 막대는 4 배로 더 촘촘하게 된다. 그리고 간격을 점점 늘여 파장을 무한대로 증가시켜 보자. 파장이 증가함에 따라 a(k) 를 나타내는 막대들이 점점 더 가까이 접근하게 된다. 이렇게 매우 가까이 접근한 막대들의 끝점윤 연결하여 만들어지는 겉모양을 나타내는 선을 외피라고 하는데 파장을 더욱 증가시켜도 a(k) 의 의피는 변하지 않는다. 파장이 무한대가 되면 본래 함수는 비주 기 함수가 되고 a(k) 는 그림 l-14 (e) 와 같이 연속적 인 외 피 모양 울 나타내게 된다. 이 외피를 그 함수의 푸리에 변환 Four i er tra nsfo r m 이라고 한다. 수학적으로는 연속 함수로 다음과 같이 표시한다. /(k) = 1-:c0o/0 (x) exp (-21rik x ) dx = a(k). (1- 71)
x 二
함수 J ( x ) 의 푸리에 변환은 f (k) 로 표시한다. 주어진 함수 /(x) 가적분 /(x) = /:a00 (k) exp (27 fikx ) dk (l-72) 로 표시 할 수 있도록 어 떤 함수 a(k) 가 존재 한다면 a(k) 를 J(x ) 의 푸리에 변환이라 하고 f (k) 로 나타낸다. 수학적으로 표시하 면 다음과 같다. /(k) = 1_:OO/ (x) exp (— 27f ikx ) dx = j[ /(x) ] . (1- 73) 더 상세한 푸리에 변환에 대해서는 참고서를 참고하기 바란다. 참고로 저자에 따라서 푸리에 변환의 정의를 약간 달리하는 경 우가 있다. k = 2 7f/tt를 k' 으로 정의하면 지수 속에 2 7[를 계속 쓸 필요가 없다 [1 - 7]. 이 경 우, f(x ) = 1-:ooa (k') e xp (ik'x ) dk' (1- 74 ) 이고, /(k') = a(k') = 吉 J:J(x ) exp (— ik' x ) dx = Y[/(x)] (1- 75) 가 된다. 이 푸리에 변환은 푸리에 계수 an = 吉 J: /( 0) exp ( 一 in0 ) d0 (1- 76) 와 매우 비슷하다. 그렇지만 푸리에 변환시 2T 를 더 붙여야 하 기 때문에 f (x) 와 f(k ) 사이에 대칭 관계가 없어져 버렸고, 실 공간과 푸리에 공간 사이에 항상 비례값 2TC 를 포함시켜야 한다.
전자 현미경의 경우 물체를 푸리에 변환하면 회절 공간으로 변 환되고 이것을 또다시 푸리에 변환하면 물체의 공간이 된다• 즉, 실공간과 푸리에 공간이 서로 역관계가 있다. 이 경우 두 공간 사이에 대칭 관계가 성립하므로 2T 를 신경 쓸 필요없이 푸리에 변환의 정의시 k 를 1/ 心로 정의하면 편하게 사용할 수 있다. 그러면 몇 개의 간단한 함수의 푸리에 변환을 해보고 그것의 의미를 살펴보자. 그림 1-15(a) 와 같이 높이가 A 이고 폭이 a 인 중절모 함수인 방형의 함수를 생각하자. 우함수로 이 함수를 나 타내기 위해 다I (음 x )과 = 같뻬 . 이’ 구x 간v—2 을 一a2 < 잡x아x - <보,<-자 2오 . 오2· (1-77) · AOa 그러면 이것의 푸리에 변환은 f(k ) = 1_C:E/l, (x) exp (-2TCik x ) dx = 乃 dx + j~A exp (-2 TCi kx ) dx + /4'0 dx = ~ exp ( —2TC i kx )l:i = ~A {exp (-TCik a ) —ex p (m'k a) } = ~A (cos TCka —i s in TCka —co s TCka - i sin TCka) = ~A( -2is i n TCka) = —TACk sin TCka
fx)( J
= Aa sinT r kTar ka (1- 78) 이고, 또 lki_m0 /(k) = lki_mo Aa ~(7[ka ) = Aa (1-79) 이다. k = n/a, 즉 k = 土 l/a, 土 2/a, 士 3/a, …일 때 변환 값이 0 이 된다. 이 변환은 그림 1-15(b) 에 그려져 있고. 최대 높이는 사각형의 넓이인 Aa 와 같고 J (x) 를 우함수로 만들어 주었기 때 문에 변환 f (k) 는 실수가 나왔다 [1-8]. 이 방형의 함수는 조리개를 통한 빛 또는 전자의 무과를 수학 적으로 표현할 때 사용되거나 (2 장 2-1-3 절), 유한한 크기를 갖는 · 시편에서의 회절 (2 장 2-4-4 절), 편차 변수 dev i a ti on pa ramete r 로 인한 회절 점의 강도 변화 (2 장 2-4-5 절) 등의 현상을 나타내 는데 사용된다〔 1-9]. 또한 푸리에 변환과 이 푸리에 변환의 공 액 복소수의 곱은 I = /(k) /*(k) = Aa sin (7[ka ) Aa sin (7[ka ) (7[ka ) (7[ka ) (1-80) =A2a(1r2ka)2~ 이고 이것은 조리개를 통한 빛의 회절 강도를 나타낼 때도 사용 된다. 그림 1-16 (a) 에 나타낸 중절모 함수를 그립 1-16 (b) 와 같이 면 적 Aa = l 로 일정 면적을 유지한 채로 폭 a 는 줄이면서 높이를 늘이면 푸리에 변환한 값이 영이 되는 k 의 값(士 l/a, 士 2/a, 士 3/ a, …)이 점점 증가한다. 그리고 연속 영이 되는 k 값 사이의 간
占a X _,. 치 굿0I k ) r. ..... ► k
격도 점점 증가한다. 극한적으로 폭을 줄여 a-0 으로 하면 어 떻게 되는지 알아보자. 극한적으로 a 一 0 인 경우 이 함수를 디 락 델타 함수 Dir a c delta fun cti on 라고 한다. 원점에서의 델타 함수는 다음과 같이 8(x) = {00 ,0 ,’ XX ==I= O0 (1-81) 이고 음의 무한대에서 양의 무한대까지의 적분값이 1 인 함수로 정의한다 [1-10, 1-11]. 즉 1:o(x) dx = l. (1-82) 폭이 a 이고 높이가 a-I 인 죽, 면적이 aa-1 = 1 인 중절모 함수 에서 폭 a 를 점점 줄여보자. 이 푸리에 변환은 /(k) = lai 一m o a-1a ~(r k(a寧) ) = 1 (1-83) 이 된다. 원점에 있는 델타 함수의 푸리에 변환은 모든 k 에 대 해 l 이 된다. 델타 함수와 그 함수의 푸리에 변환을 그림 1-16 (c) 에 나타내었다. x = a 에 위치한 델타 함수는 8(x - a) 로 쓴다. 이 함수의 푸 리에 변환은 f(k ) == ff-- ........ 88 ((xx ')- ex ap) e{-x2pT C(-i2k T( Cx'i k +x ) ad)}x dx' (1-84) = exp (-2TCik a )1 .. 8(x') dx' = exp ( —21r ik a ) -00
이 된다. 마찬가지로 여러 위치 x,1 에 있는 델타 함수 군은 f(x ) = ~n o(x —Xn ) (1-85) 로 표시한다. 이것의 변환은 j(k ) = J_oOo On 28(x —X n) exp (— 2·1r i l c- c) dx = i:꾸 o(x —X n) exp {— 21rik ( x —x 사} exp (-21rik x n) d(x - x 김 = ~n exp (-21rik x n)1-O:Oo (x') exp (— 21rik x ') dx' = ~n exp (-21r i kx 사 (1-86) 이다. 한 예로 그림 l-17(a) 와 같이 X = a/2 와 X = -a/2 에 위치한 두 개의 델타 함수 f(x ) = ~n o(X - Xn) = o(X + 운) + a(x —운) (1-87) 의 푸리에 변환은 f(k ) = ex p{― 2K i k(- 운)} + exp {― 2mk( 운)} = exp (1rik a ) + exp ((1r-kma) k +a) cos (1rka) —i s in (1rka) (1-8~) = cos (1rka) + i sin = 2 cos (1rka) 이다. 이 변환은 그림 l-17(b) 에 나타나 있다. 이 변환은 본래
fx)( -
함수가 우함수이므로 실수의 결과가 나왔고 거리 a 만큼 떨어져 있는 두 개의 매우 작은 슬릿에서의 회절, 죽 영 Youn g의 이중 슬릿 실험 결과를 해석할 때 이용된다. 이 변환의 공액 복소수와 의 곱은 i(k)i *( k) = 4 cos2 (7rka) 이고 이 것은 그립 l-17 (c) 에 나 타나 있다. 그림 l-17(c) 는 영 Young 의 이중 슬릿 실험에서 얻 울 수 있는 간격이 a 인 슬릿에서의 회절 강도의 분포를 나타낸 다. 간격 a 만큼 규칙적으로 떨어져 있는 델타 함수는 J(x ) = ~n 8(x — na) (1-89) 이고 이것은 그림 1-18(a) 와 같이 1 차원에서 a 만큼 떨어져 있는 격자를 나타낸다. 이것의 푸리에 변환은 j(k ) = i:학 (x -na) exp (— 27[ 1./ c x) dx = f_ COO3 합-0003 (x -na) exp {— 2Jr ik( x — na)} exp (— 2Jr ikn a) d(x — na) = ~oo exp (-Zmkna)1:co8 (x') exp (— 2Jr i/cx') dx' -co = _~0O0O exp (-21rik n a) = … + 1 + exp (— 21rik a ) + exp { -21rik ( 2a)} + exp {-21rik ( 3a)} + exp { -21rik ( 4a)} + … 츠 1-=-e xp (1 - 21rik a ) (1-90) 이다. 윗식의 분모 속에 있는 exp (-27rik a ) = cos 27rka - is in 27rka = 1 을 만족하는 k 의 조건을 구해보면, ka = n, 죽 k = n/ a 일 때이다. 이 경우, j(k )---+ 00 가 되고 나머지 경우에는 l(k)
f(x )
f(k ) = 1 —ex p t_2 7 [ika ) 측 환 (1c - 밈 (1-91) = ~_o oO Oo (k - hla 기) 이다. 여기서 lt 는 정수이고 5* 는 역격자 벡터이다. 그리고 이 푸리에 변환에서는 k = O 인 곳에 항상 델타 함수가 만들어진다. 이 변환은 그림 1-18(b) 에 나타나 있다. 이 푸리에 변환은 결정 에서 격자 상수 a 로써 규칙적으로 배열된 격자에서의 회절시 1/ a 간격으로 역격자가 만들어지는 회절 현상을 해석하는 데 이용 된다. 1-2-4 콘볼루션 콘볼루션 convolu ti on 은 푸리에 변환과 마찬가지로 결정의 회 절 현상을 해석할 때 이용되는 수학적인 개념이다. 광학기계인 카메라, 현미경, 망원경의 렌즈에서 초점이 정확하게 맞지 않을 경우 물체의 상은 탈초점 defo c us 상이 된다. 물체와 상은 각각 일 대 일로 대응이 되고 상은 실제 렌즈에서는 물체의 확대 상이 되나 확대를 무시하고 배율을 1 로 생각한다. 물체 상의 어떤 한 점 O 는 그림 1-19 와 같이 초점 이 맞은 초점 상 foc used im ag e 에서는 한 점 (x', Y' )에 있고 탈초점 상에서는 중심은 (x', Y') 에 있으나 그 점이 초점이 맞지 않으므로 약간 퍼지게 된다. 이 초 점 상 위의 한 점이 탈초점 상에서는 중심에서의 거리 x-x',y _y’에 따라 변한다고 생각하여 어떻게 그 강도가 변하는지를 함 수 rp (x-x', y―y')로 나타낸다고 하자. 만일 초점이 정확히 맞는 다면 초점 이 맞는 면인 가우스 상 면 Gaussia n im ag e pla ne 위 의 (x',y ') 접에서의 상의 강도는 본래 물체의 강도 f (x,Y) 가 그
대로 전달되어 f (x ' , y')으로 물체의 상을 형성한다. 하지만 탈초 점 상 면 defo c us im ag e pla ne 위 에 놓여 있는 상의 한 점 의 강 도는 본래 상의 강도 f(x ', y')에, 탈초점이 되면서 각 점이 어떻 게 흐려지는지를 나타내는 함수 ¢(x -x',y - y')를 곱하여 얻는 다. 여기서 함수 q; (x,Y) 는 상에서 점 하나가 어떻게 흐려지는지 를 나타내는 함수이다. 탈초점 상의 한 점은 초점 상의 한 점의 영향을 받은 것이 아니고 초점 상의 여러 x',y ' 점의 영향을 다 받으므로 적분 형식으로 표시한다. 그러므로 물체 위의 모든 각
(。x, ’’II’’ly ) ---- ::^:-i7-- - -r--- --/- (~x', y'-) (-x,f yO) ' ( x', y~
각의 점들이 희미하게 만들어지는 탈초점 상의 강도 분포는, F(x, y) = 1_O:O 1-O:Of (x ', y')rp(x - x', y -y') dx'dy ' (1-92) 이 다. 이 것을 두 함수 f(x , y)와 rp( x, Y) 의 콘볼루션 이 라 하고 수 학적으로, f(x , y) * rp( x,·y ) = 1:1:f(x ', y')rp( x —x', y —y' ) dx' dy ' (1- 93) = rp( x, y) * f(x , y) 이고 1 차원에서 콘볼루션은 f(x ) 나 (x) = 1:/(x)rp( x - x') dx' = rp( x)*f (x ) (1-94) -oo 로 표시한다 [1-12]. 콘볼루션 계산은 계산 순서의 전후를 교환하 더라도 상관없다. 죽, f(x ) * rp( x) = rp( x) * f (x) 이고, x' 과 y’은 단순한 가짜 변수 dummy varia b le 역 할을 한다. 콘볼루션이 이용되는 예를 생각해 보자. 영의 이중 슬릿 실험 에서 두 개의 슬릿이 무한대로 굉장히 작다면 회절 무늬의 명암 차이가 뚜렷이 나타날 것이다. 그러나 슬릿 크기가 더 큰 것을 사용하여 실험하면 회절 무늬의 명암 분포가 흐려져서 나타난다. 슬릿이 유한의 크기를 지니기 때문에 이 슬릿을 통한 강도 분포 를 슬릿 함수라고 하면, 두 개의 유한 크기의 슬릿으로 만들어지 는 회절 무늬는 무한히 작은 크기의 두 슬릿에서의 강도에 이 슬 릿 함수를 콘볼루션하여 얻어진다. 또 다른 예로써, 광원이 점 광원이면 그 그림자는 본래 물체를 그대로 나타낸다. 그러나 광 원이 점 광원이 아니고 일정한 크기를 지닌 광원이면 그림자가 다르게 나타난다. 일정한 크기의 광원에서의 광 분포를 나타내는
함수를 광원 함수 source fun cti on 라고 하면 일정 한 크기 의 광원 에서 관찰되는 상은 . 바로 점 광원에서 관찰되는 상의 강도 분포 에 광원 함수를 콘볼루션하여 얻는다. 그림 1-20(a) 에서 수학적으로 델타 함수인 물체 위의 한 점 0 가 이상적인 무한대 크기의 렌즈를 통하여 상 면의 0' 에서 결상 한다고 생각하자. 결함이 전혀 없는 무한대 크기의 렌즈이므로 물체에서 나온 모든 정보를 100% 그대로 결상하는 데 사용하기 때문에 0' 점에서 결상된 한 점은 수학적으로 델타 함수가 된다. 그러나 실제 렌즈는 무한대 크기의 렌즈가 될 수 없으므로 유한 한 크기의 렌즈가 되고 이것은 마치 가상 조리개를 이상적인 무 한대 크기의 렌즈의 후방 초점 면에 둔 것으로 생각할 수 있다 (3 장 3-2-4 절). 즉 유한 크기의 렌즈를 지나서 결상이 된 점의 상 은 이상적인 렌즈의 상인 델타 함수에 조리개의 회절상인 에어리 원판 A i r y d i sc 울 (2 장 2-1-4 절) 콘볼루션한 것으로 표시되어 점 대신 그림 l-20(a) 와 같이 에어리 원판이 만들어전다 [1-13]. 만일 물체 상에 두 점 O, R 이 있으면 상 면에 무한 크기의 이 상적인 렌즈에서는 델타 함수로 표시되는 두 점이 결상이 된다. 그러나 유한 크기의 실제 렌즈에서는 그림 l-20(b) 에서와 같이 두 에어리 원판이 0' 과 R 에 만들어진다. 물체 위의 두 점 O 와 R 을 접점 가까이하면 상 면의 두 에어리 원판도 점점 가까이 접 근하게 된다. 두 에어리 원판이 너무 가까이 접근되어 0' 의 에 어리 원판의 중심이 R' 의 에어리 원판의 첫번째 0 이 되는 곳과 일치할 때 두 원판을 구분하기가 힘들게 된다. 이때를 O 와 R 을 구분해서 볼 수 있는, 회절에 기인하는 분해능의 한계로 정의하 고 이 를 분해 능의 레 일리 한계 Rey le ig h lim i t 라고 한다. 1 차원에서 두 함수 /(x) 와 ¢(x) 의 콘볼루션 과정은 그림 1-21 에 그려져 있다. 콘볼루션된 함수 f (x)•¢(x) 는 본래 함수 /(x) 보
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다 흐려지게 하거나 퍼지게 하는 역할을 하는 함수 ¢(x) 때문에 본래 함수 J (x) 보다 퍼져 있다. 이 콘볼루션된 함수는 각 x 에 대해 적분을 계산하여 x 의 함수로써 그려보면 알 수 있다. 결정의 회절 현상을 해석하는 데 유용한 콘볼루션은 델타 함수 와 어떤 함수를 콘볼루션한 것이다. 이것은 퍼지는 것을 나타내 는 함수
f(x )
이며, 여기서 적분은 x' = a 에서만 값이 있다. 이는 그립 1-2 3 에서 보듯이, 임의의 함수 /( x ) 와 델타 함수와의 콘볼루션은 델 타 함수가 있었던 위치로 그 함수를 옮겨 주는 역할을 한다. 이 것은 나중에 결정을 수학적으로 표시하는 데 매우 편리하게 이용 할수 있다. 결정 내에서는 원자들이 규칙적으로 배열되어 있고 주위 환경 이 똑같은 점들이 있다. 이 점들을 격자라고 한다. 이 각각의 격 자 점 latt ice po in t 에 어떤 일정한 원자 군을 배열함으로써 전체 결정 을 구성할 수 있다. 이 일정한 원자 군을 모티프 mo tif 또는 기저 bas i s 라고 한다 . 1 차원 결정에서 일정한 거리 a 만큼 각 격자가 떨어져 있고 이 격자에 기저로 원자 군이 들어 있다고 하자. 그 러면 이 격자를 수학적으로는 델타 함수 군인 ~o(x - na) 로 나 타낼 수 있다. 여기서 n 은 정수이다. 델타 함수가 있는 점을 원 점으로 하고 원자군 기저를 나타내는 함수를 m( x ) 라고 하면, 1 차원 결정은 수식으로 격자를 나타내는 델타 함수와 기저를 나타 내는 함수 m(x) 를 콘볼루션함으로써 나타낼 수 있다. m(x) * ~ o(x -na) = ~ o(x —na ) * m(x) == ~~nn m1J -:(coox ( —x' n-a ).n a)m(x —x') dx' (1- 97) 즉, m(x) 와 델타 함수를 콘볼루션하면 이 함수를 델타 함수가 있었 던 곳에 옮겨 주는 역할을 하기 때문에 결과적으로 그림 1-24 와 같이 각각의 격자에 기저를 옮겨 주어 전체 결정을 구성하게 하는 것이다. 3 차원에서의 격자는 델타 함수로 다음과 같이 표시한다. D(x, Y, z) = 홉, l8(x —ha , y - kb, z -le). (1-98)
m(x)
여 기 서 h, k, l 은 정 수이 며 이 함수는 x = ha, y = kb 와 z = le 를 동시에 만족할 때, 죽 각각의 격자에서 영이 아닌 값을 지닌다. 3 차원에서 기저의 원자 배열을 표시하는 함수를 m(x,Y,z) 라 하 고 이 함수의 원점을 델타 함수라고 하면 결정은 F(x, y, z) = J그 :1:D(x', y', z') m(x 一 x', y —y', z —z') dx' dy ' dz' = D(x, Y, z) * m(x, Y, z) (1- 99) 로 표시된다. 다음 장 (2 장 2-1-2 절)에서 기술한 대로 회절 현상은 수학적으 로 푸리에 변환으로 표현되고 결정은 수학적으로 격자를 나타내 는 함수와 기저를 나타내는 함수의 콘볼루션으로 표시되기 때문 에 결정의 회절 현상은 콘볼루션을 푸리에 변환하여 표현할 수 있다. 3 차원에서 콘볼루션의 푸리에 변환은 너무 복잡하므로 간 단한 1 차원에서만 변환해 보면, 1:D(x) * m(x) exp (— 21rik x ) dx (1-100) = 1_:O1O :-ODO (x')m(x —x') dx' exp (-21rik x) dx = 1-0:01J :-0D0 (x')m(x - x') exp (— 21rik x ) dx'dx. 여기서 X - X1 = t로 치환하면, X = X1 + t이고 dx = dt 이다. 따라서, 콘볼루션한 두 함수의 푸리에 변환은 仁 D(x) * m(x) exp (— 21rik x) dx = 1-O:O1 :-ODO (x')m(t) exp {— 21rik ( x' + t)} dx' dt
= 1:n(x') exp (-2J r ikx ') dx' -co 1:m(t) exp (-2m' kt) dt -co = 5[D(x)] 5[m(x)] = D(k) m(k) (1-101) 이다. 즉 콘볼루션한 두 함수의 푸리에 번환은 각 함수의 푸리에 번 환을 곱한 것이다. 격자를 나타내는 델타 함수의 푸리에 변환은 앞에서 이미 알고 있으므로 결정의 푸리에 변환은 여기에 기저의 원자 배열을 나타내는 함수만 푸리에 변환하여 곱해 주면 된다. 어떤 함수와 이 함수의 원점 대칭인 함수를 콘볼루션한 것을 자신 콘볼루션 self convoluti on 이 라 하고 이 를 F(x) = f(x ) ·• f(-x) (1-102) 라고 표시하며, 이것의 푸리에 변환은 F(k) = /(k)/*(k) = l/(k)l2 (1- 103) 이다. 이 값은 항상 양이고 전폭을 제곱한 강도를 표시하는 데 사용된다. 1-2-5 푸리에 반전 푸리에 변환을 두 번, 죽 푸리에 변환한 것을 또 다시 푸리에 변환하는 것을 생각해 보자. 원래의 함수 f (x) 에 대해 푸리에 변 환을하면 /(k) = 1-O:O1 (x) exp (-27rikx ) dx • (1-73)
이 된다. 이 푸리에 변환을 또 푸리에 변환하면 그 공간은 푸리 에 공간, 죽 k 공간에 역인 공간이 되므로 그 공간의 차원은 실 공간, 죽 x ' 이 된다. 그래서 푸리에 변환을 두 번 한 결과를 함 수 g (x' )이라고 하면 g( x') === fJf-_-O O:OOOOOO f i{ -JO (-Ok Of OO)O f (ex( xx) p)e xe( xp— p {2 T—(C— i2 k T 2xCT i'C )ki k(d xxk ) +d xx}') }e xdpx (d-2kT Cik x ') dk (1-104) OO OO = 1:f(x )1:exp {一 2TC ik (x + x')} dk dx = J二f (x)[ex p〔;;广門: :')x')}]I:::OO dx 이 된다. ~ = x + x' 으로 치환하고 윗식의 대괄호 속의 함수를 다음과 같이 다시 쓰면, [exp -{2T_C2im (xk (+x x+') x ')} J『lk= - O0O 0 = exp —(―2T C2 im tk E) l「k=- O0O 0 = _2납 {cos (2TCkt) —i s in (2TCkt )}[二 (1- 105) 이다. 여기서 cos 함수는 우함수, 죽 cos (x) = cos (― x) 이므로 k = oo 와 k = -oo 사이의 적분 구간에서 적분하면 영이 된다. 한편 sin 함수는 기함수이므로, sin (x) = -sin (一 x) 을 이용하여 —~ {co s (2 玉) 一 i sin (21Ckt )} 1:::. . 가뽀 _2 t.:i霜 rkE) = lki 一m O O ~11(E sin (2TCkt)
댜모 2skin (~27 fk ~) (1-106) 이 된다. 그런데 위 함수의 형태는 폭이 a 이고 높이가 A 인 중 절모 함수의 k' 공간에서 푸리에 변환 /(k')=ATCak'a~ (1-107) 과 유사한 형태다. 그림 1-25(a) 와 (b) 를 그리고 식 (1-106) 과 (1-107) 을 비교해 보면 식 (1 -106) 은 k 공간에서 폭이 2k 이고 높 이가 1 인 방형 펄스를 5 공간에서 푸리에 변환하여 얻어전 것임 울 알 수 있다. 펄스의 폭을 점점 넓히면, 죽 2k 를 증가시키면 변환의 중앙 파크는 점점 좁아지고 높아진다. 그래서 k 를 무한 대로 보내면 변환은 원점에서(t = 0) 델타 함수가 만들어지게 된 다. 그러므로 lki-OmO 2k sin 2 (72[ k7E [k E ) = {。c,o , :f := ~O (1-108) 이 되고, 죽 l뻣 2k~=8(~) (1-109) 이 된다. 그래서, ex-21r~i( x +' )x')} 「lk= -OoO o = 8(f) (1-110) 이다. 변환 g (x') 은
/(x) flk)
g( x') = 1:1(x)o(t) dx === /JJ(---000 OO—000OOff x{(E '— ) —(* x o'x (-'x)o') t( ;)t};) od(tt;; ) dt; (1-111) 이 된다. 윗식에서 o(x' )과 J (-x') 의 콘볼루션은 바로 그 함수 자체 f (-x' )이므로 g( x') = /(-x') (1-112) 이다. 즉 어떤 함수의 푸리에 번환의 푸리에 번환은 원래 함수를 원 점에 대해 반전시킨 함수이다. 이 사실은 현미경 이론에서 매우 중 요한 법칙이다. 간단한 현미경의 상은 물체를 두 번 푸리에 변환 하여 형성된 것으로 간주하는데 실제 현미경을 관찰하면 물체가 상에서는 거꾸로 서게 된다. 이것은 물체가 원점에 대해 반전하 여 형성된 것이기 때문이다.
제 2 장 회절 2 기 회절 2-1-1 호이겐스의 원리와 루과 함수 그립 2-1 과 같은 영의 이중 슬릿 실험에서 명암 차가 많이 나 는 뚜렷한 회절상을 얻기 위해서는 될 수 있으면 작은 슬릿을 사 용하여야 한다. 그리고 첫번째 슬릿에서 나온 빛은 두번째 슬릿 울 지나 스크린에 기하학적인 경로로는 도달할 수 없다. 그러나 회절에 의해 간섭 int e r fe r ence 무늬가 생기는 현상을 설명하기 위해서는 각 슬릿이 구면 파 s p her ical wave 의 새로운 파원 wave source 으로 역할을 한다고 생각한다. 이것은 호이겐스 Huy ge ns 의 원리를 응용한 것인데, 파면 wave fron t 상의 모든 점 은 새로운 구면 파의 파원 점 wave source poi n t 으로 생각할 수 있다 는 것이 바로 호이겐스의 원리이다〔니. 여기서 파면이란 파동에서 일정한 위상p hase 을 지닌 면울 말한다. 우선 예로서 그림 2-2(a) 에 있는 평면 파면 pla ne wave fron t
1 차슬릿 2 차슬릿 스크린 스크린에서의 강도
울 생각해 보자. 시간이 좀 지나 약간 전진한 파면은 평면 파면 상의 각 점에서 출발하는 모든 구면파의 끝 점이 겉 모양을 이루 는 의피인데 이 의피가 바로 평면 파면이 된다. 마찬가지로 그림 2-2 (b) 에 있는 구면 파면 sph eric a l wave fron t 에 서 출발한 모든 구면 파면의 의피는 구면 파면이다. 때때로 간섭과 회절을 구별 할 필요가 있는데 간섭은 두 개 이상의 다른 파원이 서로 상호 작용하는 것이고, 회절은 한 파동이 그 자체와 간섭하는 것이다. 회절의 예를 들면, 파면 상의 새 구면 파원 sph eric a l wave source 이 호이겐스의 원리에 의해 계속적으로 새 파면을 형성하 는것이다.
파가 진행할 때 도중에 물체 ob j ec t가 있으면 이 물체가 파의 전폭 및 위상을 변화시킨다. 물체 상의 각 점 X,Y 가 파동의 진폭 및 위상을 어떻게 번화시키는지를 나타내는 함수를 투과 함수 tra nsmi ss io n fun cti on 라고 하고 r/>( x, Y) 로 표시 한다. 물체 한쪽에 서 파동 A exp if]으로 표시되는 평면 파가 입사하여 물체를 지나면
외피
물체
서 물체와 상호 작용을 한 후 파동 A'ex pi/3’으로 표시되는 평 면 파로 변하면 ‘ 두과 함수는 (A' exp i/3') /(A exp i/3)이 된다. 그림 2-3 은 여러 종류의 투과 함수를 갖는 물체들의 예를 나 타내고 있다. 그림 2-3(a) 와 같이 A exp 2 Jri kz 로 표시되는 평면 파가 입사해 물체를 지나 A exp {-µ(x, y)} exp 2 Jri kz 로 변하면 투과 함수는 ¢ (x, y) = exp {— µ(x, Y) }이고 이 물체는 파의 진폭 만을 변하게 하였으므로 진폭 체 amp li tu d e obje c t 라고 한다. 그 림 2-3(b) 와 같이 입사 파가 A exp 2 Jri kz 이고 물체를 지난 후 파 가 A exp i {27rkz + /3( x, y)}로 변하면 이 물체 의 투과 함수는 ¢(x, y) = exp {if3( x, y)}이고 물체가 파의 위상만을 변화시켰으므 로 위상 체 ph ase obje c t 라고 한다. 만일 입사 파가 A exp 2Jr ikz 이고 물체를 지난 파가 0 이면 이 물체는 불투명 체 op a q u e obje c t 로 투과 함수 ¢(x, Y) 는 0 이 다. 그림 2-3 (d) 와 같이 A ex p 2m kz 로 표시되는 평면 파가 입사해 물체를 지나 Aexp { —µ (x, y)} exp i{2 7rkz + /3( x, y)}로 변하면 이 물체 는 파의 진폭 과 위상을 동시에 변화시켜 투과 함수가
.q
같이 함수
[2- 1,끽 . 그리고 우리가 관심이 있는 시간은 한 주기에 해당하 는 t' = 27r/ (JJ보다 훨씬 길고 어느 순간 값보다는 일정 시간 내 의 평균값에 더 관심이 있으므로 파의 시간 변화를 나타내는 부 분인 exp (-i(J }t)를 무시 하자. 점 원 q에 서 나온 스칼라 파는 구 면 파로 ?Jfq = -4r9q - e xp (21Ci kr q) (2-1) 라고 쓸 수 있다. 이 파는 물체 상의 점 (x,Y) 에 있는 작은 미소 면적 dS 의 영향을 받아 새롭게 변화한 파로서 접 p에 다음과 같 은 영향을 준다 [3]. 潤 == {{ 탸¢(x, ( xy,) y~) dS} —r1—p exp (27 driSk }r p+) , exp (27rik r p) (2-2) 윗식은 dS 에 나오는 파이고, 물체 상의 모든 점들이 p에 미치는 영향을 고려하기 위해서는 적분을 해야 하므로, 물체의 모든 점 에서 나오는 새로운 파가 p에 미치는 영향을 나타내는 전체 파 는
lJfp = f 碑p s (2-3) = /s¢ (x, y) ~+rq .erpx p (27 rik r p) dS 이고, 이 적분은 물체의 표면 S 상의 모든 점에 걸쳐 적분해야 한다. 그리고 rq, rp 와 ¢(x, y)는 모두 x, y의 함수다. 회 절 파 1Jfp를 나타내는 윗식을 유도하는 과정의 유일한 가정은 호이겐스 의 원리이고 이 가정이 성립하는 조건에서는 윗식이 적용된다.
q
그러나 호이겐스의 원리가 정확히 옳은 것은 아니라는 것이 판 명되었고, 더 정확한 식은 그림 2-5 와 같이 관측 점 p가 영향을 받을 가능성이 있는 모든 점을 포함하는, 죽 p를 둘러싼 어떤 폐표면 S' 에 의해 완전히 둘러싸여 있다는 적당한 경계 조건에서 p 점에서의 파동 lJfp에 대한 스칼라 파동 방정식 \\1122 11 //ff == (-247r i군k ) k221 1/f/ f (2-4) 울 풀어 서 키 르히 호프 (Ki rc hhoff , 1824 ~ 1887) 가 수학적 으로 유도 한 식이다. 윗식은 단순 조화 평면 파나 구면 파에 대해서도 만 족한다〔 4, 5, 2-2, 2-3].
적당한 경계 조건으로 윗식을 풀기 위해서는 체적 적분을 면 적분으로 바꾸어야 한다. 그 결과로 해를 구한 것이 키르히호프 의 회절 적분으로, 어떤 파동장 伊 때문에 생기는 어떤 점 p에 서의 파 1/fp는 p를 포함하는 폐표면 상에서 적분함으로써 구할 수 있는데 그 파 1/fp는 다음 식 깐p = 幻f[ exp (::zkrp) V 1Jf — 터 exp (:pm krp) }] • 甲 dS' S' (2-5) 으로 주어전다 [2- 사. 이 식에서 균은 표면 상의 각 점에서 표면 에 수직한 법선 단위 벡터이다. 파동 장이 점원 q에서 나오는 구면 파 1Jf = 쇼rq exp (2 7rik r 9) (2-6) 라면 점 p에서의 파를 구하기 위해서 이 식을 윗식 (2-5) 에 대 입하면 다음 식을 얻는다. lJfp = 닙[정 exp (2 처年) +, exp (27rik r p) {¾rq , (27rik r q - l) 回 — ¾rp ( 2mk r p - 1) n· 다] dS' (2-7) 또, rp, rq )> ,1이면 krq = rq/ ,1 )> 1 이고 krp = rp/ ,1 )> 1 이다. 그 리고 그림 2-6 에서와 같이 」r-q (n • rq) = cos <1>(여기서 ¢는 尹과 rq 사이의 각)이고 —r1_p ( 行냐%) = -cos TJ(여기서 n 는 5 과 타 사
물체
이의 각)이므로, 윗식을 다시 정리하면 lJf'p = 납[屯 exp (2m·年 ) ¾e xp (21rik r p) {른(回) ―뿐(竹尹)}] dS' (2-8) 1Jfp = 운 jS' {Aq ~ ~q (crp o s ¢ + cos r;)} dS' (2-9) 와 같이 쓸 수 있다. 항 (cos ¢ + cos r;)는 경사 인자(i ncl i na ti on fac to r 또는 obli qu it y factor ) 라고 한다. 물론 우리가 관심이 있는 것은 p과 q 사이에 위치한 물체에서
나오는 변화 파이다. 이 경우 표면 S' 을 그림 2-6 과 같이 물체 의 출구 표면 exit surfa c e 에 위 치 하도록 하면 출구 표면 파는 lJf = 卓rq exp (2;r ikr q) ¢(x, y) (2-10) 이 된다. 그리고 아 식을 식 (2-5) 에 대입하고 rp, rq ~ A 라고 가 정하면 lJfp = 탄S' ¢ (x, y) Aq exp (2r7q [ ikr q) exp (2rp7 [ ikr p) = 隋(co sf f¢ ¢+(x c, oys) A까q d~S' 이q exp (2rp1 ( i/cr p) (2-11) (cos ¢ + cos TJ) dx dy 이 된다. 이 식에는 위상 인자 i = exp i(f) = cos (군) + is in 信)가 있고, 파장 죽 k 에 의존하며, 경사 인자 (cos ¢ + cos TJ)가 있다 는 점이 호이겐스의 원리를 이용하여 얻어진 식 lJfp = fs ¢(x, y) Aq ~rq ~rp dS (2-3) 과 차이가 난다. 위상 인자는 회절 파의 위상을 Jr /2 만큼 이동시 켜 sin 파를 cos 파로 만든다. 그러 나, 이 위 상 차 ph ase dif fere nce 는 파의 강도 1/fp 1flt?에 는 영 향을 미 치 지 않는다. 평 면 파면이나 구면 파면에서 파의 진행 방향에 항상 수직하도록 표면 S' 울 잡아 주면 ¢ = 0 이고 cos ¢ = 1 이 되어 경사 인자가 1 + cos 7J가 된다. 이 경사 인자를 극 좌표계 po lar coordin a te s 에서
그리면 그림 2-7 과 같이 나타낼 수 있다. 그림에서 rJ = o · 일 때 경사 인자 값이 2 로 최대가 되지만 각도를 점점 늘리면 경사 인 자의 값이 줄어들고 n = l80 ° 가 되면 경사 인자의 값이 虹 L 로 최 소가 된다. 즉 들어온 파가 반대 방향인, 들어왔던 방향으로 다 시 되돌아 나갈 수 없다는 것을 보여 준다. 이것은 반대 방향으 로 전파되는 것을 무시한 호이겐스의 생각과도 일치한다. 회절 조건에 따라 회절을 두 종류로 구별할 수 있는데 파원 q
/n=on
와 관측 점 p 가 물체에서 유한한 거리에 있으면, 측 r q 와 r p가 물체 의 크기 ( x,Y ) 보다 엄청나게 길지 않다면 이 경우의 회절을 프레넬 (Fresnel, 1 788~1827) 회절이라 한다. 그리고 rp = rq = (X) 의 경우 이 회 절 을 프라운호퍼 (Fraunhofe r , 1 787~1826) 회 절 이 라 한다. rp 와 r q -를 실제 무한대 거리로 하기 위해서는 렌즈를 사용하여야 한 다. 평면 파를 만들기 위해서는 점원 q를 렌즈의 초점에 둔다. 초점을 지나 렌즈를 지난 파는 평행한 평면 파가 된다. 실제 점 원은 렌즈의 초점이라는 가까운 곳에 있으나 평면 파가 되기 때 문에 마치 점원이 무한대에 있는 것으로 간주할 수 있다. 또 다 른 렌즈 하나를 더 사용하여 같은 방향으로 회절된 모든 파를 그 림 2-8 과 같이 이 렌즈의 초점 면 위에 점들로 모을 수 있다. 이 초점 면을 회절 면 dif frac ti on pla ne 이라고 한다. 예를 들면 점원 q가 점 q'에서 상으로 만들어진다. 이 회절 면 상에서 초점 이 맞는i n- fo cus 정보는 프라운호퍼 회절상이라고 하고, 초접에 서 벗 어 난 out- o f - f o c us 정 보는 프레 넬 회 절상이 라고 한다. 회 절 면 위의 위치는 파가 회절된 각도가 얼마인지를 나타내는 척도가 된다. 물론, 예를 들면 x - 선은 전계나 자계에 의해 편향시켜 초 점을 만들지 못하므로 렌즈를 사용하는 것이 불가능하다. 그래서 이 경우 프라운호퍼 회절 조건을 만족시켜 주기 위해서는 rp 와 r q가 시편 물체의 크기보다 매우 커야 한다. 일반적으로 프레넬 회절은 그 취급이 수학적으로 매우 복잡하 고 주로 학문적인 관점에서 많이 다루므로 여기서는 프라운호퍼 회절을 주로 다루고 프레넬 회절은 조금만 간단히 다룬다. 프레 넬 회절인 고분해능 전자 현미경 결상에서 매우 중요한 전자 현 미 경 의 탈초점 out- o f- foc us 상은 프라운호퍼 회 절에서 약간 벗 어난 변화p er t urba ti on 로서 취급한다. 뒷부분에서 다룰 중요 회 절들은 대부분 프라운호퍼 회절이다.
... ...
투과 함수가
물체의 출구 표면에서의 평면 파는 1/f(x ) = rp( x)A exp {21rik r q( x)} = rp( x)A exp {21rik ( r9 + x sin ¢)} (2-13) 이다. 파원까지의 거리는 Yq( X) = J'q + Xsin ¢로 도달 파의 위 상은 x 에 따라 달라진다. 이 식을 키르히호프의 적분에 대입하 면
’’’’’’’
1/fp = 訂¢ (x) A exp {27 fik rq( x )} ~ {_Yl_q (•2 7 [ik)• n· rq• —-¾Yp z -(2 7 fik rp - 1) ii· 디 dx (2-14) 이 된다. 윗식에서 앞서 한 바대로 rp 가 파의 파장보다 훨씬 크 다면, 윗식은 깐p = f frp( x)A exp {2m'k r q( x)} ~!>ltl} (2-15) (cos ¢ + cos TJ) dx 이 된다. 그림 2-9 에서와 같이 좌표를 x' 이라고 표시하는, 물체에서 먼 거리 d 에 위치한 관측 면 observati on pla ne 에서 물체의 회절을 생각해 보자. 죽 관측 면에서의 파의 진폭 7Jfp (X') 을 구해보자. 프라운호퍼의 회절 조건을 만족시키기 위하여 d ~ x 라고 가정하 자. r p가 0 점에 있는 물체의 원점에서 관측 점 x' 까지의 거리 라면, rp( x ) = rp + x sin 7J (2-16) 이다. 또한, ri x ) = rq + x sin r/J (2-17) 이다. d ~ x 라면 n 는 x 에 따라 거의 변하지 않는다고 생각할 수 있으므로 경 사 인자 (cos > + sin r;)을 식 (2-15) 에 서 적 분 밖 으로 꺼 낼 수가 있다. 석 , (2-16) 과 (2-17) 을 식 (2-15) 에 대 입 하 여 식을 간단히 하면, l/fp = {玲 exp (21Ci kr q) ~가 (cos + cos 7/)
f¢(x) exp (27rik x sin ¢) exp (27rik x sin TJ) dx (2-18) 이 된다. 강도 측정시 절대적인 강도 값보다는 위치에 따른 상대 적인 강도 변화에 더 관심이 있으므로 윗식에서 적분 앞에 있는 대괄호 속의 인자들이 단위값 1 이 되도록 입사 평면 파의 진폭을 조절했다고 생각하자. 그러면 식이 더 간단하게 되어 lJfp = (cos ¢ + cos TJ)f¢( x) exp (27rik x sin ¢) exp (2m'k x sin 까 dx = (cos ¢ + cos TJ)f¢( x) exp {27rik x (sin ¢ + sin TJ)} dx (2-19) 가 된다. lf'I = I 짜 = 1/A 이면서, 입사 파 r 와 각도 0 의 방향 으로 진행하는 회절 파의 파동 벡터를 E’ 이라고 하면 그림 2-10 (a) 에서 f. 굿 == lleexx scoin s ( 9¢0 ° -¢) (2-20) E 굿 == k-lxe cxo ss(i9n 0 °7J + TJ) (2-21) 이므로 r' 상에 곳의 두사는 —x sin r;가 되고, 마찬가지로 r 상에 곳의 투사는 xsin
= (cos ¢ + cos 1J)f
~~`````— I //z/'//// // ,,,' 틀 z/ '/'
정의가 된다. 그러므로 어떤 물체의 프라운호퍼 회절 파의 진폭은 그 물체의 투과 함수를 푸리에 변환한 것이다. 바로 이것이 우리가 프라운호퍼 회절에 대해 알고자 하는 것이다. 회절 파는 여전히 전파 인자p ro p a g a ti on fac to r ~)rp —(J) t} 를 가지고 있 다. 회 절 파의 전폭은 깐로, 그 강도는 I = lf!lf!*로 표시 하므로 l = 모4 삭rp -(cos ¢ + cos n)2 lJfp (4 止따 (Llk) (2-26) 이 된다. 회절 파는 전파 인자를 더 갖고 있다는 것을 염두에 두 자. 강도는 이 전파 인자 때문에 1/rp2 인자를 갖게 된다. 프라운호퍼 회절 적분 식을 유도하는 과정에서 사용된 가정 중 의 하나는 rp ~ II 이다. 이 가정은 관측점 r p가 시편에서 좀 떨 어져 있을 때에는 빠른 전자 (11 < 10-2nm) 의 회절의 경우나 x- 선 (A~0.1nm) 회절의 경우 적당한 가정이라고 할 수 있다. 그러나 원자 간격 단위가 수 1/10nm 이므로 한 원자 내에서 그 전자에 의한 x- 선 회절의 경우와 같이 관측점 r p가 회절이 일어나는 점 에서 원자 간격 단위로 떨어져 있을 경우, 윗식을 사용할 수 없 고 적어도 한 원자 전체를 투과 함수로 생각하는 좀더 복잡한 산 란 이론울 사용하여 해석하여야 한다. 그러므로 윗식을 적절한 경우에 잘 사용하여야 한다. 2-1-3 1 차원 물체의 회절 이제까지 우리가 공부한 푸리에 변환을 이용하여 여러 가지 물 체에서의 회절을 계산할 수 있는데 우선 간단한 1 차원 물체에서 의 회절에 대해 알아보자. 그립 2-11(a) 에서와 같이 1 차원의 조
A x IJl (/! ,.k.)
리개 또는 슬릿의 양쪽 방향으로 무한대까지 막혀 있는 폭 a 의 조리개에서 회절을 생각하자. 그러면 이 조리개의 투과 함수는 ¢(x ) = {10,, x_ <요2 —s2xa ' sX 으2> 2a (2-27) 이다. 그리고 조리개를 두과한 파의 진폭이 항상 단위 진폭이 되 도록 입사 평면 파의 전폭을 조절했다고 생각하자. 입사 파가 수 직으로 입사한다고(¢ = 0) 가정하고 경사 인자를 무시하면, 프라 운호퍼 회절 파의 전폭은 7Jf (4k이 = 1:¢(x) exp (— 2mi1 k xx) dx -co = f-!1 exp ( —2 m i1 k xx) dx = 一 ~ex p (-2mi1 k xx)I:% = ~ {exp ( 一 JriLl kxa) - exp ( + mLlkxa)} = -2r1i 4k x (— 2i) sin (1rLlkxa) = sin (7[4k xa) m1kx =a sin 'I(( L'IC lL k xlkax a) (2-28) 이고, 여기서 Llkx = ksin 0 = (sin 0/A) 이다. 그리고 여기서 4k 에 대해 푸리에 변환을 하면 그림 2~ll(a) 의 반경 I 짜인 원주 위 에서의 전폭이 되지만, 4kx 에 대해 푸리에 변환을 하여 r 에 수
직인 선을 따른 진폭 변화가 되도록 하였다. 이 결과는 앞에서 식 (1 - 78) 과 같이 높이가 1 인 방형파 펄스를 푸리에 변환한 것과 유사한 형태를 가진다 @ - 5]. 그림 2-11 (b) 에서는 L1k x 의 변화에 따른 파의 진폭 변화를 보여 주었고 , 그림 2-11(c) 에서와 같이 회절각의 s i n 인 sin 0 에 따른 전폭 변화를 보여 줄 수도 있다. 4lkixm - 0 =sain m (~71rkLxlak= xa) a (2- 2 9) 이므로, 최대 진폭은 회절 각이 0 일 때 a 이고, 이때 Llkx = k sin 0 = 0 이다. 회절 각 0 가 7f /2 일 때까지는 파의 진폭이 점점 감소하나 7r / 2 를 넘으면 파의 전폭이 증가가 가능하게 되어 회절 각 0 가 7[라면 sin 7r = 0 이고, 따라서 Llkx = 0 이어서 경사 인자 를 무시한 회절 파의 전폭은 a 로 최대가 되나 경사 인자 (1 + cos 0) 를 포함하였다면 입사 파가 들어오는 방향의 반대 방향으 로 회절된 파의 진폭은 이 경사 인자 때문에 0 이 될 것이다. 파 의 진폭이 0 이 되는 점들은 일정 간격으로 되어 있는데, sm (n7r) = 0 아므로, 진폭이 0 이 되는 경우는 식 (2-28) 에서 7[4k xa = n7[ ksin 0 a = n (2- 3 0) sin 0 =—naA 이다. {)가 작을 때 sin {) = 2 sin 2o = 2 sin {)B = —naA (2-31) 2a sin {)B = nA (2-32) 이고, 여기서 n 은 정수이고 회절 각 O 는 브래그 각 0B 의 2 배이
므로 0 = 20 리다. 따라서, 폭 a 인 조리개의 회절에서도 전폭이 0 이 되는 조건은 브래그 법칙과 유사한 모양을 지닌다. 파의 세기는 1 = lJf (4k x )1Jf *(4k x ) 로 표시되며 식 (2-28) 의 결 과는 실수이므로 그 식의 제곱이 바로 그림 2-11(d) 에 나타나 있 는 관측되는 강도 분포, 죽 회절상이다. 이 회절상에서도 강도가 0 이 되는 점들은 sin 0 = n 1t / a 가 되는 점들이고 그 사이에 있는 최 대 값들의 강도는 1/(Llk 간 = 1t2/ s in 2 0 에 따라 감소한다. 제 일 중요한 가운데 피크는 그림 2-11(d) 에서 보듯이 그 폭이 대략 sin 0 = 1t/ a 또는 Llkx = 1/a 이 다. 실제 자연 상태에서 일반적인 분포는 정상 분포 Gauss i an dis t r i b u ti on 를 많이 하고 있으므로 슬릿 함수와 다른 형 태 를 가 지나 많이 응용되는 또 하나의 조리개 투과 함수로 그림 2-12 (a) 에 나타낸 가우스 함수 Gauss i an fu nc ti on 를 생각하자. 가우 스함수는 cp( x) = -¼/fexp (-팔) (2-33) 로 나타낼 수 있다. 이 가우스 함수의 반폭 ha lf w i d t h 은 a 이고, 이 함수는 연속 함수이다. 그러므로, 푸리에 변환시 적분 구간을 _00 에서 +00 까지로 하여야 한다. 푸리에 변환으로 프라운호퍼 회철 파의 전폭을 구하면, 1Jf(L 1kx) = 已jf ex p (一팔) exp (-21riL l kxx ) dx 국〈仁 ex p{-(론+ 7[멸 xa)2} exp {-군 (4:x)2a2 } dx
>(x)
= exp {-군 (4; x )2a2 } (2-34) 이고 이 함수 역시 반폭이 l/a 인 가우스 함수이다. 그림 2-12 (b) 에서 가우스 함수를 푸리에 변환하여 다시 가우스 함수가 된 모습을 보여 주고 있다. 앞의 여러 조리개의 회절에서 중앙에 있는 회절 피크의 폭은 회절하는 조리개의 폭에 반바례한다는 것을 알았다. 회절 물체의 폭이 점점 작아져 그 극한의 경우가 되면 델타 함수로 취급할 수 있다. 어떤 델타 함수의 푸리에 변환은 lJf(L lkx) = 1--:CCoOO (x) exp (-2mi lkxx ) dx = l (2-35) 로 일정한 값을 지닌다. 죽 폭이 무한히 작아서 투과 함수를 델 타 함수라고 생각할 수 있는 슬릿에서의 회절 강도는 전 영역에 서 균일한 강도를 지닌다. 이 사실은 렌즈에서 전방 초점에 점 원, 죽 델타 함수를 두면 회절 후 렌즈의 후방 초점 면에서는 평 행하면서 강도가 균일한 평면 파가 만들어지는 것을 설명해 준 다. 이것은 프라운호퍼 회절이 렌즈의 후방 초점 면에서 나타난 다고 생각할 수 있기 때문이다. 역으로, 1 차원 조리개 또는 슬릿이 무한대로 폭이 크다면 어 떻게 될까? 무한대로 폭아 넓은 조리개 또는 슬릿, 즉 중앙에 전혀 방해물이 없을 때 평면 파가 회절한 후 파의 진폭은 lJf(L lkx) = 1) exp (-2mi lkx. x ) dx _co = —~ exp ( -2rr iL lkxx)I 혼~
== ~-—--2-2-m71,f i. L,4-lk kkxx {{c-o2s i( 2 s7in fL l(k2x7rxL) 1k-xx )i} ls00in (2 7fL lkxX)}| 혼 OO (2-36) = sin :xX) 「 00 =2sin x (27rL~lkxx)I 1x- oo 이다. 여기서 4kx 가 0 에 접근하면 lfl(L lkx) == 2ox(L llkjxx -)o o, Llkx --> 0 (2-37) 이 되어 원점에 위치한 델타 함수가 된다. 이것은 렌즈에 평행하 게 입사하는 평면 파가 회절이 되면 렌즈의 후방 초점 면에서 바 로 초점이 만들어지는 것을 설명해 준다. 죽 후방 초점 면의 원 점에 델타 함수가 되는 것으로 해석할 수 있다. 100% 투명한 유리와 같이 입사 파의 전폭은 변화시키지 않고 위상만을 변화시키는 순수 위상 체를 생각해 보자. 물체의 크기 를 무한대라고 하고 입사 파의 위상을 일정한 위상 /3만큼 변화 시 킨다고 하자. 죽 임 사 파 exp (27r i kz) 가 exp i(2 7rkz + /3)로 변 화되는 경우이다. 이때 투과 함수는 >(x) = exp 治 (2-38) 이다. 이런 투과 함수를 가지는 물체에서 회절한 회절 파의 진폭 은 lfl(L lkx) = 1-0:0e xp i/3 exp ( —2m L1kx. x) dx
= exp 沿 1_:OOe xp (— 2ml1kxx ) dx (2-39) = exp i/3 o(Llkx) 로 그 강도가 원점에서 델타 함수로 나타난다. 즉 프라운호퍼 회 절 현상은 렌즈의 후방 초점에 나타나는 것으로 생각할 수 있다• 이것은 렌즈의 전면에 100% 투명한 위상만 변화시키는 유리를 두고 회절시키면 렌즈의 후방 초점 면에 초점이, 죽 델타 함수가 나타나는 것으로 생각할 수 있다. 만일 위상이 물체에서의 위치 x 에 따라 변한다고 생각하자. 이런 경우의 한 예는 그림 2-13(a) 에 있는 쐐기형의 유리 프리 즘을 통과하는 광의 회절을 들 수 있다. 굴절률 n = c/ v > l 인 유리에서는 파동이 더 천천히 이동하기 때문에 두께가 d 인 유리 는— l진) d공 를중 에더 서가 보진다 것추으가로 광 생로각 길할 이 수ex t있r a다 .op t그ica러 l 므pa로 th l두en께g thd (의 n 유리 때문에 생기는 위상 차는 /3 = 21rk(n —l) d (2-40) 이다. 유리 프리즘에서 쐐기 각 wed g e ang le r 가 매우 작으면 d = rx 이고, 따라서 /3 = 21rk(n —l) rx (2-41) 이며, 회절 파의 진폭은 lJf(L lkx) = 1:exp i{2 1rk(n — l)rx} exp (— 21rii lkx. x) dx _OO = 1:oeo xp [-21ri{ L lkx - k(n - 1) 까지 dx (2-42) -OO = o{Llkx - k(n - l)r}
r
이다. 이 델타 함수는 ilkx -k(n - l)r = 0 (2-43) 즉
Llkx = k(n - l)y (2-44) 일 때만 그 값을 지닌다. Llkx = ksin 0 이므로, 회절 파는 각도 k sin 00 =~ (kn( n一 一 1 )lY) r (2-45) 에서만 그 값을 지닌다. 죽 그림 2 - 13(a) 와 같이 회절이 위의 각 도에서만 일어나게 된다. 그런데, 실제 유리 렌즈는 쐐기 각이 일정하지 않고 그림 2-13 (b) 와 같이 연속적으로 쐐기 각이 변하는 일종의 프리즘으로 윗 식에서 보는 바와 같이 렌즈의 중심에서 먼 곳은 쐐기 각이 크므 로 회절 각이 크고, 렌즈의 중심으로 갈수록 쐐기 각은 점점 줄 어들면서 회절 각도 점점 줄어든다. 이것은 렌즈에서 평행 광선 이 초점 면에서 초점울 만드는 것과 같은 현상이다. 그러므로 렌 즈를 사용하는 광학 장비들은 위상 체에서 발생되는 회절 현상을 응용하여 만든 것이다. 2-1-4 2 차원 물체의 회절 식 (2-22) 에서 벡터 4r 로 표시하였기 때문에 회절을 2 차원으 로 확장하기가 비교적 쉽다• 물체에서 각 점의 위치 r(x, y)에 대한 2 차원에서의 프라운호퍼 회절 파의 진폭은lJf(4 r) = fs¢ ( P) exp (-27[ 1 .4r. P) d7 (2-46) 이고, L1k· r = Llkxx + Llky y가 되도록, 즉 X, Y 축을 따른 단위 벡터가 i,j일 때 i*'j * 방향으로 4r의 X,Y 성분을 잡아 주면 깐 (Llkx, Llky) = e[x그p: {r —p2 (7xr i,( Ly l)k x. x + Llkyy )} dx dy (2-47) 이고, 여기서, Llkx 와 4k y는 각각 4r 의 x 성분과 y 성분이다. 그래 서 회 절 파의 전폭을 Llkx = sin Bx/A 와 Llky = sin By /A 의 함 수로 나타내든지 또는 sin Bx 와 sin 0y 의 함수로 나타낸다. 한 예로 그림 2-14(a) 와 같이 가로가 a, 세로가 b 인 직사각형 조리개의 회절상을 생각해 보자. 경사 인자를 무시하면 이 조리 개의 투과 함수는 ¢(x, y) = {1, ―戶 운, —: : (2-48) 0, 나머지 이고, 여기에서 투과 함수를 x 에 관한 함수와 y에 관한 함수의 곱으로 분리 할 수 있으므로 >_(x, y) = ¢1(x)¢2(y) (2-49) ¢I(x) = {1, 운 < x 弓 (2-50) 0, 나머지 ¢,(y) = 『0', _—2b나 ~머y지 ~ —2b (2-51)
(a)
으로 나타낼 수 있다. 따라서 회절된 프라운호퍼 회절 파의 전폭 은
1/f(L lkx, Llky) = 1-:o¢o 1(x) exp (-21riL lk xX) dx f-O걸O (y) exp (— 21riL lk yy ) dy = 1:1 exp (-2m'.t :Jk :x X) dx1_:71 exp (-2Jr iLl kyy ) dy = sin 7 ([74[4 kkx xa) sin m (74[4k yk yb ) (2-52) =a sin J r(L7l rkLxlakx a) bV,_ sin 7 r(L7} rkLy lkb y b ) 이다. 이것은 x 방향으로 폭 a 인 1 차원 조리개와 y방향으로 폭 b 인 1 차원 조리개에서 나온 각각의 회절 파의 전폭을 곱한 것과 같다. 폭이 넓은 조리개는 회절상에서 폭이 좁은 회절상을 만들 고, 폭이 좁은 조리개는 회절상에서 폭이 넓은 회절상을 만든다. 즉 조리개의 크기와 회절상에서의 전폭 분포는 항상 역의 관계가 성립한다. 마찬가지 로 극 좌표계 를 사용하여 그림 2-15 (a) 와 같이 반경 이 a 인 원판 모양의 조리개에서 일어나는 회절을 생각해보자. 극 좌표계를 이용하여 투과 함수를 표시하면 ¢(r, 0') = {0l,, llrr|l >< aa (2-53) 이다. 이 푸리에 변환은 베셀 Bessel 함수를 사용하고 그 변환이 어려우므로醫 -6], 여기서는 그 결과만 개략적으로 살펴보자. 결 과는
(a)
망 (4kr, 4ku ) == f1r-ac 2o' < l/1> (2(r21, 1ri0rli 'kl) k re ar xa )p (— 2m·4 r . P) d7 (2~ 5 4) 로 여기서 ]1 은 1 차 베셀 함수이다. 물체가 0 ' 의 연속 함수이므 로 회절상도 역시 0 ' 의 연속 함수로 생각할 수 있다. 반지름 방 향으로는 불연속 함수이므로 회절상에서 반지름 방향으로 빈도 Llkr = 0.61 /a 의 주기를 나타내게 된다. 이것의 첫번째 최소는 Llkr = 0.61 / a 에서 만둘어전다. Llkr = ksin 0 = sin 0/A 이므로 sin 0I A = 0.61/a 에 서 , Llkr 대 신 sin 0 의 함수로 표시 하면 sin 0 = 0.6U /a 에서 첫번째 최소가 만들어전다. 그러므로, 그림 2-15 (c) 에서 보여 주는 것과 같이 일련의 동심환을 만들게 된다. 이 회절상의 중심을 지나는 단면의 회절상은 폭 a 의 1 차원 조리개 에서의 회 절상과 유사하다. 중앙에 있는 최대 centr a l maxim um 를 에어리 원판이라고 하고, 반경 a 의 원형 조리개 cir c ular ap e rtu r e 의 경 우 첫 번째 최 소값까지 의 반경 이 Llkr = 0.61/a 또 는 sin 0 = 0 . 6U/a 가 된다. 1 차원에서 폭이 2a 인 조리개의 경 우 회절상에서 첫번째 최소가 Llk = l/2a 에서 나타난다. 그러나 2 차원인 직경 2a 인 원형 조리개인 경우 첫번째 최소가 Llkr = 1. 22 / 2a 에서 나타난다. 우리가 시편에서 델타 함수로 생각할 수 있는 하나의 점을 상에서 그대로 얻고자 하여도 완전히 뾰족한 델타 함수인 점을 얻지 못하고 실제로 일어나는 물리적인 현상의 경우 대부분 유한한 크기를 가전 조리개가 있는 것으로 되어 한 점의 상은 실제 하나의 에어리 원판이 된다 (3 장 3 - 2-4 절). 어떤 물체에서 회절상을 계산하는 데 유용한 푸리에 변환에 대 한 두 가지 성질이 있다. 그 하나는 두 함수 [J(x ) + g (x) ]의 푸 리에 변환 Y[ f(k) + g (k)] 이 Y[/(k)] + Y[ g (k) ]과 같다는 덧셈
의 addit ive 성질이다. 어떤 물체의 여러 부분들이 같은 점에 대 해 중심 대칭 centr o sym metr i c 이면 같은 원점을 중심으로 표시 한 각 부분들의 각각의 푸리에 변환을 실수 부분은 실수 부분대 로 허수부는 허수부대로 단순히 산술적으로 더하여, 전체 물체의 푸리에 변환을 얻고 더 나아가 회절상을 얻는다. 예를 들면 똑같 은 거리로 떨어져 있는 세 개의 조리개에서의 회절상은 가운데 조리개의 푸리에 변환에 밖의 두 조리개의 푸리에 변환을 더하여 얻는다. 다만 더하여 얻은 푸리에 변환이 회절 파의 진폭이고 회 절 파의 강도는 아니라는 점을 염두에 두어야 한다. 두번째 성질은 상보 com p lemen t ar y 관계가 있는 물체의 회절 에 관한 것 으로 바비 넷 의 역 이 론 Babin e t' s rec ipr oc ity the orem 이다 [2-7]. 여기서 상보 관계에 있는 물체는 한 물체의 투명한 부분들은 다른 물체의 불투명한 부분들이 되고 한 물체의 불투명 한 부분들은 다른 물체의 투명한 부분들이 되어 있는 것을 의미 한다. 수학적으로 상보관계에 있는 두 물체의 투과 함수를
12 == 성¢ (沿4 r=) —{88(4( 4rr)) ¢—1김(L 1 l(k4)r —)}{8 8((44r f)) g— f(¢4 1 r()L l+k) }g l(4 r)gf ((24- 5E7)) 이다. 델타 함수는 원점에서만 값을 지니고 원점이 아닌 다른 점 에서는 델타 함수의 함수 값은 0 이므로, 강도는 h = {8g (l4(4rr)), g f (4 『), 44Er =* OO (2-58) 이다. 이것은 불투명한 물체 내에 투명한 조리개를 잘라 내어 만 든 것의 회절상이나 두명한 데에다 조리개와 갇은 형태의 불두명 물체를 붙여 둔 것의 회절상은 원점을 제의하면 두 곳에서의 회 절상은 똑같다라는 것을 의미한다. 2-2 간섭 회절과 간섭은 구별하여 쓰지 않는 경우도 많지만 여기서는 회 절과 간섭을 구분하여 사용해 보자. 우리가 이제까지 생각하여 왔던 것, 즉 한 개의 기하학적인 물체의 투과 함수를 푸리에 변 환한 것을 회절이라고 하고, 공간에서 한 개 이상의 물체가 반복 하여 존재할 때 회절 면에서 일어나는 현상을 간섭이라고 구별하 자. 영의 이중 슬릿 실험은 간섭의 한 좋은 예이다. 1 차원으로 생각하여 슬릿들이 충분히 작다면 이 두 슬릿에서 생기는 결과는 각각의 슬릿 에서 나오는 두 개 의 구면 파의 보강 constr u cti ve 및 소멸 간섭 destr u cti ve int e r fe r ence 의 결과로 간단히 생 각할 수 있다. 그러면, 간섭 효과를 좀더 일반적이고 구체적으로 나타내 보
XX
자. 우선 2 차원까지 간섭을 생각해 보고 3 차원 간섭은 후에 결 정 격자에서의 운동학적 회절을 공부할 때 생각해 보자. 여기서 우리가 반드시 알아야 할 중요한 개념은 그림 2 - 16(a) 와 같은 모 든 투과 함수는 두 종류의 정보를 포함하고 있다는 것이다. 하나 는 그림 2-16 (b) 와 같은 위 치 po sit ion 에 대 한 정 보이 고 다른 하 나는 그림 2-16 (c) 와 같은 형 상 shap e 에 대 한 정보이 다.
2-2-1 1 차원 간섭 그림 2-16(a) 에서처럼 투과 함수의 특정한 한 부분이 공간에서 규칙적일 필요는 없지만 여러 위치에서 나타난다고 생각하자. 두 과 함수의 이 특정 부분을 형 상 함수 shap e fun cti on s(x) 라고 하고 물체 때문에 생기는 파의 전폭, 위상 변화 또는 두 가지 전 부의 변화를 나타낸다고 하자. 이 형상 함수를 원점에 위치하도 록 하고 이 형상 함수가 그립 2-16(a) 와 같이 X1, X2, X3, ···, Xn 으 로 표시한 곳에 반복하여 위치한다고 생각하자. 이때 위치를 정 할 때 가능하면 좌우 대칭으로 만들어 주는 것이 좋다. 그러면 그 변환이 완전 실수가 되어 편리하기 때문이다. 각각의 위치는 델타 함수로 표시할 수 있다. 이 위치들을 단 하나의 위치 함수, D(x) = ~n o(x —Xn ) (2-59) 로 표시할 수 있다. 이제까지 델타 함수에 관해 공부한 것에서 전체의 두과 함수는 D(x) 와 s(x) 의 콘볼루션, 죽 >(x) = D(x) • s(x) (2-60) 이라는 것을 알 수 있다. 두 함수의 콘볼루션에 대한 푸리에 변 환은 각 함수의 푸리에 변환의 곱이므로 전체 투과 함수의 푸리 에 변환은 ¢(ilkx ) = D(il kx) s (ilkx ) (2-61) 이다. 앞에서 한 것처럼 Llkx = ksin ()라 하고, 경사 인자 (cos ¢ + cos T))와 회절 적분 식의 적분 밖에 있는 모든 상수 항을 무 시하고 수직 입사(¢ = 0) 라고 가정하면, 그림 2-16(a) 에 있는 여러 개의 투과 함수로써 구성된 한 물체에서의 회절 파의 전폭
은
lfl(L lkx) = D(Llkx) s(Llkx) (2-62) 이다. 2 차원 물체의 투과 함수가 r(x, y)에 대해 ¢( r) = D( r) *s(r) 인 경우 경사 인자를 무시하면 회절 파의 진폭은 1Jf(L 1k) = 1-O:0OD0 ( r) exp (-2mL Jk · r) dr (2-63) 1-O:Os ( r) exp (-2mL1k· r) dr 이다. 회절 파의 강도는 물론 위치 강도 1D = D(4r) jj *(4r) 와 형상 강도 Is = 5(4r)5*(4E) 의 곱으로, I = lJf(L l k) lJf * (Ll k) = D(4t) jj*( 4r) 5(4 『 )5*(4E) (2-64) = ID(4 E)Is(4 r) 와 같이 나타낸다. 두과 함수를 두 부분, 즉 위치와 모양의 두 부분으로 분리하면 윗식에서처럼 강도도 두 부분으로 분리되어 편리하게 계산할 수 있다. 1 차원에서 어떤 거리 a 만큼 떨어져 있는 두 개의 델타 함수를 푸리에 변환한 적이 있는데 (1 장 1-2-3 절) 이것은 바로 a 만큼 떨 어져 있는 매우 작은 슬릿의 간섭이라고 생각할 수 있으므로, 회 절 파의 전폭은 위치에 대한 부분인 두 델타 함수의 푸리에 변환 D(Llkx) = 2 cos (iCL lkxa) (2-65) 와 모양에 대한 부분인 델타 함수의 푸리에 변환 s(Llkx) = l (2-66)로 생각할 수 있고 그 회절 파의 강도는 I = ID(4kx) I s(4kx) = D(Llkx) D *(Llkx) s (Llkx) s *(Llkx) (2-67) = 4 cos2 ( JfLl kxa ) 이다. 즉 우리가 영의 이중 슬릿 실험에서 나오는 회절 무늬를 계산한 것이다. 1 차원에서 임의로 위치한 일련의 델타 함수에 대한 푸리에 변 환은 l[f(L lkx) = ~n exp (-2KiL lk xXn) (2-68) 이고, 이 델타 함수들이 일정한 간격으로 반복되고 그 수 N 이 매우크다면 ¢(x) = 홍 o(x — na) (2-69) 이며, 이둘에서 나오는 회절 파의 전폭은 1/f'(L lkx) = ~n exp (-21r iL 1 kxna) = 1 + exp (- 2 1( iLl kxa ) + exp {— 21( iLl kx(2a)} + exp {— 2 mL1kx(3a)} + … 츠 1 — exp (—1 2 1( iLl kxa) (2-70) 이 다. exp (-2;r iL1 kxa) = cos (2;r L1 kxa)-i s i n(2 ;rL 1kxa) 는 2;rL 1 kxa = 2 ;r n( 여기서 n 은 정수) 일 때 exp (-2 ;riL 1kxa)=l 이 되어 윗식의 값은 Llkx = n/a 일 때 무한대로 울라가게 된다. Llkx = n/a 가 아닐 때에 회절 파의 진폭은 약간의 값을 지녀도 무한대에 비교
하면 무시할 수 있으므로 이 회절 파의 전폭은 단순하게 일련의 델타함수 lJf(ilkx ) = ~n o( il도 립 = ~o(ilk x -hi a 기) (2-71) 로 표시한다. 여기서 5* 는 역격자 벡터이다. 이 델타 함수는 4kx 공간에서 원점인 Llkx = 0 인 점을 반드시 포함하고, 각 델타 함수의 간격은 1/a 이다. 죽 격자 상수 a 인 1 차원 격자의 투과 함수는 간격 a 인 일련의 델타 함수로 생각할 수 있는데 이 1 차 원 격자에서의 회절은 이 투과 함수의 푸리에 변환으로 구할 수 있다. 따라서 회절 파의 전폭은 간격 1/a 로 규칙적으로 배열된 일련의 델타 함수가 되는데 이것은 간격 1/a 의 역격자로 생각할 수 있다. 실공간에서 간격 주기 a 를 회절, 죽 푸리에 변환을 하 면 푸리에 공간, 죽 회절 공간 또는 역공간에서는 1/a 의 간격 주기를 갖게 되므로 실공간과 역공간이 서로 역관계를 지니게 되 는 것이다. 방형 중절모 투과 함수를 델타 함수와 어떤 함수와의 콘볼루션 으로 표시 해 보자¢.( x방)=형t :함 수훌는 다 <음x과 弓 같이 표시 한다 .• (2-72) 0, 나머지 이 투과 함수는 계 단 함수 sin g le edg e fun cti on 와 델타 함수 두 개, s(x) = {01,, Xx ~< o0 (2-73) D(x) = o(x + 운) 一 o(x —운) (2-74)
와의 콘볼루션으로 다음과 같아 ¢(x) = D(x) * s(x) = {a (x + 운) -a( x -망 )} * s(x) (2-75) 만들 수 있다. 이 식에서 두번째 항은 —표 시로 나타나 있어 양 의 델타 함수가 콘볼루션될 때 양의 방형 함수를 만드는 데 비하 여 X = a/2 에서 음의 델타 함수는 반대 부호. 죽 음의 방형 함 수를 만든다. 계단 함수에서 나오는 파의 강도는 Is = 5 (4kx) 5 *( 4kx) = 十정 (4kx) + 4 군(〉鬪 (2-76) 이다. 위치를 표시하는 함수 D(x) 의 푸리에 변환은 D(il kx) = ex p {-2mi l kx( 군)} — ex p{― 2r i4 kx(+ 운)} = c—osc o( 1sr i(l1 krixla k)x a+ ) i+ s iin s (i1n ri (l1 krixla k)x a ) = 2i sin (교4 kxa) (2 구 7) 이고, 그강도는 In = D(Llkx)D*(Llkx) = 2i s in (7rLlkxa){-2i s in (7rLlkxa)} (2-78) = 4 sin 2 (7rLlkxa) 이다. 그러므로, 방형 함수에서 회절된 강도는 I(L1kx) = 鬪 = jj(4k x)jj *(4 kx) 5(4kx) 5*(4kx) = 4 sin 2 (n平 ){+성 (4kx) + 4 군(〉 kx)2 } (2-79) 이다. 윗식에서 괄호 안의 두번째 항은 앞에서 우리가 방형 함수
에서 바로 계산하여 얻은 결과이다. 여기서 괄호 안의 첫번째 항 이 직접 계산시 없었던 항으로 Llkx = 0 일 때 부정 ind et er mi na t e 이고 그 외 영역에서는 값이 0 이다. Llkx = 0 일 때의 값은 그림 2 -17(a) 와 같이 폭이 a2 이고 높이가 A2 인 한 개의 펄스에서 a 를 0 으로 보낼 때의 극한 값이 바로 델타 함수라고 생각하여 얻을
---` -s-in- 2- ( n!) .k,a )
I
수 있다. 이 펄스와 sin 2 (7rllk x a) 와의 곱은 그림 2-17 (b) 에 그려 져 있고, A2a2 = 1 로 일정하게 유지하면서 a 를 0 에 접근시키면 A2 은 중가한다. 그러나 펄스를 더 좁게 하면 이 곱은 Llkx = 0 에 서 0 에 접근하게 된다. 윗식을 전개했을 때 두번째 항의 각 성분 들과 그 곱은 그림 2-18 에 나타내었다. 여기에서 형상 함수에서 나온 강도 Is 는 강도 분포의 대략 겉모양인 의피를 나타내고 위 치 함수에서 나온 강도 ID 는 회절 강도의 위치 분포가 어떻게 되 는지를 나타낸다. 다른 l 차원 예를 들어 보자. 먼저 각 투과 함수가 폭이 a 이고 높이가 1 인 한 개의 펄스로 되어 있고 세 개의 두괴- 함수가 일정 한 간격 b 로 일렬로 배열되어 있는 그림 2-19(a) 와 같은 경우를 생각해 보자. 전체의 투과 함수는 하나의 중절모 함수 s(x) = t0:, _.!나!2:.. 머.::,지;:X ::,;:.!!2:... (2-80)
¢]
와 세 개의 델타 함수 D(x) = o(x + b) + o(x) + o(x - b) (2-81) 의 콘볼루션으로 나타낸다. ¢(x) = s(x) • D(x) = s(x) • {o(x + b) + o(x) + o(x - b)} (2-82) 이 때 델타 함수를 좌우 대칭이 되도록 하면 우함수이기 때문에 계산 결과 실함수가 되어 편리하다. 이 경우 회절 파의 진폭은 깐 (Llkx) = s (Llkx)D(Llkx) = a+ ~exlpfL (l—k x a2 mi l {kexxb )p} (27 fiLl kxb) + 1 (2-83) = a ~lfLlk xa {l + 2 cos (27 fL lkxb)} 이고 회절 파의 강도는 I = lJf(L lkx) lJf *(Llk 김 = a2 ~ {1 -:- 2 cos (27rLlkxb)} 2 (2-84) 가 된다. 여기에서 펄스가 하나 있을 때와 비교하면 전체적인 의 형의 형태를 보여 주는 외피는 함수 { a sin ; ;:x:xa) }2 로 같고 그 의피 내부에는 그림 2-19(c) 와 같이 4kx = 土 1/b, 土 2/b, …에서 최대값을 지니는 함수의 모양을 나타낸다. 그립 2-20(a) 와 같이 폭이 a 이고 높이가 1 인 펄스가 일정한 간
□ □ 드 口
격 b 로 5 개 배열되어 있다면 전체의 두과 함수 >(x) 는 형상 함 수 s(x) = {1, -으2 ~x ~으2 (2-85) 0, 나머지 와 델타 함수 5 개 D(x) = 8+( x8 (+x 2—b)b )十 +8 (8x( x+ — b)2 b+ ) 8(x) (2-86) 의 콘볼루션이므로 cp( x) = s(x) * D(x) = s(x) * {o(x + 2b) + o(x + b) + o(x) + o(x - b) + o(x - 2b)} (2-87) 이고 회절 파의 전폭은 lfl(L lkx) = s(Llkx)D(L1kx) = a s i n』 ~ [exp {2rciL 1 kx(2b)} ++ eexxpp {(2 —rc2iLr c1 i kL xl bk)x (十2b )1} ]+ exp (— 2rciL 1 kxb) (2-88) = a ~ [l + 2 cos (27ril kxb ) + 2 cos {27ril kx( 2b)}] 이다. 따라서 회절 파의 강도는 I = 1/f(L lkx) 1/f* (Llkx)
= a2 s i?:넓~ [l + 2 cos (2Tril kxb ) (2-89) + 2 cos {27 [4k x(2b)}]2 이다. 이 경우 전체적인 의양을 나타내는 외피 함수 envelo p e fu nc ti on 는 위의 경우와 같으나 펄스의 수, 죽 위치를 나타내 주는 델타 함수의 개수가 5 개로 증가함에 따라 그림 2-20(c) 에 서처럼 Llkx = 土 l/b, 土 2/b, …에 중심을 둔 피크는 폭이 더 좁아 지고 피크의 높이는 더 높아졌다. 이와 같이 펄스의 개수가 점점 증가함에 따라 의피 함수가 나타내는 의피는 변하지 않으나, Llkx = n/b 에 중심을 둔 피크의 폭은 점점 좁아지고 피크가 점 점 더 높아진다. 펄스의 개수를 더욱 증가시켜 매우 큰 개수 2N + 1 개의 펄스 가 간격 b 로 배열되어 있다면, 이것의 형상 함수와 위치 함수는 s(x) = {1o,, ―꿍나 <머 x지 三 ? (2-90) D(x) = 2mN~=+I 1 8(x —m b) (2-91) 이고 이것의 두과 함수는 ¢(x) = s(x) • D(x) = s(x) * 꾸 o(x -mb) (2-92) 이며, 회절 파의 진폭은 1/f(ilkx ) = s (Llkx)D(Llkx) = a sin 1 r(i7l kr4xka x a) (… + exp (21rii lkx b) + 1 + exp (-21riil kx b) + …} (2-93)
= a ~ [1 + 잡 Icos {2r4kx(mb)}] 이다. Llkx = n/b 일 때 윗식에서 cos 27f n m = 1 이므로 회절 파 의 진폭은 1/f(L lkx) = a~(1 + 같 11) (2-94) 이 되어 N 을 무한대로 보내면 진폭이 무한대로 된다. 이 때 Llkx = n i b 가 아닐 경우에도 값을 지니나 무한대보다는 매우 작 으므로 무시하여 Llkx = n ib 에서 델타 함수가 만들어지는 것으 로 생각한다. 그러면, lJf(l lkx) = a ~ 집 o(llkx - 밉 = asin m (4교k4 xkax a) 학n (llkx —kl b*I) (2-95) 가 되고 k 는 정수이고 5* 는 5 의 역격자 벡터이다. 따라서, 회 절 파의 강도는 I = lfl(L lkx) lfl*( Llkx) = a2 ~) 꾸p 2(Llkx 군) (2-96) 이다. 죽 그림 2-21 에 나타난 것처럼 의피는 {a sin ; ;:x:xa) }2 이고 이 외피 내에 간격 Llkx=1/b 의 뾰족한 막대 함수가 만들 어지고 이 막대의 높이는 의피 함수에 의해 결정된다.
/(Akx)
2-2-2 2 차원 간섭 어떤 하나의 두과 함수가 2 차원에서 주기적으로 반복되어 커 다란 전체 두과 함수를 이루고 있는 경우를 생각하자. 주기적으 로 배열되어 있는 각각의 투과 함수의 위치를 나타내는 델타 함 수를 이용하여 2 차원에서 위치 함수를 나타내고 여기에 각각의 두과 함수를 콘볼루션하여 2 차원의 전체 두과 함수를 표시하자. 앞에서 전체 투과 함수에서 위치를 대표하는 델타 함수의 역할과 그 위치에 존재하는 형상 함수의 역할을 각각 알았으므로, 2 차 원에서 간단히 개념을 파악하기 위하여 위치를 2 차원으로 나타 내는 델타 함수만으로 2 차원의 간섭을 생각해 보자. 먼저 그림 2-22(a) 에서처럼 직교 좌표축의 x 축 위에 두 점
y
(X1, 0), (-X1, 0) 와 y 축 상에 있는 두 점 (0, Yi) , (0, ― YI) 에 있는 델타 함수의 간섭을 생각하자. 각 델타 함수를 2 차원에서 일반 적으로 o{ r — f,1 (x , y)}로 표시하고 델타 함수의 합은 D(n = ZII: :o (r - r11) (2-97) 로 표시한다. 이것의 푸리에 변환은 D(Llk) == ~fn ~exop( (r -2-mrin ll)-i e·x rp 사 ( — 2mi lk· r) dr (2-98) 이다. LJk = Llkxi* + Llk yj*(여기서 i* = T-信九戶* = F 紅안訂 이고 rn = Xni + Yn j이면 L1k. rn = LlkxXn + Llk yy n 이 되므로, 4kx 성분은 항상 i* 방향, 측 y와 z 에 수직인 방향으로, 4ky 성 분은 항상 j* 방향 죽 z 와 x 방향에 수직인 방향으로 잡아 준 다. 이렇게 4kx,4ky 성분을 잡아 주었을 때 이 변환은 i5(LJk ) = In: exp (— 2m·4r. 킵 D(Llkx, Llky) = In: exp {― 27r i (Llk 따 + Llkyy n )} = exp (-27riL 1 kxx1) + exp (27riL 1 kx. x1 ) (2-99) + exp ( -27riiJ k yy 1) + exp (2mLlkyy 1) = 2 cos (27ril kx. x 1 ) + 2 cos (27ril kyy 1) 이고, 여기에서 회절 강도는 I == DD2(L(Llklkxx, , LLlklkyy) D) *(Llkx, ilky) (2-100) 로 표시한다. 윗식을 그립 2-22(b) 에 나타내었는데 4kx 와 4k y는
4r 의 i* 성분과 j* 성분이다. 각축을 따라 cos 함수가 최대 +1 인 곳을 실선으로 cos 함수가 최저 -1 인 곳은 점선으로 표시하 였다. 이 그림에서 최대와 최저가 만나는 곳은 0 이 되지만 최대 와 최대가 만나면 +4, 최소와 최소가 만나면 -4 가 된다. 회절 강도는 진폭의 자승 깐 2 에 비례하므로 최대와 최대가 만나는 점 (검은 점으로 표시)이나 최소와 최소가 만나는 점(하얀 점으로 표 시)에서 최대가 되고 최대와 최소가 만나는 점에서는 0 이 되어 최소가 된다. 원점에서 제일 가까운, 회절파의 강도가 최대로 되 는 점은 최소와 최소가 만나는 점이다. 여기에서 4 개의 점만 있는데도 무한 개의 최대가 되는 점이 만들어졌다. 그리고 원점에서 또한 최대가 되는 점이 만들어졌 다. 이것은 우리가 1 차원에서 두 개의 점, 죽 두 개의 델타 함 수만으로 회절을 시켰을 때 무한 개의 최대가 만들어지고 원점에 서 최대가 만들어졌던 것에서도 알 수 있었다. 여기에서 점의 숫 자를 점점 늘려보자. 점을 점점 늘립에 따라 앞에서 본 바와 마 찬가지로 회절 파의 진폭은 4kx 축을 따라서는 L1kx = n/x1 에서 4ky 축을 따라서는 L1ky = n/ y 1 에서 피크가 만들어지고, 이 피크 폭이 점의 개수를 증가시킴에 따라 점점 좁아져 날카롭게 된다. 점의 개수가 무한대로 되면 피크의 폭은 0 에 접근하고 높이는 무 한대가 되어 델타 함수가 된다. 이 델타 함수를 점으로 표시하면 이 점 들은 역 격 자 점 reci pr ocal latt ice po in t 둘이 된다. 죽 2 차 원에서 무한한 점들의 모임, 즉 격자 점은 회철 후 푸리에 변환 되어 역격자 공간에서 역격자 점이 만들어지게 된다. 원접에서 제일 가까운 역격자 점까지의 거리는 ✓ (2/\l)2 +꼈六겁;= 됴2戶X1Y三1 \1 이것은 실공간에서 격자간의 면간 거리 int e r p la nar
y
s p ac i n g가 제일 큰 면간 거리 d = &2 xIYI 의 역수이고, 원점 에서 제일 가까운 역격자 점까지의 방향은 면간 거리가 제일 큰 면에 수직인 방향으로 실격자와 역격자 간의 모든 관계를 만족시 킨다. 다음 직교 좌표 축이 아닌 경우 그림 2-23(a) 처럼 (x, y) 면 위 의 위치 (x1, Y1), (-X1, -Yi) , (x2, -y2), (-X2, Y2) 에 있는 네 개의 델타 함수를 생각해 보자. 문제를 간단히 하기 위해 네 개의 델 타 함수를 두 개씩 쌍으로 묶어 처리하자. 그 다음 그림 2-23 (b) 와 같이 좌표축을 새로이 정의하여 (x1, Yi)과 (_XI, _YI) 을 연 결하는 방향으로 새로운 y' 축을 정의하고, (x2, -y 2) 와 (-x2, Y2) 롤 연결하는 방향을 따라 새로운 축 x' 축을 정의한다. 네 개의 델타 함수를 새로운 좌표축으로 표시하면 (x2', 0), (— xi', 0), (0, Yi' ), (0, ― Y1' )이 된다. x' 축을 따라 i, y' 축을 따라 j룰 잡았을 때, L1kx ' 축과 4ky' 축을 P 와 j* 방향으로 잡으면 L1k '· rn = 4kx'xn’ + 4ky 'y n’ 이므로 푸리에 변환은 iJ(LJf') = ~n exp (-27riL 1 k'· rn) D(Llk'x, Llk'y) = ~n exp {-21r i (Llk~ 따 + 4k; 짜)} = exp (-2TCiL l k~'2) + exp (2mL Jk ;x~) + exp (-2TC iLJ k; 파) + exp (2m f1 k; 파) (2-101) = 2 cos (2TCLlk~'2) + 2 cos (2TCLlk; 파) 이 되고, 여기서 4k'x 와 4k' y는 4r’ 의 F 와 j* 성분이다. 그림 2-23(c) 에 각 축을 따라 cos 함수가 최대가 되는 선을 실선으로, cos 함수가 최소가 되는 선을 점선으로 나타내었는데 최대와 최 대가 만나는 점을 검은 점으로, 최소와 최소가 만나는 접은 흰
점으로 표시하였고, 최대와 최소가 만나는 접은 0 이 된다. 강도 는 진폭의 자승이므로 강도의 최대는 그립에서 최대와 최대가 만 나거나 최소와 최소가 만나는 점이 되고, 강도의 최소는 최대와 최소가 만나는 점이 된다. 1 차원에서 일정한 간격으로 배치되어 있는 델타 함수의 개수 가 많아질수록, 회절상에서는 간격의 역수에 해당되는 점에서 생 기는 피크의 폭이 점점 뾰족하게 된다. 수학적으로는 역공간에서 델타 함수가 만들어진다. 2차 원에서도 실공간에서 점의 수를 일 정한 간격으로 점점 더 많이 만들어 주면, 회절시 피크의 폭이 점점 더 뾰족하게 되어 결국 피쿠가 있는 점에 수학적으로는 델 타 함수, 역격자 공간에서는 역격자 점이 만들어지게 된다. 그림 2-23(c) 에서 강도 최대 및 최소는 설공간에서 축 x' 과 y’에 수직 한 선 상에 위치하게 된다. 이 수직한 선 위에 역격자 공간의 두 축 4kx'(x*, i* 방향)와 Llk~(y *,j* 방향)이 존재한다. 이 두 축을 따라 최대가 존재하고 이 최대와 최대, 최소와 최소가 만나는 점 이 바로 역격자 점이다. 실공간에서 델타 함수를 지나면서 x' 과 y’에 평행한 선들을 그으면 이것들이 2 차원 격자면이 된다. 이 실공간에서 격자면은 역공간에서 해당 역격자 점 방향과 수직하 고, 실격자의 면 간격은 역공간에서 원점과 해당 역격자 점사이 거리의 역수에 비례한다.
2-3 원자의 회절 2-3-1 전자 파와 전자기 파 l 빠른 전자 파 결정 내의 원자에서 회절을 일으키기 위해서는 입사 파의 파장 A 가 브래 그 법 칙 , ntt = 2d sin 0 을 만족시 켜 야 한다. t1/(2 d) 조 nt1 /(2 d) = sin 0 ~ l 이므로 tt/( 2d) ~ 1, 죽 결정에 입사하는 파 의 파장이 결정의 원자 면간 거리의 2 배인 2d 보다 작아야 한 댜 우리가 주로 이용하는 전자의 파장은 원자 간의 면간 거리 정도보다 훨씬 작다. 입자의 운동을 나타내는 파동 방정식에 대해 생각해 보자. 질 량 m 이고 운동량 P 로 운동하는 물체의 운동 에너지는 Ek= —21 mVvV 2= 一2pm2 (2-102) 이고, 전자는 또한 입자로 생각할 수 있으므로 운동 에너지는 Ek = mec2( ~-1) (상대 운동 에 너 지 ) (2-103) Ek = ½mev2 = < (비 상대 운동 에 너 지 ) (2-104) 이다. 여기서 me 는 전자의 질량, v 는 전자의 속도, c 는 광속도 이다. 운동량은 P = mev/~ (상대 운동량) (2-105) p = mev (비 상대 운동량) (2-106) 이다.
운동 에너지와 위치 에너지 EP 의 합인 비상대론적인 전체 에 너지 U 는 u=Ek+E p=읊 +E p (2-107) 로 일정하다. 파동과 입자의 이중성 문제를 취급할 때 사용되는 두 가지 가 설이 있다. 첫째는 운동량이 P 인 입자에 있어서 그 파장 서는 A =—ph 또는 p = hk (2-108) / 라는 드 브로이 가설이고, 두번째는 방사 전체 에너지는 hv 의 단위로 양자화되어 있다는 플랑크 Planck 의 가설이다. 여기서 h 는 플랑크 상수이 다 (h = 6.6 x 10-34 Js, SI 단위 ) • 즉, U = hv = —2h;r (1} (2-109) 이다. 입자가 파동 및 입자의 두 성질 모두를 가지고 있다면 위 의 세 식에서 다음 식울 얻는다. U = h 픕 = Jf£-+ EP. (2-110) 단순 조화 파동에서는 훑룰 —i(J), V 를 i 27rk 로 쓸 수 있으므로 (J)대신 ―十훑롤, k 대신 ·궁 TV 울 윗식에 대입하면 파동 방정 식은 (같*)1Jf=(-~v 2 + Ep )1Jf (2-111)
(若t)l/f = HlJ f (2-112) 로 표시할 수 있다. 이것이 바로 슈뢰딩거 (Schrodin g er , 1887 ~1961) 의 파동 방정식이다. 작동자 H = -~8 군h2 ' m1 2 + E p는 해 밀토니안 Ham i l t on i an 이라고 하고 이것은 앞의 다항 작동자 G 와 유사한 것이다. 1Jf는 입자 파의 전폭이고 그 자체만으로는 물리적 의미가 없으나 7Jf( r) 7Jf* (r) dv = I 7Jf( r)l2 dv (2-113) 로 표시하면 거리 r 에 위치한 미소 체적 dv 내에 어떤 입자를 발 견할 수 있는 확률을 의미한다. 우리가 관심이 있는 것은 위치에 따라 파의 진폭이 변화되는 양상과 평균값이다. 따라서, 파의 한 주기보다는 훨씬 더 긴 시 간 동안 관찰하여 얻은 그것의 평균값에 관심이 있으므로, 우리 는 시 간 독립 tim e ind ep e ndent 슈뢰 딩 거 파동 방정 식 (— 8h;~ + EP) 7Jf = U7 Jf (2-114) 으로, 또는 간단히 Hl Jf = UlJ f (2-115) 로나타낸다. 전자와 같이 전하를 지 닌 입 자의 위 치 에 너 지 po te n ti al energy 는
Ep = qV = —eV (2-116) 이고 여기서 q는 전하이고 V 는 볼트 volt 단위로 나타낸 전위po te n ti al 이다. 이 식을 시간 독립 파동 방정식에 대입하면, 西 + 87[ 2h ??ee vlJf = O (2-117) 이 된다. 전자 현미경 내에서 전자가 시편울 두과할 수 있을 정 도의 충분한 에너지를 갖도록 하기 위해 수백 킬로볼트 정도의 가속 전압을 사용한다. 이와 같이 전자가 전자 현미경 가속 전압 Vo 에 의해 가속되면 시편 내에서 가속된 전자의 전위는 V = Vo + V(r ) (2-118) 이고, 여기서 V(r) 은 전자가 통과하고 있는 매질 내의 시편 때 문에 생기는 시편 내부의 위치 r 에 따라 변하는 추가 국부 전위 local po te n ti al 이 다. 진공 내 의 경 우에 는 V( r) = 0 이 므로, 전 공내에서의 파 lflo는 다음 식 먀b + 8 군~ Vol ffo = 0 (2-119) 을 만족시키고, 이 파동 방정식의 해는 lffo( r ) = A exp (2;r ik· r) (2-120) 이다. 이 해를 식 (2-119) 에 대입하여 k 롤 구하면 k= 幻h (2-121) 이다. 실제로 전자 현미경을 사용할 때 전자 가속을 위해 주로 사용하는 전위 범위 내에서는 전자의 속도가 빨라 상대론적 보정 울 해 주어야 하므로, 이 평면 파의 파동 벡터 r 의 크기는
표 2-1 전위에 따른 전자 파의 파장
| fl = ~詞 (1 + ~)1'2 (2-122) 이고, 파장은 ,1 =~(1+~rl/2 (2-123) 이다. 윗식에 상수 값들을 대입하여 가속 전압 Vo 의 변화에 대 해 파장을 계산한 결과롤 표 2-1 에 나타내었다. 그다지 높지 않 은 가속 전압에서도 파장이 원자 간의 거리(약 0.1nm) 보다 상당 히 작음을 알 수 있다.
2 전자원 주로 많이 사용되는 전자는 진공관이나 일반 전구에서와 같이 고온의 금속 필라멘트를 가열시켜 얻는 열전자 방출t herm i on ic em i ss i on 에 의해 만든다. 먼저 전자원인 금속의 표면을 생각해 보자. 금속 내부에서 가만히 있는 전자의 에너지가 -Us 라면, 이 전자가 금속에서 빠져나가기 위해서는 이 전자의 금속 표면에 수직한 에너지 성분이 적어도 Us 가 되는 에너지를 얻어야 한다. 표면에 수직한 방향을 z 방향으로 잡으면 전자의 운동량 momen t um 은 ,/¼ > Us = fr. (2-124) 이어야 한다. n(Pz) 가 운동량이 Pz 와 Pz+dPz 사이인 전자의 수 라고 하면 단위 시간당 단위 면적에 도달하는 전자의 수는 Vzn(Pz) dPz = ~me n(Pz) dPz (2-125) 이고, 여기서 Vz 는 전자 속도의 z 방향 성분이다. 표면에서 반사 되는 것을 무시하면j = 방*출 1 전:P류z n밀(P도z)는 d Pz (2-126) 이다. 운동량 분포 n(Pz) 는 페르미 Fermi 함수로 표시되는 전자 에너지 분포에 따라 달라진다. 여기에서 제일 중요한 변수는 금 속에서는 절대 온도 OK 에서 전자가 차지할 수 있는 제일 높은 에너지를 나타내는 페르미 에너지 uf 이다. 에너지 차 Us -Uf = ¢를 일함수 work fun cti on 라 한다. 페 르미 에 너 지 를 사용하 여 운동량 분포를 표시 하면
n(Pz) dPz = ~ exp (fj-) exp (-~) dPz (2-127) 이 고 여 기 서 kB 는 볼츠만 Boltz m ann 상수이고 T 는 금속의 절대 온도이다. 이 식을 식 (2 - 126) 에 대입하면 방출 전류 밀도는 j = 4 7[ e『 円 2 exp ( -T!r-) (2-128) 이다. 윗식에서 전류 밀도는 T2 에 비례하고 일 함수 ¢에 지수 적으로 반비례하므로 높은 전류 밀도를 얻기 위해서는 가능한 범 위 내에서 온도가 높아야 하고 일 함수 ¢는 가능한 한 낮아야 한다. 그러나 온도를 높일 수 있는 최대의 범위는 기껏해야 전자 총으로 쓰이는 금속의 융점이다. 전자 방출원으로 가능성이 있는 금속둘을 표 2- 2 에 표시하였는데, 이 표에서 보면 알칼리 금속 은 일 함수가 낮지만 융점이 낮아 방출원으로 사용하기에 적당하 지 않은 것을 알 수 있다. 텅스텐은 융점도 매우 높고 일 함수도 그다지 크지 않아 전자 방출원으로 적당하고 실제로 가장 널리 사용되었다. 온도가 너무 높으면 기화 속도가 빨라지고 수명이 단축되므로 보통 텅스텐 필라멘트를 사용하는 온도는 3000 K 이
표 2-2 전자 방출원으로 가능성이 있는 금속의 성질
하이다. 일반적으로 간단한 텅스텐 필라멘트는 보통 머리핀 형태 로 끝이 뾰족하게 만들어져 있고 텅스텐의 저항을 이용하여 가열 한다. 텅스텐 필라멘트의 방출 전류 밀도는 대략 104 ~ 105Am-2 O] 다. 전자 총에는 전자가 중앙을 통과할 수 있도록 가운데가 뚫린 형태의 양국 anode 이 있는데 보통 점지 전위가 되도록 한다. 그 리고 필라멘트는 아주 낮은 전압으로 가열하고 매우 큰 음의 전 위가 유지되도록 한다. 전자 방출의 정도는 양극에 대해 작은 음 의 전위가 되도록 한 베넬트 (Wehnel t, 1871~1944) 실린더라고 하 는 또 하나의 일종의 양극으로 조절하는데 이것의 역할은 전공관 에서 그리드g r i d 가 하는 역할과 유사하다. 베넬트 실린더와 양 극 때문에 방출된 전자는 좁은 전자 빔으로 만들어지고 보통 이 런 열전자 방출원의 전자 빔 전류는 lµA 정도이다. 다음 문제가 되는 것은 방출된 전자의 에너지 분포이다. 이상 적인 것은 방출된 전자의 에너지가 하나의 에너지 값을 갖는 것 이다. 하지만 전자는 어떤 열 에너지 분산폭 s p read 울 가지고 방출되기 때문에 그만큼 파장 폭을 지니게 된다. 전자가 가속되 기 전에 방출 전자의 열 에너지 분포는 맥스웰 Maxwell 분포를 지닌다. 맥스웰 분포에서 평균 에너지는 kBT 이고 전체 에너지 분산폭 overall energy spr e ad 은 대 략 4kB T 이 다. 3000 K에 서 전 체 에너지 분산폭은 LIU = 4ksT = l eV 이므로 LlU/U 는 대략 10 분의 얼마 정도가 된다. 열 에너지 때문에 얻어진 에너지 분 산폭 정도에 따라 만들어진 단색화 monochroma ti za ti on 정도를 그대로 유지하기 위해서는, 가속 전압의 안정도가 10-6 정도나 이보다 나아야 한다. 일반적인 머리핀형 필라멘트에서 실제 전자 가 발생되는 원 source 부위의 크기는 대략 lOµm 정도이다. 짧 고 가는 텅스텐 선을 화학 에칭 e t ch i n g으로 얇게 하여 끝을 매
우 뾰족하게 한 다음, 이것을 머리핀형 필라멘트의 끝에 용접한 뾰족한p o i n t ed 필라멘트롤 사용하면, 발생원 부위가 상당히 감 소하여 반경이 대략 0.2 µ m 정도로 된다. 실제 열이온t her mi on ic 전자 총의 에너지 분산폭은 2~3 eV 이다. LaB6 (lan th a num hexaborid e ) 는 일 함수가 텅 스텐보다 더 낮 아 전자 방출이 훨씬 더 크게 된다. 그러나 저항 때문에 직접 가 열시키기 어려우므로 머리핀형 텅스텐 필라멘트의 끝에 LaB6 를 접합한 후 텅스텐을 가열하여 LaB6 를 간접적으로 가열하는 방법 울 사용한다. LaB6 를 사용한 전자 총의 분산폭은 1~2 eV 이다. 방출 면에 쌓여 방출을 방해하는 공간 전하 s p acechar g e 도 끝 을 뾰족하게 하면 할수록 줄어든다. 열전자 방출이 아닌 또 하나의 전자 방출 방법은 발생원을 거 의 가열하지 않고 전자 방출이 대부분 전계로 인한fi eld -assis t e d 방출이 되도록 하는 것이다. 이 효과를 전계 방출이라 고 하는데 전계의 세기가 E = 108Vm-l 내지 109vm-1 이상이 되어야 한다. 이 정도 전계를 얻으려면 수천 볼트의 전압에 필라 멘트 끝의 반경이 100nm 정도 되어야 한다. 끝이 뾰족한 필라멘 트의 끝에 매우 높은 전계를 가하면 전계의 도움으로 인한 전자 방출 효과 (Scho tt k y, 1886~1976) 때문에 전자 방출이 훨씬 더 많 게 된다. 전계 방출은 양자 역 학적 턴넬링 tun nell ing 효과에 의 한 것이다• 전자를 방출하는 결정면에 따라 전자 방출 정도가 달 라지는데, 텅스텐의 경우 모든 결정 표면의 평균 일 함수가 4.54 eV 인데 비해 (310) 면의 일 함수는 가장 낮은 4.3eV 이기 때문 에, 필라멘트의 전자 방출 표면의 결정면이 (310) 면이 되도록 만든다. 이 전계 방출의 경우 방출 전류 밀도는
j = c, ( ¥J-f-fi--E 2 exp (-c2 ¢3'2/E) (2-129) 인데 이 식은 열전자 방출에 의한 식과 유사하다. 단지 온도 T 대신 전계 E 가 들어간 점이 다르다. 여기서 C1 과 o 는 상수이 다. 전계 방출의 큰 장점은 열전자 방출에 의한 것보다 훨씬 더 밟은 전자원이라는 것과 전자 방출 부위가 2~5nm 정도로 아주 작고, 열 에너지에 의한 에너지 분산폭 4U 가 0.1 ~ 0.25 eV 정도 로 매우 작아 좋은 단색성을 갖는다는 것이다. 하지만 이 방법은 가격이 비싸다는 단점이 있다. 방출된 전자가 시편을 투과하기에 충분한 에너지를 가지도록 하기 위하여 투과 전자 현미경에서는 전자 총에서 보통 수백 킬 로 볼트의 전압으로 전자를 가속시킨다. 3 전자기 파 먼저 고체 내부에서의 전자기 파 elec t roma g ne ti c wave 의 진 행에 대해 알아보자. 어떤 고체는 그 자체가 가지고 있는 세 가 지 재료의 성질, 죽 유전율 (c) , 자기 투자율(µ), 그리고 전기 전 도도 (6) 로 그 특성을 나타낼 수 있다. 진공 속에서 유전율과 두 자율은 일정한 값 co 와 /J-0을 지닌다. 물론 전기 전도도는 0 이다. 어떤 매질 속에서 전자기 파의 진행은 맥스웰 방정식으로 그 특 성을 나타낼 수 있다. 'v• cE = P (2-130) 'v• µH = o (2-131) 'v XH=€ 誓一 +6E (2-132) 'vX E= ―µ뿔 (2-133)
여기서 E 는 전계 벡터이고 H 는 자계 벡터이다. 위의 두 식은 정전학 및 자기학에 대한 가우스 정리에서 나온 것인데, 정전기 의 경우 전기적 단국자 mono p ole, 즉 전하 밀도를 설명하기 위 한 고립된 전하의 존재만 생각한 것이고 자기의 경우 쌍극자 dip o le 의 존재 만 가능하다고 생 각한 것 이 다. 식 (2-132) 는 기 자 력 mag n eto m oti ve for ce 에 대 한 암페 어 법 칙 이 고 식 (2-133) 은 전자기 유도의 패러데이 법칙이다. 식 (2-130) 부터 식 (2-133) 까지 나오는 작동자는 벡터로써 다 음과 같이 정의한다. '7=i훑+場 +k 玉 (2-134) 전위 V 와 같은 스칼라의 경우, 전위의 변화도는 gra d V = '7 V = i ~aaxv +.'J .j —a avy— +.'n .k a—azv一 (2-135) 이 되고 전계 E 와 같은 벡터의 경우에는 내적 dot pro duct, 의 적 cross pro duct 에 따라 각각 다음과 같다. div E = '1· E = (i훑- + j훑 + 틀) .(iEx + jE y + kEz) (2-136) = 8aExx +'ga Ey 쓰 + 'a호z노 curl E = 'v x E = (i 훑 + j 훑 + 틀) X (iEx + jEy + kEz) = i(펑 -誓 ) + j(警 _誓 ) (2-137)
+k 틀-롱). 여기서 i,j와 k 는 각각 직교 좌표계의 X,Y 와 z 성분 방향으로 기본 벡터이다. 그리고, 윗식은 벡터 대수에서 다음과 같이 행렬 식 dete r mi na nt 형태로 표시할 수 있다. 'vX E;:,; = I一 aaix j—aaY —akZaE z (2-138) Ex Ey 유리와 갇이 6 = 0 인 무한대의 균일한 절연 매질이면서 공간 전하가 없는, 죽 p = O 인 고체에서는 맥스웰 방정식을 다음과 같이 나타낼 수 있다. 'v·c:E = o (2-139) 'v• µH = o (2-140) 'vX H = E 誓--` (2-141) 'vX E = -µ뿔 (2-142) 이 편미분 방정식들은 종속 변수인 E 와 H 중 하나를 소거함으 로써 해를 구할 수 있다. 이것은 벡터의 성질에서, v2E = v(v· E) 一 V X V x E (2-143) 이 고 식 (2-139) 와 식 (2-142) 를 이 용하여 윗 식 을 다시 쓰면 v2E = —'vX 'vX E = -vx(-µ 뿔) (2-144)
이 된다. 그리고, v2£ = µft(Vx f i) = µ불(홀) (2-145) 장 E =학경 울 얻는다. 그래서, v2E —€ µ醫-= O (2-146) 이 된다. 또, 같은 방법으로 v2f i -€ µ 텔 = O (2-147) 울 얻는다. 이 두 식은 절연 매질 내에서 임의의 전자기 파의 파 동 방정식을 나타낸다. 식 (2-147) 을 좀더 알아보기 위해 다음과 같은 단순 조화 평면 파 H 를 생각해 보자. H-니 = H-o exp i(2 7rl-i • r지 —(JJ t) (2-148) 1 차원의 경우, 파동 방정식은 다음과 같이 간단히 나타낼 수 있 다. 경82H= 학8경2H (2-149) 파동 01 단순 조화 파 형태라고 가정하고 V 대신 21r i k 을 겅} 대신 一i(J}를 맥스웰 방정식에 대입하면 다음 식울 얻는다. i21 Ck•cE = o 一 k•E = o (2-150)
i27 f k •µf i = o-f. fi = o (2-151) 이 식에서 f, E 와 R 에 대한 관계를 알 수 있는데 E 나 R 모 두 파의 진행 방향 r 로의 성분을 지니지 않는다. 즉, 전자기 파 는 횡파이고 E, fi와 F 는 서로 수직이다. 즉, r..l E . .lR 이다. 일반적으로 E 방향을 편광 방향으로 생각한다. 즉 전자기 파는 (E, f) 면에서 면 편광되어 있다고 생각한다. 2-3-2 원자와 전자의 상호 작용 원자는 양전하를 띤 원자핵 (+Ze) 과 음전하를 띤 전자 (-e) 로 구성되어 있으며, 이 원자에 입사되는 전자도 전하를 띠고 있다. 그림 2-24 에서 보듯이 의부에서 원자 내부로 입사되는 전자는 원자 내에 있는 원자핵 또는 전자와 정전기력에 의하여 비교적 먼 거리에서도 상호 작용을 한다. 입사하는 전자와 원자 내의 핵 또는 원자 내의 전자와 상호 작용하는 쿨롱 힘 Coulomb fo rce 은 F= 47-recoqr2 (2-152) 이고, 원자핵과 원자 내의 전자는 전하가 서로 반대이므로 의부 에서 입사하는 전자와 상호 작용하는 힘이 서로 반대이다. 여기 서 q는 전하량, r 은 거리이다. 원자 내에서 핵을 둘러싸고 있는 전자는 여러 개이므로, 전자 와 상호 작용을 전자 하나 하나에 대해 쿨롱 힘으로 따로 따로 생각하는 것보다는 한 원자 전체의 전위 V(r) 로 고려하는 것이 쉬운 방법이다. 원자 하나의 전위 V(r) 은 원점을 원자핵으로
-e
잡고 원자핵에서 거리의 함수로 나타낼 수 있다. 정전기학에서 전위는 전하와 연관이 있고, 점 전하 q에 대한 전위는 V(r ) =47r같 可 (2-153) 이다. 한 원자의 전위 V(r) 은 원자핵의 전하 +Ze 와 전자의 전 하 ― e p (r) 와 관련있다고 생각할 수 있다. 여기서 p (r) 은 거리 r 에 따른 전하 밀도이다. 맥스웰 방정식인 식 (2-130) 에서 전계 E 의 발산 div e rge nce 은 존재 하는 전체 전하 밀도와 'v·s E = P (2-154) 의 관계를 갖고 정전기학에서 전계는 전위의 변화도로 E = —'vV (r) (2-155)
의 관계를 갖는데 여기서 E 는 단위 거리당 전압 (V/m) 의 단위 로 나타낸다. 위 두 식을 결합하면, —_ecVv2 · Vv (V r() r =) =p p (2- 15 6) 이고, 이것은 v2v(r ) = ―요c (2-157) 이 다. 윗 식 은 바로 푸아송 (Pois s on, 1781 ~ 1840) 식 이 다. 원 자 내 의 어떤 점에서 유효 전하 e ff ec ti ve charge q는 전자 전하 밀도 -e p (r) 와 원자 핵의 전하 +Ze 의 합이 된다. 원자핵은 원자 전체의 크기나 전자의 파장에 비하여 매우 작으므로 원자핵의 전 하는 원자핵을 원점으로 한 델타 함수를 사용하여 표시한다. 즉, p = e {ZB( r) —p( r)} (2-158) 이고, 다시 쓰면 '12 V( r) = —f {Zo( r) - p( r)} . (2-159) 이다. 파동 벡터가 E 인 입사 전자 파 lJfo 는 원자 내의 전위 V( r) 때문에 원자와 상호 작용 후 산란 각도가 0 인 파동 벡터 E’ 의 산란된 파 lJf로 방출된다. 원자 내에서 전체 전위는 전자 현미 경에 걸어 준 전위 Vo 와 원자의 전위 V(r) 의 합인 Vo+ V(r ) 로 나타낼 수 있다. 원자 내에서는 입사 파와 산란 파가 둘 다 존재하고 둘 다 진행하므로, 입사 파와 산란 파의 합에 대해서도 슈뢰딩거 식이 만족되어야 한다. 그러므로,
v2( lJf0 + 1Jf) + 8 군h ? 마 Vo + V( r)}( 1flo + lfl) = 0 (2-160) 이고, 입사 파만에 대한 슈뢰딩거 식은 'v2 1 ffo + ~ Vo lJfo = 0 (2-161) 이다. 식 (2-160) 에서 식 (2 - 161) 을 빼면, '72 l Jf + ~ { Vo lJf + V( r ) 1ffo + V( r) lJf} = 0 (2-162) 이 된다 . 원자 전위 V(r) 은 실험에서 수 볼트임을 알 수 있고, 투과 전자 현미경에서 가속 전압 %는 수백 킬로볼트이므로 V( r) < Vo 이다. 또한 입사 전자의 속도가 원자 내 전자의 궤도 속도보다 훨씬 빠르므로, 산란 파의 전폭이 입사 파의 전폭보다 훨씬 작다. 죽 1jJ' ~ 1Jfo 라는 본 Born 의 약산란 근사 weak- scatt er in g ap pr oxim ati on 를 할 수 있다. 이런 사실들을 이용하 면 V(r) 1Jf를 무시할 수 있고, 결과적으로 아래와 같은 식 v21 Jf + 87[ 2 h?ee Vo 1Jf = _ 8 7[ 2h깐 ee % V( r) (2-163) 을 얻는다. 간단히 하기 위해 식 (2-122) 에서 상대성 보정을 무 시하면, r 의 크기는 I 짜= #函h교 席 (2-164) 이고 이것을 식 (2-163) 에 대입하여 정리하면 V 맹 + 47[ 2k 21 [f = _ 87[ 2 h?ee l[f0 V( 7) (2-165)
이 된다. 이 식은 그린 함수 Green's fun cti on 인 u + a2u = J(r ) (2-166) 과 형식이 같다. 따라서, 원자로부터 먼 거리 r p에 있는 관측자 에 대해 윗식 (2-165) 는 해 1Jf( 1'p) =雪 ~jv( r) exp { —2 m ·( k' -k ) • r} dr = A exp (2r7p [ i k 'rp) (2-167) 울 지닌다. 윗식은 상수항인 2 7[; ?ee 만 무시하면 앞에서 나온 키 르히호프의 회절 적분과 꼭 같다. 단위 전폭의 입사 파가 입사할 때 회절된 구면 파 lfl (rp )와 최대 진폭은 정수 항 2 7[『 ee 를 무 시하면 원자 전위 V(r) 의 푸리에 변환이다. 그러므로, 한 원자 의 투과 함수는 바로 그 원자의 원자 전위 V(r) 이다. 산란 파의 최 대 산란 진폭을 전자 산란 진폭 electr o n scatt er in g amp li tu d e 이라고 정의하면 이 전자 산란 진폭은 feI = 2 7[『 ee fV( r ) exp (-2m.Ar. r) d7 = A (2-168) 이고, 이것을 전자의 원자 산란 계수 ato mi c scatt er in g factor 라 고 하고 여기서 4 『 = 『~- E 이다. 그러므로, 1el 은 원자 전위 V(r) 의 푸리에 변환이다. X 국 1 산란 계수 F 는 전자 하나에 의해 산란된 x- 선 파의 전 폭에 대해 상대적인 값, IX = 전원자자 하하나나에에 의의한한 xx-- 선선의의 산산란란 진전폭폭 (2-169)
울 갖는데 비해, / el 은 전자 하나에 의해 산란된 전자 파의 진폭 에 대한 상대적인 비교 값이 아니고, 원자 하나에 의해 산란된 전자 파의 전폭 lJf값 ~m 이라는 절대값을 갖는다. 식 (2-167) 에서 1/ r p 항 때문에 j e l 은 길이의 단위를 지닌다. 식 (2 - 167) 과 식 (2 -168) 은 입사 파의 전폭 %에 비해 산란 파의 전폭 lJf가 작다는 가정에서 유도한 식이므로, j e l 을 원자의 운동학적 전자 산란 진 폭 kin e mati ca l electr o n scatt er in g amp li tu d e 이 라 고 한 다〔이 . 여 기 서 운동학적 kin e mati ca l 이 라고 하는 것은 입 사 파의 전폭 에 비해 산란 파의 전폭이 몹시 작아 무시할 수 있는 경우를 의 미한다. 반대로 산란 파의 진폭이 입사 파의 전폭에 비하여 무시 할 수 없을 정도로 큰 경우를 동력학적 dy n ami ca l 이라고 한다 . 식 (2 - 168) 에서 f e l 을 원자 전위를 사용하여 나타내었으나, 이 보다 더 쉽게 이해할 수 있도록 원자 번호 Z 와 전하 밀도 p( r) 로 / e l 을 나타내 보자. 원자 전위 V(r) 과 Z 와 p (r) 의 관계식 (2 - 159) 에는 V( r ) 이 아닌 v 2V(r) 의 항으로 표시되어 있다. 식 (2-159) 와 식 (2 - 168) 을 연결하기 위해 푸리에 변환을 두 번 연 속하는 푸리 에 반전 Fourie r inv ersio n 이 라는 과정 을 사용해 보 자. 어떤 함수 f (x) 를 푸리에 변환하면 f (4k) 가 되고 이것을 또 푸리에 변환하면 f(― x) 가 된다. 이 사실을 적용하여 함수 2 穴;;; ee V( r) 울 푸리에 변환하면 j el( 五) = /{ 盆;;;~ V( r)} exp (-2mL1k· r) dr (2-170) 이고, 이것을 또 푸리에 변환하면
f{尸 (Llk)} exp (— 2m·4 r . P) d(4 『) = 묘尸으 v(— r ) (2~171) 이 되며, 이것을 정리하면 V( 구) = 2m’n~ee fue 1( Llk)} exp (-2mL lk · r) d(Llk) (2-172) 이 된다. 또한 델타 함수를 푸리에 변환하면 l 이 되므로 아래와 같은 식이 성립된다. 1 = /8( r) exp (-21C iL 1 戶) dr. (2-173) 윗식의 양변에 Z 를 곱하면 Z = fZ8( r ) exp (— 2mL1k· r) dr (2-174) 이고 이것을 또 푸리에 변환하면 jZ e xp (-2miJ k · r) d(Llk) = Z 8(~ r) (2-175) 이다. x- 선 산란 계수는 전자 밀도의 푸리에 변환이므로. fx (Llk) = jp( r) exp (-2miJ k · r) dr (2-176) 이고, 이것을 마찬가지로 푸리에 변환하면, jf x 따) exp (— 21Ci L1 k· r) d(LJ k ) = p(-r ) (2-177) 8이( -된r다) .이 고원 p자( r는) =구 P면( — 대r)칭 이이다므.로 , V(r ) = V(-r) , 8(r ) = 식 (2-172) , (2-175) 와 (2-177) 을 사용하여 식 (2-159) 에 대 입
하면, ~2 詞 ee v2f 1e1(L 1k) exp (-2mL1k· r) d(Llk) (2-178) = —f j{ z 子 (Llk)} exp (— 27[ i4 r. P) d(4r) 이 된다. 구면 좌표계에서 구면 대칭인 원자에 대하여 훑 T= 〈 5 = O 이므로, 윗식에 있는 연산 op e rati on '1 2 은 r 에 대하여만 편 미분으로 나타낼 수 있다. 즉, v2=+¾(r 틀) (2-179) 이고, 식 (2-178) 의 좌변을 다시 정리하면, 27[: e e 占〔 {r2 : -fIeI(4 r) exp (-27[ 1 .4E· P) d(4 이 = 27[: e e ffel(4 E) 〉蒼 (2-180) { r2 蓋 exp ( —2 7[ 1. 4 r. r )} d(4 E) 이 되고, 소 fI el 따){― 4 군 (4 評 ex p(― 2m· 4 戶) _ 4rri4 k exp (_2m·4r. r)} d(4r) (2-181) = ―fj{ z 子(五)} exp (-2mLlk· r) d(L1k) 이 된다. 윗식에서 r 이 매우 클 때 좌변의 허수 부분은 무시할
-k
수 있게 되어, 2Jrh m2 e e fI e[ 따 ){_4 군 (4 評 exp (— 2m·4r. P)} d (4r) = ―訂fi z― F) exp (-2Jr iL1 k· r) d(Llk) (2-182) 이고, 윗식에서 fe l(4 r) = 2m7r 같h2c {Z —(Lflkx )( 24 r)} (2-183) 이 된다. f el(4E) 을 4E 의 함수로 나타낸 윗식을, Llk = 2ks i n 운 = 宁 s i n · f의 관계식으로부터 산란 각도 0 의 함수로 표시할 수 있다• 그때, je l(0) = 昌:: {s in {0/2) }2{ Z —fx ( 0)} (2-184) 이다. 이것을 그림 2-25 에 모식적으로 나타내었다. 그림 2-26 은 f eI(4r) 이 산란 벡터 4E 에 따라 어떻게 변하는지를 알아보기 위한 그래프이다. 그립 2-26(a) 는 4r 의 변화에 따른 IX(4r) 의
(a) z /—z
변화를 보여주는 그래프이고 그림 2-26(b) 는 두 성분 {Z - F(4r)} 와 1/( LJ k)2 을 각각 4r 에 따라 그린 그래프이다. 4r 가 0 에 접근함에 따라 l/(4r)2 一 00 이고, {Z - IX(4r)} - o 이므 로, ICl 은 부정이 된다. 그러나 식 (2-168) 에서 ;e1( 0) = 1yf V( r ) exp { —21C i (O )} dr =~jv(r )d r (2-185) 이므로, r1(0) 은 유한한 값을 갖는다. 그림 2-26(c) 에서 4k 가 대략 5nm-1 이하일 때 f e1 이 무시할 수 없는 값을 갖는다. sin (0/2) = 11Llk/2 이므로 예를 들어 100 keV 전자에 대해서 파장은 3.72p m 이므로, s i弓 = (3.7 x 10_3 nm)(5 nm 기 츠 10-2 2 —2。 = 10_2rad (2-186) 0 = 2 x 10-2 rad = 1° 이 되어, 전자 산란은 전방 방향 (0 = 0) 에 매우 강한 피크를 나타낸 다. 식 (2-184) 에 me, e, 7[, E, h 에 대 한 상수 값울 대 입 하면 fe1 (L1k) = l X 109{~ 감) (2L1k) } (2-187) 이 된다. 4r 의 크기가 5nm-1 = 0.5x1010m-1 일 때, r1(L1k) == 00..40 4X{ 1Z0 --1 0f{x(z L-1fk) X} ( Ln1mk)} m (2-188)
이다. 4k 가 5 nm - 1 일 때 대략 {Z-F} = Z / 2 이고 j e l 은 0.1 ~ 1 n 面정 도가 된다. 그림 2-26 (c) 를 보면, j e l 은 원자 번호 Z 에 비 례하여 변하므로 원자 번호가 큰 원소일수록 더 강하게 산란된 다. 단위 진폭의 입사 파가 입사할 때 산란 파의 전폭은 麟 m == j2exl 上1 r0p-1 1= — zr0p. 4 mX 10-10 42- 」rp ― m (2-189) 이고, x- 선에 대해서는 산란 파의 진폭은 麟 m = f따 = fx( 5 X 10-1s) 」r_p m (2-190) 이다. 4k 가 5nm- 1 일 때 대략 Ix = Z/2 이므로, 麟~ = 2 X l0-15 一zrp m (2-191) 이다. 같은 원자 하나에 의해 산란된 산란 전자 파와 산란 x- 선 파의 전폭을 비교해 보면 訖 =104 (2-192) 이 되어, 전자가 x- 선보다는 훨씬 더 강하게 산란되는 것을 알 수 있다. 이렇듯 x _ 선보다 전자가 더 강하게 산란되므로 전자의 경 우 산란이 한 번만 일어난다고 가정하는 단일 산란 근사가 잘 맞 다고 생각되는 거리는 x- 선에 비해 훨씬 짧다.
2-4 회절상 2-4-1 역격자 회절 현상을 확실히 이해하기 위해서는 회절상을 표시하는 방 법인 역격자의 개념을 이해해야 한다. 그러므로, 여기서는 격자 의 개념을 토대로 역격자의 정의와 성질 등에 대하여 알아보고자 한다• 먼저 격자의 정의를 알아보자. 격자는 공간 내에서 임의의 한 점이 갖는 환경이 다른 모든 점들이 갖는 환경과 동일한 점들의 집합이다. 격자 점을 연결하여 만든 2 차원에서는 평행사변형, 3 차원에서는 평행육면체를 단위 포 unit cell 라고 한다. 단위 포는 2 차원에서는 일반적으로 평행사변형으로 표시할 수 있고 3 차원 에서는 일반적으로 평행육면체로 나타낼 수 있다. 역격자는 그림 2-27 에 나타난 것과 같은 방법으로 구성한다.
• • • • •
우선 단격 자 단위 포 pr im i tive unit cell 를 만드는 기 본 이 동 벡 터 fun damenta l tra nslati on vecto r a, b, 즌를 정하면 일반 격자 벡터 7 은 r = ua + vb + WC 로 정의된다. 또한 역격자 벡터 는 아래와 같은 관계식으로 정의한다. a_* .=a·5(6x~x Ec =) 5요x 근 (2-193) bC--:! •*• =_* 간6=· aE~((c5xx~ X x5b- =ab =)) _- a근 Q요xX ba- ((22--119945)) 여기서, 요는 단격자 단위 포의 체적으로 Q = a·(bx c) = b· (혼 X ii) = 근 •(a x b) 이다. 이렇게 정의된 역격자 벡터는 방향과 크기에 대한 다음과 같은 성질을 갖는다. 먼저 역격자 벡터와 실공간 벡터의 방향 관계를 알아보기 위해 내적을 구해 보면, af * · bf = ( bf x0 Cf ) · bf = 。 (2-196) i 5*. 준 = ( E; 근) • 존 = O (2-197) 이다. 죽, 역격자 벡터 5* 는 5 와 5 에 수직이다• 마찬가지 방 법으로 다음의 결과를 얻을 수 있다. b*·c= b*·a=o (2-198) c*· a = c*· b = o (2-199) 죽, 역격자 벡터, 5* 는 험와 ii에 수직이고, E* 는 E 와 5 에 수직이 다. 만약 실공간의 a, E, 준가 사방정 orth o rhombic , 정 방정
tet r a g o nal, 입 방정 cubic 에 서 와 같이 서 로 수직인 경우에는, 5*II 5, 5*I I E, 5*I I 근 의 관계가 성립한다. 죽 역격자 벡터와 실공간 벡터는 평행한 방향을 갖는다. 이제 역격자 벡터의 크기에 관한 성질을 알아보기 위해 5* 와 5 의 내적을 구해 보면, a- * .a_ = ( 5요 x 근) ·Zf= ( 5~ x E) =• 5 l (2- 2 00) 이며, 마찬가지로 b * • b = 1, c * • c = 1이 다. 만약, 01°1 5 * 와 5 사이의 각이라면, a*· a = Ia 기 lal cos 01 = 1 (2-201) la 기 = |끼 clo s 01 (2-202) 이다. 마찬가지로, °2 가 5* 와 5 사이의 각, ()3 가 존*와 E 사 o] 의 각이라면, lb 기 = I 硏 c1o s 02 (2-203) le 기=回 (2-204) 로 결표정시계할가 수사 방있다정., 정방정, 입방정에서와 같이 5 ..L 5 ..L 건인 경우, 0.-= 0 이고 따라서, cos 0~ = 1 이므로, la 기 =far, lb 기 = TTT, Ic*I = 刊 (2-205) 이 된다. 죽, 역격자 벡터의 크기는 실공간 벡터 크기의 역수에 해 당된다.
z
;각원이5점제각*지: 금2OO이8까lA 에 8지에,서 역* O : 격B1기면,,자 본' O: A C여l벡 은역B 라터 C주격고정로 가는자 수 하 )세구실벡고의 성터 공 축된 성간 5질X *일,내에Y, 반,의bh z * 대 .와, 역 \하c 격*여\ 에자 : 알대B벡아하터:보여 7기 5J 알*: 위아=지하보 :h았여:5다 *: .그+\ 范=仁詞=仁,沈=子 (2-206) 알라기고 위할하 때여, 5면* .A誌B의C 의 값 면을 지계수산는하 만(h kl) 이 된다. 효*의 방향을
5* .譯 = g*·(-宁 — f ) = (ha* + kb* + 后)·(f-f) (2-207) =O 이고 마찬가지로 g* .BC = O 이다. 이 결과로 h, k, l 로 표시되논 역격자 벡터 효* = ha* + kb* + le* 는 실공간 내의 면 ABC 측 (hkl) 면에 수직임을 알 수 있다. 만약 0 가 5* 와 乃刀 사이의 각이 라면, 원점 0 에서 면 (hkl) 사이의 면간 거리 dhkl 은 dhkl = |Ml cos 0 (2-208) 이 된다. cos0= I一凉OA| · 1 麟료 :|kl (2-209) 임을 이용하여 간단히 나타내면, dhkl = 互각 . |g~홍h :*k k lI =-ha• ha* + lfkfbt k*t l + t근* (2-210) = |岳1 ;k l1 이다. 그러므로, lff:k l | = 」dh—kl 이 된다. 즉, 5* 의 크기는 실공간의 (hkl) 격자면의 면간 거리의 역수이다. 이런 결과들을 이용하여 그 림 2-29 와 같이 왼쪽에 있는 실공간 내의 기본 벡터 5, 5, 잔에 서 오른쪽에 있는 역격자의 기본 벡터 5*, 5*, 군*롤 그릴 수 있 다.
(110)
2-4-2 격자 단위 포에서의 회절 앞에서 임의의 물체를 통과한 회절 파의 회절 전폭은 그 물체 의 투과 함수를 푸리에 변환하여 얻을 수 있고, 원자 하나에서의 회절 진폭은 원자의 두과 함수인 원자 전위의 푸리에 변환으로 나타내어짐을 알았다. 이를 바탕으로 결정 전체의 회절은 어떻게 되는지, 또 결정 전체의 회절을 결정하는 투과 함수는 어떻게 표
시할 수 있는지 알아보기로 하자. 보통 결정은 격자와 기저 또는 모티프로 구성할 수 있다. 기저 는 원자 한 개 또는 그 이상으로 이루어진 것이므로 기저 자체의 원자 전위를 가지고 있다. 그러므로, 결정의 원자 전위는 격자와 기저의 원자 전위로 나타낼 수 있다. 앞에서 언급했던 콘볼루션의 개념을 이용하면 결정 전체의 원자 전위는 격자를 나타내는 투과 함수인 델타 함수와 기저의 원자 전위를 나타내는 투과 함수의 콘볼루션으로 표시할 수 있다. 단위 포의 원점 격자를 나타내는 투과 함수인 델타 함수를 D(r ), 기저를 단위 포로 잡아 단위 포를 나타내는 두과 함수를 m(r) 이라고 하면, 결정 전체의 두 과함수는,
이 된다. 회절 파가 구면 파라는 것을 나타내기 위하여 전파 인 자 exp (27rik r p) rp 를 앞에 붙여 주면, l[f(4 r) = exp (2r7p [ ik rp) D(4r)F(4r) (2-215) 이 된다. 구조 인자 F(4r) 는 단위 포의 투과 함수를 푸리에 변환한 것 이므로 단위 포를 구성하고 있는 각 원자들의 위치와 투과 함수 를 알면 구할 수 있다. 단위 포에서 원자들, 1, 2, 3, …, j, …의 위치를 rJ 라고 하고 그것의 투과 함수를 qJj라고 하자. 델타 함수 와 어떤 함수와의 콘볼루션은 그 함수를 델타 함수의 위치에 옮 겨 주는 역할을 하므로, 단위 포의 투과 함수는 원자의 위치를 표시하는 델타 함수와 그곳에 있는 원자의 투과 함수를 콘볼루션 하여, qJu nltc ell( r) = ~qJj * 0( Y —rj ) (2-216) 와 같이 표시한다. 단위 포에서 프라운호퍼 회절 파의 전폭은 두 과 함수의 푸리에 변환이므로, F(LJ k) = ¢un1t ce11 (2-217) 또는, F(4r) = 업 ¢iL1k ) exp (-21riL1 k· rj) (2-218) 이다. 여기서 gj (4r) 는 한 원자에서 회절된 파의 진폭인데 전
자의 경우 fJe I(4r) 로, x- 선의 경우 ff (Llk) lfle 로 표시한다. 원자 하나에서 회절된 파의 진폭 g J( 4r) 를 IJ (4 『)라고 하면 단위 포 에서의 회절 파의 전폭, 즉 구조 인자는 F(4r) = ?fJ(4 r) exp (- 2 1riL l k· r1) (2-219) 가된다. 전파 인자를 무시하고 식 (2-214) 를 다시 쓰면 결정에서 회절 파의 진폭은 1/f(L lk) = F(Llk)Ln ! exp (-27riL1 k· 킵 (2-220) = 2;.fiLlk ) exp (— 27[ Z.4 r. 刃~ exp (-27riL 1 k· r 시 n 이 된다. 윗식에서 맨 뒤에 있는 r n 은 단위 포의 원점들로 이루 어 진 격 자 배 열을 나타내 는 격 자 이 동 latt ice tra nslat ion 벡 터 로 Yn = uii + vb- + WC (2- 22 1) 로 표시한다. 여기서 U, V, W 는 정수이다. 이 3 차원 격자를 델타 함수로 표시하면, ~n o(r— rn) 이고, 이 3 차원 격자에서 회절된 파의 진폭은 이 델타 함수의 푸리에 변환이므로, ~n exp (-21riL l k· r 사 ~이n e되x고p ,( -2풀m어L1 k쓰 냐면% ) = u,~v ,w exp {-2mL1-k·(• u a + vb- + we)}
= ~u exp (-27f iuL 1k· a) 2u exp (_27 [iv 4k一 • b_ ) ~w exp (— 2Jr iwL 1f . c) (2-222) 이다. 윗식에서 각 합계는 격자가 무한대로 배열되어 있으므로 U, V, w-+ oo 라고 생각하면 각각 ~u exp (-21riu i l k • a) ;;: l —ex p (-12 1rii lf· a) (2-223) 의 형식으로 표시할 수 있다. 따라서 단위 포가 무한대로 배열되 어 있는 결정인 경우, _ l ~n exp (-21riL 1 k • r 깁 츠 1 - exp (-2m.4 互河) l— ex p 1 ~ l ― ex p1~ 존) (2-224) 이다. n1, n2 와 n3 가 정수일 때 ilk· a = n1, ilk· b = n2, ilk· C = na (2-225) 이면, exp (-2K iL 1k 潭) = exp (-2mL1k· b) = exp (-2KiL 1 k· c) (2-226) =l 이 되 어 식 (2-224) 에 서 1/{1 - exp ( —2m ·4 r. 5) }의 값 등이 무 한대로 울라가고, 나머지 부분에서의 작은 값을 무시하면 4r 공
간에서 델타 함수가 배열되어 있는 것으로 생각할 수 있다. 즉 식 (2-224) 는 ~ exp (— 2m.4r· 킵 = 걷 8(4E —『 )향 (4r -밈 합 (4E_ 〔-) = ~h o(LJ f -h a*)~k o(LJ f -k b*) = h2,~kl, o.8 ((L4lkr -— lge* *)) (2-227) 로 표시된다. Llk· a = n1, Llk· b = n2, Llk· C = n3 가 성립하면, Llk·(ua + vb + we) = N (2-228) 도 성립한다. 여기서 N 은 정수이다. 윗식은 다시 쓰면, Llk· rn = N (2- 2 29) 라고 표시할 수 있는데 이 조건을 라우에 Laue 조건이라고 한 다. 이 라우에 조건은 4r 가 역격자 벡터일 때, 4f = 홍h *k1 = ha* + kb* + tc* (2-230) 01 므로 g*· rn = (ha* + kb* + lc*) · (ua + vb + we) = hu + kv + lw (2- 2 31) =N 또한 만족한다. 윗식 (2-227) 과 (2-230) , (2-231) 에서 4r= 홍* 이면, 역격자 공간에서 회절 파의 진폭이 항상 무한대로 되어, 회절
파의 강도가 강한 회절이 일어난다. 앞에서 1 차원 및 2 차원 격자 의 푸리에 변환이 역격자가 되듯이 (2 장 2-2-1 절, 2 장 2-2-2 철) 3 차원 격자도 푸리에 변환시 역격자가 된다. |4 짜 = 2k ' s i n 一。2 (2-232) 이므로, 14 짜 = 2—1 A si. n — 02 (2-233) 또는 顯 = 2}sin oB (2-234) 로 쓴다. 역격자 벡터의 크기는 면간 거리의 역수이므로, l ff기 = _l_ (2-235) dhkl 이고 4r = 밝이면 회절 파의 진폭이 무한대로 되어 회절이 일 어나므로 이것을 식 (2-234) 에 대입하여 정리하면, 2tl si n 0s = 孟l (2-236) 또는 2dhkt sin 0B = A (2-237) 라고 할 수 있는데, 이 식이 바로 브래그의 법칙이다. 이 관계식 은 1912 년 결정학을 연구한 영국의 브래그 (W.H. Bragg , 1862 ~1942) 와 그 아들 브래그 (W. L. Bragg , 1890~1971) 에 의해 유도
|函 =1?1
되었다. 이 식에 의하면, 입사 파 벡터 방향과 브래그 법칙을 만 족하는 어떤 각도 0B 에서 강한 회절 빔이 만들어지는데 이 빔을 브래그 빔이라고 한다. 일반 역격자 벡터 홍 hkl 은 실격자의 격자면 (hkl) 에 항상 수직 이므로, 그림 2-30 에 나타낸 것과 갇이 그릴 수 있다. 이 그림 에서 브래그 법칙을 만족시키는 어떤 특별한 각도를 브래그 각 oB 라고 하고, 그림에서 왼쪽에서 입사하는 파가 격자면 (hkl) 에 서 마치 브래그 각도로 반사되고 있는 것과 같이 보인다. 윗식을 다시 쓰면, 2k'sin 0s = —dh1—k l = |효 :k1I (2-238) 이고, 이 식에서 보면 입사 파 벡터 r 가 격자면과 각도 0B 를 이 루면 결정에서 강한 회절이 일어나고, 회절이 최대가 되는 방향
은 r’ 으로 r 와의 각도가 0 = 20B 인 방향이다. 그림 2-30 과 같 이 회절 빔이 마치 반사되는 것처럼 보이므로 회절 빔을 반사 refl ec t ion 빔이라고도 한다. 이월드 (P.P. Ewald, 1888~1963) 가 1913 년 처음 브래그 법칙을 3 차원 공간에서 역격자와 관계지어 기하학적으로 만들어 낸 것 이 이월드 Ewald 구의 개념이다. 이월드 구의 개념을 소개하면 다음과 같다. 먼저 결정의 방향을 정확히 결정한 후, 여기에서 역격자를 만들고 역격자의 원점을 정한다. 다음은 입사 파와 같 은 방향으로 하고 끝나는 점을 역격자의 원점이 되도록 하며, 크 기는 파장의 역수 (l/ ,1)인 입사 파의 벡터 E 를 정한다. 파동 벡 터 r 의 시작점을 구의 중심으로 하고 반경이 파동 벡터의 크기 k = l/11 인 구가 바로 이월드 구이다. 그림 2-31 에 점선으로 이 월드 구를 나타내 었다. 그림 2-31 에 나타낸 것과 같이 반경 k 점= 까l/지 ,1의의 구벡가터 를역 격r’자 이 라점고과 하만고나 면r ’구 과의 r 중사심이에의서 각만도난를 역 0격(자= 20B) 라고 하면, 역격자의 원점에서 구와 만난 역격자 점까지는 일반 역격자 벡터 효 :kl 이고 11 = 2dhkt sin 0B (2-239) 와 4r = 효 :kl 의 브래그 법칙과 라우에 조건을 만족하게 되어, 강한 회절이 브래그 각 0B 로, 회절 파 벡터 F 를 따라 일어나게 된다. 그러므로, 이월드 구와 역격자가 만나면 항상 브래그 조건에 따라 강한 회절이 일어난다. 죽 강한 회절의 여부는 이월드 구와 역격자가 만나는지 만나지 않는지에 따라 결정된다. 만일 입사 파의 방향을 고정하고 결정을 회전하는 경우를 생각해 보자. 결 정이 회전함에 따라 역격자 점도 회전을 하게 되어 이월드 구와 역격자가 만날 가능성이 훨씬 많아지게 되고 이월드 구와 만난
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점을 따라 브래그 각도로 강한 회절 파가 만들어진다. 이월드 구의 크기는 파의 파장 A 에 반비례한다. 역격자의 크 기는 격자 크기의 역수이다. 보통 재료의 경우 격자 상수가 대부 분 a = 0 .1 ~0.5nm 이므로 역격자의 크기는 대략 a* = 2~10nm- 1 이다. x- 선이나 열중성자의 경우 파장 ll = 0.1 nm 이므로, 구의 반경 ?, = 1/0.1 nm = 10 nm-1 가 되 어 그림 2-32 (a) 에 서 보이 는 것과 같이 구의 반경과 역격자의 크기가 비슷하다. 그러나 빠른 전자의 경 우 파장 ;l = 10-3 n m 이므로 구의 반경 r = 1/10- 3 nm = 1000nm- 1 이어서 x- 선의 경우보다 약 100 배나 크다. 그림 2 -32(b) 와 같이 역격자의 크기보다 전자에 대한 이월드 구의 반경 이 훨씬 크므로 우리가 관심이 있는 역격자 원점 근처의 역격자 의 크기를 기준으로 생각하면 구는 역격자 원점 부근에서 평평하 다고 생각한다. 이 차이는 나중에 일정한 크기의 결정의 회절을 공부할 때 중요시되는 개념이다. 그리고 전자 회절상은 평평한 이 월드 구와 역격자가 만나는 점으로써 이루어지므로 전자 회절상은 역 격자 원점을 중심으로 한 역격자 면의 일부를 그대로 나타낸다. 2-4-3 구조 인자 앞에서 라우에 조건인 Llk = ff:kl = ha* + kb* + t c * 를 만족 하는 경우, 회절이 일어나는 것을 알았다. 그럼 결정 구조에 따 라서 아 라우에 조건에 따라 어떻게 회절이 일어나는지 알아보기 로 하자. 식 (2-219) 에서 구조 인자를 F(Llk) = ~.h(L lk) exp (-2rriL 1 k· rj) (2-219) 로 나타내었다. 여기서 기저인 단위 포 내의 원자 위치를 나타내 는 r를 rj = ua + vb + we, (u, v, w
이 일어나기 위해 4 t를 라우에 조건인 Llk = fftkt = ha* + kb* + le* 를 대입하면 F = ~J Ii ex p {-27ri( h u + kv + lw)} (2-240) 로 나타낼 수 있다. L1k = g h*kl 을 만족하더라도 구조 인자 F(Llk) = 0 이 되어 회 절 파의 진폭이 0 이 되는 경우가 있다. 우리가 결정에서 격자와 기저를 잡아 줄 때, 단위 포가 격자점이 하나만 들어 있는 단격 자 단위 포 pr im i tive unit cell 이 면 이 단위 포의 푸리 에 변환, 죽 구조 안자가 영이 되는 경우가 생기지 않으나, 단위 포 내에 격자 점이 둘 이상 포함되어 있는 다격자 단위 포의 경우 이 단 위 포의 푸리에 변환, 즉 구조 인자는 단위 포 내의 격자끼리의 상호 간섭으로 인해 구조 인자가 0 이 되는 경우가 생긴다. 먼저 간단한 결정 구조에 대한 구조 인자를 알아보기로 하자. 단순 입방 s i m p le cub i c(sc) 의 경우, 기저는 000 위치에 있는 원 자 하나이다. 따라서 구조 인자를 나타내는 식 (2-240) 에서 u, v, w 에 각각 0, 0, 0 을 대입하면, F = ~Ii exp {-2m(hu + kv + lw)} J = IA exp {-27ri(O + 0 + O)} (2-241) = IA 룰 얻을 수 있다. 회절 강도는 구조 인자의 공액 복소수 곱에 비 례하므로 I=F2=11 (2-242) 이 되어 hkl 에 상관없이 모든 hkl 면에 대해 회절이 일어난다. 앞에서 전자 회절상은 반경이 매우 큰 이월드 구와 역격자의 교
점으로 만들어지므로 역격자의 한 면을 나타낸다. 그림 2-33 은 단순 입방 (sc) 의 (001) 역격자면이다. 죽 전자 빔이 [00 1] 방향 으로 입사하였을 때의 전자 회절상이다. 모든 hkl 점에서 회절 이 일어난다. B 는 전자 빔 방향이고 z 는 hkl 면에 수직인 정대 축이다. 체 심 입 방 body cente r ed cubic (bee) 의 결 정 구조는 기 저 가 O 0 0, 1/2 1/2 1/2 에 있는 두 개 의 원자로 구성 되 므로 식 (2-240) 의 U, V, W 대신에 각각 000,1/21/21/2 를 대입하면,
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F = ~Ii ex p {一 27r i (hu + kv + lw)} = IA[exp {— 27ri( O + 0 + O)} + exp { ― 27r i(운 + t + f)}] = /Al 十 exp {— 7ri( h + k + l)}] (2-243) 이 된다. (h + k + l) = (짝수)일 경 우, F = JA[l + exp {-7ri(2 n)}] = /A( l + 1) (2-244) = 2/A 이 되어 회절이 일어나게 된다. 이때 회절 강도는 I == 4F/21 = (2/갑 (2-245) 이 된다. 만약 (h + k + l) = (홀수)라면 구조 인자 F 는 F = JA[l + exp {-1ri( 2 n + l)}] = !A(l - 1) (2-246) =O I=F2=0 (2-247) 이 되어 회절이 일어나지 않는다. 그림 2-34 는 체심 입방 (bee) 결정 구조에 전자 빔이 [001] 방향으로 입사하였을 때 만들어지 는 회절상이다. h + k + l = (홀수)인 경우 회절이 일어나지 않 는다. 면심 입방fa ee eente r ed eub ic(fe e) 의 결정 구조일 때, 기저는 0 0 0, 1/21/2 0, 1/2 01/2, 그리고 01/21/2 에 있는 네 개의 원자
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로 구성되므로 식 (2-240) 의 U, V, W 대신에 각각을 대입하면, F = ~J jj exp {-2Jr i(h u + kv + lw)} = !A[exp {-2m( O + 0 + O)} + exp {― 2m·( 운 + 운 + o)} + exp {一 2m. ( 1 + 0 + f)} + exp {-zm·( 0 + f + +)}] = !A[l + exp {--1ri( h + k)} + exp {— 1ri( h + l)} + exp {-7ri ( k + !)}] (2-248) 이 된다. 만약 h, k, 그리고 l 이 모두 짝수거나 모두 홀수라면
이들의 세 가지 합인 (h + k), (h + l), 그리고 (k + l) 이 모두 짝수가 되어 위의 식의 모든 항의 값아 1 이 된다. 따라서 구조 인자 F 는 F = 4/A (2-249) 가 된다. 따라서 회절 강도는 I = F2 = (4/접 = 16/1 (2 一 250) 이 되어 회절이 일어난다• 만약 h, k, 그리고 l 중 두 개가 짝수 이고 하나가 홀수이거나 한 개가 짝수이고 두 개가 홀수로 짝수 와 홀수가 섞여 있다면 모든 항의 합은 0 이 된다. 예를 들어 h 와 l 이 홀수이고 k 가 짝수인 112 라고 하면 F=O (2-251) I=F2=0 (2-252) 가 되어 회절이 일어나지 않는다. 그림 2-35 는 면심 입방(fe e) 결정 구조에 전자 빔이 [001] 방향으로 입사하였을 때 만들어지 는 전자 회절상이다. 홀수와 짝수가 섞여 있으면 회절이 일어나 지 않는다. 다이아몬드 입방 d i amond cubic ( de) 결정 구조일 경우, 단위 포는 면심 입방(fe e) 구조의 4 개 원자와 그 원자들에 1/41/41/ 4 의 위치를 더하여 얻은 4 개의 원자를 합하여 총 8 개의 원자로 구성 된다. 따라서 식 (2-240) 의 u, v, w 에 0 0 0, 1/2 1/2 0, 1/2 0 1/2, 0 1/2 1/2, 1/4 1/4 1/4, 3/4 3/4 1/4, 3/4 1/4 3/4, 1/4 3/4 3/4 을 대입하면, F = ~Ii-e xp {-21ri( h u + kv + lw)}
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= !A[exp {一 27r i (O + 0 + O)} + exp {— 2 7fi.(운 + 운 + o)} + exp {― 2 7fi.(운 + 0 + f)} + exp {— 27ri( 0 + f + f)} + exp {_2m 信 + ¾+ f)} + exp { —2 7 fi.(lp-+ 뚜 + f)} + exp {― 27r i(푸 + f + 『)}
+ exp {― 2 7fi信 + 부 + 푼)}] = !A[1 + exp {-m (h + k)} + exp {-m (h + /)} + exp {-7ri( /c + /)} + exp { 一 ½(h + k + /)} + exp { —½ (3h + 3k + /)} + exp {-½(3h + k + 3/)} + exp { —½ (h + 3k + 3!)}] = !A[1 + exp {롱 (h + k + l)}] [1 + exp {— 7ri( h + k)} + exp {-m( h + l)} + exp {— 7ri( k + /)}] (2-253) 으로 첫번째 대괄호 항만 · 없으면 면심 입방(fe e) 결정 구조의 구 조 인자식과 똑같다. 만약 h, k, l 이 홀수와 짝수로 섞여 있다면 면심 입방(f ee) 의 경우와 마찬가지로 윗식의 마지막 대괄호 안이 0 이 된다. 따라서 구조 인자는 F = !A[1 + exp { -롱 (h + k + l)}] x o (2-254) =0 이 되어 회절이 일어나지 않는다. 만약 h,k,l 이 홀수로만 이루 어져 있다면 구조 인자는 F = f屯 + ex 가명 (3)}] X 4 (2-255) = 4/Al -i ) 이 되고 회절 강도는
I = FF* = {4/A( l — i)} {4/A( l + i)} (2-256) = 32/,1 이 되어 회 절이 일어난다. h, k, l 이 짝수로만 이루어진 경우는 식 (2-254) 의 첫번째 대괄호 안의 값에 따라 다음의 두 가지로 나눠진다. h, k, I 이 짝수이고 (h + k + /) = 411(11 은 정수) 일 경 우, 구조 인자는
• 0•40 •
F = !A[1 + exp {구 (4n)}] X 4 (2-257) = 8fA 가 되고 따라서 회절 강도는 I = F2 = 64/1 (2-258) 이 되어 회절이 일어난다. 만약 h, k, l 이 짝수이고 (h + k + l) = 4(n + l / 2)(n 은 정수) 일 경우, 구조 인자는 F == !!AA{[ll ++ (e —xp1 ){} -mX -4( 2n + 1)}] X 4 (2~259) =O I=F2=0 (2-260) 이 되어 회절이 일어나지 않는다. 그림 2-36 은 다이아몬드 입방 (de) 구조의 [001] 방향으로 전자 빔이 입사하였을 때 전자 회절 상이다. h, k, l 이 서로 섞여 있을 때 회절이 일어나지 않으며 h + k + l = 4n + 2 일 경우에도 회절이 일어나지 않는다. 단위 포 내에 한 종류 이상의 원자가 포함되어 있을 경우 구조 인자의 크기는 회절 점에 따라 변한다. 단위 포에 두 종류의 원 자가 들어 있는 NaCl 원자 구조를 생각해 보자. 각각의 원자의 산란 전폭을 fN a 와 fo 이라고 하자. NaCl 의 격자는 면심 입방 (fee ) 이 고 기 저 는 000 에 있는 Na 하나와 1/2 1/2 1/2 에 있는 Cl 원자 하나이고 공간 군 spa ee gr oup 은 Fm3m 이고 단위 포 내 에 4 개의 NaCl 이 들어있다. 따라서 구조 인자는 F = ~/; exp {-21ri( h u + kv + lw)} = !Na[l + exp { —1ri( h + k)} + exp { —1ri ( h + /)}
+ exp {-7ri( k + /)}] + /c,[exp {-1ri(h + k + /)} = /++N o ee[lxx pp+ {{ e—-x11prri i /( { )k - ++7r i e( /xh) } p]+ ( -k)m} ' k+ ) e+x pe x{ p— (7 -ri ( 1h r i h+ ) ] /)} + le, exp {-1ri(h + k + /)}[l + exp {1ri( h + k)} + exp {1ri( h + /)} + exp {1ri( k + /)}] = /Na[l + exp {-1ri( h + k)} + exp {-1ri( h + /)} ++ leex, pe x{—p {1r-i1( kri (+ h /+)} ]k + /)}[l + exp { —1ri ( h + k)} + exp {-1ri(h + /)} + exp { 一 1r i (k + /)}] = [/Na + le, exp {-1ri( h + k + l)}] [l + exp {-7ri ( h + k)} + exp {-1ri(h + /)} + exp {-1ri( k + /)}] (2-261) 이고 각 h, k, l 에 따라 구조 인자를 분류하면 다음과 같다. h, k, 그리고 l 이 짝수와 홀수로 섞여 있으면 면심 입방(f ee) 구조의 경우와 유사하게 F = [/Na + /c1 exp {-1ri( h + k + l)}] X 0 = 0 (2-262) I = F2 = 0 (2-263) 이 되어 회절이 일어나지 않는다. h, k, 그리고 l 이 모두 짝수이거나 홀수일 경우는 (h + k + l) 이 짝수일 경우와 흘수일 경우, 두 경우로 나누어 생각할 수 있 다. (h + k + l) = (짝수)일 경우에 구조 인자는 F = 4(/Na + /c1) (2-264) 이고 회절 강도는
I = F2 = 16(/ Na + /c1 )2 (2- 2 65) 가 되어 강한 회절이 일어나고, (h + k + [) = (홀수)일 경우에 구조 인자는 F == 4(/(N/aN a — —/cle, ), ) X 4 (2- 26 6) 이고 회절 강도는 J = F2 = 16(/Na —/c, )2 (2-267) 가 되어 약한 회절이 일어난다 . 면심 입방(f ee) 체의 경우와 마찬 가지로 NaCl 에 대해 회절 점의 존재 여부는 꼭 같으나 NaCl 의 경우 h, k, l 이 모두 홀수인 경우 회절 점의 강도가 더 약해전다. 어떤 특수한 경우에는 더욱 약해져서 거의 사라지게 된다. 예 를 들면, NaCl 과 꼭 같은 원자 구조를 이루는 KCI 의 경우 이 화합물은 이온 결합 화합물이므로 원자들은 이온 K+ 와 Cl- 로 존 재하며 이 두 이온의 전자 수는 똑같고 원자 번호만 K 는 19, CI 은 17 로 다르다. 두 원자의 전자 밀도 분포는 거의 같으므로 P K+ = p cr 라고 할 수 있다. 다만 Cl- 의 경 우 원자핵 의 전하가 K+ 보다 더 작기 때문에 K+ 의 전자 구름이 밀도가 약간 더 높고 크기가 약간 작게 보일 것이다. x- 선의 경우 원자 산란 전폭은 f전8 자 이 고밀 도h를, k ,푸 l 리이에 모변두환 한홀 수것이과면 밀 접F한 = 관4(계/t,+가 — 있f하으 ) 므= 로0 이ft므. 로;츠 회절 점 111, 311 등은 거의 사라질 것이다. 전자의 경우 원자 산 란 전폭 fel = z _ f X 이므로 회절 점이 사라지지는 않고 약한 강도를 나타낼 것이다.
2-4-4 형상 인자 결정에 결함이 없고 크기가 무한대로 연장된다면 무한대 결정 의 투과 함수는
이고, 여기에서 일정한 크기의 결정인 경우 그 합을 무한대로 하 지 않고 일정 범위로 해야 한다. 따라서 결정의 크기를 한정시키 는 형상 인자 sha p e fa c t or 를 사용하여 일정 크기의 결정을 나타 내어 보자. 형상 인자를 S(P) = {0l,, 결결정정 내의부부 (2-271) 로 표시하면, 유한 크기의 결정의 투과 함수는
F(A - k)
(c) 에 각각 D(4r) 와 5(4r) 을 나타내었다. 그러면, 그 콘볼루 션은 C(4r) = jj(4 r) * 5(4r) (2-274) 이고 C(4r) 는 G(r) 의 푸리에 변환이다. 윗식의 양변을 푸리에 반전 이론 inv ersio n the orem 을 사용하여 변환하면, y{G (Llf) } = y{ D(Llk) * S(Llf) } G(-r ) = 'J{D (Llk) }'J{ S(Llk)} (2-275) = D(-r) S( 一 r) 아고 여기서 두 함수의 콘볼루션의 변환은 각 함수의 변환의 곱 이라는 것을 이용하였다. 윗식의 양변을 또 변환하면, G(-Llk) = jD( -r ) S(-r) exp {― 2TC 홀(- r)} d(— r ) (2-276) 이고, 다시 쓰면 G(Llk) = j{D( r) S( r)} exp (-2TCiL l k· r) dr (2-277) 이 다. 그러 므로, 식 (2-274) 와 식 (2-277) 에 서 j{D (r) S(r)} exp (— 2TCi Llk· r) dr = D(Llk) * S(Llk) (2-278) 이다. 그림 2-37(d) 에 D(4r) 와 5(4r) 를 콘볼루션한 D(4F)* 5(4 t)의 모습을 나타내었다. 윗식에서 두 함수들의 곱의 푸리 에 변환은 각 함수의 푸리에 변환의 콘볼루션이라는 푸리에 변환 의 한 성질울 알 수 있다. 이 성 질을 사용하여 식 (2-273) 을 다시 쓰면
l[J'fl nl t ecr y s t al( 五) = F(4E){b(4r) * 5(4r)} = F(Llk)~ exp (— 2m.4r. 7n) * 5(4r) = F(LJ k )~o(LJ k - ff*) * S(LJ k ) (2-279) 2이 8(된4 r다 .— 否윗 ) 식는 의역 격콘자볼 점루을션 나 의타 낸2다8.( 4이r —식은효* ) 유* 한5(한4 r크) 에기 를서 갖는 물체의 모양에 의한 영향력이 각각의 역격자 점에 미치고 있는 것을 설명하는 것이다. 즉 5(4r) 가 역격자 점을 나타내는 델타 함수와 콘볼루션이 되어 각 역격자 점에 들어가 있는 모양 이 되며 이를 그림 2-37(e) 에 나타내었다. 그리고 회절 파의 강 도는 다음과 같이 나타낼 수 있다. I == {{l[FFfl([(f44* rr))2288((44 『r ——정정** )) ** S5((L4lrf)) }}* (2-280) 간단한 예로 한 변이 A 인 정육면체의 결정을 생각해 보자. 이 결정의 형상 인자는 S(x,y ,z ) ~ [lxl ~4,IYI ~강 ,|zl ~강 (2-281) 0, 나머지 이고, 이것은 S(x, y, z) = S(x)S(y ) S(z) (2-282) S(x) = {1, |xl 弓 (2-283) o, 나머지
>=>예 1=,Oy|나 wL z―2A O (2-284) 예 r` |나< 머_머A지―2 (2-285) . 지
로 쓸 수 있다. 1 차원에서 x 방향으로 S(x) 의 푸리에 변환은 식 (2-28) 에서 5(4kx) = A sin 7 (r7l1[4kx kAx A) (2-286) 이고 S(il kx, ilky, ilkz) = fffS(x , y, z) exp {-21ri( ilkx- - c = f+S i(lxky) y e x+p i(l-kz2z1 )r } i idl kx띠 dy ddxz (2-287) fS(y) exp (— 2mLlkyy ) dy fS(z) exp ( —2 m Llkzz) dz 이므로, 이 변환은 S(Llkx, Llky, Llkz) = S(Llkx) S(Llky) S(Llkz) = A sin (7[4 kxA) A sin (7[4 kyA ) 7[4 kxA 7[4 kyA A sin 1 (r7L[l4kzk AZ A) (2-288) 이다. 유한의 결정에서는 형상 함수의 변환이 각 역격자 접에 나타나므로 각 역격자 점은 3 차원에서 5(4r) 에 따라 점의 형태 가 변화하게 된다. 아주 미세한 분말 결정이나 미세한 결정립의 다결정과 같이 결 정립이 작을 경우, 결정립의 크기 때문에 생기는 형상 인자의 영 향을 쉽게 볼 수 있다. 역격자 공간에서는 실격자 공간과 역이 되므로, 분말이나 결정의 크기가 작아지면 작아질수록 해당되는 역격자 점이 점점 더 퍼지게 된다. 이 경우, 임의의 방향에 대해 서 길이가 늘어난 역격자 점과 이월드 구가 교차하여 회절상을 형성할 때 회절 피크가 어떤 일정한 각도 값에서만 생기는 것이 아니고, 어떤 작은 각도 범위에 걸쳐서 생기게 된다. 이것을 브 래그 피크 Bra gg p eak 가 확장되었다고 한다. 입사역 격파자와 점회이절 늘파어 난사 이것의을 각몇도 가 0지 = 방20법B 를으 로고 정알시 수키 고있다 .r 와우 선rI 울 포함하는 면에 수직하면서 gtk t에 수직한 방향을 따라 결정을 혼들어 준다. 그러면, 흉: kl 에 거의 수직한 방향으로 역격자 점이 늘어난 것을 알 수 있다. 그리고 결정과 입사파 사이의 각도인 입사각 0B 를 고정시키고, 고정된 입사 빔에 대해 어떤 범위 내 에서 각도 0 = 20B 를 변화시켜 회절 빔을 조사하면 대략 효 :kl 의 방향울 따라 역격자 점이 어떻게 늘어났는지를 알 수 있다. 또한 r 와 r’ 을 포함하는 면에서 흉 h*kl 에 수직한 축을 따라 결정을 회 전시키면 처음 두 방향에 대략 수직인 제 3 의 방향으로 역격자 점이 어떻게 늘어났는지를 알 수 있다. 역격자 점이 늘어남에 따라 이월드 구의 크기에 따라 이월드 구와 늘어난 역격자 점이 만나는 확률이 달라지므로 이월드 구의 크기가 어느 정도 되는지가 매우 중요하다. x- 선이나 중성자의 경우 이월드 구의 크기와 gtk t의 크기가 모두 대략 10nm-1 정도 로 비슷하여 이월드 구가 한 번에 역격자 점을 1 개 이상 교차하
기가 상당히 힘들다. 그러나 빠른 전자의 경우 이월드 구의 반경 이 k = l/1 1 = 1000 nm-1 로 흉 :k l 의 크기의 약 100 배가 되어 역격 자의 원점 근처에서 역격자 크기의 관점에서 보면 구가 거의 평 평하게 보이고, 또한 유한한 크기의 결정의 경우 역격자 점이 늘 어나기 때문에 그림 2-38(c) 와 같이 평평한 이월드 구가 한 역격 자 면 위에 있는 많은 역격자 점과 만나게 될 확률이 높아진다. 특히 전자 현미경의 경우 전자는 시편과 상호 작용하여 심한 산란을 일으키므로 시편의 두께가 얇아야 전자가 투과할 수 있게 된다. 이 경우 전자 현미경 시편은 그림 2-38(a) 와 같이 입사 전 자 빔의 방향인 z 방향, 즉 4kz 방향에 수직한 아주 얇은 판 모 양이 된다. 이 얇은 판 시편의 형상 인자를 푸리에 변환하면 역 공간에서는 실공간과 역관계가 있으므로 그림 2-38(b) 와 같이 입 사 전자 빔의 방향인 z 방향, 죽 4kz 방향으로 길게 늘어난 막 대 sp ike 모양을 나타내게 된다. 이 막대를 역격자 막대 recip ro cal latt ice rod 라고 한다• 그러므로, 박판 시편에 거의 수직으로 전자 빔을 입사시키면 그립 2-38(c) 와 같이 박판에 수직 방향으로 만 들어전 상당히 많은 수의 막대들과 이월드 구가 만나 회절상을 형성한다. 그러므로 전자 회절상은 이월드 구와 역격자 막대의 교점 으로 생각할 수 있고 전자 회절상은 역격자 원점을 중심으로 한 역격 자 면의 일부로 구성되어 있다. 박판 시편 그 자체도 회절시 푸리에 변환이 되지만 시편 내에 얇은 쌍정 박판이나 침전물 박판이 있으면 이들 역시 회절상에서 긴 막대, 즉 줄로 나타난다. 따라서, 회절상에 긴 줄 s t reak 이 생기 면 이 줄은 시편 내의 박판이 푸리에 변환되어 생긴 역격자 막대 가 이월드 구와 만나서 나타나는 것이므로, 긴 줄 방향에 수직인 박판으로 된 쌍정, 적층 결함, 침전물, 계면 등이 시편에 있음을 알수 있다.
주 A /!c Ak:
그림 2-39 GaAs 와 AIGaAs 충울 교대로 분자선 에피택시로 박막을 성장
그림 2-39 는 GaAs 와 AlGaAs 충울 교대로 분자선 에 피 택 시 e pit ax y로 박막을 성장시킨 시편 단면의 전자 회절상이다. 이 회절상에서 보면 [001] 방향으로 길게 줄이 나타나 있다. 이 줄 은 시편 내에 [001] 방향에 수직인 아주 얇은 박판의 결정이 있 음을 나타낸다. 실제 이 시편은 GaAs 와 AlGaAs 충을 교대로 여러 가지 두께로 [001] 방향으로 성장시킨 것이다. 이 시편에는 [001] 방향에 수직인 아주 얇은 GaAs 와 AlGaAs 박판 결정들이 많이 존재하므로 회절시 푸리에 변환되어 긴 막대 모양을 지니게 되고 이 막대와 이월드 구가 만나는 교점들은 박판에 수직인 긴
그림 2-40 Si (001) 기판과 그 위에 성장시킨 ReS i 2 와의 계면의 단면 전
선이 된다. 그림 2-40 은 Si (001) 기판과 그 위에 성장시킨 ReS i 2 와의 계면의 단면 전자 현미경 회절상이다. 여기에서 ReSi2 에서 나온 회절 점에서는 매우 긴 줄을 나타내는데 그 방향은 Si 기 판의 [220) 방향이 다. 이 회 절상에 서 ReS i 2 는 Si 기 판의 [220) 방향에 수직인 아주 얇은 박판이나 무수한 적층 결함울 포 함하고 있는 것을 나타내 준다. 그리고 S i회절 점에서는 [001)
fk
방향으로 줄이 나 있다. 이 것은 Si 기 판의 (001) 계 면의 푸리 에 변환아 긴 막대로 되기 때문이다. Si 이나 GaAs 단결정 웨이퍼 wa f er 의 표면에 대한 단면 투과 현미경 상에서 제한 시야 조리 개를 단결정/전공의 계면에 두고 제한 시야 회절상을 얻으면 단 결정 회절 점에서 계면, 즉 웨이퍼의 표면에 수직으로 줄이 나타 난다. 이 표면의 푸리에 변환이 긴 막대로 되기 때문이다. Al-4%Cu 합금에서 기니에-프레스톤 Guin i e r -Presto n [ 口 영 역 (G.P. [口 zone) 을 만들도록 13o·c 에 서 16 시 간 열 처 리 할 경 우 두께가 0.5nm 이고 길이가 10nm 정도인 밝고 어두운 콘트라스 트롤 나타내는 얇은 박판이 만들어전다. 이 박판은 {100} 면에 평행하기 때문에 회절상에서 <1 00> 방향으로 회절 점들을 연결할 정도로 긴 줄을 만든다. 비오는 날 자동차의 앞 유리 창을 창 닦개 wi pe r 로 닦는데 창 닦개가 그린 빗물 자국이 원호를 이루고 있다. 이 창을 통해 맞 은편 먼 곳에서 오는 자동차 전조등 하나를 보면 불빛이 길게 늘 어져 있다. 늘어전 방향은 빗물 자국이 그리는 원호에 항상 수직 으로 되어 있다. 이것은 먼 곳에서 오는 불빛이 회절되는 현상으 로 빗물 자국이 푸리에 변환이 되어 자국에 수직한 방향으로 길 게 줄이 생기게 된다. 그림 2-41(a) 에서와 같이 역격자의 원점을 지나는 첫 역격자 면의 역격자 막대와 이월드 구와의 교점을 영차 라우에 존 zeroth order Laue zone (ZOLZ) 이 라 하고, 그림 2-41 (b) 에 나타 낸 회절상의 중앙에 자리하게 된다. 이월드 구가 곡률을 가지므 로 다음 충에 있는 역격자 막대와 만나 고리 모양의 환을 만드는 데 이것을 일차 라우에 존 · fi rs t order Laue zone(FOLZ) 이라 하 고 그 다음 충과 만나는 환을 이 차 라우에 존 second order Laue zone (SOLZ) 이 라고 순차적으로 이름을 붙인다. 영 차 라우
에 존 (ZOLZ) 을 제의한 나머지 라우에 존을 고차 라우에 존 h ig h order Laue zone ( HOLZ) 이 라고 한다. 2 一 4-5 편차 변수 유한한 크기를 갖는 결정에서 회절이 일어날 때에는 브래그 회 절 조건을 만족하는 정확한 회절 점에서 약간 벗어나더라도 회절 강도가 0 으로 되지 않고 어느 정도 강도를 지니게 되는데 정확 한 회절 점에서 벗어나는 정도에 따라 그 회절 피크의 강도 변화 를 계산할 수 있다. 회절 점에서 벗어난 정도를 표시하는 척도로 편차 변수 devia t i on pa ramete r 를 사용한다. 먼저 역격자에서 늘어나지 않은 한 개의 역격자 점이 이월드 구와 만나 그림 2-42 (a) 와 같이 브래그 조건을 정확하게 만족한다고 하자• 브래그 조 건을 정확히 만족하여 이월드 구 상에 있었던 역격자 점이 전자 빔의 방향이 바뀌어 이월드 구가 회전하든지 또는 결정이 회전하 면, 그림 2-42(b) 와 같이 역격자 점이 이월드 구를 약간 벗어나 게 된다. 편차 변수 홍는 브래그 조건을 정확히 만족하면서 이월 드 구 상에 있었던 역격자 점과, 브래그 조건을 벗어나 이월드 구 상에 있지 않는 역격자 점까지의 거리를 크기로 하고, 전자 빔이 입사하는 방향이 양의 방향인 벡터로 정의된다. 그립 2-42 (b) 에 나타낸 것과 감이 편차 변수 홍는 벡터로 Llk = g* + 흥 (2-289) 의 관계를 갖는다. 식 (2-269) 에 4r 대신 윗식을 대입하면, 1Jf(L 1k) = F(L1k)I: exp (-2mL 1k · rn) (2-269) w( 홍* + 홍) = F( 효* + 홍)I: exp {-21r i(효* + 홍)· rn} (2-290)
kf
이다. 윗식에서 구조 인자 F( 흉* + 홍)는 단위 포 내 원자들의 두과 함수를 푸리에 변환한 것으로, 이 값은 예를 들어 1 차원에 서 2 개의 원자만 있으면 cos 함수로 표시되고 원자의 수가 점점 증가할수록 피크가 점점 뾰족해지고, 이론상 원자의 개수가 무한 대로 되면 델타 함수로 변한다. 그러나 실제 단위 포 내에 원자 의 수가 대개 수 개밖에 되지 않으므로 F( 접* + 홍)의 값이 나타 내는 피크는 그다지 뾰족해지지 않는다. 그러므로 F(g * + 홍)의 값은 급격하게 변하지 않고, 편차 변수의 크기는 5* 의 크기에 비해 아주 작으므로, F(g * + 홍) ~ F( 효*) = Fhkl 이라고 할 수 있다. 효*는 일반 역격자 벡터이고 rn 은 실격자 벡터이므로, ffr*n = = h ua·a-* ++ kv bb- *+ + W t C즌* ((22--229211)) 5* 냐 %=hu+kv+lw (2-231) 이기 때문에, exp (― 2m결 *. rn) = 1 이므로, 식(2-290) 에서 회 절 파의 진폭은 lJJ(g* + 흥) = F( 접*)~ exp (-27r i홍• rn) (2-292) 이다. 단위 포의 수 N 이 매우 크고, exp (― 2m· 홍냐%)이 한 단위 포 에서 옆 단위 포로 바뀜에 따라 심하게 변하지 않을 정도로 편차 변수 홍가 작다면, 윗식의 합을 근사적으로 다음과 같이 tNn exp (― 2m· 홍· rn)-i.tc rrY yss tt aa l lexp (-2 7fi홍· r) dr (2-293) 적분으로 바꿀 수 있다. Yn = ua + vb + WC 로 단위 포의 이 동 벡터 5, 5 와 힘의 단위로 되어 있 C·I 합에서 불연속 변수 fn 울 적분에서는 연속 변수 7 로 바꿔야 하고, 전체 값을 맞추어
주기 위해 적분 값을 단위 포의 체적 요 = a·(bx 준)로 나누어 야 한다. 7/f적g( 홍분) 으= 로F g고 *쳐 ic다 rryy시 ss ttaa l l e쓰x면p ,( — 2 m· 홍 • r) d r (2-294) 이고, 결정의크기를 A x B x C 라고하고여기서 f =XI+ y J + 자와 홍 = Sx i *+Sy J * +Szk* 로 7 과 홍를 표시하여 내 적을 하면 홍• r = SxX + Syy + SzZ (2- 2 95) 이다. 이것을 이용하여 회절 파의 전폭을 계산하면, 福, Sy, Sz) = 웅 l! exp ( 一 2 7ris x x) dx 1: exp ( —2 7 fiSy y ) dy f--!2e xp (-21risz z) dz (2- 2 96) = F요g sin 7(7rSrxs xA) sin 7(7rSrys yB ) sin 7(7rSrzs zC) 이므로, 우리에게 친숙한 중절모 함수의 푸리에 변환 형태가 된 다. 여기서는 역격자 공간의 변수인 k 대신 s 를 변수로 하였으 나, 가로, 세로, 높이가 각각 A,B,C 인 3 차원 조리개의 푸리에 변환 형태이다. 다시 쓰면, 1Jf'g( Sx, Sy, Sz) = 요요 ABC sin 7 (rsx平A A) sin ' l r(S7y [BS y B ) sin ' l r(Sm zCC ) (2-297) 이고 亨 = 7 건쁜古 = N 이므로
l/fg{sx , Sy, Sz) = NFg ~sin (7rsxA )~ sin (7rsyB ~) ~ (2-298) 이다. 적분을 하기 위해 변수를 연속 변수로 바꾸었기 때문에 여기서 홍도 연속 변수로 되어 있으나, 우리에게 더 친숙한 역격자 이동 벡터의 단위로 표시하도록 하자. 홍는 역격자 공간의 벡터이므 로, 홍 == Ssx1 iii ** ++ Ss2 yb ] ** ++ SS3z ck ** (2-299) 로 표시할 수 있다. 여기서 각 성분 S1, S2, S3 는 그 크기가 1 보다 는 작은 숫자이다. A, E 와 E 는 실격자의 벡터이므로, A=Nia =AT B=N2b=BJ (2-300) C=N3C=Ck 로 표시할 수 있다. 여기서 N1,N2 와 N3 는 정수로 각 방향으로의 단위 포의 개수이다. 그러므로, 홍·.A = s 귁 = s1N1 홍 ·B = syB = s2N2 (2-301) 홍 • C = SzC = S3N3 이므로, 윗식을 식 (2-298) 에 대입하여 정리하면, 1Jfg( S1, s2, sa) = NFg ~1述rs1N)1 sin 1 (rsT2SN22N 2) sin 7 r(S7arSN3aN 3) (2-302) 이고, N1N2N3 = N 이므로,
깐~ (s1, s2, s3) = Fg ~晶lrS1 ) si n (l7r[SS 2 晶) si n (l7rS[ S3 晶 ) (2-303) o] 다. 이 회 절 파의 강도를 운동학적 강도 kin e mati ca l int en sit y 라고 하고, 그 강도는 Jg = 깐glJf; (2-304) 이다. 다시 쓰면 Ig( sb S2, S3) = FgF ; si n2( (福7[ S) 晶2 ) si n2( 7 (f7S[2S ) 晶2 ) si n(2 7 (fS7[a S ) 2晶 ) (2-305) 이다. 회절 파의 진폭을 나타내는 식에 회절 파가 구면 파이므로 전파 인자를 표시해 주면 1Jfg( S1, S2, S3) = Fg ~晶) si n (1( S 晶) si n (1(빠) exp (21C1iC kS1' rp) 1CS2 1CS3 (2-306) rp 이다. 그러므로 회절 파의 강도는 Ig = 士rp FgF ; si n2( 7 ([&7) [2 빠) si n2( 7([S 7 갑[ 述) si n2( (福7[ S ) 晶2 ) (2-307) 이 된다. Ig 의 최대값은 S1 = S2 = Sa = 0 에서 만들어지고 이때 4r= 접*로 브래그 조건을 만족한다. 회절 강도가 브래그 피크 의 정점에서 최대로 되고 그 값은 lmax = _Nr국p2 r Fg F ; (2-308)
I
이다. 그림 2-43 에 S1 에 대한 강도의 변화가 나타나 있다. 첫 번째로 최소가 되는 곳은 단위 포의 개수 N1 의 역수인 S1 = 土싶:인 곳이다. 2-4-6 제한 시야 회절과 미소 빔 회절 시편 전체를 전자 빔으로 조명하여 회절상을 얻으면 회절상에 는 시편 내의 모든 결정들에 대한 회절상이 포함되어 해석하기가 매우 힘들기 때문에, 시편 중의 하나 또는 몇 개의 결정이나 침 전물을 선택하여 회절상을 만든다. 시편 상에서 직접 직경 0.5µ m 정도의 작은 영역에서 나오는 전자 빔만을 선택하여 회철을
일으키기에는, 이 정도의 크기의 조리개를 만들기도 힘들 뿐만 아니라, 시편 실의 공간이 매우 제한되어 있으므로 조리개를 삽 입할 공간을 찾기도 매우 힘들다. 그러므로 크게 확대된 대물 렌 즈의 상 면에서 제한 시야 조리개를 삽입하여 상의 일부를 선택 하여 회절상을 얻는다. 실제로 형광 면에 크게 확대된 상을 보면 서 원하는 영역울 조리개로 선택하기 때문에, 시편의 아주 작은 영역에서도 회절 정보를 얻을 수가 있는데 이를 제한 시야 회절 이라고 한다. 상에서 작은 영역의 형상에 대한 정보를 얻고, 제 한 시야 회절상에서 얻은 결정학적인 정보를 종합하면 형상에 대 한 결정학적인 정보를 얻을 수 있기 때문에 매우 유용한 기술이 다. 특히 시편 내에 두 개 이상의 상p hase 이 존재할 때 중요한 기술이다. 전자 현미경 상에서 결정의 면과 방향을 알기 위해서는 제한 시야 회절상을 이용하여야 한다. 전자 현미경 상과 이 상에서 얻 은 제한 시야 회절상을 중첩시켜 생각해 보자. 역격자 벡터 흉 :kl 은 항상 (hk l) 면에 수직이므로 (2 장 2-4-1 절) 회절상에서 효 :kl 을 구하고 상에서 이 홍 :kl 에 수직인 면이 바로 (hkl) 면이다. 회절 상에서 역격자 벡터 효: kl 은 000 빔에서 hkl 회절 빔까지의 거리 와 방향에서 알 수 있다. 그러나 회절상에서 얻은 효: kl 에 상에서 의 (hkl) 면이 수직이 아니고 전자 빔 방향을 축으로 하여 어떤 각도로 회전을 해야 수직이 되는 경우가 있다. 그 이유는 전자 현미경에서는 자계 렌즈를 사용하기 때문이다 (1 장 1-1-3 절). 전자는 전하를 띤 입자이므로 자계를 이용하면 전자의 이동 경 로를 변경시킬 수 있다. 전자 현미경의 렌즈에 입사한 전자는 자 계 렌즈에 의해 렌즈의 초점에 모일 수 있다. 자계 H 속에서 속도 5 로 운동하는 전자에 작용하는 힘은
F = -evx µ i l (1-6) 이다. 두 자극 사이의 구멍과 같이 불연속이 생기는 근처에서 자 계의 비축상 성분을 이용하여 렌즈의 역할을 하도록 한다. 윗식 에서 5 x H항 때문에 이 힘의 방향이 困 와 H 에 수직이고, 전자 가 광축 주위를 나선형 길을 따라 움직이도록 한다. 렌즈에서 후 방 초점 면에서 회절상을 만든 전자는 어떤 거리를 더 지나 결상 면에서 결상을 하게 된다. 윗식에서 전자는 축을 중심으로 나선형 길을 따라 움직이므로 회절상을 만든 전자는 나선형 길을 따라 회전하여 결상을 하게 되어 , 회절상과 이 회절상에 상응하는 상은 기하학적으로 회전 ro t a ti on 의 관계가 있다. 회절상과 이것에 상응하는 상의 방향 관계를 정확히 알기 위해서는 배율에 따른 회전 각을 정확히 알 고 있어야 한다. 대부분 전자 현미경의 경우 배율에 따른 회전 각을 자동적으로 보정하여, 전자 회절상의 효 :kl 이 상에서 (hkl) 에 수직이 되도록 하여 전자 회절상과 이것에 해당하는 상 사이 의 방향 관계가 일치하도록 하였다. 그러나 이런 자동 회전 보정 장치가 없는 현미경은 탄소 그리 드 위에 있는 작은 미소 Mo03 결정 시편을 사용하여 회전 보정 rota t i on ca li bra ti on 을 하여야 한다. 몰리브덴 박판을 가열하면 생기는 산화물 연기를 탄소 그리드로 포집하면 많은 미소 Mo03 결정이 그리드에 만들어진다. 이 a-Mo03 결정은 가사방정 pse udo-orth o rhombic 으로 격 자 상수가 a = 0.3966 run, b = 1.38 48 nm, c = 0.3696 nm이 고 길게 막대 모양의 박판으로 자라는 데 박판의 수선 방향이 (010] 이고 이 똑바른 긴 변이 항상 (001] 방향에 평행하게 된다 [7]. 이것을 이용하여 회전 보정표를 만든 다. 먼저 한 배율에서 이 결정의 상과 회절상을 찍고 두 사전을
=
중첩시켜, 상에서 결정의 긴 변에 평행한 방향을 [001] 로 하고 회절상에서 [001] 방향을 찾아 두 방향 사이의 각도를 측정한다. 여러 배율에서 측정하여 표를 만들면, 실제 실험 시편 상에 있는 결함이나 결정의 방향울 회절상으로부터 정확히 측정할 수 있다. 회절 점의 크기가 작은 회절상을 얻기 위해서는, 집속 렌즈로 빔을 크게 퍼지게 하여 수렴 각이 아주 작은 평행 빔으로 만들어 회절상이 만들어지도록 한다 (2 장 2-6-3 절). 상에서의 어떤 미소 영역과 여기에서 얻어지는 제한 시야 회절 상을 서로 연관지울 때 생길 수 있는 오차를 생각해 보자. 이 오 차는 주로 대물 렌즈의 구면 수차와 대물 렌즈에서 초점을 정확 하게 맞추지 못함으로 인해 생긴다. 구면 수차 (3 장 3-1-3 절)는 제한 시야 조리개가 있는 대물 렌즈 의 결상 면에서 생기는 상에 그림 2-44 에서와 같이 수차 M or (여기서 M은 배율)을 만들어 조리개로 상을 선택할 때 이만큼의 오차를 만들고 이 오차는 시편에서의 오차 or 을 만든다. 이 시 편에서의 오차는 8r = Cs03 (2-309) 이고 여기서 G 는 구면 수차 계수, O 는 산란 각이다. 이 오차는 제한 시야 조리개 크기에 무관하고 구면 수차 계수와 산란 각에 따라 달라진다. 따라서 조리개의 크기가 작아 아주 미소 영역을 선택할 때, 이 오차가 상대적으로 중요시된다. 구면 수차 계수는 렌즈의 질을 나타내며 대략 파장에 반비례한다. 그리고 산란 각 은 브래그 법칙 n,1 = 2d sin 0 ~ 2d0 에서 파장에 비례하므로 구 면 수차로 생기는 오차는 파장의 자승에 비례한다. 따라서 고압 전자 현미경을 사용하면 아 오차를 감소시킬 수 있다. 대물 렌즈의 초접이 맞지 않을 때에도 오차가 생긴다. 렌즈의
’II
초점이 4 f만큼 정초점에서 벗어나 있으면 제한 시야 조리개가 있는 상 면에 오차를 만드는데, 렌즈의 초점이 4 f만큼 벗어난 것은 상 또는 물체가 정초점 위치에서 4f 만큼 벗어난 것과 같은 효과를 지니므로 (3 장 3-1-3 절), 그림 2-45 에서와 같이 물체가 정초점 물체 면에서 벗어난 것으로 생각해도 된다. 이것이 만드 는 오차는 그림에서 8r = 4f 0 (2-310) 이다. 여기서 4 f는 정초점 위치에 있는 면과 탈초점 위치에 있 는 면 사이의 거리인데 대물 렌즈의 전류, 죽 초점에 따라 양수 또는 음수가 될 수 있다. 구면 수차와 탈초점에 의한 오차를 동시에 고려하면 전체 오차 는
&r = Cs0 3 + 4f0 (2-311) 이다. 여기서 탈초점의 값이 적당한 음수가 되면 오차를 최소화 할 수 있다. 구면 수차 계수가 1 mm, 산란 각이 0.0 1 rad 이고 탈초점 값이 土 2000 nm 이 면 or == 12106 n Xm (1 또0-는2)3 士— 1290 0 n0m x (10-2) nm (2- 31 2) 가 되어 오차가 시편에서 최대 21nm 가 된다. 이 오차가 실제 제한 시야 회철 조리개가 있는 결상 면에서는 대물 렌즈의 배율 이 25 배라면 525nm 가 된다. 따라서 제한 시야 조리개를 525 nm 정도로 줄이면 조리개의 크기와 오차의 값이 같게 된다. 따 라서 제한 시야 조리개를 무조건 작게 줄일 수 없으므로 크기가 한정되고, 주로 제일 작은 조리개가 5000nm 정도로 시편에서의 선택 영역은 200nm 의 크기가 되어 이 정도 영역에서 회절상을 얻을 수 있다. 물론 가속 전압을 높이거나 수차를 줄이면 더 작 은 조리개에서도 정확한 정보를 얻을 수 있다. 비정질 시편에서 원자들의 간격과 배치 방향은 결정과 같이 일 정하지 않고 여러 간격과 배치 방향의 분포를 지니고 있다. 따라 서 이 간격의 역수도 일정하지 않고 어떤 분포를 나타낸다. 비정 질 시편의 제한 시야 회절상은 점이나 선으로 나타나지 않고 투 과 빔 주위에 어떤 훈륜 halo 을 만든다. 그립 2-46 은 Si 기판 위 에 플라스마 강화 화학 증착 pla sma enhanced chemi ca l vap o r dep o sit ion 방법 으로 입 힌 Ta205 의 비 정 질 상에 서 얻은 제 한 시 야 회절상으로 비정질 원자들의 간격에도 어떤 분포를 지니므로 그 분포에 따라 회절상에 그 강도 분포를 나타내게 된다. 달무리나 햇무리를 보면 비정질 시편의 전자 회절상과 유사함 울 알 수 있다. 달무리에서는 달빛은 전자 회절에서 전자 빔에
그림 2-46 Ta2 야의 비정질 상에서 얻은 제한 시야 회절상.
해당하고 구름이나 공기 중에 있는 물방울 하나 하나는 바정질 시편 속에 있는 원자 하나 하나에 해당한다. 물방울의 분포도 비 정질 시편 속의 원자와 같이 규칙적으로 배열되지 않기 때문에 달빛에 의한 물방울들의 회절은 비정질 시편에서의 전자 회절과 유사하다. 입김으로 슬라이드 sl i de 유리에 무수히 많은 작은 물방울을 만 든 후 레 이 저 laser 빔 을 사용하여 광학 회 절 op tica l dif fra cti on 을 일으키면 광학 회절상을 얻는데 이 회절상도 비정질 상에서 얻는 제한 시야 회절상과 같은 원리로 만들어전 것이다. 전계 방출 총울 가전 현미경 또는 일반 LaB6 필라멘트가 있는 전자 현미경에서 집속 렌즈를 이용하거나 전자 빔의 크기를 작게 하여 제한 시야 조리개를 사용하지 않고도 시편 중의 조리개보다
그림 2-4 7 304 스테인레스 강 속에 있는 침전물인 M23C6 탄화물에서 얻
훨씬 작은 영역만 빔을 조명함으로써 전자 회절상을 얻는 것을 미소 빔 회절이라고 한다. 이것은 10~100nm 정도로 아주 작은 침전물이나 쌍정 판과 같은 미소 영역에서 회절 정보를 얻을 수 있는 장점이 있다. 그림 2-47 은 304 스데인레스 강 속에 있는 침전물인 M23Cs 탄화물에서 얻은 미소 빔 전자 회절상이다. 그 리고 전자 빔의 크기를 더욱 작게 하여 0.5~5run 영역에서 나노 회절상을 얻을 수 있다.
2-4-7 지수 매기기 전자 현미경의 회절상은 이월드 구와 역격자의 교점이 확대되 어 만들어전 것이므로 그림 2-48 의 회절상에서 측정된 거리는 실제 역격자 벡터를 확대한 것으로 간주한다. 현미경의 배율은
----------------시편
그립에서 L 과 이월드 구의 반경의 비이므로 L/k = 11L 이다. 그 림에서 L 은 현미경 경통의 결상 렌즈의 배율에서 결정되는 유효 카메라 거리이고 r 은 회절상의 원점에서 회절 점까지의 거리이 다. 전자 회절과 같이 회절 각이 아주 작울 경우 그림 2-48 에서 r = L tan O 즈 L sin 2 0B 츠 L2 0B (2-313) 이 된다. 한편, 브래그 법칙으로부터 A = 2d sin oB (2-314) 이고 회절 각이 아주 작은 경우 A 츠 2d0B (2-315) o] 므로 rd = 1tL (2-316) 이 고 AL 을 카메 라 상수 camera consta n t 라고 한다. 윗식 을 다 시 쓰면 r = -¼ tlL = I 홍기tl L (2-317) 이 된다. 단결정의 전자 회절상은 점으로 구성되어 있는데 이 점 들의 배열이 규칙적이고 2- 중, 4- 중 또는 6- 중 회전 대칭을 이루 고 있다. 그립 2-49 는 단결정 회절상의 한 예를 도식적으로 나 타낸 것이다. 점 O 는 투과 빔으로 000 빔을 나타낸다. 각 점들 은 각각 다른 hkl 값을 가지고 있다. 가운데 있는 투과 빔에서 같은 거리에 있고 서로 반대 방향에 있는 두 점은 같은 결정면에 서 만들어지는 것으로 각각 hkl 과 屈H I 로 지수를 매긴다. OA, OB 두 방향을 잡으면 그립에서 점들은 이 방향으로 각각 등간
• • • • •
격 a, b 로 배열되어 있다. 각 점들은 평행사변형의 각 꼭지점을 이룬다. 두 점의 지수를 알면 나머지 접들의 지수는 알고 있는 지수의 벡터 합에서 구한다. 먼저 카메라 상수와 재료를 알고 있으면 회절상의 원점에서 각 점까지의 거리 r1, r2, ra, …를 측정하여 이를 카메라 상수 AL 로 나누면 면간 거리가 되므로 이 면간 거리에서 각 점의 hkl 을 정 한다. 그리고 각 점에서 원점으로 선을 연장하였을 때 원점에서 두 선 사이에 만들어지는 각도, 즉 점 사이의 각도를 측정하여 이를 역격자 벡터 gh*k l 사이의 각, 즉 해당 면 사아의 각과 비교 하여 h, k, l 의 순서와 부호롤 정해 준다. 다음으로 카더]라 상수를 모르고 재료만 알고 있으면 원점에서 각 점까지의 거리 r1, r2, ra, …를 측정하여 그 비를 구하면
끄m= I| 맑맑|| =쓰d2 ' 끄r1 =- 旦I 맑旦| =色d3 ' (2-318) 스ri =- 旦lffi긴* I =-썬d 4 ' 와 같이 떤간 거리의 관계를 얻으므로 각 점까지의 거리의 비와 표 2- 峰广 이용하여 구한 면간 거리 d 의 비를 비교하여 해당되는 면간 거리 dhk/ 을 구하여 hkl 을 정한다. 그 다음 점 사이의 각을 측정하여 이를 역격자 벡터사이의 각, 죽 해당 면 사이의 각과 비교하여 각 점의 h, k, l 의 순서와 부호를 결정한다. 이때 같은 면간 거리라고 하더라도 /l, k, l 의 순서나 부호를 바꾸면 각도가 달라지므로 각도를 측정한 후 hkl 의 정확한 값을 마지막으로 정 해 준다. 입방계에서 557/ 77 1 또는 300/221 과 같이 근본적으로 다른 hkl 이지만 같은 d 값을 가지는 경우도 있으므로 주의를 요 한다. 다른 점의 색인 i ndex i n g은 알고 있는 지수를 벡터로 더 하여 구한다. 즉, 函*=맑+정2 * (2-319) 이 고 h3 = h1 + h2, k3 = k1 + k2, /3 = l1 + l2 이 다. 그리고 나머지 점들도 h3 = mh1 + nh2 k3 = mk1 + nk2 (2-320) [3 = ml1 + nl2 와 갈이 다른 지수의 결합으로 나타낼 수 있고 여기서 m 과 n 은 양과 음의 모든 정수이다. 한편 회절상에서 두 점의 지수가 각각 h1kil 1, h 2k2l2 이라면 회 절상에 수직한 방향, 죽 빔의 방향 B = [uvw] 는 아랫식
표 2-3 결정계에 따른 면간 거리 공식
u = k1l2 -k2l1 V = l1h2 -l2h1 (2-321) w = h1k2 -h2k1 으로 계산할 수 있다 . 이 방향은 회절상에 있는 모든 점과 수직 이므로 회절 점이 hkl 이라면
hu + ku 十 lw = O (2- 32 2) 의 관계가 성립한다. 즉 [u vw ] 가 (hk/) 면들의 정대 축 zone ax i s 이 된다. 제한 시야 조리개 내에 두 개의 결정이 포함되어 있으면 이 결 정들에서 생기는 회절상은 각각 결정의 회절상들이 겹쳐져서 동 시에 나타나게 된다. 각 결정에서 생긴 회절 점을 단결정 색인할 때와 마찬가지로 지수를 매기고 정대 축을 구한다. 그림 2-50 (a) 는 (001) GaAs 기판 subs t ra t e 위에 분자선 에피택시 molecu- lar beam ep itax y (MBE) 방법 으로 (001) CdTe 박막을 성 장시 킨 시편을 단면 전자 현미경 시편으로 만들어 관찰한 고분해능 투과 전자 현미경 사전이다. 그림 2-50(b) 의 회절상을 보면 기판과 박막에서 나온 점들이 원점을 중심으로 일렬로 배열되어 있음을 알 수 있다. 이것은 그림 2-50(a) 의 고분해능 두과 전자 현미경 사전에서 보는 것과 같이 회절상에서 보이는 점들을 만들어 내는 기판과 박막의 같은 지수의 결정면들이 서로 평행하게 놓여 있다 는 것을 의미한다. 그리고 기판과 박막의 정대 축이 빔 방향과 평행하므로 회절상에서 두 결정의 결정 방위 관계를 알 수 있다. 이들의 결정 방위 관계는 [llO]caAsII[llO]cdTe, (lll)caAs// (lll)cdTe 이다. 나머지 여분의 작은 점들은 CdTe 내에 있는 쌍 정에서 나온 것이다. 그립에서 화살 촉은 계면에 있는 계면 전위 의 잉 여 반면 extr a half pla ne 을 나타낸 것 이 다. 한편, 이러한 에피택셜 성장의 경우 기판의 결정 방향성을 그 대 로 따르지 않는 경 우가 많다. 그 예 로 그림 2-51 (a) 는 (001) GaAs 기판 위에 (111) CdT 훑 성장시킨 시편의 고분해능 상으 로 기판과 박막의 정대 축은 서로 평행하지만 박막의 결정 방위 가 기판의 방향성과는 다른 예이다. 그림 2-51(b) 의 회절상에서
그림 2-50 (a) (001) GaAs 위에 성장시킨 (001) CdTe 에피택셜 구조의
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전자 빔의 방향은 GaAs 기판과 CdTe 박막에 대해 모두 [110] 방향이지만, 결정면들 간의 관계에서는 GaAs 의 (001) 면과 CdTe 의 (lll) 면이 서로 평행하다. 그러므로 결정 방위 관계는 회 절상과 고분해능 투과 전자 현미 경 상에 서 [llO]ca As II [llO]cdTe , (OOl)caA s II (lll)cdT e 이 다. · 그리고 그림 2-52(a) 는 (001) GaAs 위에 (lll) CdTe 박막을 성장시킨 시편에 전자 빔의 방향이 GaAs 기판의 [110] 방향, CdTe 박막의 [ll2] 방향이 되도록 하여 관찰한 고분해능 현미경 사진이고 (b) 는 이에 해당하는 제한 시야 회절상이다. 이 경우 기판과 박막의 정대 축도 다르고 결정면들 간의 방위 관계에서도 같은 지수의 결정면들이 평행하지 않다. 앞의 그림 2-51 과 마찬 가지로 GaAs 기판의 (001) 면과 CdTe 의 (lll) 면이 서로 평행 하다. 두 결 정 의 결 정 방위 관계 는 [llO]caA s II [ll2]cdTe , (OOl)caAs II (lll)cdTe 이 다. 다결정의 각 결정립들은 여러 방향을 가지고 있으므로 다결정 립은 각각의 역격자 점들을 가지고 있고, 무수히 많은 다결정립 의 경우에 그림 2-53 위에 나타낸 것과 같이 역격자 점들은 원점 을 중심으로 단결정 역격자 점까지의 거리를 반경으로 하여 만든 역 격 자 구 reci pr ocal latt ice sph ere 위 에 있게 된다. 이 역 격 자 구와 이월드 구가 만나는 교점들은 동심환을 형성한다. 이 동심 환들은 브래그 법칙을 만족하므로 다결정의 회절상이 되어 결과 적으로 그림 2-53 아래에 나타낸 것과 같이 투과 빔을 중심으로 한 동십환들로 나타난다. 입방정에서 |홍기 =}= ?」a + l2 (2-323)
이월드 구
표 2-4 입방 결정 구조의 /,2 + k2 + 12 값
詞
(여기서 a 는 격자 상수)이므로 동심환둘의 반경은 I 효기 또는 ✓ h2 + k2 + F 에 비례하게 된다. 따라서 단순 입방의 경우에 000 倉 빔 에 서 거 리 의 비는 표 2-4 에 서 g : # : ./3 : ./4 : … 등이 되고 許과 孔중와 같은 것은 h2 + k2 + 12 이 없으므로 존재 하지 않는 다. 그림 2 - 54 는 단순 입방 (sc) 다결정의 전자 회절상으로 모든 hkl 동심 환에서 회절이 일어난다. 그림 2-55 는 체심 입방 (bee) 다결정의 전자 회절상으로 구조 인자의 계산으로 (2 장 2 - 4-3 절) h + k + l = (홀수)일 때 구조 인자가 0 이므로 h + k + l = (홀 수)인 경우 회절이 일어나지 않는다. 그립 2-56 은 면심 입방 (fee ) 다결정의 전자 회절상으로 지수에 홀수와 짝수가 섞여 있
0•0。
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으면 회절이 일어나지 않는다. 그리고 그림 2-57 은 다이아몬드 입방 (de) 다결정의 전자 회절상으로 h, k, l 이 서로 섞여 있거나 h + k + l = 4 n + 2 일 경 우에 회 절 이 일어 나지 않는다. 여 기서 002 회절 환은 이중 회절 double dif frac ti on (2 장 2-4-8 절)에 의 해 생긴 것이다. 환 모양을 갖는 회절상의 지수를 결정하기 위해서는, 재료를 알면 먼저 각 환의 반경을 측정한 후 바깥쪽 환들의 반경 자승을 첫번째 환이나 또는 두번째 환의 반경 자승으로 나눈 값과 표 2
-헤 나타낸 결정 계의 면간 거리의 자승의 역수 값과 비교하여 결정 계를 확인한다. 예를 들어, 입방정 계에서 면간 거리의 역 수의 자승은 d12 -= 1z2 + ak22 + /2 (2-324) 이므로 회절상에서 회절 점까지의 거리의 자승은 l12 + k2 + l2 과 비례하므로 환 반경 자승의 비는 h2 + k2 + t2의 비와 같게 되어 이를 이용하면 h, k, l 을 정해 줄 수 있다. li2 + k2 + !2 의 비는 입방정의 경우 표 2-4 에 li2 + k2 + !2 값이 나와 있으므로 쉽게 구할 수 있다. 표에서 구조 인자의 값이 0 으로 회절이 일어나지 않는 경우에는 li2 + k2 + !2의 값을 표시하지 않았다. 그리고 h, k,[ 즉 지수가 정해지고 난 후에는 표 2-3 의 면간 거리의 식에 서 격자 상수를 구하여 지수가 맞는지 확인한다. 재료가 무엇인지 모르는 경우는 환의 반경을 측정한 다음 카메 라 상수를 사용하여 각 반경에 해당하는 면간 거리를 계산하여 이 면간 거 리 값들을 ASTM (Americ a n Soc iet y for Testi ng and Mate r ia l s) 색 인 카드의 면간 거 리 값들과 비 교하여 상을 알아내고 격자 상수를 구한다〔 2-8, 2-9]. 그 다음 위에서와 같은 방법으로 지수를 결정한다. 그립 2-58 은 다결정 S i에서 얻은 환 회절상과 그것의 지수를 매긴 결과를 보여주고 있다. S i은 다이아몬드 입방 (de) 구조를 가지기 때문에 면 지수에 짝수와 홀수가 섞여 있는 hkl 면들은 회절을 일으키지 못한다. 그러므로 투과 빔에서 가장 가까운, 죽 면간 거리가 가장 큰 첫번째 환의 지수는 111 이 되고 차례로 200, 220, 113, 222 가 된다. 여 기 서 200 회 절 환은 구조 인자 계 산 에서 강도가 영 인 점 이 지 만 이중 회 절에 (2 장 2-4-8 절) 의 하여 생
400
간 것이다• 다음은 우선 배 향성 pre fe r red orie n ta t i on 을 지 닌 다결 정 의 전 자 회절상에 대해 알아보자. 가장 간단한 단순 입방정 (sc) 결정 구조를 가지고 [001] 방향으로 완전한 우선 배향성을 갖는 다결 정 경우를 생각하자. 이 경우 다결정 재료 내에 존재하는 개개의 결정립들은 [001] 방향으로 배향되어 있어, 모든 결정면들과 결 정 방향들은 [001] 방향을 축으로 하여 360 ° 의 모든 각도로 회 전 된 상태로 놓여 있다. 한편, 각 면둘의 역격자 점은 그 결정의 면들과 수직한 방향에 각 격자 면간 거리의 역수에 해당하는 지 점에 생기게 되므로, 단순 입방 구조를 가지는 단결정의 역격자 는 그림 2-59 (a) 와 같이 그릴 수 있다. [001] 방향으로 완전하 게 우선 배향된 다결정의 역격자 점들은, 001 역격자 점을 향하 는 방향울 회전 축으로 하여 단결정의 역격자 점을 회전하여 만 들어 지 는 역 격 자 원 recip ro cal latt ice circ le 상에 있 게 된 다. 전자의 파장이 짧아서 이월드 구의 반경은 크므로 이월드 구의 표면은 거 의 평 면으로 생 각할 수 있다. 그림 2-5 9 (a) 의 [100] 방향으로 전자 빔이 입사한다고 생각하면 평평한 이월드 구의 면 은 (100) 면이 된다. 전자 회절상은 평평한 이월드 구 면인 (100) 면과 [001] 방향을 회전 축으로 얻어지는 역격자 원의 교점으로 이루어진다. 그림에서 단결정의 역격자 점 0, a, b, c 와 역격자 점 d,e, f,g에 해당하는 역격자 원은 이월드 구와 만나서 그림 2-59(b) 에 나타나 있는 회절 점 0, a, b, c 와 회절 점 d, e,f , g 를 만든다. 그립에서 단결정의 [100] 정대 축 회절 점들은 검은 색으로 표시하였고 [001] 우선 배향성이 있기 때문에 단결정 회 절 점에 더해져서 나타나는 점들은 흰 원으로 표시하였다. 그러 '· 므로 우선 배향성을 지닌 다결정의 전자 회절상은 이월드 구와 단결정의 역격자 점을 회전해서 만들어지는 역격자 원과의 교점
회전 축 •. ;~·간 ' -• •: ,. 이; ·/ 군월 드-구 -• 면 •• '.7 .• • r'; 一 : .~ : ,-·군낌
으로 이루어진다. 2-4-8 쌍정 점과 여분의 점 회 절상에 서 여 분의 점 extr a spo t 은 이 차 상 second ph ase, 쌍 정 tw i n, 마르텐사이트 등에 의해 형성된다. 이 여분의 점들을 이용하여 앞에서 (2 장 2-4 - 6 절) 설명한 방법으로 결정 구조, 격자 상수, 기지와의 결정 방위 관계 등을 조사할 수 있다. 그러나 여 분의 점들이 이중 회절이나 원자 규칙화 order i n g에 의해 생길 수도 있다. 1 쌍정 회절상 주된 회절 점이 정수로 색인되었을 때 간단한 분수 지수로 표 시되는 위치에 추가 점이 나타나면 종종 쌍정 결함이 존재하는 것을 나타내는 경우가 많다. 그림 2-60 은 CaF2 구조의 N i S i 2 에 서 얻은 [110] 회절상이다. 기지에서 나온 회절 점에 추가로 생 긴 점들이 보이는데 이것은 면심 입방 격자인 N i S i 2 의 {111} 쌍 정 면에 대해 쌍정이 만들어졌기 때문이다. 어떤 면 (HKL) 에 반사나 이 면에 수직한 어떤 방향 [UVW] 을 축으로 180° 회전으 로 만들어지는 쌍정과 기지 matr i x 사이에는 다음과 같은 관계가 있다〔 2-1 이. 어떤 면 (h1k1l1) 이 쌍정으로 위치 (h2k 랴)에 나타난 다면 h2=h1Uh1 -+2 Vk1H + W~l1 (2-325) 이고, k2 와 l2 도 이와 같은 방법으로 구할 수 있다. 입방정계의 경우
b
lz2 = h, - 2H 血H2 + + KKk2l ++ LL2l l (2-326) 이고, k2 와 l2 도 이와 같이 구할 수 있다. 면심 입방체에서 쌍정 이 (lll) 면에서 일어나면 h2 = h1 -2 --91 + 11 (2-327) 이 되어 h1k1l1 = 333 이면 h2k2l2 = 333 이 된다. 면심 입방 결정 에서 쌍정 점은 윗식에서 계산으로 알 수 있는 바와 같이 기지에 서 나온 점과 일치하거나, <1 11> 방향에 따라 1/3 위치에 생기게 된다. 예를 들면, 면심 입방(f ee) 결정에서 쌍정 면 tw i n pla ne 이 (111) 면이므로 윗식에서 계산을 하면 I11 一 }(511)T = 2oo + \(ll1), 200 난 (2 파 = 111 —§( 111), (2-328) 244 - (600) r 가 된다. 여기서 (hkl)T 는 쌍정으로 새로 생긴 점을 기지의 hkl 로 표시한 h2k2l2 이다. 그러므로 윗식에서 알 수 있는 바와 같이 쌍정 점이 기지 점과 일치하지 않으면 기지 점에서 土十 〈 lll 〉 벡 터로 이동이 된다. 그러나, 모든 기지 점에서 土숭〈 111 〉 점에 쌍정 점이 생기는 것은 아니다. 쌍정의 본래 접 h1k il 1 과 기지 점 hkl 은 h1 = h 士 송 H,k1=k 土 ½K,/1=l 士 ½L 의 관계가 있다. 면심 입방 결 정에서 구조 인자를 계산하면 hkl 과 h1k il 1 가 모두 전부 홀수이
거나 짝수이어야 회절이 생기므로 l1IkIA 과 hkl 둘다 모두 짝수 이거나 모두 홀수일 때 (hi + k? + li2) - (h2 + k2 + !2) = 4N (2 전 29) 이 되고 여기서 N 은 정수이다. 이 경우 土 \〈 111 〉에 점을 만들 지 않는다. 왜냐하면, h, -h, k1 -k, 11 - . I 이 모두 짝수이므로 h1 = h 국 H, kl = k 土 ½K, !1 = I 土 ½L 의 관계를 만족시킬 수 없기 때문이다. 죽 식 (2-328) 에서 244 와 600 은 모두 짝수이 므로 土}〈 111 〉에 쌍정 점을 만들지 않는다. 한편 h1k1l1 이 모두 짝수이고 hkl 이 모두 홀수일 때 또는 서로 반대로 되어 있을 때는 土十〈 111 〉에 쌍정 점을 만들고 (M+k?+Ir)— (h 2+k2+! 2) = 2N+l (2-330) 이 된다. 이 경우 hkl 이 모두 짝수이면 쌍정의 본래 점 h1k1l1 은 모두 홀수이고 반대로 hkl 이 모두 홀수이면 쌍정 본래의 점 h1k1l1 은 짝수가 된다. 죽 식 (2-328) 에서 i l1 이 모두 홀수이고 200 은 모두 짝수이기 때문에, 그리고 200 이 모두 짝수이고 1H 은 모두 홀수이기 때문에 각각 土十〈 lll 〉에 쌍정 점을 만든다. 2 이중 회절 그림 2-61(a) 와 같이 위에 있는 결정 1 과 아래에 있는 결정 2 의 두 충으로 구성되어 있는 샌드위치 시편에 전자 범이 입사한 다고 생각하자. 작은 면간 거리 d1 인 위의 결정 1 에서 브래그 회 철 조건을 만족하여 회절상을 만든다. 그리고 면간 거리 d2 가 더 큰 결정 2 에 결정 l 에서 회절된 빔이 입사하여 브래그 회절을
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일으켜 다시 회절상을 만든다. 결정 1 에서 회절된 빔이 결정 2 에서 회절이 되면 입사 빔에 거의 평행한 방향으로 결정 1 에서 의 브래그 각보다 약간 작은 각으로 회절이 되게 된다. 그래서 회절상에는 서로 다른 기구로 3 개의 점이 만들어진다. 첫째는 두과 점 T 이고 둘째는 결정 l 에 의한 회절 점 D1 으로 투과 점 T 에서 1/d1 거리에 있다. 셋째는 결정 2 에 의해 만들어진 회절 점 D 루 투과 점 T 에서 l/d2 거리에 있다. 그리고 결정 1 에서 회절되어 회절 점 D1 을 만드는 회절 빔이 결정 2 에서는 마치 입 사 법 죽 투과 빔 역할울 하여 결정 2 에 의해 회절 점 D3 이 형 성될 수 있다. 따라서, 회절 점 D3 는 투과 점 역할을 한 D1 에서 l/d2 거리에 있게 된다. 이중 회절에서 생간 점의 분포는 그림 2- 61(a) 와 같이 빔 방향이 (001] 인 입방 결정에서 다음과 같이 구 할 수 있다. 먼저 그림 2-61(b) 와 (c) 와 같이 각각 결정 1 과 결 정 2 에 의해 만들어전 기본 회절상들이 그림 2-6 1( d) 와 같이 이 중 회절없이 투과 빔 T 를 중심으로 겹쳐 있다고 생각한다. 결 정 l 에서 회절되어 회절 점 D1 울 형성하는 회절 빔이 결정 2 에 서는 마치 입사 빔 역할을 하여 D3 회절 점을 만드는데 이는 그 림 2 - 61(e) 와 갇이 D1 울 중심으로 결정 2 의 회절상울 중첩시켜 서 얻는다. 이 과정을 결정 1 의 강한 회절 빔에 대해 되풀이하 여 시 행 하면 그림 2- 61 (f)를 얻는다. 전자 회절은 x- 선 회절보다 104 배 정도 강하므로 (2 장 2-3-2 절) 회절된 빔의 강도가 비교적 강하여 입사 빔으로서의 역할을 하기 때문에 전자 회절에서는 이중 회절이 매우 잘 일어난다. 그 러므로 단결정 자체에서도 이중 회절이 일어난다. 어떤 완전 결 정에서는 이중 회절이 일어나서 새로운 점을 만들어도 이미 존재 하고 있는 회절 점과 일치하기 때문에 새로운 여분의 점을 만들 지는 않는다. 예를 들면, 면심 입방체에서 111 土 200 = 311 또는
111 과 같이 이중 회절 후의 점과 이미 존재하고 있는 점이 일치 하므로 새로운 점을 만들지 않고 점의 강도만 증가시킨다. 이것 은 면심 입방체에서 구조 인자에 의해 hkl 이 전부 짝수 또는 전 부 홀수이어야 회절 점의 강도가 있는데 h1kil 1 土 h2k2l2 도 역시 전부 짝수 또는 전부 홀수로 회절 점의 강도가 있기 때문이다. 그림 2-62 (a) 는 정 대 축이 [110] 방향일 때 다이 아몬드 입 방 (de) 구조를 갖는 실리콘의 전자 회절 사전인데 실제 실험 사진 에서는 예의없이 002 회절 점을 관찰할 수 있다. 다이아몬드 입 방 구조에 서 002 점은 구조 인자를 계 산하면 금지 된 for bid d en 회절 점이나 [110] 정대 축에서 회절시 I11 빔이 주 빔의 역할을 하여 (111) 면에서 회절이 일어나면 002 빔을 만든다. 즉 I11 + 111 = 002 이다. 그러나 시편의 빔 방향이 [001] 이면 제일 작은 역격자 벡터의 hkl 이 220 과 220 이므로 이 두 범에서 002 빔울 만들 수 없기 때문에 그림 2-62(b) 와 같이 회절상에서 이중 회절 로 002 빔이 생기지 않는다. 다이아몬드 입방 구조 결정의 [001] 빔 방향과 [011] 빔 방향에서 각각 회절상을 얻어 002 빔이 만들 어지는지 여부를 판단함으로써 002 빔이 이중 회절로 생기는지 여부를 판별할 수 있다. 육방 조밀 충전 (he p) 결정에서 0001 회절 점은 금지된 회절 점이나 [2110] 정대 축에서 0lil 빔이 주 빔 역할을 하여 (0110) 면에서 회절이 일어나면 0001 회절 점을 만든다• [1213. ] 정대 축에 서도 I101 + IO10 = ?111 이 되어 이중 회절이 일어나서 금지된 회절 점에서 회절이 일어나도록 한다. 중심 암시 야 cente r ed dark-fie l d 상 (3 장 3-2-3 절 ) 을 사용하여 이중 회절로 만들어지는 점인지를 판별할 수도 있다〔 8 〕. 전자 현 미경 시편에서 침전물이 기지만큼 두껍다면 이중 회절은 계면에 서만 일어나기 때문에 이중 회절로 만들어졌을 것이라고 생각되
•
는 점 을 사용하여 암시 야 상 dark- fi el d im ag e 을 만들어 보면 이중 회절에 기여하는 시편 영역인 계면 부분만 밝게 나타나면 그 점이 이중 회절로 만들어 졌다는 것을 알 수 있다. 3 장범위 규칙성 초격자로 성장시킨 반도체 재료나 세라믹스 또는 합금 원소들 에서 장범위에 걸친 규칙적인 배열 long - rang e order 이 쉽게 관 찰되는데 이런 규칙적인 배열에 의해 초격자 회절 점 sup e r- latt ice refl ec tion 이 생 기 고 이 회 절 점 의 강도는 규칙 배 열 이 되는 원소의 원자 산란 계수의 영향을 받는다. 회절상에서 여분 의 점의 위치는 규칙 배열에 의해 만들어지는 새 단위 포의 격자 상수에 따라 변화한다. 초격자 회절 점이라고 생각되는 점을 사 용하여 암시야 상을 만들 경우 (3 장 3-2-3 절), 그 회절 점이 초격 자 회절 점이면 초격자로 구성이 된 영역 doma i n 만 밝게 나타나 기 때문에 그 점이 초격자 회절 점인지를 쉽게 판별할 수 있다. 그러나 영역 크기가 결정립 크기와 같으면 결정립 전체가 밝게 나타난다 [9, 10]. 그림 2-63 은 GaAs 와 AlGaAs 충의 규칙 적 인 배 열로 생 긴 (110] 전자 회절상을 보여주고 있다. 주 회절 점들은 GaAs/ AlGaAs 에서 나온 회절 점들인데 (001] 방향에서 18° 반시계 방 향으로 보면 작은 회절 점들이 추가로 나타나 있다. 이것은 GaAs/AlGaAs 충을 교대로 5 원자 충씩 쌓아서 만들어진 초격 자 구조에서 만들어전 초격자 회절 점이다. 초격자 회절 점까지 의 거리와 주회절 점까지의 거리에서 GaAS -2-} AlGaAs 충을 이루 는 원자 충의 수를 알 수 있고 초격자 회절 점의 방향에서 초격 자 충 계면의 수직 방향이 (001] 에서 18° 반시계 방향으로 회전 되어 있는 것을 알 수 있다.
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4 위성 점 면 간격이나 구조 인자의 주기적인 변화 혹은 역위상 영역 경 계 anti -ph ase domain boundary 나 전위 와 같은 결정 결함의 규 칙적인 분포가 있으면 전자 회절상에 위성 점 sate l l ite sp o t 이 나타날 수 있다. 예를 들면 상태도의 스피노달 spi nodal 영역 내 에서 과포화된 고용체의 분해가 일어나면 결정에서 탄성적으로 연한 방향으로 조성 변화 comp o sit ion modulati on 가 일어난다 [11]. 조성 변화의 방향을 따라 격자 상수 [2-11, 12~14] 와 산란 계수 [15] 가 변화하고 이에 따른 위성 접이 만들어지게 된다. 그 림 2-64 는 Cu-Ni -F e 합금에서 <1 00> 방향을 따라 조성 변화가
t
일어날 때 역격자 공간에서 위성 점의 분포를 나타낸 그림이다. 역격자는 원점을 제의하고 각 hkl 회절 점 주위에 <1 00> 방향을 따라 대칭적으로 여분의 점이 만들어지게 된다. 이월드 구와 역 격자 점이 만나서 생기기 때문에 회절상에서는 그림 2-64(b) 와 같이 hkl 점 양쪽에 두 개의 위성 점이 나타나게 된다. 위성 점의 간격은 조성 변화의 파장에 따라 달라지고 회절 점
의 차수에는 영향을 받지 않는다. 투과 빔에는 그림 2-64(b) 에 서와 같이 위성 점이 없는 것이 원칙이나 이중 회절 때문에 위성 점이 관측되기도 한다目이. 입방 구조에서는 다니엘 Dan i el 과 립슨 L ip son 에 따르면 [1 이 전자 회절에서 조성 변화의 파장을 계산할 수 있는데 그 파장은 尸 = li2 + akl21 + t2 Lglg* * (2- 33 1) 이고 여기서 g *ILl g*는 영차 회절 점까지의 거리 대 위성 점에 서 hkl 점까지의 거리의 비이다. 역위상 영역 경계의 규칙적인 배열도 위성 점울 만드는데 그 한 예가 AuCuII 규칙 합금이다 [17, 1 紅 이 합금의 결정 구조는 a 축을 따라 길이로 역위상 영역이 5 개 단위 포로 되어 있는 10 개의 입방 단위 포로 구성되어 있다. 이 결정의 [001] 회절상에 서는 역위상 영역이 있는 방향을 따라 많은 수의 위성 점을 나타 낸다. 전자 현미경 시편에서 두 결정 계면에 있는 규칙적인 전위 의 배열로도 약한 위성 점을 나타낸다〔 19 〕• 위성 점은 회절상에 서 전위선 dis l ocati on lin e 에 수직한 줄을 따라 나타난다. 2-5 키쿠치 회절상 2-5-1 키쿠치 회절상 키쿠치 회 절상의 형 상들은 1928 년에 키쿠치 Ki ku chi 가 제 안한 모델에 의해 잘 설명되었으므로核아 시편에서 비탄성 산란 ine lasti c scatt er in g 한 전자들이 만든 이 회 절상을 키쿠치 회 절
시편
그림 2-65 (d) 실리콘에서 얻은 키쿠치 회절상. 화살표로 표시된 〈 a 〉는
상이라고 이름한다. 이제까지 공부한 바로는 회절상 면에서 회절 점이나 선이 나타나는 곳은 브래그 법칙을 만족하는 곳으로 수학 적으로 회절 점을 델타 함수로 나타내었다. 델타 함수로 나타낸 회절상에서는 한 점의 강도는 무한대이고 나머지 부분은 강도가 ()o]므로 만일 회절상을 전자 현미경에서 관찰하면 회절 점이나 선이 없는 곳은 완전히 검게 나타나야 한다. 그러나 전자 현미경 에서 시편을 관찰해 보면, 전자 회절상에서 투과 빔과 회절 빔 사이에 흐린 후광이나 전체적으로 흐릿한 배경 강도가 나타나 어 느 정도 강도가 있는데 이것은 비탄성 산란된 전자둘이 만들어져 강도에 기여하기 때문이다〔 21, 22]. 큰 에너지 변화를 받는 전자 보다 작은 에너지 변화를 받는 전자 수가 훨씬 많으므로 투과 빔 에서 멀어지면 흐린 후광의 강도도 거리에 따라 감소한다. 따라 서, 비탄성 산란 전자의 방향과 대략의 강도 분포가 그림 2-65 (a) 에 보인 것처럼 나타난다. 그림 2 - 65(b) 는 키쿠치 선이 만들어지는 기하학적인 모양을 보 여준다. 그림 2 - 65(b) 에서 얇은 단결정 전자 현미경 시편 속의 결정면 (hkl) 한 쌍이 입사 빔에 대해 브래그 법칙을 만족하지 않도록 놓여져 있다. 비탄성 산란이 0 점에서 일어나면 그림 2 -65 (a) 에 서 본 바대 로 4 7r 스데 라디 안 ste r adia n 전 방향으로 비 탄성 산란이 일어난다. 이 여러 방향의 각도 중에서 면 (hkl) 과 ntt = 2dsin 0B 의 브래그 법칙을 만족시키는 각도 0B 가 반드시 존재하게 된다. 그런데 (hkl) 결정면 쌍과 브래그 법칙을 만족하 는 비탄성 전자 빔의 방향은 입사 전자 빔의 방향과 약간 다르 다. 한편 비탄성 산란시 대부분 전자의 에너지 손실은 50eV 이 하로 작으므로 비탄성 산란 전자의 파장 A1ne1 은 입사 전자의 파 장 A 와 차이가 거의 없다. 그러므로, A1 n e 1 츠 A 로 생각할 수 있 다.
브래그 법칙에 따라 회절아 일어나지 않았더라면 그립에서 비 탄성 전자는 OE 로 진행하여 두과 빔 주위의 후광 강도에 기여 하였을 것이다. 그런데 이 빔은 회절로 두과 빔에서 멀리 떨어전 약한 배경 강도가 있는 곳인 BC 로 진행하기 때문에 두과 빔 근 처의 후광 배경 강도를 줄여 주고 BC 로 진행된 곳의 후광 강도 를 더 증가시켜 준다. 마찬가지로 OA 로 전행한 비탄성 전자는 회절로 AD 로 전행하여 OA 방향의 배경 강도는 감소시키나 AD 방향의 배 경 강도를 증가시 켜 준다. 그러 나 그림 2-65 (b) 에 서와 같이 입사 빔과의 각도 차이가 작게 나는 OB 방향의 비탄 성 산란 전자 수가 각도 차가 크게 나는 OA 방향으로 산란하는 전자 수 보다 훨씬 많으므로, 배경 강도에는 주로 OA 방향으로 운동하는 전자가 기여한다. 그러므로 두과 빔에 가까운 배경에는 더 어 두운 키쿠치 선 Ki ku chi lin e 이 나타나고, 투과 빔 에서 먼 배경에는 밝은 키쿠치 회절 선이 나타난다. 3 차원에서 생각해 보면 47[ 스데라디안으로 산란되어 면 (hkl) 에 입사하는 바탄성 산란 전자들은 결정면의 한 점에서 결정면 (hkl) 과 각도 0B 를 이루면 브래그 법칙을 만족시키므로 회철 전 자들은 그림 2-65(c) 와 같이 원추형을 만들게 된다. 시편에 입사 하는 전자는 평면 파로 전자 빔의 입사 방향이 한 방향이나, 이 론적으로 비탄성 산란 전자 빔의 입사 방향은 모든 방향이 다 가 능하므로 비탄성 산란 전자는 회절을 하면 시편에 중심을 둔 방 사 원추를 만든다. 그림에서 원추 I 의 강도는 배경 강도보다 약 하고 원추 I 의 강도는 배경 강도보다 강하다. 그림 2-65(d) 는 실리콘에서 얻은 키쿠치 회절상을 보여 준다. 화살표로 표시된 〈 a 〉는 배경보다 밝은 선이고 〈 b 〉는 배경보다 어두운 220 키쿠치 선을 보여주고 있다. 이 키쿠치 원추를 이월드 구와 함께 생각해 보자. 이월드 구의
반경은 1 / A 이고 비탄성 산란 전자의 입사 방향은 모든 방향이 다 가능하기 때문에 브래그 법칙을 만족시키면서 비탄성 산란 전 자의 입사 빔과 회절 빔둘이 그립 2-66 과 같이 2 개의 원추를 만 든다. 이 원추는 결정면 (lzkl) 과 정확히 브래그 법칙을 만족하는 각
h•k’ l 0•0’0 h•kI l
도 0B 를 이루므로 결정면이 약간 기울어지면 마치 원추가 시편의 결 정면에 붙어 있는 것처럼 이 원추도 민감하게 기울어지게 된다. ~러 나 일반적인 점 회절상은 이월드 구와 박판의 푸리에 변환인 역 격자 막대와 만나는 점으로 나타나기 때문에, 시편이나 입사 빔 이 약간 기울어지더라도 회절상에서 그 변화를 감지하기가 거의 불가능하다. 그러나 시편이 기울어져서 결정면이 약간 기울어질 때 키쿠치 회절상은 그에 따라 민감하게 변화되므로, 키쿠치 회 절상은 시편이나 빔의 경사 각을 검정하거나 정확한 결정의 방향 을 결정하는 데 매우 유용하다 [23, 2 산. 키쿠치 회절상은 이월드 구와 두 원추의 교점을 확대한 상으로 생각할 수 있는데, 이 교 점의 모양은 실제로 반경이 몹시 큰 쌍곡선이나 전자 회절에서 이월드 구의 반경 역시 아주 크므로, 전자 현미경의 회절상에서 는 실제로 하나는 배경보다 밝고 하나는 어두운 한 쌍의 직선으 로 나타난다. 이 한 쌍의 직선들은 결정면 (hkl) 에 평행하고 역 격자 벡터 방향, 죽 원점에서 회절 점까지의 방향에는 수직이다. 전자 현미경 회절의 실험에서 결정의 결정학적인 자료가 필요 할 때 회절상이 고대칭적으로 나타나는 방위가 되도록 하는데, 이때 키쿠치 회절을 일으키는 반사 면이 · 입사 빔과 평행하게 된 다. 이 경우 그림 2-67(a) 의 위에 있는 그림과 같이 이월드 구와 역격자 점들은 투과 빔울 중심으로 대칭적으로 되어 그림 2-67 (a) 의 아래 그립과 같이 회절상의 키쿠치 선들도 해당 회절 점 사이에서 투과 빔을 중심으로 대칭적으로 나타난다. 회절상에서 투과 빔과 회절 빔 하나만 강하게 나타나는 2- 빔 조건 2-beam condit ion 을 만들기 위 해서는, gtk t의 편차 변수가 O 이 되도록 시편을 기울여 브래그 조건을 정확하게 만족시키도록 한다. 이 경우 이월드 구와 역격자는 그림 2-67(b) 의 위에 있는 그림에 나 타내었다. 면 (hkl) 은 gtk t에 수직이며 키쿠치 선의 어두운 선은
이월亡
투과 빔을 지나고 밝은 선은 hkl 점을 지난다. 키쿠치 회절은 비탄성 산란이므로 시편이 얇을 경우에는 회절 점만 나타나고, 시편이 두꺼워짐에 따라 회절상에서 회절 점과 키쿠치 선이 동시에 나타나고, 더 두꺼워지면 키쿠치 선 또는 밴 드만 나타나고, 더욱 더 두꺼워지면 완전히 전자가 홉수되어 검 게 되어 아무것도 나타나지 않는다. 그리고 키쿠치 선이 나타나 기 위해서는 높은 전위 밀도 등으로 생기는 내부 변형이 적어야 한다. 만일 내부 변형이 크면 결정면들이 변형되어 비탄성 산란 전자들이 결정면 (hkl) 과 브래그 법칙을 만족시키는 키쿠치 원추 가 흐트러져 산란되기 때문에, 키쿠치 회절상이 산만하게 확산되 어 관찰되지 않는다. 예를 들면, 가공 변형이 많이 일어난 시편 이나 철계 마르텐사이트같이 전위 밀도가 높은 시편에서는 키쿠 치 선이 관찰되지 않거나, 관찰되어도 아주 넓게 확산된 선으로 나타난다. 단결정의 전자 현미경 회절상에서 원하는 정대 축을 찾거나 또는 정확하게 고대칭이 되는 전자 회절상을 얻고자 할 경우, 회절 점만 있는 회절상에서 직접 시편을 기울이는ti l ti n g 것보다는, 키쿠치 회절상이 훨씬 경사tilti n g에 민감하므로, 시 편이 적당한 두께를 가지고 있어 키쿠치 선만 있는 곳에서나 또 는 그보다 약간 더 얇아 키쿠치 선과 회절 점이 함께 관찰되는 영역에서, 시편을 경사지게 하여 원하는 정대 축을 찾아서 시편 을 그 정대 축으로 고정시킨 다음, 얇은 영역으로 옮겨 얻고자 하는 회절상이나 상을 얻는 것이 더 편리하다. 쌍으로 되어 있는 키쿠치 선은 회절 반사 면에서 양쪽으로 각 0B 의 각도에 있는 원추가 이월드 구와 만난 것이므로, 한 쌍의 · 키쿠치 선의 가운데를 따라 회절 반사 면의 형적 trac e 이 지나게 되는데, 여러 정대 축에서의 키쿠치 선들의 사진을 찍어 모든 정 대 축의 키쿠치 선 사진들이 다 들어 있는 하나의 그림으로 합성
할 수 있고 이렇게 합성한 그립을 키쿠치 지도 K i kuch i map 라 고 한다. 이 지도와 실제 관찰한 키쿠치 선을 비교하여 정대 축 을 알아낸 후 원하는 정대 축으로 시편을 경사지게 하는 데 이용 할 수 있다. 여러 면에서 생긴 키쿠치 회절상은 결정에서 모든 회절 반사 면의 형적을 나타내고, 키쿠치 선 또는 회절 반사 면 둘이 만나는 점들은 정대 축을 나타내므로 입체 두상도와 유사한 모양이 된다. 2-5-2 편차 변수의 측정 결함의 상 콘트라스트 분석을 할 때 편차 변수의 측정이 요구 될 때가 많이 있다. 회절 점과 키쿠치 선의 상관 관계를 알면 편 차 변수 홍의 부호와 크기를 쉽게 알 수 있다〔 25]. 전위가 있는 결정에서 최대 명시야 상 콘트라스트롤 얻기 위해서는 홍 > 0 의 조건을 만들어야 한다. 따라서 역격자 점 접 :kl 의 편차 변수 홍가 0 이 되어 정확하게 브래그 법칙을 만족시키는 조건에서 홍 > 0 이 되도록 시편을 기울여야 한다. 시편을 기울여서 역격자 점 효 :kl 의 편차 변수가 홍 = 0 에서 홍 > O 로 변할 때 키쿠치 원추와 이 월드 구를 그림 2 - 68 에 나타내었다. 그립에서 실선으로 나타낸 원은 격자 점 홍 :kl 의 편차 변수 홍가 0 보다 큰 경우의 이월드 구 이고 흐린 색으로써 키쿠치 원추를 나타내었다. 회절 점은 시편 울 조금 기울이더라도, 역격자 막대 때문에 변하지 않고 그대로 있게 된다. 시편이 정확한 브래그 조건에서 어떤 각도 e 만큼 기 울이면 그립 2-68 과 같이 키쿠치 선은 회절 점 효 :kl 울 따라 거 리 x 만큼 밖으로 움직인다. 동시에 이월드 구의 표면에 있던 역 격자 점 효: kl 은 구의 안쪽으로 호를 그리면서 움직인다• 회절 각 20B 와 각 c 은 매우 작을 때
이월드 구
c= I 효I 히 /?k I| (2-332) 이고 카메라 길이가 L 이면 그림에서 c= 一LX (2-333) O] 므로 m = 끄묘L J = -L-;-d-3h kl (2-334) 이다. 그리고, 키쿠치 밴드의 폭이 Phkl 이면 隨=學 (2-335) 이고 편차 변수 1 회는 m= LdXh kl = dxh kl 뚜phk l . (2— 33 6) 이 된다. 브래그 법칙에서 ()B 가 작은 경우 ,1 = 2dhkl()B 이므로 |홍 l= 그dhk」l ph그k l ―dhk=l - dAlk t 그phk l (2-337) 로 편차 변수 |홍 I 를 계산할 수 있다.
2-6 수렴성 빔 전자 회절 2-6-1 결정 대칭과 결정계 회절이나 수렵성 빔 전자 회절 등으로 생기는 여러 대칭은 그 결정의 대칭과 밀접한 관계가 있으므로 본 절에서는 먼저 대칭에 대해 알아보기로 하자. 대칭이란 어떤 작동 o p era ti on 을 하였을 때 작동을 한 후의 주위 환경이 작동 전과 합동이 되는 것을 말 한다. 대 칭 요소에 는 병 진 대 칭 tra nslati on sym metr y , 회 전 대 칭 rota t i on sym metr y , 경 영 대 칭 mi rr or sym metr y , 반영 대 칭 inv ersio n sym metr y 의 네 가지가 있다. 대칭 요소들을 살펴보면 첫째로 병진 대칭이 있는데, 병진 대 칭이란 어떤 점을 어떤 방향으로 직선 이동시킬 때 이동 후 그 점의 주위 환경을 이동 전과 똑같게 하는 대칭 요소이다. 그림 2 -69 는 1 차원과 2 차원에서의 병전 대칭울 보여준다. 1 차원 격자 점들이 있을 때 격자 점 A 를 격자 상수 a 만큼 이동시킬 경우 격자 점 B 에 이르러 격자 점의 주위 환경이 변하지 않는다. 이 때 격자점의 이동 방향과 크기를 나타내는 벡터 E 를 격자 병전 벡 터 latt ice tra nsla, tion vecto r 라 한다. 2 차원 에 서 의 격 자 병 진 벡터 P 는 격자 이동 벡터인 두 벡터 5, 5 의 정수 배의 합으로 나타낼 수 있다. 죽, r = ua+vb- (2-338) 이 된다. 여기서 U, V 는 정수이다. 또한 3 차원 결정의 경우 격 자 병진 벡터 7 은 세 개의 격자 이동 벡터 a, b, c 의 정수 배 의 합으로 나타낼 수 있다. 죽
l -K-원A •
이다. 여기서 u, v, w 는 정수이다. 이 경우 5, 5 는 같은 평면에 있고 타는 5, 5 가 이루는 평면 상에 있지 않다. 5, 5, 5 벡터가 이루는 평행 육면체는 단위 포를 이루며, 이 단위 포의 부피 Q 는 Q = ii·( b X C) 로 나타낸다. 둘째로 회전 대칭이 있는데, 회전 대칭은 한 점을 중심으로 일 정 각도로 계속 회전시킬 때, 회전 후 계속 합동이 되는 대칭 요 소를 말한다. 회전 전후에 오른손 물체는 항상 오른손 물체로 되 어 왼손 물체로 바뀌지 않는다. 결정 속에는 늘 병전 대칭이 존 재하므로 병전 대칭과 회전 대칭 요소 둘 다를 모두 만족시키는 회전 대칭, 죽 결정에서 가능한 회전 대칭은 회전 각도가 360°, 120°, 90°, 60° 인 것들뿐이다. 회전 대칭은 회전 각도에 따라 회 전 각도가 360° 인 단중 1-fo l d 대칭, 회전 각도가 l80° 인 이중
2 一 fo ld 대칭, 회전 각도가 120 · 인 삼중 3-fo ld 대칭, 회전 각도가 90 ° 인 사중 4-fo ld 대칭, 회전 각도가 60 ° 인 육중 6-fo ld 대칭으 로 구분한다. 그림 2 구時 7 결정에 존재하는 이러한 회전 대칭의 보기를 보여준다. 각 대칭을 나타내는 숫자 및 기호는 단중 대칭 은 1, 2- 중 대칭은 2 와 ·, 3- 중 대칭은 3 과 ~, 4_ 중 대칭은 4 와 ■, 6- , 중 대칭은 6 과 .로 각각 나타낸다. 셋째로 경영 대칭이 있는데, 경영 대칭은 어떤 면을 중심으로 면의 반대쪽으로 같은 거리만큼 이동시켰을 때 합동이 되는 대칭 이다. 경영 대칭은 m 으로 나타내며, 오른손 물체가 왼손 물체로 되고, 왼손 물체가 오른손 물체로 바뀌는 대칭이다. 그림 2 구 1 은 경영 대칭의 예를 보여 준다. 넷째로 반영 대칭이 있는데, 반영 대칭은 회전 대칭 축을물 체로 되고, 왼손 물체가 오른손 물체로 바뀌는 대칭이다. 그림
N 卍
Ill
되는 대칭이다. 죽 반영 대칭은 원점을 중심으로 어떤 점을 반대 방향의 같은 거리만큼 이동시키는 대칭이다. 그림 2-72 에서 (x, Y,Z) 에 있는 점을 반영 대칭시키면 (-x, -y, - z ) 좌표를 가지 는 점이 된다. 반영 대칭에서도 경영 대칭과 마찬가지로 오른손 물체가 왼손 물체로 되고, 왼손 물체가 오른손 물체로 바뀐다. 모든 격자 점에는 반영 대칭이 존재한다. 죽 (1, -2, 3) 의 좌표 가 격자 점이면 (— 1, 2, ― 3) 도 격자 점이 된다. 반영 대칭은 T 또는 i로 표시한다. 결정에 존재하는 n- 중 회전 대칭은 n 이 1,2,3 , 4,6 의 값만 가 질 수 있었고 2 차원 결정에서 이 회전 축은 평면에 수직이다. 실제 결정은 3 차원이므로 이 대칭 축의 몇 개가 공간에서 교차 하면서 대칭 관계를 이룰 수 있다. 3 차원 공간에서 대칭 축이 교차할 때는 반드시 3 개의 축이 교차해야 되고 이들 사이의 각 도 관계도 제한이 가해진다. 오일러 Euler 와 버거 Bur g er 가 사 용한 방법으로 공간에서 가능한 대칭 축의 조합과 대칭 축간의
z
각도 관계를 알아보자. 회전 대칭은 공간상에서 하나만 존재하거나, 서로 교차하며 존 재하는 경우에 회전 대칭은 반드시 3 개의 회전 대칭의 조합으로 존재해야 한다. 왜냐하면 공간에서 2 개의 회전 대칭의 결합은 반드시 제 회 회전 대칭을 만들기 때문이다. 그림 2-73 에서 구 의 중심점을 0, 구의 표면에 있는 점을 A,B, C 라고 하고 축 OA, OB, OC 의 회전 각을 각각 a, /3, r 라고 할 때, 어떤 점 P 를 OA 를 회전축으로 a 만큼 회전하면 P' 이 되고 다시 이것을 OB 를 회전축으로 8 만큼 회전시키면 P 이 되는데, 이것은 점 P 를 oc 롤 회전 축으로 한 번 r 만큼 회전하여 P' '울 만드는 것과 같다. 죽 회전 축 OA, OB 가 있으면 제 쩍 회전 축 oc 는 자동적으로 만들어지기 때문에, 회전 대칭 축은 1 또는 3 개의 조합으로 존 재한다.
그림 2-73 OA 축을 중심으로 a 만큼의 회전 대칭과 OB 축을 중심으로 /3
그러면 이 3 대칭 축의 각각의 회전 각 a, /3 ,Y 를 알고 있을 때 축 간의 각도 관계를 알아보자. 그립 2-7 쩌]서 구 상에 있는 두 점 A, B 를 연결하자. 그리고 구면 상에서 AB 에서 한 쪽으로 각2오 인선AM 이 있다. OA 축으로 AM 을 a 만큼 회전하면 AB 를 지나 AB 에서 각도가 웅인 선 AM' 이 된다. 마찬가지로 AB 에서 한 쪽으로 각 강인 선 BN 이 있고 이 BN 을 OB 축으
로 (J만큼 회전하면 AB 에서 각도가 〈인 BN' 이 된다. AM 과 BN 의 교점은 C 인데 C 는 첫 회전으로 C' 으로 갔다가 두번째 회전으로 다시 C 로 되돌아 왔으므로 C 는 연속된 회전에서도 움 직이지 않은 점이 된다. C 점이 연속 회전으로 움직이지 않은 점아므로 축 oc 가 회전 축이 된다. OA 축으로 a, OB 축으로 /3만큼 회전한 것은 oc 축으로 어떤 각도 y만큼 회전한 것과 같 다. 어떤 각도 7 의 값을 알아보자. 점 A 는 OA 축으로 a 만큼 회 전할 때 움직이지 않는 점이므로 이 점 A 를 OB 축으로 /3만큼 회전하여 A’ 이 되었다고 하자. A'C 를 연결하면 구면 위에 두 개의 삼각형 ABC 와 A'BC 가 있게 되고 乙 ACA’ 은 oc 축으로 의 회전 각 y가 된다. 두 삼각형에서 BC 는 공통이고 BA = BA’ 이고 乙 ABC = 乙 A'BC = 〔이므로 두 삼각형은 서로 합동 이다. 그러므로 乙 ACB 와 LA'CB 는 꿈로 같다. 구면 위의 삼각형 ABC 의 세 각이 위에서 정해졌다. 따라서 세 회전 각 a, /3, r 가 주어지면 삼각형의 세 변이 결정되고 세 변 이 결정되면 세 축간의 각이 정해진다. LBOC 를 u, LCOA 를 V 근 -:..AOB 를 w 라고 하면 u, v, w 를 a, /3, r 로 다음과 같이 나타 낼 수 있다. cos u = COSasz i n+ 훔 c os is n/23 꿈 c os2r (3-340) COS V = cos 망 + cos 꿈 co~, 꿍 (3-341) s i n 꿈 s i n 꿍
cosw = COS zrs i n+ ' 2ac- o-ss- i2na 2/3c o s 2/3 (3-342) 윗식으로부터 공간에서 결합이 가능한 세 개의 회전 대칭 축사 이에 만족해야 하는 관계를 알 수 있다. 표 2-5 에 결정에서 가능한 세 축의 조합을 표시하고 그림으로 그림 2-74 에 나타내었다. 결정은 3 차원에서 평행육면체가 평행 이동하여 만들어져 있다고 할 수 있다. 죽 평행육면체가 연속적 으로 쌓여 전체 결정을 이룬다. 결정에서 가능한 세 회전 축의 조합은 222, 223, 224, 226, 233, 234 로 6 가지이다. 또한 결정 내에 서 대칭 축이 하나만 있는 경우는 대칭 축이 1,2,3,4,6 의 5 가지 이다. 이 대칭 축들이 3 차원 결정에 있을 때 평행육면체의 세 모서리와 모서리 사이의 각도 관계에 따라 7 가지의 평행육면체 로 분류할 수 있는데 이들을 7 결정계라고 한다.
표 2-5 공간 상의 세 회전 대칭 축의 조합
222 223
이 결각정을 내 a의, / 3,평 r행 라육고면 할체 의때 , 각세 모 대서 리칭 축길 이22를2 가a, b있, 으 c 라면고 a 하*고 b 사* c, a = (3 = r 인 사방정 orth orhombic 이 된다. 결정에 세 대칭 • 축 223 이 있으면 평행육면체는 a = b = c, a = (3 = r < 120 ° 인 2삼24방 가정 있(tr으ig 면o n al평 또행는육 면rh체om는bo hae d=r ab] )*이 c,된 a다 =. /3 결= 정r에 = 9세0 ° 인대 칭정축방 정 tet r a g o nal 이 된다 . 결정에 세 대칭 축 226 이 있으면 평행육 면체는 a = b = c, a = (3 = 90°, r = 120 ° 인 육방정 hexag o nal 이 된다. 결정에 세 대칭 축 233 또는 234 가 있으면 평행육면체는 a = b = c, a = (3 = r = 90 ° 인 입 방정 cubbic 이 된다. 3 차원 결정에 1- 중 대칭이 있으면 평행육면체는 a * b * c, a * B * r 인 삼사정 tri c l in i c 이 되고 2- 중 대칭 이 있으면 a * b * C, a = Y = 90° * (3인 단사정 monoclin i c 이 된다. 그리 고 결 정에 3- 중 대칭, 4 국중 대칭, 6_ 중 대칭이 있으면 평행육면체는 각각 삼방정, 정방정, 육방정이 된다. 이 7 가지의 결정계를 표 2-6 에 나타내었다. 표 2-6 은 7 결정계로 나눠지는 각 평행육면 체의 세 모서리의 길이 a, b, c 와 세 사이 각 a, /3, r 를 표시한 것이다. 결정에서 무한히 연속된 평행육면체가 삼사정이 되기 위해 꼭 필요한 필수 회전 대칭은 없고, 단사정이 되는 데 필수 대칭 요 소는 2- 중 회전 축 1 개, 사방정이 되는 데 필수 회전 대칭은 서 로 수직인 2_ 중 회전 축 3 개, 삼방정이 되려면 필수 회전 대칭 은 3- 중 회전축 1 개이다. 결정에서 평행육면체가 정방정이 되려 면 필수 회전 대칭은 4- 중 회전 축 1 개이고, 육방정이 되려면 필수 회전 대칭은 육중 회전 축 1 개, 입방정이 되려면 필수 회 전 대칭은 평행육면체 대각선 방향의 3- 중 회전 축 4 개이다. 각 결정계에서 필수적인 회전 대칭 축을 표 2-6 에 표시하였다.
표 2-6 7 결정계로 나눠지는 각 평행육면체의 축 길이, 축간 각, 필수 대
7 결정계는 회전 대칭만 고려했는데 여기에 병진 대칭까지 고 려하여 결정에서 가능한 독립적인 공간 격자를 14 가지 종류의 브라배 Bravais 공간 격자로 분류한다. 병진 대칭을 고려하여 얻 울 수 있는 격자는 평행육면체에서 격자 점의 위치에 따라 격자 점이 평행육면체당 하나만 있는 것(단순), 각 평행육면체의 중심 과 꼭지점에 격자 점이 들어가는 것(체심), 평행육면체의 각 6 면의 중심과 꼭지점에 격자 점이 있는 경우(면심), 평행육면체의 한 쌍의 면(주로 C 면)과 꼭지점에 격자 점이 있는 경우 (C 면심) 로 나뉜다. 그런데 7 개의 결정계와 단순 (P)' 체심 (I), 면심 (F), C 면심 (C) 격자들을 모두 고려하면 총 28 개의 공간 격자 가 되어야 하겠지만 서로 중복되어 다른 공간 격자로 표시되거나 그 결정계의 특칭적 대칭 요소를 만족시켜 줄 수 없는 격자가 있 기 때문에 공간 격자 수는 14 개로 된다. 14 개의 공간 격자는 7 개의 결정계에서 각각 나온 7 개의 단순 격자와 사방정, 정방정, 입방정의 단위 포의 꼭지점과 중심에 격자 점이 하나 들어가는
:三戶 三
경우( I )의 3 개, 사방정과 입방정의 꼭지점과 각 면의 중심에 격자 점이 존재하는 경우 (F) 의 2 개, 단사정과 사방정의 꼭지점 과 양 C 면의 중심에 격자 점이 있는 경우 (C) 의 2 개로써 이루어 진다. 그립 2-75 는 결정에서 가능한 14 개 공간 격자를 보여 준 다. 2-6-2 점 군과 라우에 군 1 점 군 한 점을 기준으로 하여 가능한 모든 대칭의 조합인 점 군 po in t gr oup 중에서 먼저 2 차원 점 군을 생각해 보자. 네 가지 대칭 요소인 병전 대칭, 회전 대칭, 경영 대칭, 반영 대칭 중에 서 병전 대칭은 한 점을 이동하는 대칭이므로 제의하고, 또 반영 대칭은 3 차원적인 대칭이므로 제의하고 난 후, 2 차원에서의 회 전 대칭과 경영 대칭의 조합을 2 차원 점 군t wo dim ensio n al po in t gr oup 이라고 한다. 2 차원 점 군에는 먼저 회전 대칭 1, 2, 3 , 4 , 6 이 있고 경영 대칭 m 이 있다. 회전 대칭 1 과 m 은 조합 이 되어도 이미 있는 대칭 m 이고 회전 대칭 2 와 경영 대칭 m 을 2 차원에서 결합하면 2mm 이 된다. 회전 대칭 3 과 경영 대칭 m 을 조합하면 3mm 이 되나 두번째 m 은 첫번째 m 과 구분이 되지 않 으므로 3m 으로 표시한다. 회전 대칭 4 와 m 을 조합하면 4mm 이 되고 회전 대칭 6 과 m 을 조합하면 6mm 이 된다. 2 차원인 평면에 서의 점 군은 1, m, 2, 2mm, 3, 3m, 4, 4mm, 6, 6mm 모두 10 개의 2 차원 점 군이 있다. 그립 2-76 은 2 차원 점 군 중에서 대칭 축 과 m의 결합으로 생긴 2mm, 3m, • 4mm, 6mm 을 보여주고 있다. 네 가지의 대칭 요소, 죽 병진 대칭, 회전 대칭, 경영 대칭, 반영 대칭 중에서 격자 점을 이동하는 대칭인 병전 대칭을 제외
하고 공간에서 한 점을 기준으로 회전 대칭, 경영 대칭, 반영 대 칭을 조합시킬 경우 자신을 중심으로 총 32 가지 대칭 요소를 가 지게 되는데 이를 32 점 군이라 한다. 우선 1, 2, 3, 4, 6 인 회 전 대 칭 이 그림 2-77에 입 체 두상도 ste r eog rap h ic pro je c - ti on 로 나타나 있고 이들 모두 32 점 군에 속한다. 그리고, 이 회전 대칭을 순수p ro p er 회전 대칭이라 하고 X로 나타낸다. 이 순수 회전 대칭과 경영 대칭이나 반영 대칭의 연속 작용으로 생 기는 대칭을 비순수i m p ro p er 회전 대칭이라 한다. 순수 회전 대칭시는 오른손 물체가 오른손 물체로 되어 물체의 왼손, 오른 손의 방향이 바뀌지 않지만, 비순수 회전 대칭에서는 오른손 물 체가 왼손 물체로 되어 방향성이 바뀐다. 비순수 회전 대칭 중에는 첫째, 회전 대칭과 반영 대칭의 조합 (X + i, X) 인 -회 반 roto i n v ersio n 이 있는데 , 아래 의 5 가지 가 존 재한다. 1(1 + i), 2(2 + i), 3(3 + i), 4(4 + i), 6(6 + i). 이 대칭은 회전 대칭과 반영 대칭의 작동을 연속적으로 한다. 그 림 2-78 에 입체 투상도를 사용하여 표시하였다. I 는 바로 반영 대칭이고 ?는 경영 대칭과 같다. I( = i), 2( = m), 3, 4, 6 모두 를 32 점 군에 속하는 것으로 한다. 둘째로, 회전 대칭과 경영 대칭의 조합 (X+m,X) 이 있다. 이 처럼 회전 대칭 후 다시 경영 대칭을 행하는 것을 회경 roto refl ec ti on 이 라 한다. 회 경 대 칭 에 도 5 가지 가 있고, 이들은 다음과 같다.
•
。
1(1 + m), 祐 (2 + m), 3(3 + m), 4(4 + m), 6(6 + m). 입체 두상도로 나타낸 그림 2-78 과 2-79 를 보면 회반과 회영은 하나씩 서로 짝 지어진다. 죽 I = 2, 2 = I, 3 = 6, 4 = 4, 6 = 3 (2-343) 의 관계가 있다. 회영 대칭 요소는 모두 회반으로 나타내어지므 로 32 점 군을 표시할 때는 회반만으로 나타낸다 . 그리고, 1 = 2 는 적도 면이 경영 면이 되는 경영 대칭 m 과 같다. 여러 회전 대칭을 쉽게 볼 수 있게 입체 투영도로 나타낸 그림을 보면, 적 도 면보다 위에 있는 극점 po le 은 검은 점 ( • )으로, 적도 면보다 아래에 있는 극점은 흰 고리 (o) 로 표시된다. 순수 회전 대칭과 그 회전 축에 수직인 경영 대칭 (m) 을 조합 한 대칭이 가능한데 그것을 X/m 으로 나타내고 1 2 3 4 6 m' m' m' m' m 6의 와 5 같개으를므 그로림 322 -점80 에군 에표는시 하:였-,다 ¾. , 여¾기서3 개」m만웃 을는 ?추와가 같로고 포 으함m운 시 7 킨다. 또한 순수 회전 대칭과 그 회전 대칭에 해당하는 회반 축이 한 축에 동시에 존재하는 것이 가능한데 그것을 XIX 로 나타내고, 1/1, 2/2, 3/3, 4/4, 6/6 5 개를 그림 2-81 에 표시 하였다. 하지 만 그림 2-81 울 보면 1/1 는 I, 2/ 짜는 2/m, 3/3 는 3, 4/4 는 4/m 그리고 6/6 는 6/m 과 갇아서 모두 앞에서 나온 점 군이므로 32 접 군에 새로이 더 추가되는
。
1/m= 럽 =Ill 2/111
1/1 = I 2/2 = 2/m
군은 없다. 따라서 하나의 회전 대칭 축을 가지는 점 군은 앞에 서 나온 X 로 표시되는 5 개, X로 표시되는 5 개, X/m 로 표시 되는 3 개 모두 합하여 13 개가 있음을 알 수 있다. 한편 세 개의 회전 대칭을 가지는 점 대칭들에 대해 알아보면 먼저 순수 회전 축 3 개가 공간에서 결합하는 방법은 앞에서 나 온 결합 방법대로 222, 322, 422, 622, 332, 432 등 6 개가 있으 므로 222, 322, 422, 622, 332, 432 의 6 개를 32 점 군에 포함시킨다• 이들을 그림 2-82 에 나타내었 는데, 그림에서 322 는 32 대칭으로 충분히 표시할 수 있으므로 32 로 표시하고 233 도 23 대칭으로 충분히 모든 대칭을 다 나타 내어 주므로 23 으로 표시한다. 그리고 입방계임을 나타내어 주 기 위해서 두번째 자리에 반드시 3 을 표시한다. 다음으로 순수 회전 축과 비순수 회전 축이 결합한 세 개의 축 이 결합하는 방법으로는 오2 2_-_2합2 3h23_ 2-_합2 --44=- --22=- --22=- , --66=- --22=- --22 =- , -3—3 -3—3 2― 4_-34_ -—-223 引 가 있는데 그림 2-83 과 표 2 구 울 보면 --22=- --22=- --22=- = _m2_ m2_ 一m2_ 이 고 이는 mmm 으로 대칭으로 다 나타내고, 여기서 m 은 ?에서 나왔 으므로 회전 축 2 에 수직인 m 을 나타낸다. 강3t22t =3,. 굶2 굶2 = 간m- 이고 3 m.으로 모든 대칭을 나타낸다. --44= - --22=- --22=- = -m4 ―m2 ― m2이 고
CD@〔군3를 EB@三를따
1_21_22_1 =m_2 I?l. l 1?1l -=mmm =3322= 22= = T-2 m_2m_ =-콩2 m_ =3m
표 2-7 순수 회전 축과 비순수 회전 축이 결합한 세 개의 축의 결합에
―m4 mm 으로 모든 대칭을 나타낸다. -6=6-22-=22--= -= _m6_m2_2m- 이고 —m6_ mm 으로 모든 대칭을 나타낸다. 요3 요3 요2 = 羽으m- = _m1_ 5 이고 m3 로 모든 대 칭 을 나타낸다. -=44- -=33- -=22- = _m4_ n-3 ―m2_ 이고 m3m 으로 모든 대칭을 나타내고, m3m 의 두 m 은 대칭 축 和와 %에서 각각 나왔 으m며m, —대m칭 m m 축, m43 와, m23 에m , 수이직들인 6 m개 을를 나새타로낸이다 .3 2 m점m 군m,에 3m포,함 ~시m 6 킨다.
표 2-8 순수 회전 축 3 개가 결합한 6 가지의 조합 각각에 해당하는 PPP,
그림 2-73ol] 서 나타낸 것처 럼 공간에 서 OA 축에 대 해 a 만큼 회전 대칭한 뒤 다시 OB 축에 대해 8 만큼 회전 대칭한 것은 OC 축에 대해 r 만큼 한 번 회전 대칭한 것과 같아야 한다. 죽 OA 축에 대한 회전 대칭을 A, OB 축에 대한 회전 대칭을 B, OC 축에 대한 회전 대칭을 @} 하면 AB=C 가 성립한다. 순 수 회전 대칭을 P, 비순수 회전 대칭을 I 로 표시할 경우 AB = C 에서 A 가 비순수 회전 대칭, E} 비순수 회전 대칭이면 G 즌
순수 회전 대칭이어야 한다. 이때 AB = C 는 IIP로 나타내고, 여기에서 II 결합은 반드시 P7} 되므로 III 결합은 불가능함을 알 수 있다. 이러한 AB=C 를 I와 P로 나타낼 수 있는 방법은 다 음과같다. PPP PII IPI IIP. 공간에서 가능한 세 회전 대칭 축들 간의 조합은 공간 상에서 세 회전 대칭 축 사이의 관계식에 의해 222, 322, 422, 622, 332, 432 가 있음을 앞에서 살펴보았다. 이 여섯 가지의 회전 대칭 축 각 각에 해 당하는 PPP, PII, IPI, IIP 결합에 의 한 점 군을 표 2-8 에 표시하였다. 그림 2-84 를 보면 222 에서는 이들 조합은 세 축 모 두 구분없이 동등하므로 222 = 222 = 222 = 2mm 이고, 322 에서 는 3 競 = 3-mb - -mb- = 3mm 이나 두번째 m 은 첫번째 m 위에 표시 되는 m 이므로 줄여서 3m 으로 표시하며, 322 = 范 2 = 3m2 는 3m 으로 모든 대칭이 표시된다. 422 에서는 4 競 = 4mm 이고, 422 = 422 = 42m+ 는 42m 으로 모든 대칭이 표시되고, 622 에서는 6 競 = 6mm 이고, 622 = 62m = 秘 2 = 6m2 이다. 332 에서는 332= 332 = 33-¾ z = 33m 는 m3 로 모든 대 칭 을 나타내고, 332 = 33-m1 . = 꿉 3 는 m3 로 모든 대칭을 나타낼 수 있다. 432 에서는 432 = 43m= —m4 _ 3 一 m2 는 m3m 으로 다 나타내고, 432 = 43m 이며, 432 = 43? 는 m3m 으로 다 나타낸다. 이들 중 3m, m3, m3m 은 순수
.,.
5죠 = 62m = 622 = 6m2 3-32 = -33-2 = -33 m一I = m3
와 비순수 회전 대칭 축의 결합에서 이미 나왔던 것들이므로 새 로 나온 2mm, 3m, 4mm, 42m, 6mm, 6m2, 43m 이렇게 7 개를 새로이 추가하여 32 점 군에 포함시킨다. 이상에서 세 개의 회전 대칭 축을 가지는 점 군은 순수 회전 축과 비순수 회전 축이 한 축을 이루며 세 개의 축의 결합에 의 한 6 개, PPP 결합에 의한 6 개, PII, IPI, IIP 결합에서 새로 나 온 7 개의 점 군 등 모두 19 개가 있음울 알 수 있다. 그러므로, 하나의 회전 대칭 축을 가지는 점 군 13 개와 합하면 32 개의 점 군이 얻어진다. 2 라우에 군 결정의 전체 회절상의 대칭을 조사하면 결정이 속한 점 군에 관한 정보를 알 수 있다. 하지만 (hkl) 면과 이 면에 반영 대칭 인 (fikl) 면이 있을 때 프리델 Frie d el 의 법칙에 따라 이 두 면 에서 나오는 x- 선 회절상이나 전자 회절상을 구별할 수 없으므 로 회절상은 항상 반영 대칭을 지니게 된다. 회절상의 점 군은 결정의 점 군에 반영 대칭을 더해서 얻어진 것이다. 예를 들면 그립 2-85 는 점 군 4, 4 에 해당하는 결정의 회절상 이 4m 임을 나타내 보인다. 점 군 4, 4 에 속하는 결정도 회절상에 서는 반영 대칭이 더해져 점 군이 4m- 인 결정의 회절상인 4m- 와 같게 되는 것이다. 이때 4m 튤 } 점 군 4, 4,' m~_ 인 결정의 라우에 군이라고 한다. 죽 라우에 군 4m- 에 속하는 결정의 점 군은 4, 4, 土m 중의 하나가 된다.
•
32 점 군 중에서 11 개의 점 군이 반영 대칭을 지니고, 나머지 21 개의 점 군은 반영 대칭이 없는데 반영 대칭을 더함으로써 반 영 대칭을 지닌 점 군과 같아지기 때문에, 이 11 개의 점 군이 라우에 군을 형성하는데 이들을 표 2-9 에 표시하였다. 일반적인 전자 회절과 x- 선 회절에서는 항상 반영 대칭을 지 니므로 반영 대칭이 있는지 없는지를 구별해 낼 수 없다. 그러나 시편에 수령 각이 큰 전자 빔을 조사하면 큰 수령 각으로 인하여 쉽게 고차 라우에 존 회절을 일으키게 된다. 이 고차 라우에 존 회절에는 3 차원적인 대칭 정보를 포함하고 있고 동력학적인 회
표 2-9 11 라우에 군
절 효과 때문에 수령성 빔 전자 회절에는 반영 대칭과 같은 3 차 원적인 정보를 포함하고 있어 32 점 군을 구별해 낼 수 있다. 또한 운동학적으로 금지된 회절 점에서 이 동력학적인 회절로 만들어지는 회절 원반 내에서 동력학적인 회철 효과로 결핍 선이 만들어지는데 이 결핍 선을 분석하면 나선 축 screw ax i s 이나 미끄럼 면 glide pla ne 이 있는지 여 부를 판별할 수 있어 공간 군
울 결정할 수 있다. 2-6-3 수렴성 빔 전자 회절 이제까지 우리는 시편에 평면 파의 전자 빔이 평행하게 입사한 다는 가정 아래 여러 가지 회절과 상 형성에 대해서 공부하였다. 이 가정은 실제로 이제까지의 여러 회절 및 결상 조건과도 잘 일 치한다. 이제까지의 제한 시야 회절상에서는 좁은 영역에서의 회 절 정보를 얻기 위하여 비교적 넓은 영역의 시편에 평행한 전자 빔을 입사시켜 대물 렌즈로써 회절 및 결상을 시킨 다음, 중간 조리개로써 이 결상된 상의 일부분을 선택한 후 렌즈로 회절시켜 점으로 된 회절상을 얻는 방법을 사용하였다. 수령성 빔 전자 회 절은 평행한 전자 빔을 넓은 영역에 입사시키지 않고, 의도적으 로 전자 빔을 시편의 좁은 영역에 수령한 후 입사시켜 회절상을 얻는 것이다. 이때 전자 빔이 비추어지는 전자 탐침의 크기는 집 속 렌즈와 조리개로 조절하면 50nm 이하로 작게 할 수 있다. 따 라서, 수령성 전자 회절상을 이용하면 제한 시야 회절상에서 얻 울 수 있는 최소 영역(보통 직경 500nm 영역)보다 훨씬 좁은 영 역의 회절 정보를 얻을 수 있다〔 26~32]. 한편 시편에 입사되는 전자 빔은 수령시킨 것이기 때문에 평행한 전자 빔이 아니고 疾} 집속 조리개와 집속 렌즈에 의해 정해지는 일정한 수령 각 범위 를 갖고 있는 전자 빔이다. 수렴 각이 아주 작을 경우 전자가 거의 평행하게 입사되므로 회절상은 제한 시야 회절상과 같이 점으로 된 회절상을 얻게 된 다. 회절상에서 접의 크기를 작게 하기 위해서는 집속 렌즈로 빔 의 크기를 최대한 넓게 하여 평행 빔을 만들어 수령 각을 작게 하여야 한다. 그러나 수령 각을 증가시키면 회절 점은 점점 커지
코셀-될렌스테트조건 코셀조건
게 되어 원반 형태를 가지게 된다. 즉 수령 각에 따라 원반도 점 점 커지게 된다. 이런 원반 회절상에서 인접한 원반이 서로 겹치 지 않은 상태에서의 회절을 코셀구길렌스데트 Kossel-Mollens t ed t 회절상이라고 하고 그 모식도는 그림 2-86(a) 에 나타나 있다. 이 회절 조전을 코셀 - 뮐렌스데트 조건이라 한다 [33, 2-1 끽. 수령 각 을 조금 더 증가시키면 회절 원반들이 그림 2 - 86(b) 와 같이 조금 씩 겹치게 되고 수령 각을 더욱 증가시키면 원반들이 서로 더 겹 치게 된다. 회절상의 한 점이 입사 빔과 여러 회절 빔이 합쳐져 서 구성되며 고차 라우에 존과 영차 라우에 존의 이중 산란 효과 가 회절상에 나타나는데 그런 조건을 코셀 Kossel 조건이라 하고 이 회절상을 코셀 회절상이라고 한다. 이 코셀 조건을 그림 2-86 (c) 에 나타내었다. 그림 2-87(a) 는 일정한 수렴 각으로 시편에 전자 빔이 입사할 경우, 그 수령 각이 좌우로 최대가 되는 각 경우에 대해 시편에 수r 직벡 터입의사 하끝는점 은빔 을역 격기자준의으 로원 점이이월다드. 구r를 벡 터그의린 시것이작다 .점 이여 기구서의 원점이 되도록 그림 2-87(a) 의 이월드 구들을 다시 그리면 그림 2-87(b) 가 된다. 그림 2-87(b) 는 3 개 입사 빔과 이 3 개의 입사 빔에 의해 각각 회절되어 3 개의 회절 빔이 형성된 모습을 이월 드 구 안에 보여 준다. 그리고 이 3 개의 입사 빔 사이의 모든 수령 각 범위에서 전자 빔둘이 입사하므로, 두과 빔과 회절 빔 모두 점이 아니고 그립 2-87(b) 에 나타낸 것과 같이 일정한 크기 롤 지닌 원반 모양이 된다. 제한 시야 회절상에서는 좁은 영역의 결정학적인 정보가 접~' 로 나타나는 데 비하여, 수령성 회절 빔은 훨씬 더 좁은 탐침 영 역의 정보가 회절 원반으로 나타난다〔 34, 2-13]. 그립 2-88ol] 서 왼쪽 위의 사전은 제한 시야 조리개의 크기를 시편 사진에 중첩
』- I I ` \
그림 2-88 제한 시야 ·회절상과 수령성 빔 전자 회절상의 비교. 왼쪽 위의
시켜 나타내었고 여기에서 얻은 제한 시야 회절상이 그 아래에 나와 있고, 오른쪽 위의 사전에서는 전자 탐침의 크기가 역시 시 편 사전에 중첩이 되어 나타나 있으며 아래는 여기에서 얻은 수 령성 빔 전자 회철 (CBED) 상이다. 그림 2-8 倒 위에는 입사 전자 탐침의 단면을, 아래에는 이 탐
G
침으로 만들어진 회절 원반을 나타내었다. 탐침 단면 중의 한 점 x 는 각 회철 원반 속의 한 점 x 와 회절 원반이 서로 겹치는 지 여부에 무관하게 항상 1 대 l 의 대응 관계가 있다. 그러므로, 결 함이 없는 완전 결정의 경우 회절 원반 속의 한 점으로 탄성 산 란되는 전자 빔의 근원은 1 대 툐 L 대응되는 탐침의 한 점이다. 만일 우리가 삼각형이나 사각형의 집속 조리개를 사용하여 수령 탐침을 만들어 회절을 시키면 회절 원반은 삼각형이나 사각형으 로 모양이 바뀐다. 영차 라우에 존 (ZOLZ) 회절상은 그림 2-9(p !} 같이 투과 빔으 로 만들어진 투과 원반 000 2} 여러 회절 원반 hkl 로 구성되고, 투과 원반의 중심 점은 일반 회절시의 투과 빔이 만들어지는 점 이고 회절 원반 hkl 의 중심 점은 회절 점 hkl 과 같기 때문에 회 절 점과 같은 방법으로 색인을 한다. 수렴 반각 a 는 步} 집속 렌 즈의 조리개의 크기에 의해 정해지고 조리개를 크게 하면 회절 원반의 크기도 증가한다. 수렴 반각 a 는 원반의 크기에서 측정 할 수 있다. 회절상은 역격자와 이월드 구의 교점을 확대한 것으 로 생각할 수 있으므로 역격자 공간에서 역격자 원반의 반경을 lf fd)s cl, 회절상의 투과 점 000 에서 회절 점 hkl 까지의 거리를 rhkl, 회절상에서 원반의 반경을 rdlsc 라고 하면, |麟 sc i : I 麟| = rdIsc : rhkl (2-344) 이고 |g너 sc i = ka (2-345) lih*k 1I = 2k sin ( 0/2) (2-346) 이므로 a : 2 sin ( 0/2) = rd1sc : rhkt (2-347)
000 원반
a = 통 -2s i n (운) (2-348) 이고 브래그 법칙에서 2s i n 信) =土 (2-349)
이므로 수령 반각 a= 스뿌』 __ (2-350) rhkl dhkl 로 계산하여 측정할 수 있다. 시편에 평면 파인 평행 빔이 입사할 경우 생기는 키쿠치 회절 은, 그림 2-91(a) 와 같이 반드시 비탄성 전자가 여러 각도로 생 성되고 산란되어 결정면과 브래그 회절을 일으켜 만들어졌다. 비 탄성 산란이 많이 되기 위해서는 시편이 두꺼워야 하기 때문에 키쿠치 회절은 시편의 두꺼운 부분에서 바교적 약한 콘트라스트 로 어둡고 희미한 선을 만들었다. 수령성 빔 전자 회절의 경우 그림 2-91(b) 에서 보는 것과 같이 입사 전자 빔이 평행 입사의 경우보다 훨씬 넓은 어떤 각도의 범위를 지니므로, 이제까지의 비탄성 산란 전자대신 이 여러 각도로 입사하는 수령 전자 빔의 수령 반각이 브래그 각보다 큰 경우, 이 입사 빔이 결정면 (hkl) 울 만나 브래그 회절 조건을 만족시키면 면 (hkl) 과 각도 0B 를 가전 회절 원추를 만드는데 이를 수령성 전자 빔에서의 키쿠치 회절이라고 한다. 이 경우 비탄성 산란이 일어나야 할 필요성이 없기 때문에 시편이 두꺼워야 할 필요가 없다. 수령성 전자 회철 시 입사 전자 빔의 강도가 비탄성 산란 전자의 강도보다 훨씬 강 하므로, 수령성 빔 전자 회절 (CBED) 로 만들어지는 키쿠치 선의 강도 및 선명도가 일반 키쿠치 선의 그것보다 훨씬 뛰어나다. 따 라서, 작은 결정을 기울여 원하는 고대칭성의 회철상을 얻으려고 할 경우, 이를 이용하면 매우 쉽게 할 수 있다. 수령성 전자 회 절은 제한 시야 회절보다 훨씬 작은 영역의 시편에서 회절 결과 를 얻으므로 시 편 속에 격 자 결함 latt ice defe c t 이 존재 할 확률 이 작고, 변형이나 구부러짐이 있을 확률도 작다. 결과적으로 수
hkl 000 hkl izk [ 000 hkl
령성 전자 회절에서 더 선명한 키쿠치 회절상을 볼 수 있다 〔 2 -14]. 이것을 이용하면 제한 시야 회절로는 불가능하였던 시편 속의 매우 작은 결정립 사이의 결정학적인 방향 관계를 정확히 알아 낼 수 있다. 그림 2 - 92 에서는 급속 응고된 Al-T i 합금 중에 서 Al 의 [001] 정대 축으로 찍은 수령성 빔으로 만들어전 키쿠치 선을 보여주고 있다. 비탄성 전자에 의한 키쿠치 회철상보다 훨 씬 일선반명적한으 로것 을그 림알 수2- 93있 :i다!} .같 이 r 벡터의 반대 방향 죽 입사 빔 의 반대 방향으로 역격자의 원점에서 한 충 위의 역격자 점들과 이월드 구가 만나서 이루는 회절 충을 일차 라우에 존이라고 하 고 두 충 위의 역격자 점들과 이루는 회절 충을 이차 라우에 존
그림 2-92 Al 의 [001) 정대 축에서 찍은 수령성 빔 전자 회철에 의한 키
입사빔
이 라고 한다. 일차 라우에 존 (FOLZ) 과 이 차 라우에 존 (SOLZ) 울 포함하여 그 이상의 충과 만나 이루는 회절 충을 고차 라우에 존 (HOLZ) 이 라고 한다. 원자 산란 계수 fj7l- 회 절 각이 증가함 에 따라 급격히 감소하므로 고차 라우에 존 반사에서는 전자가 회절되는 각이 커서 일반적으로 강도가 약하다. 그러나 수령성
빔 전자 회절에서는 일정 범위의 수렵 각을 지닌 전자 빔을 사용 하므로, 이것은 결국 격자 점을 원반으로 확대하는 역할을 하게 되고 브래그 회절 조전을 정확하게 만족시키는 곳이 존재하게 되 므로, 고차 라우에 존 반사가 상당한 강도를 갖게 된다. 고차 라우에 존 충은 역격자 원점에서 전자 빔의 입사 반대 방 향으로 몇 충 위의 충이므로, 이 충의 간격 죽 이 방향으로의 역 격자 벡터의 크기에 대한 정보를 포함하고 있으므로, 고차 라우 에 존과 영차 라우에 존 충의 회절상을 분석하면 전자 빔 방향의 역격자 간격을 구할 수 있다. 그림 2-94 에서, 일차 라우에 존 환 의 반경 G1 은 역격자와 이월드 구의 교차에 의해 결정되므로, 삼각형 OAB 에서 k2 = (k —H) 2 + Cf (2-351)
。
이고 이월드 구의 반경 k 가 H 보다 매우 크므로 H2 을 무시하면, 2kH = Gr H= 뀝 (2-352) 이다 [2-15]. 여기에 환의 반경 G1 을 대입하고 전자의 파장에서 구한 k 를 대입하면 역격자 충간 간격 H 를 계산할 수 있다. 충 간 간격 H와 빔 방향, 죽 정대 축 방향 [uvw] 를 알면, 우리가 회절상을 색인할 때와 똑같은 방법으로 시편 결정의 구조 인자를 이용하여 역격자 원점에서 빔 반대 방향으로의 역격자 점을 색인 할 수 있다 [2-16]. 수령성 빔 전자 회절상 (CBED p a tt ern) 에서 영차 라우에 존 원반 도형의 상대적 위치를 이용하여 2 차원적 평면에서의 역격자 단위 포의 크기를 알 수 있다. 또한 고차 라 우에 존 연속 환은 빔 반대 방향의 역격자 크기에 관한 정보를 가지고 있기 때문에 역격자 단위 포의 높이를 알 수 있다. 이로 부터 역격자 단위 포의 체적 계산이 가능하게 되어 이룰 상 phase 분석에 이용할 수 있다. 그림 2-9 5i:근 고차 라우에 존 환의 크기를 이용하여 상 분석하는 예를 보여주고 있다. 급속 응고된 Al-Ti 합금에서 위 의 왼쪽 사진은 격 자 상수가 a = 0.405 nm 인 면심 입방(f ee) 구조인 A 텨 [001] 정대 축 사전이고, 아래 가운 데 사진은 격 자 상수가 a = 0.4 0 4 nm 인 단순 입 방 pr im i tive eubic 격자인 AlaTi 의 [001] 정대 축 사전이며, 위의 오른쪽 사 전은 a = 0.4 0 4 nm, c = 0.81 nm 인 정 방정 계 의 AlsTi [001] 정 대 축 사진으로, 일반적인 제한 시야 회절상에서 얻은 점 도형으 로는 구별이 불가능하나, 고차 라우에 존 환의 크기로 세 상 ph ase 의 구별이 가능하다. 앞의 그림 2-65ol] 서 설명한 키쿠치 회절과 똑갇은 방법으로 비
그림 2-95 급속 응고된 Al-T i 합금에서 고차 라우에 존 환의 크기를 이용
탄성 산란 전자에 의해, 고차 라우에 존 점을 만드는 데 기여하 는 결정면에서 키쿠치 회절이 일어날 수 있다. 이 고차 라우에 존 키쿠치 선은 수령 각이 작을 경우 회절 원반 밖에서 희미하게 관찰된다. 이월드 구가 고차 라우에 존 충과 교차할 경우 생기는 회철상은 수렴 각이 작을 경우 원반들로 구성되고, 수령 각이 클 경우 연속 환으로 구성된다. 그림 2-96: il} 같이 큰 疾} 칩속 조리개로 큰 수령 각을 만들면, 고차 라우에 존 점을 만드는 데 기여한 결정면에서 수렴성 빔 전 자 회절의 회절 원반의 탄성 전자에 의해, 키쿠치 선을 만드는 방법과 유사하게 결정면에서 ~B 의 각도에 투과 원반에는 어두운 선을, 회절 원반에서는 밝은 선을 만든다. 그림 2 - 96oll 서 000 원 반 내부의 검은 직선을 고차 라우에 존 선이라고 하고, x - 선 회 절에서 코셀 선과 유사한 것으로 코셀 상과 같이 3 차원적인 정 보를 포함하여 전체 결정 대칭을 나타낸다. 이와 같이 수령 각이 큰 경우 고차 라우에 존 환은 연속 환으로 관찰되는데, 이 고차 라우에 존 환은 여러 개의 각기 다른 밝은 선들로 구성되어 있 다. 한 쌍의 키쿠치 선과 유사하게 000 투과 원반 내의 검은 선 과 연속 환울 구성하는 밝은 선이 하나의 쌍을 이룬다. 그립 2-96(a) 에서와 같이 면간 간격이 큰 경우 이 면에 의한 탄성 산란에 의해 고차 라우에 존 선이 두과 원반 내부에 본래의 역격자 원점에서 비교적 가까이 만들어지고, 그림 2-96(b) 와 같 이 면간 간격이 작은 경우 본래 역격자 원점에서 먼 곳에 고차 라우에 존 선이 만들어전다. 이와 같이 000 두과 원반 내부의 고 차 라우에 존 선 위치가 격자 상수에 매우 민감하게 변하므로 이 롤 이 용하여 격 자 상수 측정 및 변위 dis pla cement 측정 등을 할 수 있다. 이 고차 라우에 존 선을 이용한 측정은 10-4 nm 정도의 아주 높은 정확도를 지니나 동력학적 회절로 인한 고차 라우에
2dsin 08 =A
존 선의 위치 변화를 보정해야 하는 단점이 있다. 그림 2-97 의 사전에서 중앙의 000 원반 내부에 검은 직선들이 보이는데 이것이 고차 라우에 존 선이다. 그림 2-9 8-..폰 밝은 선으 로 구성된 고차 라우에 존 환을 보여준다. 이 고차 라우에 존 환 울 구성하는 밝은 선과 삽입한 사진의 가운데 있는 000 원반 내 의 검은 직선들은, 키쿠치 선들과 같이 한 쌍을 이룬다. 그림 2 -9 뚝 고차 라우에 존 선을 이용한 결정 구조의 확인을 보여준 다. Al [111 ], B4C [111], a-SiC [0001], /3_ SiC [111] 에서는 모 두 가운데 있는 점 도형에서 모두 같이 6_ 중 회전 대칭을 나타낸 다. 고차 라우에 존 선을 이용하면 위에 있는 두 사전에서는 3 -중 대칭을 나타내고, 아래 왼쪽에 있는 사진에서는 6- 중 대칭
그림 2-97 고차 라우에 존 선. 가운데 원반에 있는 겁은 직선이 고차 라
그림 2-98 밝은 선으로 구성된 고차 라우에 존 환과 고차 라우에 존 선.
울, 아래 오른쪽 사진에서는 3- 중 대칭을 나타내어, 6- 중 대칭의 a-SiC [0001] 을 다른 상과 구분할 수 있다. 그림 2-10 錢는 격자 상수 측정의 예인데 Al 에서 고차 라우에 존 선을 보여주고 있는 220 원반간의 거리와 791 고차 라우에 존 선으로 이루어진 삼각형의 높이 비로 격자 상수를 측정할 수 있 다. 그립 2-101 의 위쪽은 순수한 응력이 없는 A 떠 [111] 고차 라우에 존 사전이고, 아래쪽은 B4C-Al 복합 재료 내의 Al 상에 서 [111] 고차 라우에 존 선 사진이다. 아래쪽 사진은 고차 라우
그림 2-99 고차 라우에 존 선을 이용한 결정 구조의 확인. (a) 3- 중 회전
그림 2-100 Al 에서 고차 라우에 존 선을 이용한 격자 상수 측정법의 예.
그림 2-101 B ◄ C-AI 도성 합금에서 Al 격자 상수의 비교. (a) 응력 변형 이
에 존 선이 정삼각형이 아니며 잔류 인장 응력으로 삼각형의 크 기가 감소하고 고차 라우에 존 선의 폭이 넓어졌다. 수령 각을 점점 증가시키면 회절 원반의 크기가 점점 증가하는 데 그립 2 - 86(a) 와 같이 이런 원반 상에서 인접한 원반이 서로 겹치지 않는 형태를 코셀구결렌스테트 회절상이라 하고, 아때 동 력학적 회절로 두과 원반과 회절 원반 내부에 앞에서 나온 고차 라우에 존 선과 밝고 어두운 평행선으로 구성된 코셀-필렌스데트 줄무늬가 나타난다. 운동학적 회절에서 회절 점의 강도는 식 (2-305) 에서 /g ( S 1, S2, S3 ) = FgF .; si n2( (福1C )s21 N1 ) si n2區 (1C )s22 N2) s i균區 (1Cs 3) 2N :갑 (2-305) 와 같이 편차 변수 S1, S2 , S3 에 따라 변한다. S 2 와 S3 가 O 이 면 회 절 점의 강도는 윗식에서 IAs1) = FgF ; ~ (2- 35 3) 로 S1 에 따라 변한다. *식 ( 3-182) 에서 Fg =1? 이므로 대입하 면 Ig( s1) = (koQ )2 ~ (2-354) 이 된다. 시편에 어떤 일정 범위의 수렴 각으로 빔울 입사시켜 회절 원반이 만들어질 때, 원반의 각 부위에 도달하는 전자는 각 각 다론 편차 변수를 지니고 있어, 원반 내의 강도 분포는 원반 을 가로질러 편차 변수의 변화에 따른 강도 분포를 나타낸다.
이와 유사하게 동력학적 회절은 편차 변수의 변화로 회절 원반 내부에 강도의 변화를 만들어 내어, 그림 2-1029 -} 같이 밝고 어 두운 평행한 코셀-뮐렌스테트 줄무늬를 만든다. 그리고 동력학적 회절 조건에서 (3 장 3-3-3 절) 문제를 간단하게 하기 위해 2- 빔 조건으로 회절상을 만들면, 식 (3-240) 에서 암시야 상의 강도 분 포 Ig 를 얻는다. 회절상에서 회절 점이나 회절 원반은 암시야 상 이나 명시야 상의 축소판으로 생각할 수 있으므로, 암시야 상의 강도 분포 Ig 는 회절 원반의 강도 분포가 된다. 그러므로 식 (3 -240) 에서 이때 줄무늬가 있는 회절 원반 내부의 강도 변화는 Jg =겹군 sin (2 습(1r )s2 t) (2-355)
그림 2~102 2- 빔 조건에서의 수령성 빔 전자 회절상. (©김궁호, 1996)
이고, ~g는 소멸 거리 exti nc ti on dis t a n ce, t는 전자 빔이 입사 하는 부분의 시편 두께, 그리고 5 는 2- 빔 조건에서 유효 편차 변수이다. 유효 편차 변수는 한 = s2 + +Ezg (2-356) 로 정의된다. 줄무늬의 검은 선은 강도가 0 인 sin 2 (처홍) = O (2-357) 죽 ts = n 일 때이다. 여기서 n 은 정수 1, 2, 3, …이다. 식 (2 -356) 에 강도가 0 인 조건을 대 입 하면 (?)2 = ―言(닌 2 + 끔 (2-358) 이다. 여기서 s,는 강도가 0 이 되는 편차 변수이다. 키쿠치 회절 에서 편차 변수를 구하는 식 (2-336) 과 (2-337) 에서 151 = x L.,d1 h kl X (2-359) d ikl phk l 이므로, 이와 유사하게 회절 점과 키쿠치 선간 거리 X 대신 줄무 늬가 있는 회절 원반의 중심에서 i번째 강도가 0 인 죽 강도가 최 저인 검은 선까지의 거리 L i를 대입하고 키쿠치 밴드 폭 Phkl 대 신 회절상에서 두과 원반 중심과 회절 원반 중심까지의 거리 L 。 룰 대입하면 편차 변수는 1 리=d」~kl 뇨L 。 =mk 뇨L 。 (2-360)
가 된다. 예를 들면, i = l, 2, 3··· 와 같이 각 i에 대한 s,. 는 윗 식에서 계산할 수 있다. 식 (2-360) 에서 x 축에 1/ 같을 y 축에 (s J n)2 을 그리면 기울기에서 소멸 거리를, y 축과의 절편에서 시 편의 두께를 구할 수 있다 [35~37]. 수령성 빔 전자 회절은 결정의 점 군 및 공간 군을 결정할 수 있는 대칭 정보를 가지고 있다 [38~40, 2-15]. X- 선 회절과 일반 적인 전자 회절에서는 프리델의 법칙에 따라 (hkl) 과 (li 囚 [) 면에 서의 회절을 구별할 수 없으므로, x- 선이나 일반 전자 회절에서 는 결정의 32 접 군을 11 라우에 군으로만 구분해 낼 수 있다. 그 러나 수령성 빔 전자 회절에서는 전자 빔의 수령 각이 크므로 고 차 라우에 존 회절이 잘 일어나는데, 고차 라우에 존 회절은 3 차원적인 정보를 포함하고 있다. 고차 라우에 존과 영차 라우에 존 사이의 상호 작용으로 인한 3 차원적인 정보를 또 수렴성 빔 전자 회절상은 포함하고 있다. 먼저 결정의 <0 01> ,< 0 11> ,< 1 11> 같은 저지수 고대칭 정대 축의 회절상에서 회절 도형의 전반적인 대칭과 각 원반 내에 존재하는 강도 분포에서 나타나는 대칭을 분석하여 이 정보를 이용하여 점 군을 알아낸다. 명시야 회절상 br ig h t-fi eld p a tt ern 은 투과 빔인 000 원반 내의 고차 라우에 존 선이 만들어 내는 대칭을 지니게 되는데, 이 대 칭을 명시야 대칭이라고 한다. 그립 2-10~ Si 의 [111] 정대 축 에서 찍은 수령성 빔 전자 회절상으로 명시야 회절상을 보여주고 있다. 전체 회절상 whole p a tt ern 에는 가운데의 영차 라우에 존 회절상과 바깥 부분에 있는 고차 라우에 존 환과 고차 라우에 존 키쿠치 선에서 대칭을 나타내게 되는데, 이 대칭을 전체 회절상 대칭 whole pa tt er n sym metr y 이라고 한다. 수령성 빔 전자 회 절로 전체 결정의 대칭 정보를 얻을 수 있도록 큰 집속 조리개를
그림 2-103 Si [111] 정대 축으로 찍은 수렴성 빔 전자 회절상.
사용하여 모든 회절 원반들이 겹치게 하여 고차 라우에 존 환이 연속이 되도록 하면, 이때 고차 라우에 존 선과 키쿠치 선 대칭 이 결정의 대칭을 그대로 나타낸다. 예를 들면, 면심 입방 결정 (fe e) 에서 <1 11> 정대 축으로 찍은 영차 라우에 존 키쿠치 회절 상은 6- 중 회전 대칭을 나타내는데 큰 수령 각을 사용한 수령성 회절상은 실제 이 결정의 정확한 대칭인 3- 중 회전 대칭임을 정 확히 나타낸다 [2-16]. 그림 2-10 ,H근 Si 의 [111] 정대 축으로 찍 은 수령성 빔 전자 회절상으로 고차 라우에 존 환의 대칭에서 일 반 회절상이 나타내는 6- 중 대칭이 아닌 3- 중 대칭을 나타내고 있다. 이로써 6- 중 대칭과 3- 중 대칭은 구분할 수 있다. 암시야 회절상은 hkl 회절 원반 내에 강도 분포로 대칭성을 나타내 는데 이 것을 암시 야 대 칭 dark-fi eld sym metr y 이 라고 하
그림 2-104 고차 라우에 존 환의 대칭과 키쿠치 선의 대칭으로 이 결정은
고 일반적인 hkl 원반의 대칭인 일반g eneral 과 브래그 조전에 서 만들어지는 hkl 원반의 대칭인 특수 s p ec i al 로 구분한다. 그 리고 영차 라우에 존 회절상은 영차 라우에 존에 있는 000 원반 과 회절된 hkl 원반들에서 대칭을 나타내는데 이룰 두사 대칭 pr oje c ti on sym metr y 또는 영차 라우에 존 대칭 ZOLZ sym me- t r y라고 한다. 명시야 회절상, 전체 회절상, 암시야 상 및 영차 라우에 존 회절상은 2 차원적인 10 개의 점 군인 l, m, 2, 2mm, 3, 3m, 4, 4mm, 6, 6mm 중의 하나를 나타내게 된다 (2 장 2-6-2 절). 그리고, 士g*에 해당하는 hkl 과 臥H I 회절 점의 암시야 원 반의 대칭 관계에서 결정의 점 군이 반영 대칭을 갖는지 갖지 않 는지를 판별할 수 있다. 일반 전자 회절에서는 모두 반영 대칭을 갖고 있으므로 土홍* 회절 점의 대칭에서 점 군을 결정할 수 있
는 중요한 정보를 얻을 수 있게 된다. 조리개 이동 방법을 사용 하여 까 집속 조리개를 회절 점에 대해 브래그 조건으로 맞추고 회절 원반의 대칭을 분석한다. 표 2 - 1 ()-g.. 명시야 대칭, 전체 대칭, 암시야 대칭, 土효 * 대칭 등과 31 개 의 회 절 군 dif frac ti on gr oup 과의 관계 를 나타낸 표이 다. 표에서 명시야 대칭은 명시야 난에, 전체 대칭은 전체 회절 상 난, 암시야 대칭은 암시야 난, 士흉 * 대칭은 士G 난에 각각 표시하였다. 이제까지 저지수 고대칭 정대 축에서 얻은 명시야 대칭, 전체 대칭, 암시야 대칭, 土효* 대칭으로부터 회절 군을 표에서 찾아낸다. 표에서 아래 첨자 R 은 반영 대칭 작동을 나타 낸다. 표 2 一 11 은 회절 군과 32 점 군과의 관계를 표로 나타낸 것 이다. 표 2- 10 에서 회절 군이 결정되면 이 회절 군을 표 2-11 에 넣어서 32 점 군 중의 하나를 결정하게 된다. 운동학적으로 금지된 반사에서 일어나는 동력학적 결핍 선의 존재 여부를 관찰하면 결정의 공간 군을 결정할 수 있다. 결정에 나선 축이나 미끄럼 면이 있으면 운동학적 회절 조건에서는 이 대칭 때문에 금지된 반사가 있다. 동력학적 회절이 일어나면 이 금지된 반사가 소위 움베간레궁 Umwe g anre g un g이라는 일정한 강도를 지니게 된다. 그러나 동력학적 회절 효과에 의해 입사 빔 의 어떤 방향에 대해서는 강도가 사라지게 된다. 아 강도가 사라 지는 현상이 수령성 빔 회절 (CBED) 원반 내부에 검은 선으로 나타난다. 금지된 반사를 긴 카메라 길이로 조사하면 검은 선이 원반을 통하여 보인다. 이 선을 동력학적 결핍 선 또는 GM(Gj ¢nnes-Moodie ) 선이라고 한다. 점 군을 결정하고 여기에 적당 한 나선 축이나 미끄럼 면이 있는지를 조사하면 공간 군울 결정 할 수 있다. 나선 축이나 미끄럼 면의 존재 여부는 동력학적 결 핍 선의 위치와 관계있다 [2-17].
표 2-10 수령성 빔 전자 회절상의 대칭 정보
표 2-11 회절 군과 결정 점 군과의 관계
제 3 장 결상 3 기 현미경 이론 전자 회절 실험에서 우리는 물체에서 나온 회절 정보, 즉 역격 자 공간에서 정보가 무엇인가를 연구하여 물체의 실 구조 real s t ruc t ure 를 알아내는 법을 공부하였다. 이 방법은 실공간 정보 를 얻기 위해 역격자 공간의 정보를 푸리에 변환하여 얻은 간접 적인 방법이기 때문에 여러 단점들이 있다. 우리가 파의 전폭을 직접 측정하는 것은 불가능하고 단위 시간당 단위 면적당 에너지 또는 단위 시간당 단위 면적당 양자 수에 해당하는 강도만을 측 정하는 것은 가능하다. 강도를 측정하기 위해서는 일정 시간 동 안의 측정 결과롤 평균해야 하고 이 강도는 회절 전폭에 그것의 공액 복소수를 곱해 준 것과 같다. 그런데 이런 과정에서 우리는 위상에 관한 정보를 잃어버리게 된다. 파의 진폭은 1Jf = A exp i(2 1rkx - (JJt) = A exp i/3 (3-1) 이고 그 강도는
I = lJflJf* = A exp (i/3) A exp ( 一 i/3) = A2 (3 집) 이 되어 위상 /3에 관한 정보가 강도에는 포함되어 있지 않다. 회절상에서 실제 원래 시편의 정보를 얻으려고 할 때 우리는 푸 리 에 변환울 한 번 더 하는, 즉 역 푸리 에 변환 inv erse Fourie r tra nsfo r m 울 하게 된다. 아 때 회 절 공간에 있는 투과 함수는 파 의 진폭 정보와 위상 정보를 모두 갖고 있으나, 강도 측정시 전 폭에 대한 정보만 얻고 매우 중요한 위상에 대한 정보는 하나도 얻지 못한다. 어떤 물체의 프라운호퍼 회절은 파원, 물체 그리고 관측 면이 모두 무한대로 떨어져 있을 때 관측 면에서 관측되는 파의 진폭 분포인데 이 파의 진폭 분포는 바로 그 물체의 투과 함수의 푸리 에 변환이다. 앞에서와 같이(1 장 1-1-3 절) 렌즈를 사용하여 프라 운호퍼 회절 조건을 만들 수 있다. 파원을 무한대에 두기 위해 서, 죽 물체에 오는 파가 평행한 평면 파가 되도록 하기 위해 우 리는 물체 앞쪽에 렌즈를 두고 렌즈의 초점에 파원을 둔다. 그러 면, 파원이 초점에 있으므로 파원에서 나온 파는 렌즈를 지나 평 행한 평면 파가 되어 물체에 도달한다. 이것은 렌즈가 초점에 있 는 파원을 무한대 거리로 멀리 떨어져 있게 하는 역할을 하는 것 이다. 그리고 프라운호퍼 회절시 관측 면이 물체에서 무한대 거 리에 있어야 하는데 실체 관측 면을 무한대에 둘 수 없으므로 이 를 위해 물체 뒤에 또 하나의 렌즈를 사용하여 물체를 지난 회절 파가 렌즈의 초점면에 모이도록 하여 초점 면에서 관측하도록 하 는 것이다. 이것은 렌즈가 관측 면을 무한대에서 렌즈의 초점 면 으로 끌어당기는 역할을 하는 것이다. 우리는 렌즈의 초점 면에 서 물체의 투과 함수의 회절을 관측하고 이 초점 면을 회절 면이 라고한다.
2 차원 물체 의 투과 함수를 ¢(x, y)라 하자. 렌즈의 초점 면, 죽 회절 면에서 회절 파의 진폭 분포 lf!(L lkx, Llky) = /그 :¢(x, y) (3-3) exp {-21r i( L lkxx + Llkyy )} dx dy 을 관측하게 된다. 윗식에서 각 점의 회절 파의 진폭 및 위상 정 보를 포함하고 있다. 여기서 우리가 회절 파의 진폭에 포함되어 있는 위상 및 전폭 정보 모두를 그대로 저장한다고 생각하자. 그 리고 이것이 같은 렌즈로 회절이 다시 될 때, 즉 결상이 될 때 투과 함수의 역할을 한다고 생각하자. 그러면 우리가 푸리에 변 환을 두 번 하는 것이 되고, 푸리에 반전 이론에 의하면 회절 면, 즉 결상 면에서의 회절 파의 전폭 분포는 lJf(x ' , y') ~ 1 그:[/그:cp (x, y) exp { 一 21ri( L lkxx + Llkyy )} dx dy ] (3-4) exp {— 21ri( x 'Llkx + y'L lky) } d(Llkx) d(Llky) = ¢(一 x', -y') 이다. 여기서 x' 과 y’은 두번째 회절 면, 죽 결상 면에서의 좌표 이다. 윗식은 물체의 원래 투과 함수가 결상 면에서 반전되어 inv erte d 있음을 나타낸다. 적분의 한계는 양과 음의 무한대이 다. 죽 완전한 모든 정보의 재수집을 위해서는 양과 음의 무한대 범위 내의 모든 회절 정보가 수집되어야 본래 물체 그대로 재현 이 가능하다는 것을 나타낸다. 이것은 모든 푸리에 성분을 수집 하여야 하는 것을 의미하는데 실제의 유한 크기인 렌즈에서는 불 가능하여 완벽한 재현은 불가능하게 된다. 그리고 식 (3-4) 에서
프라임 표시와 -표시가 되어 있으나 종종 간편하게 하기 위하여 생 략한다. 즉 상 면 im age pla ne 에서 의 파를 lJf(x , y) = rp( x, y) (3-5) 라고 표시한다. 죽 상 면에서의 파는 그 물체의 두과 함수로 표시 할 수 있다. 그리고, 이 물체의 투과 함수에 입사 파를 곱하면 물체 를 지 난 출구 표면 파 exit surfa c e wave 가 된다. 따라서 출 구표면 파는 1/f( r) == </JJ(( xx,, Yy)) 1e/fxo(p r ()2 m·fo · r) (3-6) 으로 표시할 수 있다. 죽 상 면에서 파는 물체의 출구 표면 파와 같다. 볼록 렌즈 하나가 회절 면, 죽 초점 면에서 물체의 투과 함수 의 푸리에 변환을 만들어 주고, 상 면에서 물체 그 자체의 짝이 역으로 나타나도록 하는 역할을 한다. 초점 거리가 1 인 렌즈에 서, 물체에서 렌즈까지의 거리가 a 이면 렌즈에서 상까지의 거리 b 는 식 -a1+ ', —1b =I1- (3-7) 로 주어진다. 상의 크기, 죽 배율은 M = }2a___ = _a_ j-_ f (3-8) 로 결정된다. 렌즈는 렌즈 초점 면에서 물체의 투과 함수를 한 번 푸리에 번환하고, 상 면에서 초점 면에 있는 투과 함수를 다시 푸리 에 번환하여 두 번 푸리에 번환하는 역할을 한다. 이때 물론 파가
가지고 있는 전폭과 위상에 관한 정보 모두를 푸리에 변환한다. 상 면에서 강도를 측정하면 이제까지 우리가 아는 바로는 얻었던 위상 정보를 측정하지 못하게 된다. 하지만 얻은 위상 정보를 강 도 차이로 나타낼 수 있도록 하는 방법은 나중에 공부하도록 하 자. 상을 만들지 못하는 x- 선이나 중성자로써 우리가 측정할 수 있는 것은 회절 강도이다. 이것을 컴퓨터나 광학적인 방법으로 변환을 하면 패터슨 (Pa tt erson, 1902~1966) 함수를 얻는데 이 함 수는 물체에 대한 정보를 주지만 본래 물체를 나타내지는 못하고 위상에 대한 정보도 전혀 전달할 수 없다〔 1]. 현미경은 렌즈를 이용하여 푸리에 변환을 두 번 하고 확대하는 것을 기초로 하는 데 아베 (Abbe, 1840~1905) 는 이런 원리를 이용하여 현미경 이론 울 개발하였다. 이것이 아베의 현미경 이론아다. 3-1-1 렌즈 전달 함수와 프레넬 전파자 및 줄무늬 l 렌즈 전달 함수 렌즈의 한 쪽 면 상의 점 x 에 입사되는 파가 렌즈의 다른 쪽 표면의 같은 높이에 있는 x 점을 통하여 파가 나온다면, 죽 렌 즈 내에서 파가 광축에 평행하게 진행하여 파의 상하 이동을 무 시할 수 있다면 그 렌즈를 얇은 렌즈thi nlens 라고 한다. 얇은 렌즈는 각 점에서 렌즈의 두께에 비례하는 양만큼 입사 파면을 지연시키는 역할을 한다. 그립 3-1 에서 렌즈의 최대 두께를 4 라고 하고 점 x 에서 렌즈 두께를 d(x) 라고 하자. 두께 d(x) 를 알기 위해 그림 3-1 에서처럼 렌즈를 두 쪽으로 쪼개어 생각해 보자. 렌즈의 곡률 반경을 R 이라고 하면 x 점에서 반쪽 두께는
그림 3-1 얇은 렌즈의 최대 두께를 4, 접 x 에서 렌즈 두께를 d(x) , 렌즈
辛 = 운 _{ R -(R2 —X2 )li2 } = 운 _R {1 -( 1 —> )I I2} (3-9) 이다. 그리고 우리가 취급하는 파가 렌즈의 광축 근처에서 입사 하기 때문에 x 의 값이 렌즈 반경 R에 비해 매우 작다는 패럭시
얼 근사 pa raxia l app r oxim ati on 률 사용하면 d;x) 측 운 -R{ l —(1 —룹 )} 4 x2 (3-10) =겅 --w 이고, x 에서 전체 두께는 d(x) = L1 —Tx2 (3-11) 이다. 만일 대칭 렌즈가 아니라면 윗식은 d(x) = L1 —틀 (志 —志 ) (3-12) 이 된다. 여기서 RJ , R2 는 렌즈의 곡률 반경이다. 한편 광학에 서 렌즈의 초점에+ 대=한 ( n렌 —즈1 )설( 志계자 —의志 식 )에 서 (3-13) 01 므로 d(x) = Li - x22(n~ — l)f (3-14) 이다. 그리고 이 렌즈가 아주 얇아서 파가 투과할 때 파의 위상 만 바뀌는 위상 체라고 가정하자. 앞 장에서 (2 장 2-1-2 절) 설명 한 것에 따르면 굴절률이 n 아고 두께가 d(x) 인 얇은 렌즈를 입 사 파가 투과할 때 생기는 위상 변화는 식 (2-40) 에서 /3( x) = 27rk(n —l) d(x) (3-15) 이므로, 이 렌즈의 투과 함수는
¢(x) = exp i/3( x) = exp i{2 1rk(n -1)(iJ —2( 11'\二 2 1)/)} (3-16) = exp i{2 1rk(n - l)il } exp (-2m k1J) 이고 여기서 exp i{2 1rk(n - l) il}는 x 의 함수가 아니고 렌즈를 두과하는 모든 파에 공통으로 들어 있는 위 상 인 자 ph ase fac to r 이므로 무시하고 x 에 따른 영향을 보면 두과 함수는 ¢(x) = exp (-27rik f) (3-17) 이 된다. 이것을 2 차원으로 확장하면 >(x, y) = exp ( —27 [ik x2 ;f y2 ) (3-18) 이 되 고 이 것 을 렌즈 전 달 함수 lens tra nsfe r fun cti on 라고 한 다. 이것은 파가 렌즈 중심을 벗어나 투과될 때 두과 함수가 어 떻게 변하는지를 나타낸다. 물론 렌즈의 중심 X = 0, Y = 0 에서 렌즈 전달 함수 ¢(x,y ) = 1 이다. 2 프레넬 전파자 우리는 앞에서 파가 렌즈를 두과할 때 파에 미치는 렌즈의 영 향을 수학적으로 렌즈 전달 함수로 표시하였다. 이번에는 아무것 도 없는 자유 공간을 파가 진행할 때 그것을 수학적으로 어떻게 표시할지에 대해 생각해 보자. 그림 3-2 에서 광축 z 를 따라 파 가 진행한다고 생각하자. 물체 상의 한 점 x' 에서 호이겐스의 원 리에 따라 새로운 구면파가 만들어져 진행한다고 하면 물체에서 z 만큼 떨어져 있는 면의 x 점에서 파를 어떻게 표시할 수 있는지
p
몰 알아보자. 거리 z 에 있는 떤 위에서 x' 에 도달하는 파보다 x 에 도달하는 파는 그림 3-2 에서 p'p만큼의 거리를 더 진행해야 하기 때문에 경로 차가 생긴다. 거리 p'p는 p'p = {감 + (x 一 x')2}1l2 _ Z (3-19) 이고 (x —x') 이 z 보다 매우 작다는 프레넬 근사룰 사용하면 p'p = z{1 + 뇨근 }1/2 —z 측 z + (x ;zx')2 _ z (3-20) (x —x') 2 2z
이다. 구면 파는 Aex p (21r i kr p )/r p이므로, A = l 이면 exp (2m k rp )/r p로 표시되므로 윗식을 이용하면 p점에서의 파는 1JJP = ~ exp 2mk { z + ~} (3-21) 이고 여기서 pp'가 z 보다 매우 작다고 가정하면 1JJP = -¾-e xp 27rik { z + ~} (3-22) 가 된다. z 면 상의 파는 물체에서 호이겐스의 원리에 의해 구면 파로 출발한 모든 파들이 합쳐져서 만들어지는 파이므로, 물체를 통과한 직후의 파를 lJf。 (x' )라고 할 때 관측점 p에서의 파는 키르 히호프의 회절 적분에서 1 차원으로 간단히 하면 lflz( rp) = ~ ikf l J!o(x ') ~ dx' (3-23) 이고 경사 인자를 무시하면 깐~ ( rp) = ikf l Jfo(x ') ~rp dx' (3-24) 이며 p점의 파의 전파 인자를 나타내는 것은 식 (3 - 22) 이므로 이 식을 식 (3-24) 에 대입하면 뾰 = ik fw,。 (x') ~ dx' (3-25) 이다. 다시 쓰면 lfl'z = flJf,。 (x'){ i k ~z exp 21rik ~} dx' (3-26)
이고 콘볼루션을 이용하여 표시하면 l[fz = l[f。 (x) * { ik ~ exp 2Jr ik f} (3_27) = 1[f,。 (x) * Pz( x ) 이다. 여기서 Pz(x) 를 프레넬 전파자 Fresnel pro p a g a to r 라고 하고 Pz( x ) = ik ~exp ( ~) (3-28) 로 표시한다. 죽 물체를 통과한 직후의 파인 w。 (x) 은 자유 곡간 울 진행할 때 프레넬 전파자 Pz ( x) 의 영향을 받아 그림 3 김에 나타낸 z 면 상의 점 x 에서 lJf。 (x) * Pz ( x) 인 파가 된다. z 에서의 파를 2 차원으로 확장하면 伊z = ik exp (:7[ikz ) [그: lJf。 (x', y') exp {2mk (x 一 ~}d x' dy ' (3-29) = 7Jfo( X, y) * Pz(X, y) 이고 2P 차z (x원 , 에y)서 = 프ik레 ~넬 전파자는 e xp {1!!J!i(仁 “} (3-30) 이다. 3 프레넬 줄무늬 단위 진폭의 평면 파가 입사할 때 평면 파의 전파 인자를 무시 하고 1 차원 물체의 두과 함수를 ¢。 (x) 라고 하면 물체를 지나 자
유 공간 z 를 진행한 파는 식 (3-27) 에서 7/f(x ) = ¢。 (x) * Pz (x ) (3-31) 라고 할 수 있으므로 거리 z 에 있는 면 위에서 x 점에서의 파는 1/f(x ) = 1:¢ 。 (x') ik exp (:!Iftl exp {~} dx' -OO (3-32) = ik exp (27 [ikz ) J OO¢ 。 (x') exp {~一 x') 2 } dx' Z J- oo 이 된다. 시편의 가장자리의 근처에서 생기는 프레넬 줄무늬를 알아보기 위해 어떤 1 차원 물체의 투과 함수를 계단 함수로 ¢。 (x)={~01',. XX <;;::: 00 (3-33) 라고 하면 거리 z 에 있는 면 위의 파인, 죽 탈초점인 상 면의 파는 1Jl(x ) = ~ £00 exp {~} dx' (3-34) 이고 다시 쓰면 1Jl(x ) = ~ £00 exp 룽-{/탈 —x' )r dx' (3-35) 이다. 灣 (x - x') = t (3-36) 라고두면
―른 dx'= dt (3-37) 이고 1/f(x ) = ~) 昌fif x exp (fit2) d t (3-38) 이고 프레넬 cos 적분 C(u) = luCOS (꾼기 dt (3-39) 와 프레넬 s i n 적분 S( u) = l\in (: 기 dt (3-40) 를 사용하여 나타내면 깐 (x) =~I 같 C(-oo) + iS( -oo) — C( 灣기 — i S( 근 X)} (3-41) 이다. C(oo) = S(oo) = 1/2 이고 C(_u) = —C( u), S(-u) = ― S(u) 이므로 lJf(x ) = ~ ✓ 급:{½ + C({ 프 :x) (3-42) + { + i S( 灣 :X)} 이 되고 물체에서의 거리 z 에 있는 면 위의 x 접에서의 파의 강 도는
I = {f + c 匠 )} 2 + {f + s( 平 )} 2
I = 깐 (x) 1/f*( x ) = 터仕 + C( 론x ) 『 + {½ + s( 근갑] (3- 43 ) 이 된다. 여기에서 프레넬 cos 적분과 sin 적분은 어떤 전동을 나 타내고 C(oo) = S(oo) = 1/2 이므로 윗식은 x 가 00 일 때 I = k/z 이고, x 가 -00 일 때 l = O 이 되면서 그 사이를 전동하는 형태 의 강도 분포를 지 니 게 된다. 그림 3-3 은 식 (3 - 43) 의 대 괄호 속에 있는 파의 강도를 〈깊z 됴에 따라 그린 것이다. 그림에서
보면 X > 0 에서 강도의 전동이 처음에는 크나 거리가 증가함에 따라 감쇄하고, X < 0 인 때에는 강도가 있으나 원점에서 멀어지 떤 강도는 감소한다. 첫번째 최고값은 〈 걷z [ X = 1. 2 에서 나타난 다. 탈초점 .z = Ll f를 증가시키면 최고값이 나타나는 거리 x 도 증가한다. 따라서, 탈초점을 증가시키면 줄무늬의 최고값 간격이 따라서 증가한다. 이 회절은 관측 점이 시편에서 무한대 거리에 있지 않고 가까 운 z 의 거리에 있으므로 프레넬 회절에 해당된다. 그리고 앞에
그림 3-4 면도칼에 레이저 빔을 조사하여 얻은 프레넬 줄무늬의 사전. 면
서 정초점 면의 파는 물체의 출구 면의 파로 생각할 수 있으므로 정초점에서 탈초점이 되면 탈초점 상은 탈초점 거리만큼 파가 더 진행하여 만들어지는 프레넬 회절로 상이 만들어진다고 생각할 수 있다. 전자 현미경에서 탈초점시 시편의 작은 구멍 근처에서 줄무늬 가 관찰되 는데 이 것울 프레 넬 줄무늬 Fresnel fring e 라고 하고 위에서 계산한 강도 분포 식은 바로 프레넬 줄무늬의 강도 분포를 나다낸 식이다. 그림 3-4 는 면도칼에 레이저 빔울 조사하여 프레넬 회절을 일 으켜 얻은 프레넬 줄무늬의 사전이다. 사진에서 보면 면도칼의 가장자리 바깥으로 강도의 강약 진동이 있을 뿐만 아니 라 면도칼 의 안쪽으로도 강도가 윗식에 따라서 나타남울 볼 수 있다. 3-1-2 렌즈의 푸리에 변환 성질 그림 3-5 와 같이 광축 z 축을 따라 단위 전폭을 갖는 평면 파 가 물체에 입사하는 경우를 생각해 보자. 물체에 도달하기 전의 파는 7[f(z ) = exp (21rik z ) (3-44) 이라고 하자. 물체 0 가 있는 위치의 좌표를 (x, Y) 라고 하고 물 체의 두과 함수를 ¢。 (x,Y) 라고 하면 물체 O 를 통과하여 물체의 출구 표면을 나오는 파, 죽 물체 0 의 출구 표면 파는 lfJ。 (x, y) = ¢。 (x, y) lfl(z ) = ¢。 (x, y) exp (2m'k z) (3-45) 로 표시할 수 있다. 이 파가 자유 공간 거리 a 를 지나 렌즈에 도달할 때, 렌즈에서 좌표계를 (xa, Ya) 라고 하면 렌즈에 도달하 기 직전의 파는 프레넬 전파자를 사용하여 계산하면
물체
lfla(xa , Ya) = lflo(X a, Ya) * Pa (x a, Ya) = ~fflflo(x, y) (3-46) exp {~ —x) 2 :a 27[ ik( ya _ y)2 } d.,r dy 이다. 이 파가 얇은 렌즈를 지난 후에 얻어진 파는 렌즈 전달 함 수 ¢1(Xa,Ya) 를 사용하여 계산할 수 있다. 죽 렌즈의 출구 표면 파는 7/f'a(x a, Ya) = 7/fa(x a, Ya)c/ Ji(X a, Ya) = 7/fa(x a, Ya) exp (-27rik ~) (3-47) 이 된다. 렌즈에서 자유 공간 거리 /만큼 떨어져 있고, 좌표계가 (xf, Y f)인 초점 면에서 얻어지는 파는 렌즈의 출구 표면 파가 자유 공간 I 를 지나 형성된 파이므로 프레넬 전파자를 사용하여 계산
하면 된다. 따라서, 초점 면의 파는 lf!Ax f, Yf ) = lfla'(x f, Yf ) • PAx f , Y f ) = ik ex p『!!i!sfJ._fflfl'a( x a, Ya ) (3-48) exp {~ —~ }d xa dY a 이 된다• 그리고, 렌즈에서 거리 b 만큼 떨어져 있는 (xb,Y b ) 의 좌표계인 상 면에서의 파는 렌즈 초점 면의 파가 자유 공간 (b _ f)만큼 지나 형성되므로 앞에서와 같은 방법으로 프레넬 전파자를 사용 하여 계산할 수 있다. 따라서, 상 면의 파는 1Jfb'( Xb, Yb) = 깐i- ( x b, Yb) * Pib- f1 (x b, Yb) = ik ex p I 『雪b —f|) ff깐i-( x f, Yf ) (3-49) exp {2;r ik f u 一 입:\ (f1b 一 J!Ll.} dxf dy f 가된다. 여러 면에서의 파 중 우리가 특히 관심이 있는 것은 회절상이 형성되는 렌즈의 초점 면에서의 파이다. 렌즈의 후방 초점 면의 파는 식 (3-48) 이고 여기에 식 (3-47) 을 대입하면 1Jf'f(x f, yA = ik ex p『TJi!sflff1Jf'a( xa, Ya) exp (— 2;r ik ~) exp {2mk ~@ —M } dxa dy a (3-50) 이고 여기에 다시 식 (3-46) 을 대입하면
l[ff(x f, yf) = ik ex p『7[i kf ) ff{ l[f。 (xa, Ya) * Pa (x a, Ya)} exp (— 27rik ~) (3-51) exp {2mk (xf —~ }d xa dYa 이다. 다시 정리하면 l[ff(x J, yj) = ik ex p『7[i kf ) ff{ 1Jf。 (xa, Ya) * Pa( x a, Ya)} exp (27rik 갑 :/ Yf 2 ) (3-52) exp {— 2mk 2(xfX a2; YfY a) } dxa dy a 이 된다. 그림 3-6 에서 보면 ilkx = ksin Bx = kxf /f이고 또한 ilky = k sin f)y = ky y/f이므로 식 (3-52) 에서 적분 속의 맨 끝 항 에 Xf = fil kx/k 와 Yf = I il k y /k 를 대 입 하면 鬪, Yf) = ~exp (2;r ik ~ ) jj{ w,。 (xa, Ya) • Pa (x a, Ya)} (3-53) exp {-2; r i(L lkxXa 十 Llkyy a) } dxa dy a 이 된다. 이 식은 바로 1Jfo( Xa, Ya) • Pa (xa , Ya) 를 (Llkx, Llky) 공간으로 푸리 에 변환하는 것을 나타낸다. 두 함 수의 콘볼루션의 푸리에 변환은 각 함수의 푸리에 변환의 곱이므 로
I_
ljff(x f, yA = ik ex p『7!i!sfl. exp (27rik ‘군 ;/ Yj 2 ) (3-54) ijf。 (llkx, ilky) Pa(llkx, ilky) 이다. 여기에서 프레넬 전파자 Pa(x, y) = ~ exp (2mk 4c/-) (3-55) 의 푸리에 변환을 구해보자. 프레넬 전파자의 푸리에 변환은 Pa (L lkx, Llky) = ~ ffexp (27rik o/a) (3_56) exp {一 27r i (Llkxx + Llky y)} dx dy 이고 이것을 계산하면,
麟 1kx, Llky) = exp (27rik a ) ex p[-룬 a{ (Llkx)2+ (Llk y)아] (3-57) 이 된다. 식 (3-56) 에 Llkx = h f /I 와 Llky = ky f/f를 대 입 하면 Pa(Llkx, Llky) = ~ ffexp (27rik 4 c/-) exp {-2m ( 부 x + -13/-Y )} dx dy (3-58) 이고 이것을 계산하면 戶a (Llkx, Llky) = exp (21rik a ) exp (— 21rik 꿉 :/Yf 2 ?) (3-59) 이 다. 식 (3-59) 를 식 (3-54) 에 대 입 하면 1f!A xf, Yf ) = 뚜 exp {27rik ( a + /)} exp {2mk Xf 2 ;J Yf 2 (l - ?)} ijio(4 kx, 4k>') (3-60) 또는 lfJA' xf, Yf) = 亨 exp {27rik ( a + /)} [짱( (Llkx)'+ (Llk,)' )(1 一亨)]ijio (4kx, 4ky) (3-61) 로 표시된다. 일반적인 투과 현미경의 결상 조건에서는 렌즈에서 물체까지의 거리 a 는 렌즈의 초점 거리 f와 거의 같으므로 a = f라 하면 식 (3-60) 또는 식 (3-61) 에 서 렌즈의 후방 초접 면의 파는
lJ!A xf, Yf ) = 正 {2?k(a _±__fl}_ #。 (Llk x , Llky) = ik exp {27 [ikI( a + I + z)} g。 (4kx, 4ky) (3-62) 이 되어 물체의 투과 함수에 대한 푸리에 번환이 만들어진 것을 알 수 있다. 죽 프라운호퍼 회절상이 렌즈의 후방 초점 면에 나타난 다. 렌즈는 푸리에 번환을 한 번 하여 렌즈의 초점 면에 회절상을 만 든다. 렌즈에서 결상 면까지의 거리는 b 이나 이미 초점 면까지의 파 롤 앞에서 계산하였으므로 초점 면에서 결상 면까지의 자유 공간 거리 (b- f)를 진행한 파를 계산한다. 결상 면의 파는 초점 면 의 파와 프레넬 전파자를 콘볼루션하여 얻으므로 麟 b, Yb) = lf!Ax b, Yb) • Pib- f 1 (x b, Yb) = Ti¾ exp (2TCi kl b —fl) ff lf!Axf , Yf ) (3-63) exp {2TCi k 9\ 雪 F} dxf dYf 이고 초점 면의 파는 식 (3-60) 에 나와 있으므로 윗식에 식 (3 -60) 을 대입하여 정리하면 麟 b, Yb) = ―『歸 exp {21Ci k( a + I + lb —/I)} exp (zm'k 텝广릅)ff{fr;。 (4kx, 4ky) exp {21Ci k ~ (1 -? + 回난)} (3-64) exp {21Ci k ~| 仁 F} dxf dYf
이 다 . 앞 에 서 Xf = Llkx -f 이 고 Yf = Llky -f 이 므 로 dxf = I d(1kx) 이고, dy f=/~ , )이다. 이것울 대입하면 lJfb( Xb, Yb) = — |b <7T exp {27rik ( a + b)} exp (2 7[ik 셉~)ffw.。 (Llkx, Llky) (3-65) exp {2mkXf 2 ; Yf 2 } (1 - ? + |b <7r )} exp l-2 ,ri k~ ;广} d(4kx) d(4ky) 이고 이것을 정리하면 l/fb(X b, Yb) = —w½r exp {27rik ( a + b)} exp (27rik 룹:룻)ffift:。 (Llkx, Llky) exp {m'k (x ; + y파 (1 — f + 詞〈汀)} (3-66) exp (一 2m. xb1법 녀fA!sL) d(Llkx) d(Llky) 이 된다. 렌즈의 배율은 M = b/a (3-8) 이고 렌즈의 식 눈t=+ (3-7)
에서 l/a =1 //-1/b 이므로 식 (3-8) 에 대입하면 배율 M =¾= b 岭一t) =上I _1= 旦I (3-67) 이다. 그리고 렌즈의 식 (3-7) 에서 —a1 ―一I1 +'. —b1 =O (3-68) 을 식 (3+-6(61) —적?분 +속 n의 ;¾앞에) 있= 는f( -¼지수 - 함+수 +의 t )지 수인 (3-69) 에 대입하면 0 이 되어 그 지수 함수 값이 l 이 된다. 또한 식 (3-67) 을 식 (3-66) 에 대 입 하면 鬪 b, Yb) = —--1J; r exp {21rik ( a + b)} exp (무 말M Yb2 )ff危。 (Llkx, L/ky ) exp [-21r i. {(룹 )Llkx + (情)L/ k y}] d(Llkx) d(L/ ky ) = _--J1; r exp {21rik ( a + b)} exp (2mk 말;~) 1flo( 플, 一情) = —--1J; r exp {21rik ( a + b + z)} exp (21rik 말갈)¢。(一웁-, ―꿉-) (3-70)
이다. 여기서 윗식의 물리적 의미를 생각해 보자. l/M 은 상 면 에서 파의 전폭이 1 에서 l/M 로 감소하여 강도가 감소한 것을 의 미하고 맨 앞의 -는 파의 위상이 두 번 회절로 인하여 (7r/2 + 7[ /2) 만큼 바뀌었음을 나타내고, 다음 지수 항에 있는 exp ia = exp {27rik ( a + b + z)} exp {27rik ( x~ + Yb)/(2/M)} 은 상 면 에 서 파의 위상이 물체에 입사하기 전의 파의 위상 a = 2 7f kz 에서 a = 27rk{a + b + (xi + Yb)/(2/M)} 만큼 변화하였다는 것을 나타 낸다. 또한 두과 함수의 변수가 (x, Y) 에서 (— Xb, -y b) 로 ―부호 가 들어 있는데 이는 상이 도립하여 생긴다는 것을 나타내고, 투 과 함수의 변수가 (x, y)에 서 (xb/M, Yb/M) 으로 바뀐 것은 상이 M 배의 배율로 확대되었음을 나타낸다. 비록 파의 세기가 감소 하고 위상이 변화하고 상이 도립하고 확대가 되었으나 파는 물체 의 투과 함수가 상 면에서 재현되는 것이다• 측 렌즈는 푸리에 번 환을 렌즈의 초점 면에서 한 번 하여 회절상을 만들고 또 상 면에서 초점 면의 상을 또 다시 푸리에 변환하여, 측 렌즈 하나가 푸리에 번 환을 두 번 하여 상을 만든다. 이것을 아베의 현미경 이론이라고 한다. 3-1-3 수차와 현미경 전달 함수 이제까지 생각한 렌즈는 이상적인 렌즈로써 렌즈에 들어간 정 보가 100% 전부 다음 단계로 이전된다고 생각하였다. 그러나 실 제 렌즈에서는 렌즈의 수차 aberra ti on 나 여러 영향 때문에 들어 간 정보를 100% 다 전달하지 못한다. 출력 함수를 만들어 내기 위해 입력 함수에 작용하는 수학적인 작동자를 S{ }로 표시하 자. 어떤 계에 입력을 나타내는 함수를 g1 (x)) 이라 하고 해당되 는 출력을 g2 (x 사라고 하면, g2( x2) = S{g 1( x1)} (3-71)
으로 표시할 수 있다. 앞에서 배운 델타 함수의 이전 shif ting 성 질을 이용하면 g1 (x1) = 1-:oo g誌 )8(xl _ g) dE (3 구 2) 이다. 따라서 출력 함수는 gi(x2 ) = S{g1 (x1)} = s{l-0:0 g 誌 )o(x1 - t) dt } (3-73) 이다. 여기서 g 1( t)를 요소 elemen t ar y 함수 o(x1 - t)의 무게 인자 we ig h ti n g fac to r 라고 하고, 작동자 S{ }가 각각의 요소 함수에 작동될 수 있다면 그 계를 선형 li near 이라고 하고 작동 자 S{ }를 적분 안으로 가져 갈 수 있다. 죽 gi(x2 ) = S{1_O:O g誌 )o(x1 一 t) dt} = 1:g1( t )S {o(x1 —t) } dt (3-74) 이다. 여기서 입력 공간의 좌표 f에서 델타 함수가 입력될 때 출력 공간 점 X2 에서 계의 반응을 나타내는 함수를 h(x2 ; t)라고 하면 h(x2 ; t) = S{o(x1 —t) } (3-75) 로 표시할 수 있다. 이 함수 h(x2;~) 를 계의 자극 반응 함수 im p u lse respo nse fun cti on 라고 한다. 다시 계 의 입 력 과 출력 함수를 연관시키면, g詞 = 1-O:Og 1 ( ~)h(x2 ; ~) d~ (3-76) 가 된다. 이것울 중첩 적분 su p er p os iti on int e g ra l 이라고 하고
어 떤 선형 계 든지 단위 자극 unit im p u lse 에 대 한 반응으로부터 그 선형계를 다 알 수 있음을 나타낸다. 즉 점원의 상이 어떻게 변하는지를 알면 렌즈나 조리개의 영향을 다 알 수 있다. 자국 반응 함수 h(x2 ; ~)가 거 리 (x2 - ~)에만 의존하는 함수라면 h(x2 ; ~) = h(x2 - ~) (3-77) 라고 쓸 수 있고 이 계 를 공간 불변 spa ce inv aria n t 이 라고 한 다. 공간 불변계에서 중첩 적분은 간단하게 g2 ( 지 = 1-0:0 g,( ~ )h(x2 — ~) d~ (3-78) = g,( x2) * h(x2) 로 입력 함수 g1 과 계의 자극 반응 함수 h 를 콘볼루션한 것으로 나타낼 수 있다. 윗식의 양 변을 푸리에 변환하면 두 함수의 콘 볼루션의 푸리에 변환은 각 함수의 푸리에 변환의 곱이 되므로, g2( 4k) = g1 (4k) i(4 k) (3-79) 이고 여기서 h(Llk) = 1-:0h0 (x2) exp (— 21riL 1 kx2) dx2 (3-80) 이다. 이 함수 i (4k) 를 계의 전달 함수라고 하며 역격자 공간에 서 계의 영향을 나타낸다. 식 (3-70) 에서와 같이 이상적인 렌즈의 상 면에서의 파는 후방 초접 면의 파를 푸리에 변환한 것이므로 ?Jfb( Xb, Yb) = (위 상 인자) x j{ iJio(L lkx, Llky) } (3-81) 로 나타낸다. 실제의 렌즈에서는 이 회철 면의 파가 그대로 전달
되지 못할 것이므로 이 회절 파 i[r。 (4k x, 4k y )가 역공간에서 함수 T(Llkx, L/ k y)에 의 해 진폭과 위 상이 변한다고 가정 하자. 그 러면, 결상 면에서의 파는 lflb(X b , Yb) = (위 상 인자) X y{ ifr,。 (Llk x , L/ky ) T (Llkx , L/ky ) } (3-82) 이고 두 함수의 곱의 푸리에 변환은 각 함수의 푸리에 변환의 콘 볼루션이므로, 위상 인자를 무시하여 나타내면 福, Yb) = lJl,。(플, _情) * 5{T(Llkx, L lky) } (3-83) 이다. 다시 쓰면 麟 b, Yb) = lJl,。( 출' 풀) * T(xb , Yb) (3-84) 이 다. 여 기 서 T(Llkx, L/ k y)를 현 미 경 전 달 함수 mi cr oscop e tra nsfe r fun c tion 라고 하며 이것은 렌즈의 초점 면에 있는 물체 의 공간 주파수 s p a ti al fr e q uenc y를 상으로 얼마나 충실히 전달 하는지를 나타내 주는 역 할을 한다. T(Llkx, L / k y)는 식 (3-79) 에 서 ii (4k) 에 해당하는 함수이다. 그리고 T(xb , Yb) 는 렌즈의 자 극 반응 함수라고 하고 어떤 델타 함수로 만들어진 이상적인 상 이 어떻게 넓게 퍼지고 뭉글어지는지롤 나타내는 역할을 한다. 이것은 식 (3-75) 에서 h(x2 ; ~)에 해당하는 함수이다. 1 탈초점 탈초점 de fo cus 이 되게 하는 데는 세 가지 방법이 있다. 초점 이 맞은 상태에서 먼저 렌즈에서 물체까지의 거리 a 를 변하게 하면 탈초점이 되고 그 다음 스크린을 움직여 렌즈에서 상까지의 거리 b 를 변하게 하더라도 렌즈의 초점이 탈초점이 된다. 또한
렌즈의 초점 거리 f를 변하게 해도 탈초점이 된다. 그러나 이 세 가지는 모두 렌즈 식 一a1 +,' ―1b =~ —I1 ' 츠기 (3-7) :+\+근 n=O 에서 서로 연관되어 있다. 상 면까지의 거리가 4b 만큼 변할 때 렌즈의 초점 거리 변화 4 f는 (/ +1 L'.1/) =-— a1 +,' (b +1 L'.lb ) (3-85) 이고 1// = 1/a + 1/b 이므로 4f 즈 4b 下I2 (3-86) 으로 곧 b 의 변화는 f의 변화로 변환할 수 있다. a 의 변화 역시 4f 츠 4a 一fa 2 7 (3-87) 으로 표시할 수 있다. 여기에서는 간편하게 a 나 b 의 변화를 모 두 f의 변화로 표시하자. 그림 3-7 에서 물체가 초점이 정확하게 맞는 면으로부터 렌즈에서 더 멀리 4a 만큼, 죽 4f 만큼 더 먼 거리에서 결상이 된다고 생각하자. 그러면 이 탈초점된 물체의 회절 파는 탈초점 거리인 자유 공간 4f 만큼 더 진행하여 만들어 지는 파이므로 탈초점 물체의 회절 파는 본래 물체의 출구 파와 프레넬 전파자를 콘볼루션하여 1/fN (x, y) = 1Jfo(x , y) • PN(x, y) (3-88) 로 나타낸다. 현미경 전달 함수는 역공간 죽 회철 공간에서 표시
뾰 (x, y )
된 함수이므로 윗식의 양 변을 푸리에 변환하면 %(4kx, 4ky) = Wo(Llkx, Llky) P t1A Llkx, Llky) (3-89) 이고 프레넬 전파자의 푸리에 변환은 식 (3 - 57) 에서 알 수 있고 이 변환이 현미경 전달 함수이므로 T(4kx, 4ky) = Pg (4kx, 4ky) (3-90) = exp (21rik L lf) exp [국 }4f {(4k 간 + (4ky) 2} ] = exp (21rik L 1/) exp [ —7[ 1 .A 4 f {(4k 찮 + (4k y )가] 이다. 윗식의 오른쪽의 제일 앞 항은 4kx 나 4k y의 함수가 아니 고 단순한 위상 인자이므로 이 위상 인자를 툐 L 두면 탈초점 상 의 현미경 전달 함수는 T(Llkx, Llky) = exp [—2m ; ..Llf {~}] (3-91)
로 4k x 와 4k y의 함수인 위상 변화를 나타낸다• 따라서, T(Llkx, Llky) = exp {ix(L lkx, Llky) } (3-92) 로 쓸 수 있고 여기서 위상 변화p hased i s t or ti on 는 x = - 27 [A 4f { (4kx)2 ; (4ky) 2 } (3-93) 아다. 산란 각 0 가 작을 때 0 = ilk/k = t{(il k 간 + (i/ky ) 2}1 1 2 = 11{( il k 찮 + (i/ky ) 2}1 12 (3-94) 으로 나타낼 수 있으므로 위상 변화를 산란 각의 함수로 나타내 면, x(0) = 픈 4 f룬 ex: 02 (3-95) 으로 산란 각 0 의 자승에 비례한다. 2 구면 수차 렌즈의 질은 렌즈가 물체를 상으로 얼마나 충실하게 재생시키 는지 를 나타내 주는 렌즈 수차 lens aberrati on 로 표시한다. 제 일 중요한 렌즈 수차의 하나는 구면 수차 sph eric a l aberrati on 인데, 이것은 주어진 어떤 회절 파가 렌즈의 중심 선 또는 광축 에서 어떤 각도를 가지고 진행하여 물체의 한 점이 상 면의 한 접으로 결상이 될 경우, 그림 3-8 에서 나타낸 것과 감이 이 각 도의 함수로 결상 부정확도를 나타내는 것을 말한다. 광축을 따 라 입사하는 빔을 생각해 보면 이 각도는 회절 각에 해당한다. 전자 렌즈에서 더 큰 각도로 회절하는 전자는 렌즈의 전계나 자
II
계에 의해 더 많이 굴절이 되어 렌즈의 초점보다 렌즈에서 물체 에 더 가까운 점에 초점이 만들어진다. 그래서 상 면 상의 한 점 이 퍼 지 게 되 어 혼돈 원 판 dis c of confu s io n 을 만든다. 혼돈 원 판의 번경은 산란 각 0 에 비례한다. 이 원판의 크기가 렌즈의 분해능 resoluti on lim i t 의 한 척도가 된다. 상 면에서 원판을 물 체의 면에서 원판 크기로 환산하면, 물체 면의 혼돈 원판의 반경 은 8r = Cs()3 (3-96) 이고 G 는 구면 수차 계 수 sph eric a l aberrati on coeff icien t 인 데
b pi<-...~ :o~r = MC,r l
전자 현미경 렌즈에서는 주로 수 mm 정도 되는 상수이다. 그림 3 선 에서 물체에서 산란 각 O 로 떠난 파가 렌즈에는 광축 에서 거리 R 만큼 떨어진 곳에 도달한다. 만일 렌즈에 구면 수차 가 없으면 렌즈를 떠난 파는 초점이 정확하게 맞는 가우스 상 면 Gaussia n im age pla ne 과 광축이 만나는 점 F 에 도달한다. 구면 수차가 있으면 렌즈를 떠난 파는 가우스 상 면에서 그립 3 선에 서처럼 광축에서의 거리 M or = MCs03에 있는 접 p에 도달한 다. 이렇게 진행하는 파가 렌즈에 의해 각도 변화를 일으키는데 그 각도 변화는
€s =一M了 o―r = MCbs B3 (3-97) 이다. 산란 각 () = R/a 이고, 배율 M = b/a 이며, 두과 현미경의 초점 거리는 대략 렌즈에서 시편까지의 거리와 같으므로 J= a 가 되어 이 식들을 식 (3 성 7) 에 대입하면 €s = Cs( 운 )3( 선 > R3 (3-98) =Cs 下 이 된다. 그림 3-10 에는 구면 수차가 있는 렌즈의 광축에서 거리 R 과 R + dR 의 두 부위에 도달하는 파의 궤적을 나타내었다. 구면 수차에 의한 파의 각도 편차는 두 궤적 사이의 경로 차 dS= csdR 을 만든다. 이 미분 경로 차 dS 를 적분하면 전체 경로 차 룰 얻을수 있고, 죽 S = 』 R dS = 1R€s dR = 』 R-¥-dR = ?『 (3-99) 이고 0 = R/a 츠 R/J 이므로 S =요4 ()4 (3-100) 이 된다• 이 경 로 차에서 위 상 차 ph ase dif fere nce 는 x(()) =무 s =부무 ~oc ()4 (3-101)
렌 _ 즈_
이고 산란 각 0 의 4 승에 비례한다. 이것을 4kx 와 4k y의 함수로 나타내면 x(Llkx, Llky) = 21rCs113 ~浮 }2 (3-102) 이다. 따라서, 현미경 전달 함수는
T(il kx, ilk>') = exp (ix) = exp {2J [iCs A3 (4:)4 } (3-103) 이고 구면 수차가 있는 렌즈에서 탈초점이 되었을 때의 전달 함 수는 T(Llkx, Llky) = exp ( ix) = exp [2m·{-Llf1 1~ + Cs /\ 3~}] (3-l04) 이다. 윗식에서 탈초점 값을 잘 조정하면 어떤 공간 주파수 4k 에서 탈초점과 구면 수차에 의한 위상 변화를 0 으로 하여 전달 함수를 Ei 만들 수 있다. 3 색 수차 대물 렌즈의 전류 i o 에서 분산 &.0 이 생기면 곧 초점 분산 spr ead in foc us of 가 생기게 되고 또한 전자 현미경의 가속 전 압 Va 에서 변동 oVa 가 생기면 전자의 에너지에 변동이 일어난 다. 따라서, 다른 에너지를 지닌 전자들은 다론 파장을 가지므로 그림 3一 11 과 같이 렌즈를 지나 다른 점에 초점을 만든다. 또한 필라멘트에서 나온 전자들도 에너지 분산울 지닌다. 렌즈의 초점 거리와 렌즈의 전류 및 가속 전압과의 관계는 一Il ex: Vt강a (3-105) 01 므로 보f C--X :Va으 五_i뚜o (3-106)
이고, 또 여기에 비례 상수를 넣으면 하= Cc( 情 -― 룻) (3-107) 이 다. 여 기 서 G 는 색 수차 계 수 chromati c aberrati on coeff i- cien t 이다. 가속 전압과 렌즈의 전류 변동에 필라멘트에서 나오 는 전자의 에너지 분산 oU 를 감안하여 다음과 같이 구적법으로 나타내는 것이 보통이다. 그러므로, 하 = Cc{ (문 )2 + 4( 문 )2 + (景 ) 2 }1 / 2 = iJ (3-108) 로 표시한다. 이 초점 분산 하는 식 (3-95) 에서 위상 차
I
x(B) = 픈 8f 『 (3-109) = 폰 -{Cc( 笠-)\(분 )2 + (부 ) 2 }1 / 2 〈 CX:: O2 를 만들고 이 위상 차는 산란 각의 자승에 비례한다. 또한 이를 4k 로 표시하면, x(O) = —27[ 8f A 一 (Llk『)2 (3-llO) 이다. 앞에서 탈초점과 구면 수차에 의해 생기는 위상 차는 시간 에 따라 불변하는 것인데 비해 색 수차에 의해 생기는 위상 차는 시간에 따라 증감하며 계속 변하는 것이므로 이 위상 차를 앞에 서와 꼭 같은 방법으로 현미경 전달 함수에 포함시킬 수 없다. 색 수차에 의해 각각 다른 에너지를 지닌 전자들 각각이 색 수차 가 있는 각각의 상을 만들고 이 상들이 전자 에너지의 분포 함수 에 따라 가중치를 두고 합쳐져 최종 상을 형성한다고 생각한다. 색 수차에 의한 초점의 변화 값들은 정상 분포 Gauss i an d i s t r i bu ti on 를 하므로 이것은 현미경 전달 함수를 일종의 감폭 damp ing 함수로 만든다. 따라서, 현미경 전달 함수는 T(Llk) = exp {-균 (~} = exp {―½군(하 )2112(L1k )4} (3-111) 로 표시한다. 이것은 큰 4r 값에 해당하는 정보는 상에서 작은 거리의 정보, 죽 상의 상세한 정보를 의미하는데 각 전자 에너지 가 최종 상을 만들기 위해 중첩이 될 때 제일 먼저 잃어버리게 되는 정보이다.
4 유한 렌즈 또는 대물 조리개 현미경에서는 여러 목적으로 조리개를 쓰게 되는데 조리개를 사용하면 조리개 의부의 정보를 전달하지 못하게 되므로 렌즈의 분해능을 저하시키게 된다. 또한, 무한 크기의 렌즈가 아닌 실제 의 유한 렌즈도 물체에서 나온 정보를 차단하게 되므로 무한 크 기의 렌즈에, 유한 크기의 렌즈에 해당하는 조리개를 부착한 것 과 똑같은 효과를 나타낸다. 그리고 유한 렌즈 또는 조리개는 수 학적 으로 조리 개 함수 ap e rtu r e fun cti on 로 표시 한다. 조리 개 함 수는 ¢d(x, y) = {0, 조리 개 의 (3-112) 1, 조리개 내 이다. 현미경 전달 함수는 역격자 공간의 함수이므로 조리개 함 수를 푸리에 변환하면 T(4 r) = gd(4 kx, 4ky) (3-113) 이고 조리개가 있고 탈초점 및 구면 수차와 색 수차가 있는 렌즈 의 현미경 전달 함수는 T(Llk) = ¢d 따) exp {ix(L lk)} exp {-½군(하 )2112(L1k )4} (3-114) 이다. 여기서 x(4r) = 27r{-4 fA 녓 E + C3A3(4:)4} (3-115) 이고 of = Cc{ (문 )2 + 4( 문) +(4¥)2}1'2 (3-116)
이다. 5 수렴 각 실제 전자가 시편에 입사할 때 모두 수직으로만 입사하는 것은 아니고 입사하는 전자들의 각도도 어떤 정상 분포를 지니고 있 다. 이와 같이 정상 분포를 가지며 입사하는 전자들도 또 다른 감폭 함수를 만든다. 따라서, 이 영향을 현미경 전달 함수로는 T(Llk) = exp [군景 {-4f A 4k + c 찌 3(4k) 기 (3-117) 로 - 표시한다. 여기에서 a 는 조명 발산 또는 수렴 반각으로 집속 조리개의 크기를 시편 상의 한 점으로 연장했을 때 만들어지는 반각이다. 여러 각도로 입사하는 전자들 각각이 하나 하나의 상 울 형성하는데 각도의 분포에 따라 가중치를 달리하여 합한 것이 최종 상이 되고 4r 값이 큰 것에 해당하는 정보, 죽 실공간에 서 짧은 거리의 미세한 상 정보가 제일 먼저 윗식에 따라 사라진 다. 따라서, 앞의 여러 수차와 수령 각 분포를 지니는 렌즈의 현 미경 전달 함수는 T(4r) = gd( 4r) exp {ix( 4r)} exp {一½군(하 )2A2(Llk)4} exp (구릉 기 (3-118) 이고 여기서 x(Llk) = 21r{-Llfl l ~ + Csll3~} (3-115) 이고 q = {-4fA 4 k + CsA3(4k)3F (3-119)
O] 다. 로크,기수 렵를수 렵측반 각정반의하각 면의크 기알크는 기수 는 회있 절회다 절점( 2 상이장에나 2서 -6 회 - 절4회 절 절)원. 반점의 또 크는기 에회절 비 원례하반의므 6 비점 수차 되점게산축 에란는그A된림서 다가각경 . 이우3같 ~결 에은1점2상같 에을거은물A서리 체 가y할 에 원 상점 렌때형네에을 즈 A서 의렌개지 x는 의A 즈나’ 중 가 을한 점심 결 에있지점상x서 을,나이이x 는 었' , 때x될y 으 와 ,광 y같나 때 선’ 이같은 은 상은A 있 렌 A다면에거즈. ’ 서에에리 서면서물에초 는체 점초위 있이에점접위는 서,이이의 맞 게죽퍼광한맞
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져 혼돈 원반을 만들게 된다. 이것을 비점 수차라고 하고 전자 현미경의 렌즈에서 폴 피스p ole - pi ece 의 자화가 균일하지 못하 거나 폴 피스 구멍이 원형 대칭이 되지 못하거나 또는 조리개에 서 전하가 충전될 chargi ng 때 생긴다. 그러나 이 수차는 다론 수차와 달리 현미경의 비점 수차 보정 코일 sti gm ato r 을 사용하여 거 의 완전히 없 앨 수 있다. 비 정 질 탄소 피막에 있는 작은 구멍을 탈초점하여 관찰하면 구멍의 가장 자리에 프레넬 줄무늬가 관찰된다. 이 줄무늬가 모든 방향에 대 해 방향성이 없이 잘 나타나도록 조정을 하면 비점 수차를 없앨 수 있다. 또 비정질 탄소 피막의 위상 콘트라스트를 이용하여 상 에서 알갱이들이 우선 방향성이 없이 나타나도록 조절하여 바점 수차롤 없앨 수 있다. 광학 회절기나 컴퓨터를 사용하여 비정질 상을 상 처리하여 회절상을 얻었을 때 회절상에 비점 수차가 있 으면 타원형을 나타내는데 완전히 원형 대칭이 되도록 조정하면 비점 수차를 없앨 수 있다 (3 장 3-3 - 3 절). 3-2 운동학적 이론 3-2-1 약상 근사 우리가 재생한 상 정보를 결상 과정에서 물체 자체의 미세한’ 부분까지 잘 해석할 수 없다면 분해능이 좋아도 소용이 없게 된 다. 실제 시편은 얇아도 3 차원으로 되어 있으나, 우리가 관찰하 는 것은 결상 면이나 사진 면과 같은 2 차원에서의 강도 분포이 므로 3 차원 시편에서 2 차원 상의 결상 과정을 살펴보기로 하자. 먼저 우리는 전자를 두과시킬 때 시편의 투과 함수가 무엇인지를
알아야 한다. 원자 하나에 대한 두과 함수는 원자 전위이고 (2 장 2-3 - 2 절), 원자 i의 투과 함수를 VI( 7 ) 라고 하면 원자 군의 두 과 함수, 죽 물체의 전위 함수 V( p)은 각각의 원자 전위에 따 라 달라지고 물체 내의 원자 위치에 따라 달라진다. 시편이 결정 이라면 원자가 규칙적으로 배열되어 있으므로 결정의 원자 전위 도 어떤 주기성을 가지고 있다. 그러므로 결정의 원자 전위를 주 기 함수로 생각할 수 있다. 푸리에 급수에서 주기 함수 V(r) 은 푸리에 급수로 - V( r) = ~CX3 Vn exp (27rin L 1/ c • r) (3-120) n=O 로 표시할 수 있고 여기서 Vn 은 푸리에 계수이다. 브래그 법칙 에 따르면 결정은 역격자 공간에서 4r = 홍*일 때만 델타 함수 로 매우 강한 회절 파의 전폭을 갖는다. 그래서, 투과 함수의 변 환 죽 역격자 공간의 각 부분들 중에서 4r = 홍*일 때만 중요한 값을 지니고, n4r 도 일반 역격자 벡터 5* 에 포함되므로 (n4r = 효*), 푸리에 급수에 이것을 대입하고 모든 역격자 벡터 홍*에 대해 합을 구하면, V( r) = 1g: Vg exp (21r 공* • r) (3-121) 이 된다. 식 (2-172) 에서 원자 전위가 구형 대칭이므로 V( 一 r) = V(r) 를 이용하면 V( r) = ~ fu el 따)} exp (-27Ci ilk· r) d(il k) (3-122) 가 된다. 여기서 V(r) 은 원자 하나의 전위이고 /el 은 원자 산란 인자이다. V(r) 을 결정의 원자 전위로 확장하고 적분대신 4F
= ff*<>!]서 큰 값을 지니므로 4r = 5* 에서의 값에서 합을 구하 면 V( r) = ~2mnlte~2e 요 Fg g ex p (— 27rig *· r) (3-123) = 챙 2m 『~ Fg ) exp (— 2m.i* . P) 이다. 여기서 요는 단위 포의 체적으로 연속적인 4r 에 대한 적 분대신 불연속적인 효*에 대한 합을 계산했기 때문에 전체 크기 를 맞추어 주기 위해서 더해 준 것이다. 식 (3-121) 와 윗식에서 Vg = 2 7[ mh2 e e 요 Fg (3-124) 가된다. 전자에 대한 고체의 굴절률은 전공 속에서 전자 파의 전행 속 도 Vo 와 고체 속에서 전자파의 진행 속도 v 의 비로 표시한다. 어떤 파에 대해 v = (J)/ 2 7[ k 이므로, 굴절률은 n=— Vvo =-_ Wwo//2211rrkko -=_ kk 。 //wwo (3-125) 이고, 여기서 ko 와 (J} o 는 전공 속에서 전자파의 파동 벡터와 각속 도이고, k 와 (J}는 고체 중에서 전자파의 파동 벡터와 각속도이 다. 식 (2-122) 에서 상대성 보정을 무시하고 k 와 V 의 관계를 유도하면, k2 = 2mhe2e V (3-126) 이다. 전공 속에서 전위 V = Vo 이고 원자들이 고상에서 서로 같이 모여 있을 때 각 원자 i는 자신의 원자 전위 Vi( r) 을 가지
_ 있을 것이다. 이 고상의 전체 전위 V(r) 은 어떤 원점을 기 준하여 고상 내의 위치에 따라 주기적으로 변한다. 원자 전위는 10V 정도의 크기이므로, 원자 군의 전위도 역시 이 정도 크기 일 것이다. 고체 내에서의 전체 전위는 V = Vo + V(r) 이다. 원자에 의한 순수 탄성 산란만 생각하면, E = h11 = h 쁘27[ = h -2J7 — µ(x , y)} (3-146)
전자파 e-
로 표시 한다. 여 기 서 µ(x, Y) 를 가흡수 계 수 ps eudo-absorp tion coef fici e n t 라고 한다. 이상적으로 완벽한 렌즈는 푸리에 변환을 두 번 함으로써 투과 함수의 역으로 되고 확대가 된 초점이 정확 히 맞는 상을 만든다. 초점이 맞는 상에서 파의 진폭은 lJf(x ', y') = >( —x', 一 y') = >(x , y) (3-147) 이고 상에서 관찰되는 강도는 I == eelJxxf(ppx '{{, i— fy]('i) f一 ]l(J xf- *'X,( x'—,', y—y'')y) '-) — µ(µ —( x—',x -',y 一' ) y} ') } (3-148) == eexxpp {{ —― 22µµ( ( x一, xy'), } -y')} 이다. 그러므로, 초점이 맞은 상인 가우스 상 면에서의 상에서는 위상 정보를 포함하고 있지 않고 흡수 콘트라스트만 포함하고 있다. 실제 대물 조리개는 그림 3-14 에서 보는 바와 같이 렌즈의 후 방 초점 면에 있어 파를 차단하는 것은 물체 상의 모든 점에서 광축과 어떤 각도 이상으로 회절하는 파를 가상의 조리개로써 차 단하는 것과 똑같다. 그러므로 비정질 상을 얻기 위해 회절상의 투과 빔이나 회절 빔을 조리개로써 선택하여 결상을 하면, 비정 질 시편에서 나오는 회절 파 중에서 조리개로써 정해진 어떤 각 도 이하의 회절 파만 결상에 기여를 하게 된다. 비정질 상 형성 모습이 그림 3-15 에 나타나 있다. 비정질 상은 시편의 각 점들 에서 산란된 전자가 조리개에 의해 얼마나 차단이 되고 투과가 되었는지를 나타내 주는 지도와 같다. 산란 각도에 따른 전자의 산란 계수 곡선의 모양에서 생각해
전자파원 e자- 번호가큰寒 원소
보면 10-2rad 크기의 조리개가 있을 때 원자 번호가 작은 원소 보다 원자 번호가 큰 원소가 조리개 안쪽에 비하여 바깥쪽으로 훨씬 더 많은 비율의 전자가 산란된다는 것을 알 수 있다. 그러 므로, 각 원소에 같은 수의 전자를 입사시키면, 원자 번호가 큰 원소가 더 많은 전자를 조리개 밖으로 산란시켜 조리개를 통과하 는 전자의 수는 더 작아져서, 원자 번호가 작은 원소보다 어두운 콘트라스트롤 나타낸다. 대물 조리개의 크기를 줄이면 상에 기여 하는 전자의 회절 각도를 줄이기 때문에 원소에 따른 콘트라스트 차이가 더 많이 난다. 따라서 콘트라스트 차를 크게 하기 위해서
는 작은 조리개를 사용한다. 이 경우 콘트라스트는 원자 번호의 차아 때문에 생기는데 수소와 탄소 같이 원자 번호의 차이가 작 은 원소들 사이에는 콘트라스트 차이도 작을 것이다. 생물 시편 둘은 대부분 H, C, 0, N 과 같은 원자 번호가 작은 원소들로 구성이 되어 있어, 이 시편들은 비교적 많은 부분의 전자를 투과 시켜 전자적으로 투명하나, 원자 번호의 차이가 작아 콘트라스트 차가 조금밖에 나지 않는다. 그러므로, 상의 콘트라스트 차를 크 게 하기 위해 대부분 생물 시편에서는 시편의 관찰하고자 하는 특정 부분을 Pb, Th 나 U 등의 중금속 영으로 선택적으로 염색 울 하여 관찰한다. 비정질 시편에서는 결정 시편의 두께 변화 때문에 생기는 두께 줄무늬 thi c k ness fring e 나 결정 시 편의 굴곡으로 굴곡 줄무늬 bend conto ur, 전위나 침전물 주위에서 기지의 변위로 인해 생 기는 변위 콘트라스트 str a in contr a st 등이 나타나지 않는다 (3 장 3-2-3 절) . 그러므로, 비정질 회절상에서 투과 빔만을 조리개로 선택하여 명시야 상을 얻어서 시편을 기울여 보면, 결정 시편 영 역에서는 결정에서 나타나는 두께 줄무늬와 같은 콘트라스트를 나타내나, 비정질 영역에서는 이러한 콘트라스트가 생기지 않는 다. 이것을 이용하여 시편 중의 일부 영역이 결정인지 비정질인 지를 판별할 수 있다. 3-2-3 두꺼운 결정의 운동학적 산란 • 시편 두께가 1nm 이상이면 약상 근사가 성립하지 않고 두께 10 nm 이상이면 투사 전하 밀도 근사p ro j ec t ed charge densit y ap pr oxim ati on (3 장 3-4-1 절) 가 성 립 하지 않는다. 더 두꺼 운 시 편의 경우에도 상에서 해석 가능한 정보를 얻을 수 있는 다른 방
IIII'.'I.,'.'I
법이 있다. 이 방법은 상을 형성하는 데 한 개의 빔만 선택 사용 하도록 대물 조리개를 사용하는 것이다 . 그림 3-16(a) 와 같이 상 을 형성할 때 투과 빔만을 사용한 경우 이 상을 명시야 상이라고 하고 그림 3-1 6 (b) 와 같이 어 떤 회 절 빔 하나만을 사용하여 상을 형성하는 경우 이 상을 암시야 상이라고 한다. 그림 3-16(b) 에서 보는 바와 같이 암시야 상의 경우 회절 빔은 광축을 벗어나 어떤 각도로 진행하는데 이 각도가 크면 클수록 구면 수차가 더 커지 게 된다. 암시야 상에서 이 구면 수차를 줄이기 위해 그림 3-17 과 같이 입사 빔이 시편에 경사지게 입사되도록 하여 시편을 지 난 회절 빔과 광축의 각도가 o· 가 되게 한다. 이것을 중심 암시 야 상 cente r ed dark-fi el d im ag e 이 라고 한다. 중심 암시 야 상은
IIIIIIIII•II
보통의 암시야 상보다 구면 수차가 작아 분해능이 좋은 상을 얻 을수 있다. 그림 3-14 에서 보는 바와 마찬가지로 렌즈의 후방 초점 면에 조리개가 있어 조리개가 초점 면에서 하는 역할은 물체 상의 모 든 점에서 광축과 어떤 각도 이상으로 회절하는 파를 제한하는 것이다. 결정의 회절상에서 투과 빔을 조리개로써 선택하면 시편 울 그대로 투과한 빔만 상의 결상에 기여하게 된다. 그러므로 명 시야 상은 시편에서 광축에 평행하게 그대로 투과한 빔의 강도가 얼마인지를 나타내 주는 지도와 같다. 시편에서 회절된 전자 빔 이 많이 생기는 영역에서는 투과 빔의 강도가 약해전다. 따라서, 조그만 결정립 gra in 이 많이 들어 있는 시편의 명시야 상에서 밝 게 보이는 결정립은 회절된 빔 전체의 강도가 상대적으로 약하 고, 어둡게 보이는 결정립은 회절 빔 전체의 강도는 상대적으로 강하게 나타난다. 따라서, 회절상에서 회절 빔의 개수가 많고 강 도가 강하게 나타나면서 회절상이 고대칭을 잘 이루고 있는 결정 립이나, 또는 s = O 인 2- 빔 동력학적 조건인 (3 장 3-3-3 절) 결정 립이 있으면, 그 결정립은 여러 개의 결정립이 들어 있는 명시야 상에서 비교적 어둡게 나타날 것이다. 명시야 상은 일반적으로 제일 많이 사용되는 기본적인 전자 현미경의 결상 방법이다. 그림 3-16(b) 에서 보는 바와 같이 후방 초점 면에 있는 대물 조리개로 회절상에서 회절 점 하나를 선택하면 실제로는 시편에 서 그 회절 점을 만드는 데 기여하는 각도 O 로 회절된 모든 빔 울 선택하는 것과 같다. 따라서, 암시야 상은 시편의 각 점에서 각도 O 로 회절된 빔의 강도가 얼마인지를 나타내 주는 하나의 지도와 같은 것이다. 두 개의 결정으로 만들어전 시편의 경우에 회절상에서 만들어전 회절 빔 중의 하나를 선택하여 암시야 상을 결상하게 되면 두 개의 결정에서 선택한 회절 빔을 만드는 데 기
여한 결정은 밝게 나타나고 다른 결정은 어둡게 나타난다. 이 방 법으로 두 결정이 만들어 내는 회절상에서 한 결정의 회절상을 구별해 낼 수 있다. 또한 다결정 시편의 전자 회절상에서 환의 일부를 조리개로 선택하면 환의 일부를 만드는 데 기여한 결정립 만 암시야 상에서 밝게 되고 나머지는 어둡게 된다. 이 방법은 명암에 대한 콘트라스트가 크기 때문에 다결정 시편의 결정립 크 기를 측정할 때 사용된다. 두 상 phase 으로 되어 있으면서 다결정으로 된 시편의 경우에 제한 시야 회절상은 여러 개의 환 r i n g으로 나타난다. 이 환 하 나의 일부를 대물 렌즈 조리개로 선택하여 결상을 하면 한 상 p hase 의 결정립 중에서 조리개 내의 환을 만드는 데 기여한 결 정립만 암시야 상에서 밝게 나타나고 나머지는 어둡게 나타난다. 다결정립 중에서 s = O 인 2- 빔 동력학적 조건인 결정립에서는 회절 빔아 강하기 때문에 암시야 상에서 이 결정립이 비교적 밝 게 나타나고, s ~ O 인 2- 빔 운동학적 조건인 결정립에서는 회절 빔이 약하기 때문에 암시야 상에서 이 결정립은 어두운 콘트라스 트를 보인다. 상 면에서의 파는 물체의 출구 면에서의 파와 같으므로 (3 장 3 -1-1 절), 상의 강도 I(x', y / )은 물체의 출구 면에서의 각 점 (x, Y, t)에서의 파의 강도와 같다. 시편이 두꺼워질 경우 E 를 따라 진행하는 전자가 정확한 점 (x,Y,0) 주위에서 산란하면서 전자가 시편 출구 쪽에 도달할 때는 한 점에만 도달하는 것이 아니고 어 느 범위 내에 퍼져서 도달하게 된다. 따라서, 출구 면에서 한 점 (x,Y, t)에 부정확도가 있게 된다. 전자는 여러 각도로 회절이 되나 앞에서 본 것처럼 원자에서 전자가 산란될 때는 대부분 10-2 rad 이내의 각도로 산란되므로 (2 장 2-3-2 절), 전자가 이 각도 내 로만 산란된다고 가정하자. 그리고 조리개를 사용하면 전자는 조
,',',',',.','v
리개 내부로 들어오는 각도 이내로 산란하게 된다. 그러면 시편 표면의 한 점 (x, Y, 0) 을 지난 전자는 그림 3-18 과 같이 출구에 서는 (x 土 ox, y士 oy , t)의 부정확도를 갖게 된다. 시편에서 산란 되는 범위를 볼 때 각도가 10-2rad 으로 아주 작으므로 (2 장 2-3 -2 절) 이 범위가 하나의 원주 column 내에 있게 된다. 이렇게 원 주가 만둘어 진 다고 생 각하는 것 이 원 주 근사 column app r oxim ati on 이다 [2, 3]. 물체 출구 면에서 상의 강도는 각 원주에서 만들어 지는 강도의 분포로써 이루어진다고 생각한다. 원주의 폭은 시편 의 두께가 t이면,
2 ox = 2 t tan 0 츠 2 t0 (3-149) 이다. 시편의 두께가 100 nm 이고 산란 각도를 10-2 rad 이라고 하 면 2ox = 2 nm 가 된다. 그러므로, 상에서의 강도 J(x ', Y' )는 물 체에서 각 점 (x,Y) 를 약 2nm 의 정확도로 나타낸다고 생각할 수 있다. 3-2-4 분해능 유한 렌즈의 경우 물체 상의 한 점, 즉 델타 함수가 어떻게 상 면에서 결상이 되는지 살펴보자. 먼저 조리개와 렌즈의 크기와의 관계를 알아보자. 그림 3-19 에서 보면 광축을 지나 무한대 크기 의 렌즈를 지난 파는 렌즈 후방 초점 면에 있는 조리개에 의해 선택이 되는데, 조리개의 크기에 의해 렌즈의 중심에서 파가 멀 리 벗어나는 정도 또는 산란 각이 결정이 되고, 따라서 렌즈의 크기가 결정된다. 유한 렌즈는 무한대의 렌즈에서 이 렌즈의 후 방 초점 면, 죽 푸리에 공간에 가상의 조리개를 둔 것과 같다• 이제부터 유한 크기의 렌즈는 무한 크기의 렌즈에다 렌즈 후방 초점 면에 렌즈의 크기에 해당되는 가상의 조리개를 두었다고 생 각하자. 산란 각도가 0 이고 이 각도가 작을 때 그림 2-11(2 장 2 -1-3 절) 또는 그림 3-19 에서 Llk = k'sin 0 = ksin 0 =~ (3-150) 이므로 역격자 공간, 죽 푸리에 공간에서 이 가상의 조리개의 반 경은 Llk = ksin 0 (3-151)
1IIII'|,.‘+'?_',A1':‘I
(a)
이 다. 그림 3-20 (a) 에 서 와 같이 4E 공간에서 국 좌표계를 사용 하여 이 조리개를 표시할 수 있다. 이 조리개의 투과 함수는 4r 공간에서 ¢따) = ¢(4kr, 4k8) = {10,, iillkkrr ~> iillkk == kk ssiinn 00 (3-152) 이다. 여기서 4kr 과 4k0 은 4r 공간에서 극 좌표계로 표시한 4r의 r 성분과 0' 성분이다. 상 면에서 회절 파의 크기는 푸리 에 공간의 투과 함수를 푸리에 변환하여 얻으므로 lfJ'(r , 0') = f¢(L1 k) exp {— 2m.4 r . P} d(4r) (3-153) 이때고실공간에 있는 반경 a 인 원형 조리개를 푸리에 변환했을 그 회절 파의 진폭은 (2 장 2-1-4 절) l[f(4 kr, 4k 。 ) = 7[a2 k(2277[ 4 [4 k Tkraa ) (2- 54 ) 인 것을 이용하여 lJf(r , 0') 를 구하면 lJf(r ' 初 = 7[|4 kI2 k(22r7r [r44 kk ) (3-154) 이다. 이것의 강도 분포를 그리면 그림 3-20(b) 에서와 같이 실공 간에서 반경이 r= 뿔인 에어리 Ai ry 원판을 만들고 첫번째 강도 최소가 r = 요L인lk- = k °s.i6n 1 0 = s0.i6n 1 A0 가 되고 최소 사이의 간격도 r =팔-이 된다. 그러므로, 물체 상에서 델타 함수로 표시되는 한 점은 산란 각이 0 인 유한 크기의 렌즈를 사용하여
결상울 하면 결상 면에서 반경이 r = 麟問인 에어리 원판을 만 들게 된다. 만일 물체 상의 또 다른 델타 함수로 표시되는 한 점이 존재할 때 이것 역시 결상 점에서 에어리 원판을 만들게 된다. 물체 상 의 두 점이 점점 접근을 하게 되면 결상 면에서 이 각 점에 해당 하는 에어리 원판도 점점 접근을 하게 된다. 두 에어리 원판이 접근하여 한 에어리 원판의 반경인 강도의 최소점이 다른 원판의 중심인 강도의 최고점이 그림 3-20(c) 와 같이 일치할 때를 상 면 에서 두 점을 구별할 수 있는 한계가 된다고 생각하고 이 한계를 회절로 인하여 생기는 분해능의 한계로 레일리 한계라고 한다(1 장 1-2 - 4 절). 이때 두 최고치 사이의 간격은 오L인lk_ = s0.i6n 1 A0 이고 유한 크기의 렌즈로 생기는 회절 분해능의 한계는 or = s0.i6n 1 A0 (3-155) 로 표시한다. 이것은 조리개와 회절에 의해 만들어전 것이므로 조리 개 또는 회 절 분해 능 dif frac ti on resoluti on lim i t 이 라고 한 다. 현미경은 회절에 기초를 두고 있으므로 회절에서 얻을 수 있는 물체의 투과 함수에 대한 규모 scale 정보의 분해능은 윗식에서 대략 -1 /2 이다. 8r 츠 강에서 광학 현미경의 분해능은 대략 가시 광선의 파장 길이인 0.5µm 정도가 된다. 광학 현미경 사용 가능 배 율은 약 2000 배 가 되 는데 (즉 ½
으로 의미가 없는 세부적인 것만 더 보이게 된다. 한 렌즈가 물 체에서 수집할 수 있는 회절 정보의 양은 그 렌즈의 숫자 조리개 numeric a l a p er t ure(N.A. )로 표시하는데 이것은 산란 각인 렌즈 의 수집 각 0 의 s i n 으로 N.A. = sin 0 (3-156) 로 나타낸다. 분해능은 숫자 조리개와 파장과 &= 0N..6AU. (3-157) 의 관계가 있다. 물체 상에서 델타 함수로 표시하는 점은 구면 수차가 있는 렌 즈의 (3 장 3-1-3 절) 상 면에서 혼돈 원반으로 나타나게 된다. 상 면에서 혼돈 원판을 물체의 면에서 원판 크기로 환산하면, 물체 면의 혼돈 원판의 반경은 Br = Cs 안 (3-96) 이고 G 는 구면 수차 계수인데 전자 렌즈에서 주로 수 mm 정도 되는 상수이다. 분해능은 각도에 아주 민감하게 각도의 3 승에 따라 변한다. 구면 수차 계수가 1mm 인 렌즈의 상 면에서 원자 간격의 분해능 8r = O .l nm 을 얻으려면 윗식에서 회절 각도 0 는
() < (롱 )1/3 = ( \『:::: ) = 5 x 10-3 rad = 0.3° (3-158) 이어야 한다. 이런 조건을 만족시키기 위하여 렌즈에 입사하는 전자의 각도를 5 X 10-3 rad (0.3°) 이 하로 제 한하기 위 해 서 렌즈 의 후방 초점 면에 작은 대물 조리개를 사용하는데, 다행히 입사되는 전자가 원자에 의해 산란이 될 때 전자의 대부분은 1 0 미만 의 각도로 산란되므로 ( 2 장 2 - 3 - 2 절 ), 산란된 전자 파의 강도가 그다지 약해지지는 않는다. 실제 대물 조리개는 렌즈의 초점 면 에 있는데 그림 3-1 4 에서 보는 바와 같이 조리개가 초점 면에서 파를 제한하면 물체 상의 모든 점에서 광축과 어떤 각도 이상으 로 회절하는 파를 제한한다. 큰 배율을 만들기 위해서는 대물 렌 즈에 바교적 가까운 수 mm 거리에 물체를 두게 되는데 각도는 거의 결정되어 있으므로 이 거리에서 조리개의 크기가 결정된다. 예를 들어 조리개가 물체로부터 2mm 만큼 떨어져 있다면 조리 개의 반경은 rape rt u re = (2 mm)(5 X 10-3 r ad) = 10-2 mm = 10 µm (3-159) 이다. 조리개는 렌즈가 수집하는 회절 정보 중 회절 각이 일정 값 이 상인 파를 제한하므로 물체의 두과 함수의 고차 푸리에 성분을 제의시킨다. 그러므로, 조리개를 사용하는 경우 물체의 더 세밀 한 부분에 대한 정보를 잃게 되어 분해능이 나빠지게 된다. 조리 개는 역격자 공간의 원점, 죽 초점 면에서 초점 주위의 일정 부 분에서만 전자가 두과될 수 있도록 하는 역할을 한다. 실격자와 역격자 공간은 항상 역관계에 있으므로 역격자 공간에서 조리개 가 멀리 있는 정보를 차단하는 것은 실공간에서 아주 미세한 정 보를 없애는 것과 같다. 결정에서 브래그 회절된 빔을 보면 일반 역격자 벡터 gtk l 이 크면 클수록 |gtki l = 1/dhkl 이므로 실격자에 서 {hkl} 면 간격은 좁아질 것이다. 만일 조리개로 홍2 % 회절 빔 보다 밖에 있는 회절 빔울 제한하면 실공간에서 {220} 면 간격보 다 더 미세한 정보는 얻을.수 없다. 조리개가 제한하는 각도는 아주 작은 각도이므로, sin 0 ~ 0 가 되어 조리개와 회절에 의한
분해능은 or = 0.6(1) 11 (3-160) 이 된다. 구면 수차에 의한 분해능과 회절에 의한 분해능은 회절 각도에 따라 서로 반대로 변한다. 위의 두 가지 영향에 의한 두 분해능 의 합은 or = 0.61 강 + Cs03 (3-161) 이고, 위 값이 최소가 될 때 가장 좋은 분해능을 얻는 것이다. 이때의 각도는 f)* = 0.61 훑커다. 이 각도 값을 윗식에 대입하면 제일 좋은 분해능, 죽 최소값은 or = cs( 망 A )3 (3-162) 또는 Br = 0.7 Cs114tl 314 (3-163) 울 얻을 수 있다. 윗식을 살펴보면 구면 수차 계수가 작은 렌즈 를 사용하면 분해능이 향상됨을 알 수 있다. 또한 가속 전압을 높여 주면 파장이 짧아지므로 역시 분해능이 향상된다. 한 예로 300kV 현미경에서 파장은 1. 969 pm<가므로 구면 수차 계수 Cs 가 1. 8m 따면 얻을 수 있는 분해능은 8r == 02..47 (1X. 8 1 0X- 1100 -=3) 101.42(41 .n 9m6 9 X 10-12)314 (3-164)
가 된다. 분해능은 식 (3 - 163) 에서 구면 수차 계수의 1/4 승에 비례하고 파장의 3 / 4 승에 비례하므로 파장을 줄이는 효과가 수 차 계수를 줄이는 효과보다 훨씬 크다. 이것이 전압을 높게 하여 높은 분해능을 얻도록 하는 고분해능 고압 전자 현미경 hig h ~r e solu- tion hig h -volta g e electr o n mi cr oscop e 의 기 본 원 리 이 다. 위에서는 간단히 회절과 구면 수차에 의한 분해능 저하만 생각 하고 탈초점, 색 수차, 수령 반각은 무시하였다. 그러나 이런 무 시한 값들이 분해능에 영향을 미칠 경우가 많으므로 고분해능 전 자 현미경의 경우 이 모든 요소들을 다 고려하여야 한다. 고분해 능 현미경학에서는 상에 대한 구면 수차와 탈초점의 영향을 콘트 라스트 전달 함수로 표시하고, 콘트라스트 전달 함수의 절대값이 1/ e 보다 큰 공간 주파수 spa ti al freq u ency 범 위 가 최 대 로 되 는 때에, 원점울 제의하고 처음으로 전달 함수가 O 이 되는 공간 주 파수에 해당하는 거리를 쉬르처 분해 한계 Scherzer resoluti on lim i t 로 (or)scherzer = 0.7 C/14 11 314 (3-165) 로 정의한다 (3 장 3-3-2 절). 현미경의 분해능을 생각할 때는 그 결상의 방법에 따라 분해능 에 미칠 수 있는 모든 요소들을 다 고려하여야 한다. 명시야 상 과 암시야 상에서는 시편의 두께가 t일 때 식 (3-149) 에서 (3 장 3 -2-3 절) 혼돈 원반의 반경은 (or)t = t0 (3-166) 로 생각할 수 있다. 명시야 상이나 암시야 상에서 조리개나 유한 렌즈와 구면 수차가 있는 경우에 일반적인 명시야 상이나 암시야 상을 만드는 시편의 두께가 매우 크므로, 최종적으로 관찰되는
혼돈 원반의 반경은 시편 두께 t에 의해 지배된다. 그러므로 분 해능은 or = t0 (3-167) 라고 할 수 있다. 그러나 극단적으로 t가 아주 작은 경우에, 예 롤 들면, 굉장히 얇은 탄소 피막 위에 짧은 간격으로 있는 두 Pt 원자를 명시야 상으로 관찰할 때, 분해능은 시편 두께에 의 한 분해능 저하와 함께 구면 수차에 의한 분해능 저하 衍 = Cs 03 (3-96) 와 유한 렌즈와 조리개에 의한 수차에 의한 분해능 저하 or = 0.6。 U (3-160) 롤 함께 고려하여야 한다. 주사 전자 현미경 (SEM) 과 투과 전자 현미경에서 미소 빔 회 절이나 주사 투과 전자 현미경 scannin g tra nsmi ss io n electr o n m i crosco py에서와 같이 분해능 자체가 시편 위에 조명되는 전 자 탐침p robe 의 크기에 영향을 받는 경우에는, 분해능이 탐침 에 의해 만들어지는 혼돈 원반의 크기에 의해 결정된다. 탐침의 기하학적인 반경이 (8r)o 라고 하고 유한한 집속 렌즈나 조리개 에 의한 혼돈 원반 반경을 (or)d, 집속 렌즈의 구면 수차에 의 한 혼돈 원반 반경을 (or)s, 색 수차에 의한 혼돈 원반 반경을 (or)C 라고 하면 최종 탐침 혼돈 원반의 반경 or 은 다음 식 [4] (Br)2 = {(Br) 。 }2 + {(Br)d}2 + {(or)s}2 + {(Br)c}2 (3-168) 에서 구할 수 있다. 일반적으로 열 이온 전자 총에서는 탐침의 기하학적인 반경 (8r)o 와 구면 수차에 의한 혼돈 원반 반경
(or)s 가 최종 탐침의 혼돈 원반의 반경, 즉 분해능을 결정하는 데 주역할을 한다. 3-2-5 완전 결정의 운동학적 상 콘트라스트 주기적인 전위 V( p)을 가진 얇은 두께 8z 의 결정 시편에서 회 절 파의 전폭은 식 (3-145) 에 서 IJfg = 2m. fv; vg e xp {2m·c fa + 효*) • r} oz (3-145) 이다. 미분의 두께 dz 에서 나온 회절 파의 미분 전폭 d lJfg는 아주 작으므로 dl/ fg = 27ri- /v; Vg exp {2m·( ko + g*) • f} dz (3-169) 라고 할 수 있다. 일반 역격자 벡터 홍*에서 이월드 구까지의 거리롤 나타내는 편차 변수 5 가 0 이 아닐 때는 k'=ko+ 맑+홍 (3-170) 가 된다. 양 변을 자승하면 If'l 2 = Ifo + 접기 + 2|& +흉기 1 홍| cos a + |홍 |2 (3-171) 이고 여기서 a 는 & + 맑와 홍 사이의 각이다. 홍의 크기는 『( 와 홍덕 크기보다 훨씬 작으므로 윗식에서 셋째 항을 무시하면 I 評 = lfo + ff*12 + 21 fo + 효기 1 히 cos a (3-172) 이고
띠 =-I_2 評J f o — + 1f& f기 + c o효s 기a 2 (3-173) 이다. 여기서 :는 역격자 공간에서의 크기이므로 이와 유사하게 어떤 거리의 역수로 &1 = | & + 51 기 cos a 2n ilei2e vg (3-174) 로 정 의 하자. 여 기 서 E g를 소멸 거 리 exti nc ti on dis t a n ce 라고 하고 & = 2mh2e e Ii + 맡Vg | cos a (3— 17 5) 이다. 슈뢰딩거 파동 방정식에서 상대성 보정을 무시하고 k 를 구하면 식 (3-126) 을 얻을 수 있어 k2 = 2ml1e2e V (3-126) 이고 전자 현미경에서 전위 V = Vo + V(r) 이나 원자 전위 V(r) 은 전자 현미경의 가속 전위 Vo 보다 훨씬 작으므로 k2=h2~ (3-176) Vo= 2hm2ke2e 으로 쓸 수 있다. 전자 회절에서는 파장이 격자 상수보다 훨씬 짧아서 |&I }> ll 기이므로 |& + 홍기 즈 lfo l = I 짜 = k 라고 할 수 있으므로 식 (3-175) 에 서 gg = 2mh2e e ko cVogs a (3-177)
이다. 다시 쓰면 &=(昌o : ) 言 (3-178) 이고 여기서 식 (3-176) 을 대입하면 & = Vok 。c oVsg a (3-179) 이 다. 식 (3 ― 124) 에 서 Vg =~h2 Fg (3一 124) 이 고 식 (3― 177) 에 대 입 하면 & = 2mh2e e (I k, o c-o-s- a. )\ 2ml1n2eFeg Q (3-180) = 처 : o QF gc os a 이 고 식 (3-124) 을 식 (3-179) 에 대 입 하면 & = Vo cko 。 s a 2mh2 따F ge Q = 2 7fm he2 e요 Vok ocoFsg a (3-181) 이다. 전자 회절에서 1&I = |짜 > 1 효기이고 산란 각 0 가 1° 미만 의 작은 각이므로 & + 5* 와 홍 사이의 각 a 도 작은 각이다. 그러므로 cos a = 1 이라고 할 수 있으므로 식 (3-177) ~ (3-181) 에서 &= 2mh2e e 上vg
l12 短 1 2mee k 。 Vg k 。V vo g (3-182) Jrk o 요 Fg = 2mnh2e eQ 孟V回o 이다. 이 소멸 거리 tg는 여기에서 보면 vg 가 커짐에 따라, 죽 전자 빔과 시편과의 상호 작용이 심하게 되면 소멸 거리가 짧아 지고 Vg 가 작아짐에 따라, 죽 원자 번호가 낮아 상호 작용이 약 해짐에 따라 소멸 거리는 길어진다. 또 구조 인자 Fg = 2,f/1 exp (— 2m g*· r j)에서 원자 번호가 커짐에 따라 /J e1 은 커지고 4 따r 라서 Fg 가 증가하여 소멸 거리가 짧아진다. 같은 원소에서 k = g*가 커짐에 따라 /Je I(4F = g*)가 작아져서 소멸 거리가 길 어 진다. 또한 소멸 거 리 ~g는 동력 학적 회 절 이 론 dy n ami ca l dif fra cti on the ory 에 서 s = O 일 때 시 편 두께 가 변 함에 따라 투 과 빔 또는 회절 빔의 강도가 주기적으로 ()o] 되는 두께 사이의 거리이다. 즉 강도가 사라지는 두께 사이의 거리이다. 편차 변수 홍가 ()o] 아닐 때 ic' = ko + 접* + 홍 (3-170) 이고 거리 벡터 7 을 격자 벡터 rn 으로 간주하여 식 (3-145) 에 대입하면 :g = 2m· 흙 Vg exp (zm· 『'• r) oz = 21ri 長 Vg exp {21ri( ko + g* + 홍) • Pn} 8z (3-183)
식 (3-179) 에서 cos a = l 인 소멸 거리 &=——k 。M v—) g (3-184) 롤 대입하면 회절 파의 미분 진폭은 dlJ fg = 또Eg exp {27 fi( ko + ll * + 홍) • Pn} dz (3-185) 이다. 항 exp (27 fiko · r 김은 강도를 계산할 때 없어지는 위상 인 자이고, exp (27 fig* • rn) = 1 이므로 윗식은 d 깐g = 프- exp (27r i훈 킵 dz (3-186) ~g 로 된다. 윗식은 미분 두께에 대한 것이므로 두께 t인 시편에 대해서는 두께 t가 되도록 적분을 하면, lJfg = f fo1 exp (27r i홍 • Pn) dz (3-187) 이다. 전자가 산란할 때 일반적으로 아주 작은 각도로 산란하므 로 거의 수직으로 입사하면 S = Sz 이므로 홍· rn = sz 가 되어 윗 식은 깐g = 틀 itexp (21ris z ) dz (3-188) 이고 z 의 원점을 두께의 가운데로 잡으면 1/fg == 또프~-g Jft -½s;t ei n x p( 7 [(s2t m) .sz) dz (3-189) ~g • ;rst
이 된다. 이 식을 운동학적 적분 kin e mati ca l int e g ra l 이라고 하고 이 결과는 이제까지 해왔던 중절모 함수의 푸리에 번환의 결과와 유 사한 것이다. 배율을 고려하지 않으면 5* 에 해당하는 회절 빔에서 형성된 상의 강도, 죽 암시야 상의 강도 분포는 Jg( X', y') = /g( X, y) =福*=(근 )2~ (3-190) = 亢 s i급 (Jrst ) 이고 여기서 s 와 t는 각 원주 (x, y)에 따라 변하는 함수이다. 결정을 기울이거나 입사 빔울 경사시켜 회절상에서 투과 빔과 단 하나의 회절 빔만 강하고 나머지 빔들의 강도는 무시할 정도로 작게 되었다고 생각하자. 이와 같이 2 개의 빔만 있는 경우를 2- 빔 조건 tw o-beam condit ion 이 라고 한다. 앞에 서 입 사 파의 전폭을 1 로 생각하였으므로 입사 빔의 강도는 l 이고 모든 투과 빔과 회절 빔의 강도의 합은 1 이다. 죽 2- 빔 조건의 경우 명시야 상과 암시야 상은 상보 관계가 있다. 죽, Io(x, y) + ]g(X , y) = 1 (3-191) 이고 두과 빔의 강도, 죽 명시야 상의 강도 분포는 Io(x, y) = 1 -# Jg(,xz, y ) = 1 - s i급 (7rst) (3-192) 이다. 편차 변수 s 가 고정되어 있는 경우 암시야 상을 나타내는 식
(3-190) 과 명시야 상을 나타내는 식 (3-192) 를 보면 그림 3-21 (a), (b) 에 나타낸 것처럼 두께 t를 증가시킴에 따라 상의 강도 는 sin 함수의 제곱에 따라 진동하는 것을 알 수 있다. 그립 3 -21 에서 D 는 어두운 부분을, E 즌 밝은 부분을 나타낸다. 이와 같이 s 가 일정할 때 두께 t가 변함에 따라 상에서 생기는 밝고 어 두운 띠 모양의 콘트라스트몰 두께 줄무늬 thi c k ness fring e 라 고 한다〔 5]. 2- 빔 조건의 경우 암시야 상과 명시야 상의 대표적 인 두께 줄무늬 모습을 그림 3-21(c) 에 각각 나타내었다. 이것은 실리콘 시편을 관찰한 것으로 이온 연마로 얇아져서 밝게 보이는 시편의 모서리로부터 아직 연마가 덜 되어 두꺼운 어두운 곳으로 시편의 위치가 변함에 따라 밝고 어두운 줄무늬가 주기적으로 배 열되어 있는 것을 볼 수 있다. 편차 변수 s 가 001 면 회 절 파의 전폭은 식 (3-189) 에서부터 1J/g = —iE7g[t lxi -mO sin 7 [(s7t [ s t ) (3-193) =뜨~gL 1~ = .玩,._ J~g_ 이 된다. 그리고 t = ~g이면 파의 진폭 lJfg = 7r = 3.14 가 되어 본래 입사 파의 전폭 1 에 비해 3.14 배나 크다. 들어간 파보다 나온 파의 진폭이 더 크므로 이것은 두께 t = ~g이고, s = O 인 브래그 조건인 경우에는 운동학적 근사는 맞지 않게 된다는 것을 의미한다. 거리의 단위인 소멸 거리는 낮은 차수의 효 hkl 인 경우 대략 수십 nm이 다. 예를 들면, 알루미늄의 경우 다음 표 3-1 과 같다. 차수가 증가함에 따라 소멸 거리는 점접 증가하는데 이것 은 소멸 거 리 식 (3-182) 의 분모에 있는
lo
500nm
표 3-1 알루마늄의 경우 역격자 벡터에 대한 소멸 거리
Fg = ~/i exp {一 27r i (hu + kv + lw)} (2-240) 식에서 차수가 증가함에 따라 산란 각 0 가 증가하여 원자 산란 계수 fj가 점점 감소하기 때문이다 (2 장 2-4-3 절). 위에서 본 바와 같이 s = O 일 때는 운동학적 근사를 만족하기 위해서는 시편의 두께가 매우 얇아 1/fg
sin (nst)
험에서 S3 g•롤 0 으로 잡아주면 l g hkl 의 편차 변수는 식 (3-246) 에서 (3 장 3-3-3 절) &g• = 10-2 nm-1 이다. 시편의 두께 t가 100 nm 라면 s = 1/ t가 성 립 하여 sin (7rs t)/(Jr s t)의 값이 0 이 되 어 운 동학적 근사를 만족하게 된다. 이 경우 l g hkl 에서 편차 변수 s 의 크기가 1/ t로 001 아니기 때문에 lg h kt 빔의 세기는 상당히 약하 다. 그러 므로, 이 조전을 약빔 조건 weak~beam condit ion 이 라 고 한다. 그림 3-22(c) 는 이런 약빔 조건이 되도록 시편의 방향 울 조정한 후 대물 조리개를 이용하여 회절된 빔으로 암시야 상 울 얻을 때의 회절 조건을 나타낸 것이다. 시편 두께 t가 일정하고 편차 변수 s 가 변할 경우, 즉 시편의 격자면이 휘어져서 회전이 되면서 방향이 변하는 경우 식 (3 -190) 에서 회철 빔의 강도는 Jg = 접1 sin 2 s(21 rst ) (3-190) 이고 2- 빔 조건의 경우 명시야 상의 강도는 I。 = l —/g = 1 —」 sin 2 s(27[ st ) (3-192) 으로 그 강도가 sin 2 (7rs t )/s2 에 따라 변한다. 이 와 같이 그림 3 -23(a) 에 나타낸 것처럼 두께가 일정할 때 s 의 변화에 따라 나타 난 콘트라스트를 굴곡 줄무늬 bend conto ur 라고 한다. 그림 3 -23(b) 는 굴곡 줄무늬를 찍은 명시야 상이다. 전자 현미경 시편 은 매우 얇은 박판 형태를 가지는데 시편 자체의 무게 때문에 격 자면이 휘어져서 굴곡 줄무늬를 잘 만든다. 이 사전은 Si 기판 위에 분자선 에피택시로 성장시킨 Sio .s Geo.2 박막 충의 단면 투과 전자 현미경 사전으로 굴곡 줄무늬를 찰 나타내고 있다. 박막 충 에서 다결정인 부분에는 굴곡 줄무늬가 생기지 않으나 박막 총
Ig
중에서 단결정인 부분에는 굴곡 줄무늬가 나타나 있고 아러한 줄 무늬는 박막/기판 계면을 지나면서 연속해 있으므로 박막과 기판 이 정합 계면을 이루고 있음을 알 수 있다. 3-2-6 결함의 운동학적 콘트라스트 운동학적 kin e mati ca l 조건에서 균일한 두께의 얇은 시편에서 의 상은 콘트라스트가 없는 강도가 균일한 상을 얻는다. 만일 결 정 속에 결함이 있으면 이것이 콘트라스트 변화를 만들어 낼 수 있다. 이제까지 우리는 원자 하나 하나의 이동 벡터보다는 단위 포의 이동 벡터를 주로 이용하여 문제를 풀어 왔으므로 여기서도 결함에 의해 생기는 원자 하나 하나의 변위 d i s p lacemen t보다는 결정에서 단위 포의 변위를-생각하고 그 변위 벡터를 R(r) 로 표 시하자. 단위 포의 원래 위치 7 군] 결함의 영향으로 새로운 위 치 rn 으로 이동했다면 r~ = rn + R(r) (3-195) 이다. 여러 결함 중에서 적층 결함 s t ack i n g fa ul t은 이동 벡터 R(r) 이 위치에 따라 변하지 않고 일정하여 R(r) = R 이며 제일 간단하게 이해할 수 있으므로 적층 결함부터 공부하기로 하자. 그림 3-24 는 면심 입방정의 적층 결함을 보여주는 고분해능 전 자 현미경 사진이다. 그림에서 ABC 는 면심 입방 격자의 적충 을 나타내는데 결함이 없는 경우에 적층 순서는 ABCABCAB- CAB 가 되나 ABCA 다음의 모든 충을 강 <112> 로 이동시키면 적층 순서는 그림과 같이 . ABCACABCABC 가 된다. 그러므로,
그립 3-24 면심 입방정의 적충 결함을 보여주는 고분해능 현미경 사진.
적층 결함은 위치가 변하지 않은 윗부분의 결정과 위치가 R(r) 국 < 112 > 만큼 변한 아랫부분의 결정으로 양분한다고 생각할 수 있다. 그림 3-25 와 같이 적층 결함이 원주 (x, y)를 상하 두 부분 l 과 Il 로 나눈다고 생각하자• 윗부분 l 은 완전한 결정이 고 아랫부분 Il 는 단위 포가 새로운 위치 r~ = rn + R (3-196) 로 이동하여 적층 결함이 만들어졌다고 생각하자. 그러면 원주의 윗부분은 완전한 결정이므로 회절 파의 미분 진폭은
I
d 깐g == 뜨—g~i7-ggf eexx pp ({2z7mr i · (홍 접·* r n+) d홍z) • rn} dz (3-197) 이고 아랫부분은 단위 포의 위치가 새로운 위치로 이동하였으므 로, 회절 파의 미분 진폭은 dl/ f'g = 꼬Eg ex p {2TCi (g* + 홍)· 킵 dz (3-198) = 또~g ex p {2 7fi(효* + 홍)·( rn + R)} dz
이고 일반적으로 R ~ Pn 이고 홍 의 크기도 g*의 크기보다 작으 므로 흙 R 이 작아서 exp (2TC i 홍 .R) 즈 exp (0) = 1 이고 정*. f n 은 정수이 기 때문에 exp (2TCi g* • Pn) = 1 이므로, dl/ fg = 프 - exp (27ris · P,,) exp (27rig * • R) dz (3- 1 99) ~g 이다 [3-1, 3- 이. 항 ex p (27r i효 *.R) 은 위상 변화를 나타내고 a = 2 갭 *.R 로 표시하고 위상 각p hase ang le 이라고 한다〔 6]. 윗 면에서 적층 결함까지의 깊이를 원주에서 h 이라고 하고 전체 두
cos 2ns(i t -ti)
전자빔
접1 1
께 t에 대해 회절 파의 미분 전폭을 적분하면 회절 파의 전폭은 l/fg = f。t d1/ fg (3-200) = 嗣 l11ex p (27ris z ) dz + L1exp (27ris z ) exp (ia) dz} 이다[긴. 또한 상의 강도는 /g = 1/fg 1/fg * = (¾)2[sin 2 (7fSt + 망) + sin 2 (운) (3-201) —2 s in (운) sin (7fst + 운) cos {27 fs (½t —f1 ) }] 이다. 대괄호 속 첫 두 항은 적층 결함이 원주 (x, y)와 만나는 깊이 h 에 무관하고 세번째 항만 깊이 h 에 따라 변하여 그림 3 -26 과 같이 깊이 주기 1/s 로 된 cos 무늬를 만든다. 만일 적층 결함이 비스듬히 놓여 있어 h 이 변한다면 그림 3-27(a) 에 나타 난 적층 결함을 따라 같은 깊이에는 같은 콘트라스트로 마치 등 고선과 같은 무늬를 나타낸다. 실제 재료 내에서 관찰되는 예를 그림 3-27(b) 에서 보여주고 있다. 이 사진은 302 스데인레스 강 내의 적층 결함의 콘트라스트를 보여주는 명시야 상이다. 무늬 사이의 간격은 1/s 에 따라 변하므로 s 가 커지면 점점 줄어든다. 만일 이동 벡터 R 이 일반 역격자 벡터 접*에 수직이면 효 *.R = ()o]고 위상 각 a 도 역시 ()o] 되어 적층 결함이 시편 내에 존재해 도 윗식에서 h 에 따른 상의 강도에는 아무 변화가 없고 완전 결정의 경우와 같은 식이 되어 적충 결함에서 어떠한 콘트라스트 도 나타나지 않는다. 몇 개의 회절 빔을 각각 사용하여 상을 만 들어 위의 사실을 이용하면 적층 결함의 이동 벡터를 알 수 있
sc > O sC = 0 seff < o
다. 전위와 같이 위치에 따라 이동 벡터 R(r) 이 변하는 결함에 대 해서도 알아보자• 각 원주 (x,Y) 를 생각할 때 중요한 점은 깊이 z 에 따른 R(r) 의 변화 죽 변형장 s t ra i n fiel d 이다. 여기서 변형 장의 역할은 각 원주의 격자면을 d /3= dR(r)/dz 로 회전하는 것 이다. 이렇게 격자면이 회전하면 그 부분의 편차 변수가 그 부분 에서 바뀌는 것과 같다. 어떤 원주에서 격자면의 회전으로 생기 는 s 의 변화를 포함한 전체 편차 변수는 Serr = S + 흥 * • dRdz(r ) (3-202) 이다. 그림 3-28(a) 에서 결함이 없을 때 s= ()o]라고 생각하면 전 위 중심 dis l ocati on core 의 왼쪽 부분에서는 회전된 면의 수직 선 죽 역격자 벡터의 방향이 이월드 구의 안쪽으로 변하기 때문 에 Se ff가 양이고 전위 중심 오른쪽 부분은 회전 면의 수직선, 죽 역격자 벡터의 방향이 이월드 구의 바깥쪽으로 변하기 때문에 Se fr 가 음으로 변한다. 만일 결정을 반시계 방향으로 더 회전하여 전위 · 중심의 오른쪽 부분의 Se ff가 ()o] 되면 중심 주위의 Se ff변화 는 그림 3-28(b) 와 같고 전위 중심 주위의 강도 변화는 그림 3 -28 (c) 와 같다• Se ff가 0 일 때 그 원주에 해 당되 는 곳의 강도가 최대로 될 것이다. 이와 같이 전위 중심 주위에 강도 변화가 있 어 전위가 없는 곳과 콘트라스트 차이를 나타내게 되어 전위를 볼 수 있게 된다. 그림 3-29 는 Si 기판 위에 분자선 에피택시로 성장시킨 GaAs 박막 속에 생긴 전위들의 모습을 보여주는 명시 야상이다. 그리고 그림 3-28(c) 에서 보는 바와 같이 강도가 최대가 되어 전위 상이 만들어지는 곳과 전위 중심은 상당히 가까운 곳에 있
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지만 반드시 일치하지는 않는다. 그림 3-28(b) 와 (c) 의 경우에는 전위의 상이 전위 중심의 오른쪽에 있게 된다. 이와 같이 전위의 콘트라스트는 s 변화에 따라 변하게 되므로 만일 굴곡 줄무늬가 전위 선을 지나가게 되면 전위가 나타나는 쪽이 바뀌게 된다. 시 편 내에 전위 환 d i sloca ti on loop 이 있을 때 이 전위 환은 대개 시편에 경사지게 놓이게 되는데, 전위 환의 상이 실제 전위의 밖 에서 만들어지는지 안에서 만들어지는지를 판별하여 전위 환이 고유성 int r i n s ic , 또는 의 부성 extr i n s ic 인 지 를 구별할 수 있 게 된다. 다.전 위버에거서스 주벡된터 의변 형방은향 이버 거효*스에 Bu수rg직e 이 rs 라면벡터 점 *.5 ¥ 로 되=어 있o 이 되어 콘트라스트가 생기지 않는다. 이것을 이용하여 버거스 벡터의 방향을 알 수 있다. 죽 2- 빔 조건으로 결정을 기울인 다
음, 암시야 상이나 명시야 상을 얻는다. 그리고 갑은 위치에서 또 다른 맑롤 이용하여 2- 빔 조건을 만든 다음 상을 얻고, 또 다른 맑롤 이용하여 같은 위치에서 상을 얻어 어떤 흉*에서 콘 트라스트가 없는지를 판별한다. 콘트라스트가 없으면 버거스 벡 터가 맑에 수직임을 나타낸다. 정확한 버거스 벡터의 방향을 결
그림 3-30 Al-4%Cu 시편에서 만들어진 석출물(화살표로 표시)의 2 - 빔
정하기 위해서는 적어도 2 개의 5* 에 대해 홍 * . b = o 이 되는 것을 찾아야 한다. 본래의 기지 체적보다 크거나 작은 체적을 차지하는 정합 coherent 석출물의 경우에, 주위의 변형장은 석출물 주위에서 대칭이라고 생각할 수 있다. 기지와 석출물의 주된 변위는 방사 상 rad i al 이 되어 모든 방향으로의 변위 R( y)이 만들어전다. 여 러 방향 중에서 반드시 효*에 수직인 R(r) 이 있어 이 R(r) 방 향으로는 ff*· R (r ) = ()o1 되어, 효*에 수직한 방향으로 콘트라 스트가 없는 선 line of zero contr a st 이 생 긴다. 이 렇 게 생 긴 작 은 석 출물의 상 콘트라스트는 커 피 콩 coff ee bean 과 같은 모습 울 지녔으므로 이를 커피 콩 콘트라스트라고 한다. 5* 롤 바꾸어 주면 항상 맑에 수직한 방향으로 콘트라스트가 없는 선이 만들 어진다. 그림 3 - 30 은 Al-4%Cu 시편에서 만들어전 석출물(화살 표로 표시)의 2- 빔 명시야 상 사전이다. 회절상에서 얻은 역격자 벡터가 효 2% 으로 사전에 표시되어 있고 석출물의 콘트라스트를 살펴보면 역격자 벡터 효 2% 에 수직인 방향으로는 콘트라스트가 생기지 않아 형성된 커피 콩 콘트라스트를 나타내고 있다. 또한 석출물 자체의 원소 구성이 기지와 상당히 다르면, 결정 전위 V(r) 이 기지와 상당히 달라져 이로부터 또한 콘트라스트를 형 성한다. V(r) 이 식 (2-168) 에서 본 바와 같이 구조 인자와 관 계가 있기 때문에 이 콘트라스트를 구조 인자 콘트라스트라고 한 다. 석출물이 반정합 sem i conheren t 석출물인 경우에는 석출물 주 위에 약간의 변위가 있으나 주된 콘트라스트는 석출물/기지 계면 에 있는 계면 전위 int e r fa cial dis l ocati on 이다. 따라서 반정합 석출물의 명시야 상이나 암시야 상에서 나타나는 상은 주로 실제 석출물 그 자체보다는 계면 전위의 상인 경우가 많다.
석출물이 부정합i ncoheren t 인 경우에는 석출물이나 기지에 변 위나 계면 전위가 없으므로 주된 콘트라스트는 석출물 자체의 원 소 구성이 기지와 달라서 생기는 구조 인자 차에 의한 구조 인자 콘트라스트가 생긴다. 일반적으로 정합 또는 반정합 석출물의 콘 트라스트보다는 약하다. 3-3 동력학적 이론 3-3-1 동력학적 방정식 실제 전자 현미경의 결상 과정을 설명할 때 지금까지 언급한 운동학적 이론을 적용할 수 없는 경우가 있다. 운동학적 이론에 서 입사 평면 파가 1flo'-= 1 exp (27rik o · r) (3-131) 일 때 회절 빔의 전폭은 1/fg = i7fg—tg sin T (s7tr st) (3-189) 이고 여기서 ~g는 소멸 거리로 gg= 먀요F cgo s a =_ 2mh2e e ko cVogs a (3-177) 이다. 회절 빔의 강도는 s=O 일 때 Jg = 福* = :2g:2 (3-203)
이다. 따라서 이때 회절 빔의 강도는 두께 t의 자승에 따라 증 가한다. t > ~g/Jf이면 회절 빔의 강도가 입사 빔의 강도인 1s!..다 더 크게 되어, 운동학적 이론을 전자 회절에 적용할 수 없게 된 다. 또 다른 예를 들면 운동학적 이론에서 나온 전위 상의 폭과 두께 줄무늬의 간격은 1/s 에 따라 변하는데 s 가 O 이 되면 줄무 늬 간격이 무한대가 되나 실제 일정한 값을 지닌다. 따라서 운동 학적 이 론은 s =f= 0 이 면서 s ~ O 일 때 성 립 하게 된다. 운동학적 이론에서는 산란 빔의 강도가 투과 범의 강도보다 매 우 약하다고 생 각하여 그림 3 ~ 3 1( a) 와 같이 산란 빔 이 다시 산란 하지 않는다고 생각하지만, 동력학적 이론에서는 한 번 산란된 전자 빔의 강도가 비교적 강하기 때문에 그림 3-31(b) 와 같이 다 시 산란이 일어날 수 있다고 생각한다. 완전 결정에서 동력학적 이론을 도출해 낼 수 있는 제일 간단한 경우는 하나의 브래그 빔 만 만들어지는, 즉 2_ 빔 근사의 경우이다. 더욱 간단히 하기 위 진해 폭산을란 각도각 두 % 번, 만l Jf일g라어고 난하다자고. 미가정분하 두자께. d투z 내과에 파서와 r산 방란향 으파의로 산란된 파의 증분 d lJfo 는 그림 3-31 (b) 에 서 처 음 산란에 서 fo 에 서 E 로 산란 때의 영향과 두번째 산란에서 r’ 에서 r 로 산란 때 의 영향을 합친 것이다. 그러므로, 퉁 = 뭉 % + 芳 lJf'g exp {21r i(홍* + 콩)· 기 (3-204) 로쓸수 있다. 여기서 ~o=~ 이다. 앞에서 공부한 바에 의하면 각 산란 과정에서는 항상 처 2 의 위상 변화가 있으 므로 exp (in/2 ) = i를 표시한다. 죽 처음 산란에서 두 산란 파 는 입사 파와 처 2 의 위상 차가 있고 두번째 산란으로 인하여 만
ko
들어진 두 산란 파는 맨 처음 입사 파와 7[의 위상 차가 있다. 운동학적 이론에서 회절 파는 lJfg = if; X 1 X (¥) (3-205) 로 표시하였는데, 여기에서도 산란이 되었기 때문에 i가 덧붙여 져 있다. 그리고 비례 상수로서 자~g가 표시되어 있다. 아와 유 사하게 동력학적 이론에서도 이 비례 상수가 처令 또는 처g o 라고 생각한다. 이 ~ g 와 ~o 는 구조 인자 Fg (4 k = 5* )와 Fg (L lk = O) 에 각각 반비례한다〔 3-3]. 식 (3-204) 의 오른쪽 두번째 항에서 exp { 2 1r i (g나 홍)· r n } 은 파의 방향이 r’ 에서 r 로 변화하였기 때 문에 더해 준 것이다. 다음 미 분 두께 dz 내 에서 ic' 방향으로 산란된 파의 증분 dlJ !g 는 그림 3-3l(b) 에서 처음 산란에서 fo 에서 r’ 로 산란 때의 영 향과 두번째 산란에서 r ’ 에서 r ’ 로 산란 때의 영향을 합해 준 것이다. 그러므로 dd? = 틀 lfloe xp {2; ri(-g* - 홍)· 기 + 틀 lJ!g (3-206) 로 쓸 수 있다. 홍*. rn 은 정수이므로 exp (-27r i뭉*냐%) = 1 이 되어 dddz 1 zff o= = 一~—i~g1。 r 1,.%'f 'fuo e +x,.I p -'— ~i(, 1-gr 2 ,7.1,/,rf .g i• .se, x· p,킵 n(2, 1r+ ,i 홍— $•。 P n1)J fg ((33--220087)) d1J fg _ i7r ,rr ---~ / n --·~ -,., \ , i7r 가 되고 홍와 rn 방향이 z 방향과 유사하다고 생각할 수 있으므 로 홍. rn 츠 sz 이다. 그러므로,
—d—dzdW zo = = — E一g1~.7 。 [ lflfof loe x+ p —(~Z. 7一g [ 2W J gr isezx ) p+ (2 —7E [—ol.s z 1) /fg ((33--220190)) d 1/fg t.7[ 1.7 [ 이 된다. 위의 연립 방정식을 쉽게 풀기 위하여 적당한 위상을 더하여 다음과 같이 변환하자. 1Jof = 1Jfo( z) exp ( —i 7fz/ ~o) (3-211) 1Jf; = 1Jfg( z) exp (2m·sz — i7r z/~o) (3-212) 이 식으로 변환을 하면 식 (3-209) 과 식 (3-210) 에 서 뾰d=z 또1J~gf ; (3-213) 墨dz = 또~g - 1Jf0’ + 2m.s 1 Jf; (3-214) 이 된다. 식 (3-209) , (3-210) 과 식 (3-213) , (3- 2 14) 는 위 상 인 자만 차이가 나는데, 우리는 강도에만 관심이 있으므로 위 두 가 지 형태의 식들은 같은 강도에 대한 결과를 얻게 되므로 식을 변 환하여도 큰 문제가 되지 않는다. 우선 프라임을 계속 표시하는 것이 번거롭기 때문에 프라임 표시를 없애자. 그리고 이 방정식 울 풀기 위 하여 식 (3-213) 을 식 (3-214) 에 대 입 하여 lJfg를 제 거 하면 식 틀 -27f iS ! lJ}-+ (f;rl fl 'o = 0 (3-215) 울 얻는다. lJfo를 제거하여도 유사한 결과를 얻는다. 윗식의 해 가 exp (2 7'Ci rz) 의 형태를 지닌다고 생각하고 윗식에 대입하면 군 — S/ — (l/2~g) 2 = 0 (3-216)
의疾} 방정식이 되어 두 근 낀=召 s 一~) (3-217) 뿐=망 (s+~) (3-218) 를 갖는다. 먼저 근 7(I) 을 생각하자. 그러면 투과 파와 산란 파 의 진폭은 각각 %(I)(z) = Cj l) e xp (2m.Y(I)z) (3-219) 깐g (I) (z) = C&l) exp (2m.Y(I)z) (3-220) 이고 여기서 Cd1) 과 c 1,1 ) 은 식 (3-219) 와 식 (3-220) 이 본래 미분 방정 식 인 식 (3-213) 과 식 (3 - 214) 를 만족시 켜 야 한다는 조건에 서 결정 이 된다. 식 (3-219) 와 식 (3-220) 을 식 (3-214) 에 대 입 하면 C&l)/C81) = 2Eg Y (1) = 懿 —✓ l + £낡 = w —J I+z? (3-221) 가 되고 여기서 W = ~g S 는 동력학적 회절 이론의 소위 편차 변 수로 브래그 회절 위치에서의 변위를 나타내는 무차원의 변수이 다. |Col2 + 1Cg l 2 = 1 이 되도록 계수 Co 와 c g를 정하는 것이 보 통이므로 식 (3-221) 에서 두 계수를 정해 주면 어 = {방 (1 + 广구 )}ll2 (3-222) 다=園-言 )}1/2 (3-223) 이 된다. 마찬가지로 근 r(2) 에 해당하는 해를 구할 수 있는데 두 계수를 구하면
C 『 IC82) = 2Eg r (2) = w + g (3-224) Cd2) ={ ½(1 一 g干 ;)}ll2 (3-225) 떠 ={ ½(1 + 7IT7)}1'2 (3-226) 이 다. 근 r(i) (i = l, 2) 에 대 해 식 (3-219) 와 식 (3-220) 을 사용하 여 결정 속을 진행하는 파의 파동 함수를 표시할 수 있다. 파동 함수로 표시하면 B(i)( r) = 7J!o(i) exp (2m.r. r) + 7/!ii) exp {2Ki ( r + 5*) • r} = Cail e xp ( 2J rf
브릴루앙 대 g*
낸다. 벡터 r 의 궤적은 중심을 O 로 두고 반지름을 |짜로 하는 구이 다. Y( i )는 분산 면 dis p e rsio n surfa c e 의 2 개 의 가지 에 서 z 방향에 평행하게 그은 A 까지의 거리이다. 이월드 구의 중심인 A 가 I 짜를 반지름으로 갖는 구의 표면 위를 따라 변함에 따라 불로흐 파동 벡터 r ( i )는 분산 면의 2 개의 가지를 따라가게 된 다. 실제로, 전자 현미경의 파장은 몹시 짧으므로 대략 구의 반 경 |짜 ~5 이 5 기 정도가 되어 |FL 를 반지름으로 갖는 구는 브릴루 앙 대 Brill ou in zone 경계 근처에서 실질적으로 하나의 평면이 된다. 이 경우 2- 빔 이론에서 나온 분산 면의 2 개의 가지는 쌍 곡선의 2 개의 가지롤 벡터 흉*를 중심으로 회전하여 만들어지는 것이다. 이 쌍곡면은 앞에서의 O 를 중심으로 한 구와 역격자 점 g * 룰 중심으로 한 구에 점근 asym p o to t i c 한다. 분산 면의 개념은 결정 . 대의 블로흐 함수의 파동 벡터를 기하 학적으로 나타낼 때 편리하게 이용된다. 투과 전자 현미경에서와 같이 시편에 입사한 파가 다시 입사한 쪽으로 반사되지 않고 입 사한 반대쪽으로 투과를 하는 경 우를 라우에 경우라고 하는데 , 이 경우 입사 빔은 분산 면의 각 가지마다 한 개씩 2 개의 불로 흐 함수를 여기시킨다. 분산 면을 알면 그림 3-32 에서와 같이 파동 벡터 E 의 시작 점 A 를 지나면서 결정 표면에 수직한, 즉 z 방향으로 선을 그으면 결정 파동 벡터 rU) 를 알아 낼 수 있 다. A 를 지나는 수직선이 분산 면의 가지와 만나는 교접을 벡터 rU) 의 파점 wave-po in t 이 라고 한다. 본래 분산 면의 개 념 을 양 자역학적으로 도입한 베이터 Be th e 의 방법을 사용하는 것이 더 정확한 방법이나 [8, 9] 여기서는 결정 파동 벡터를 간단히 정하 기 위해서, 전자기 이론에서 계면에서의 두 파가 같아야 된다는 사실에서 결정 표면에 평행한 파동 벡터의 성분이 연속되어야 한 다는 조건을 이용한 것이다.
분산 면의 개념은 한 개 이상의 강한 브래그 빔 회절의 경우로 일반화시킬 수 있다. 이 경우 n 개의 파를 모두 고려해야 하므로 분산 면은 n 개의 역격자 점에 중심을 둔 반경 I f l 의 구에 점근 하는 n 개의 가지로 되어 있다. 3-3-3 라우에 경우의 해 정확한 브래그 조건에서 변위를 나타내기 위해 타카기 Takag i 가 제안한 표기를 사용하면 편리하다 [1 이. 식 w = cot /3 (3-229) 의 관계가 있는 변수 B 를 도입하자. 그림 3-32 에서 W = +00(/3 = O) 는 점 A 가 브릴루앙 대 계면에서 오른쪽으로 멀리 있을 경 우이고 w = 0(/3 = lf /2) 는 A 가 정확하게 브래그 조건에 있는 대 zone 계면에 있는 경우이다. W = -00(/3 = 7[)는 A 가 대 계면 에서 왼쪽으로 멀리 있을 경우이다. B 로 표시하면 Cd1) = ct > = cos 송 8, cj 2) = —C 상 = sin 步 (3-230) 이다. 결정의 상부 표면에 1 개의 파만 입사한다고 생각하자. 그 리고 전체 결정 파는 2 빔 근사에 따르면 1[f( r) = A(l)B(l)( r) + A(2)B(2)( r) (3-231) 이고 A(l) 과 A(2) 는 결정에서 여기된 두 블로흐 파의 전폭을 나 타낸다. 식 (3-227) 을 사용하여 전체 결정 파를 다시 나타내면 伊( r) = A(1)Ci 1) e xp (2m.r(I). r) + A(2)Ci 2) e xp {2m.r(2). r} + A(1)C伊 exp {21 (i(f<1) + 흉*)• r} (3-232)
+ A<2> c
가된다. 식 (3 一 240) 에 서 회 절 파의 강도 Ig 는 /g = lJlglfli; = 겹군 si(n 2습 1 r)t2 s (3- 24 1) 이고 5 는 s 의 유효 편차 변수로 5 = Js2 + gi2 (3-242) 이다. 식 (3-240) 을 운동학적 조건의 해인 식 (3-189) 와 비교해 보면 운동학적 조건의 해에서 S 대신 유효값 토로 대치되어 있는 것을 알 수 있고 S 는 브래그 위치에서 최소값 ti 1 을 갖는다. 따 라서 s 가 O 에 가까이 갈 때 운동학적 이론을 적용할 수 없었는 데 동력학적 이론에서는 이 한계점을 제거하였다. 식 (3-241) 은 2- 빔 동력학적 이론에서 나온 결정 회절의 강도를 나타내는 강도 곡선이다. 그림 3-33 (a) 는 운동학적 이 론의 회 절 강도 곡선을, (b) 는 동 력학적 이론의 회절 강도 곡선을 각각 모식적으로 그린 것이다. 운동학적 이론에서는 회절 강도 곡선의 중앙 최고 치의 폭이 s = 2/ t인 반면 동력학적 회절에서는 좀 복잡하다. t ~ tg인 경우 운동학적 결과에 근접하고 t > &인 경우 그림 3 - 33(b) 에 나타 나 있는 바와 같다. 진동의 의피 envelo p e 는 두께에 무관하게 반폭이 2/ tg이다. 그림 3-34 는 투과 빔과 회절 빔의 강도를 시 편 깊이의 함수로 모식적으로 그려 펜델뢰숭 Pendellosun g 효과 를 나타내는 모식도로써, (a) 는 운동학적 이론에 의하여 계산된 것이고 (b) 는 동력학적 이론에 의하여 계산된 것이다. 동력학적 인 경우는 s=O일 때 죽 브래그 위치에서 두과 빔과 회절 빔의 강도가 그림 3-34(b) 에서와 같이 진동을 한다. 강도가 깊이 주기
I
투과빔 회절 빔
tg로 ~ 1 사이에서 변한다. 투과 빔의 강도가 증가하면 회절 빔의 강도는 감소하고, 투과 빔의 강도가 감소하면 회절 빔의 강 도는 증가한다. 그리고 깊이 tg /2 에서 투과 빔이 전부 회절 빔으 로 산란되어 회절 빔이 소멸된다. 이 소멸은 쐐기 모양의 결정의 명시야 상 또는 암시야 상에서 관찰되는 두께 소멸 무늬 thi c k ness exti nc ti on conto u rs 를 만들어 내는 역할을 한다 [11, 1 乳 펜델뢰숭 효과는 그림 3-3 2 의 분산 면의 두 가지에 있는 불로흐 파의 파동 벡터 사이의 맥놀이 beati ng 때문에 생기는 것 으로그림 생 각3-할34 (수a) 는있 다운. 동학적 근사를 잘 나타내고 있다. 식m -241) 에서 회 철 파의 강도는 Jg = 百군 si(n 72[ 홍1 r)t2s (3-241) 이고 식 (3-242) 에서 5 = Js2 + Ei2 (3-242) 이므로 회절 파의 강도를 다시 쓰면 Jg = 휴 s21+ 1 sin 2 (K t:言~) =~sin2 (1 rt ¥) (3-243) 이다. 여기서 s 를 증가시키면 Jg가 어떻게 변하는지 알아보자. 브래그 위치에서 멀어지면 결정 파의 깊이 주기는 5 사g二-굶늪_ 줄어든다. w 가 클 때 이 값은 운동학적 이론에서와 같이 s-1 에 접근한다. 그러므로 회절 빔의 강도는 작은 반면에 두과 빔의 강 도는 1에 가깝다.
앞의 그림 3-34(b) 에서 설명한 것처럼 s = O 일 때 회절 빔의 강도는 주기 t = e g로 전동하고 최대 강도는 1 이 되어 펜델뢰숭 커브를 그리게 되고 이것을 그립 3-35(a) 에 나타내었다. 여기에 서 s 를 더 증가시키면 회절 빔의 강도 주기는 줄어들고 최대 강 도도 줄어드는데 이것을 그림 3-35(b) 에 그렸다. s 가 더욱 더 커 지면 회절 빔의 강도 주기는 더욱 더 감소하고 최대 강도도 그림 3-35 (c) 와 같이 더 줄어 든다. 전위가 있을 때 회절 빔의 강도가 어떻게 변하는지를 알아보기 위해 전위 주위의 격자면을 모식적으로 그림 3-36(a) 에 그렸다. ’ AB, CD 면 또는 AE 는 전위에 의해 격자면이 회전하지 않은 완전 결정의 격자면과 같다고 생각하고 다만 BC 면만 전위에 의해 격자면이 그립과 같이 회전되었다고 생각을 하자. 전위에 의해 격자면이 회전되었기 때문에 전체 유효 편차 변수는 식 (3 -202) 에서 Serr = S + g*d·R~(r ) (3-202) 이고 여기서 따: r) 은 변형장이다. 입사 빔 ko 가 BC 면에 Serr=0 으로 브래그 조건을 만족하면 서 입사한다고 생각하자. 그러면 AB 면, CD 면, AE 는 Serr~ 0 이고 BC 면에서는 Serr = 0 이다. 만일 전위가 없었다면 격자면. 은 AE 가 될 것이고 Serr~0 이다. 그러므로 회절 빔의 강도를 시편의 두께에 따라 그리면 앞에서의 그립 3-35(c) 의 경우가 되 어 약한 강도를 지니게 될 것이다. 이것을 그립 3-36(b) 에 점선 으로 그렸다. 빔이 AB 면에 입사를 하면 AB 면과 입사 빔 사 이의 각은 브래그 회절 조건에서 멀어져 있는 각도이므로 Serr ~
I
000 fg*
。 l 2 3 4 6 7 8 9 10
(}0] 고, 회 절 강도를 그리 면 앞의 그림 3-35 (c) 와 같이 약한 강도 롤 나타내게 되어 그림 3-36(b) 에서 AB 부분과 같이 강도가 나 타날 것이다. BC 면에 입사하는 전자 빔은 Serr = 이므로 회절 강도는 그립 3-35(a) 와 같이 큰 강도를 지니게 된다. 원주 근사
에 의해 AB 면에 입사하는 전자와 BC 면에 입사하는 전자는 하나의 빔으로 생각할 수 있으므로, BC 면에서 생긴 회절 강도 는 AB 면에 생간 회절 강도에 더해져서 그림 3-36(b) 의 BC 와 칼이 나타나게 된다. CD 면에 입사하는 전자 빔은 Serr ~ 0 이므 로 회절 빔의 강도는 그림 3-35(c) 와 같고 ABCD 면을 지나는 전자 빔을 원주 근사에서 하나의 전자 빔으로 생각할 수 있으므 로, 시편에서 CD 부분의 회절 강도는 BC 부분의 회절 강도에 더 해 져 서 그림 3-36 (b) 와 같이 나타난다. CD 부분에 서 평 균값 은 크게 증가되 었으나 전동 진폭은 그림 3-35 (c) 와 같다. 전위 주위에 있는 격자면의 휘어짐을 모식적으로 그리면 전위 의 중심에서 멀어지면 휘어지는 정도가 그립 3-37과 같이 점점 더 줄어들게 된다. 그림 3-37에 서 시편의 밀면에서 회절 강도를 비교해 보면 원주 3 의 경우 브래그 조건을 만족하여 Serr = 0 이 되어 최대의 회절 강도를 지니게 된다. 그러면 전체 편차 변수 Serr = 0£. 하기 위해서는 Serr = S + 홍* • dRdz(r ) (3-202) 에서 s = -g••Alljf)가 되어야 한다. 따라서, 그림 3-37 의 원주 혀서 최대 회절 강도가 나타나면 여기에서 s = -홍*. 접r ) 를 만족하게 된다. 윗식에서 보면 강도가 최대로 되는 원 주의 위치는 시편의 두께나 전위의 깊이 함수가 아니고 s 와 변형 장 R(r) 의 함수라는 것을 알 수 있다. 시편 면에 평행하게 있는 전위의 경우, 전위 중심에서 회절 빔 의 피크까지의 거리는
_ Xw= 告 {1+~} (3- 24 4) 이다〔 3 -산. 여기서 5 는 버거스 Burge rs 벡터이고 v 는 푸아송 비, K 는 칼날 전위 edg e dis l ocati on 에 대해서는 1, 나사 전위 screw dis l ocati on 에 대 해 서 는 0 이 다. 여 기 서 s 를 크게 하면 피 크의 위치는 점점 전위 중심의 위치에 더 가까이 가게 된다. 피크의 반폭 4x 는 홍· b = 2 일 경우 3 4x 측무 {1+~} (3- 24 5) 로 주어진다〔 3-5]. 윗식에서 s 를 증가시키면 피크의 반폭은 점점 줄어들어 강도 피크의 폭도 좁아지게 된다. 결정의 편차 변수 s 츠 0 인 일반적인 명시야 상이나 암시야 상 과, 전위 주위에서 Serr = 0 이나 결정의 편차 변수 s ~ O 인 상을 비교해 보면, s ~ O 인 상은 피크 반폭 4x 가 작기 때문에 콘트라 스트가 증가하고 피크가 좁게 나타나며 전위 중심에서 상까지의 거리 Xw 가 감소하기 때문에 전위 중심에 더 가까이 나타난다. 이와 같이 s ~ O 의 조건으로 결상을 하면 회절 빔의 강도는 상당히 약하게 되어 이 결상 조건을 약빔 조건 (3 장 3-2-5 절)이라고 한다. 이 약빔 조건으로 결상을 하면 콘트라스트와 분해능이 향상되 어 일반 명시야 상과 암시야 상 방법으로는 보이지 않던 면심 입 방의 부분 전위 pa rtia l d i sloca ti on 가 분리되어 있는 것을 명확 히 관찰할 수 있어 분리 거리로 적층 결함의 에너지를 측정할 수 있다. 또한 초격자 전위 sup e rlatt ice dis l ocati on 가 2- 중 또는 4 - 중으로 분리되는 것을 관찰할 수 있어 역위상 경계 에너지를 측 정할 수 있으며,전위의 조그j o g의 움직임, 전위 환의 형상, 점 결함 집합체 cluste r 등과 같은 미세한 부분까지도 관찰할 수 있
다. 최적의 약빔 조건은 ff*· b ::,;; 2 일 경우 s > 0.2 nm-1 이고, 시 편 내의 결함의 깊이에 따른 콘트라스트 폭의 변화를 줄이기 위 해 W = S~g ~ 5 이며 여타의 회절 점은 강하게 회절시키지 str o ng ly excit ed 않아야 한다. ng * 회 절 점 울 브래 그 조건 에 맞추었을 때 1 접*의 편차 변수 s 는 s = (n —21k)| 홍기 2 (3-246) 로 주어진다〔 3-6]. 3-3-4 비정상 흡수 시편이 두꺼워지면 전자는 비탄성 산란이 많이 일어나게 되는 데 이 비탄성 전자는 대물 조리개를 사용할 때 대부분 조리개 밖 으로 산란하게 되어 결상에 기여하지 못하게 되어 마치 전자가 시편에 흡수되는 것과 같은 효과를 나타낸다. 이 흡수 효과를 수 학적으로 표시하기 위해서 결정 전위에 허수 항을 더해 주는 것 과 같이 변수에 허수 항을 더해 주어 복소수 항으로 만들어 준 다. 2- 빔 이론에서, 2 불로흐 파 중에서 선택적으로 흡수가 일어나 는 경우가 있는데 이 선택적 홉수롤 비정상 흡수 anomalous absorpt ion 라고 하고 이 효과의 물리 적 설명 을 그림 3-38 에 나 타내었다. 그림 3-38 은 w = O 인 브래그 조건에서 분산 면의 가 지 1 과 2 에 속하는 2 개의 불로흐 파의 파형을 나타낸 . 것이다. 식 (3-222) , (3-223) , (3-225) , (3-226) 과 식 (3-227) 에 서 w = 0 일 때
가지言E l 블g로흐(l ) 파 가지>ro 2 블로(흐2) 파
BU)( r) = fz[ex p (27rif
적 허수부를 가지거나 또는 원자 산란 전폭이 복소수가 되도록 해주어야 한다(1 장 1-2 -1 절). 이것은 소멸 거리를 다음과 같이 복소수로 만들어 주는 것과 같다. —g1。 圖 一t1o +,' — ti o (3-250) _t1g 一. 一t1 -g +, ' —ti ~ (3- 25 1) 여 기 서 흡수 거 리 absorpt ion dis t a n ce 는 &= 7[ kF 。A요 4coks) a (3- 25 2) 이고 여기서 Fg '(4k) 는 흡수 구조 인자이다. 전체 흡수 전위는 K= 一E刀6 (3-253) 이다. 식 (3-209) 와 식 (3-210) 에서 lJf; = lJ!c exp (27r is z) 라 하고 프라임을 없애 주면 다음 식 룽 = if; lffo + i-f; lffc (3-254) 룽 = 딸 lffo + 信 + 2TS) 伊g (3- 25 5) 울 얻는다. 윗식에 식 (3-250) 과 식 (3-251) 을 대입하고 식을 간 단히 표시하기 위해서 lJfo' = lJfo'e xp {-i 1r z( 太 + 志) } (3-256) w; = 깐~ exp {-i 1rz( 太 + 志)} (3-257)
이라 하고 정리하면 흡수가 있는 경우에는 롱 = i7[信 + 志) lJf; (3-258) 쨩 = i7f(古 + 志) lJf。' + 27f iSl J fg (3-259) 이 되 고 흡수가 없는 경 우의 식 (3-213) , (3-214) 와 비 교할 수 있다. 앞에서 한 것처럼 다음 미분 방정식을 만족하는 %' 와 깐; 룰 구하여야 한다. 틀 -21r is 릉 군나 -(」 )2 + 訖}炳' = O. (3-260) 윗식의 해가 exp (2 7fi rz) 의 형태를 지닌다고 가정하고 해를 구하 면해중의하나는 齊 = ½(s —志 건 + w2 + ~½(s ―志二- '~ • (3-261) =志 (w —jf +w2-? ~白~) 이 다. 여 기 서 (~~)2 를 무시 하고 ~g/~~가 1 에 비 해 아주 작다고 가 정하였다. 마찬가지로 두번째 해는 /(2) = ¾.{w + 广 + 2 詞~) (3-262) 이다. 이 두 해는 앞에서 흡수가 없는 경우의 해와 비교했을 때, 흡수가 없을 경우의 해에다 흡수를 나타내는 작은 허수부가 더 들어 있는 점이 다르다. 실제 흡수 계수를 얻기 위해서는 식 (3
-256) 과 식 (3-257) 에서 평균 흡수 항을 고려하여야 한다. 두불 로흐 파에 대한 진폭 흡수 계수를 구해 보면 K(I) = 7[(袁 一 ~) (3-263) K(2J = 7[(* + 詞~) (3-264) 이다. 분산 면의 가지 1 에 있는 파가 가지 葬] 파보다 흡수 계수 가 더 낮다. w=0 인 정확한 브래그 조건에서 두 흡수 계수간 의 차이가 최대가 되어 그 효과가 E6 = ft일 때 가장 크게 된다. 이 경우가지 1 의 파는흡수계수가 O 이 되고 가지 2 의 흡수 계수는 평균 흡수 계수의 배가 된다. 식 (3-252) 와 (3-253) 에서 E6 = g 8 는 F;(ilk ) = F;(O), 즉 흡수 능력이 그림 3-3 &>1]서 원자 위치에 델타 함수로 결정 격자에 분포되어 있음울 나타낸다. 전 자의 경우 회절 콘트라스트롤 £6 = Et 그리고 5& 츠 IO~ g로 가정 하여 주로 계산한다 [13, 14]. 3-3-5 흡수가 있을 때의 라우에 해 식 (3-263) 과 식 (3-264) 에 서 전폭 흡수 계 수를 알 수 있으므 로 앞에서와 같이 두께 t의 결정에서 두과 파와 회절 파를 계산 할 수 있다. 전체 결정 파는 1Jl( r) = A(1)B(1)( r) exp (_ K(I)z) + A(2)B(2)( r) exp (-K(2 )z) (3-265) 이고 결정의 윗면에서 앞에서와 같은 경계 조건을 적용하여 결정 내에서 여기되는 두 블로흐 파의 진폭을 구하면 앞에서와 같은
l6
A(I) 와 A( 2) 를 구할 수 있다. 그리고 투과 빔과 회절 빔의 진폭 울구하면 1/fo(t) = exp (교/e: a)(cos X -fITilT ) sin X (3-266) 鬪) = exp ( 국/e:a ) (3-267) 이고 여기서 x=Jt grV .l/. -I W- ~I +t~~ ~ (3-268) 이다. 흡수를 고려한 해 solu ti on 도 흡수가 없는 경우의 해와 형 식적으로는 거의 같다. s i n 과 cos 의 인수 ar gu men t가 식 (3
-268) 에 따라 복소수가 되고 평균 흡수를 나타내는 항 exp (-1C t/~r,)이 곱해져 있어 흡수가 고려된 것을 알 수 있다. 암시야 상의 강도는 /g = 1Jfg1Jfg*이고 이 /g를 일정 w 에서 t의 함수로 그라면 두께 줄무늬가 되고 일정 t에서 w 의 함수로 그리 면 로킹 곡선 rockin g curve 이 된다. 그림 3-3 9i:근 식 (3-266) 과 식 (3-267) 에서 일정한 결정 두께(t = 4~g )일 때 흡수가 ~g/~~ =' 0.05 일 경우 암시야 상은 점선으로 명시야 상온 실선으로 회절 강도 곡선을 나타낸 그립이다. 암시야 상 곡선은 좌우 대칭인데 비해 명시야 상 곡선은 좌우 대칭이 아니다• 3-3-6 결정 결함 콘트라스트 그림 3-40 에서 어떤 결함이 0 에 있고 결함 때문에 시편에 생 기는 원자 변위는 알고 있다고 생각하자. 여기에서도 원주 근사 를 사용하여 원주의 바닥 면의 한 점 B 에서 투과 파와 회절 파 를 계산해 보자 [15-17]. 결정 내의 좁은 원주 AB 에서 원자 변 위 함수 R(z) 가 깊 이 z 의 함수라고 하면 앞에 서 의 식 (3-209) 와 식 (3-210) 에 해당하는 식은 —dd1zJ fo = t•— gJ。r %nr +' i-• f~}J-gr1 Jnfrg exp (I2 J ri•s z +' 2 Jri• '-흉 ** • RM ) (3- 26 9) 룽 = i{;7Jfo exp (-27risz — 27 fig* • R) + ifolJfg (3-270) 이다. 이 식에는 운동학적 이론에서와 마찬가지로 지수 속에 원 자 변위 R(z) 가 포함되어 있다. 원자가 R 만큼 변위되면 회절 파의 위상은 exp (-2 7fi홍 *.R) 에 의해 변한다. 따라서 식 (3 -269) 에서 exp (+2 7fi홍 *.R) 은 회절 파가 두과 파로 되기 때문에
시편 위 A
들어가 있는 항이다. 마찬가지로 식 (3-270) 에서 위상 변화 exp (-2 7fi결 *.R) 은 투과 파가 회절 파로 되는 산란이기 때문에 들 어가 있는 항이다. 윗식을 두께 t의 결정에 대해 원주를 따라 적분을 하면 바닥 면에서 두과 파와 회절 파의 진폭이 나온다. 면 결함 적층 결함 2TCg *· R一 = a 는 위상 각이라고 한다. a = 7r 일 때를 7[_경계
시편위
boundary 라고 하고 이것을 제의한 R 때문에 생기는 떤 결함을 a 경계라고 한다. 먼저 적층 결함에 대해 알아보자. 그림 3-41 에서 적층 결함이 깊이 h 에 있고 위쪽 결정 1 은 완전 결정이고 아래쪽 결정 2 는 적층 결함으로 변위 벡터 R 로써 변위되어 있 댜 따라서 변위 함수는 R(z) = {R0, , 0 t~1 < z z~
정에서 c~. )가 결함이 있는 결정에서는 C¥) exp (―i a) 가 되도록 한다. 하부 결정에서의 두과 파와 회절 파의 진폭은 ( :~tt))) = ( 一 sin ;./3\: ( —t a) cos ½s::/3( 一 ia )) (exp (207 [iy%) exp (27Oriy < 2> t 2) ) (3-273) (二:/3/3 c一 0 SSI:::Xep x (p : :a))( :g((t;1) )) 이다. 윗식의 맨 오른쪽의 종 column 벡터는 식 (3-272) 의 결과 를 사용하면 적층 결함이 있는 결정의 투과 파와 회절 파는 몇 행렬의 곱으로 표시된다. 최상부에는 입사 빔만 있으므로 7/fo( 0) = 1, 7/fg{O ) = 0 라 놓고 중요하지 않은 위상 항인 exp {m(Y(1) + /(2>) t}를 생 략하고 계 산을 하면 lJfo(t) = cos(1rL1kt) — i cos /3 sin (1rL1k't) + t1 sin 2 /3 {exp (-ia)— 1 } cos (1rL1k't) (3-274) _1t sin 2 /3 {exp (-ia)- 1} cos (21rL1k't ' ) 1Jf'g(t) = i sin /3 sin (1rL1k't) (3-275) + t1 sin /3 {1 - exp (-ia) }{cos /3 cos (1rL1k't) -i sin (1rLlk't) } -t1 sin / 3{ 1 - exp (-ia)}{ cos /3 cos (2J rLl k't' )
—i s in (21CL1k't' )} 이 되고 t' = t1 - t /2 로 결정 중간에서 적충 결함까지의 거리이 고 ilk' = (l + w2)1'2/~ g이다. 결정에서 기울어져 있는 적층 결함 은 윗식들에서 t’이 변한다. 윗식들의 세번째 항을 보면 t’이 변 1 함에 따라 값이 진동을 하게 되어 상에서 줄무늬를 만들게 된다. 줄무늬의 깊이 주기는 5 사g二「굽 5 이다. a = O 또는 2n1C 이면 윗 식들은 완전 결정의 식과 똑같아 줄무늬가 나타나지 않게 된다. 흡수가 일어나는 경우에는 식 (3-274) 와 식 (3-275) 에서 ilk' = -K~tg 교\' ~~v'li +w2 (3-276) 라고 놓고 평균 흡수를 포함시키기 위해 lflo와 l/fg에 exp (―冠尼o ) 을 곱하여 새 식을 만들면 바로 흡수가 있는 경우의 식이 된다• 적층 결함의 상은 식 (3-274) 와 식 (3-275) 에서 a = 21r 접 *.R 값에 의해 결정된다. 면심 입방(fe e) 구조에서 {111} 면에 만들 어지는 적층 결함의 변위 벡터 중의 하나가 ½<112> 이다. 면심 입방(f ee) 구조에서 (111) 면에 변위 벡터 R = 강 (121] 을 가전 고유성 int r i n s ic 적층 결함에 대 해 생 각해 보자. 회절이 일어나 는 역격자 벡터 효* = ha* + kb* + le* 에 대해 ff*· R = (ha* 十 kb* + le*)· 강 (a- 2b + c) =靜 h —2k + l) (3-277) 이므로 a = 21C 흉 *.R 에서
a = 步 (h - 2k + l) (3-278) 이다. 면심 입방 격자에서 (111) 면에 변위 벡터 R = 士 ½[111] 인 적층 결함에 대해서는 ff*· R = (ha* + kb* + t c*).{ 土}偉 + b + 근)} = 닥 (h + k + [)이므로 a = 2 캡 *.R = 土f 1r(h + k + l) 이다. 면심 입방(fe e) 구조에서 회절이 일어나기 위해 서는 h, k, l 아 모두 짝수 또는 모두 홀수이어야 하므로 a 는 2n1r/3 이고 n = 0, 士 1, 土 2 등이다. a = O 인 경우 적충 결함은 보이지 않게 되어 각각의 회절 점을 사용하여 만들어진 상에서 적층 결함이 보이는지 안보이는지를 검사하여 변위 벡터 R 을 결 정할 수 있다. 또한 7[-적충 결함과 2 처 3- 적층 결함을 구별하기 위해 적층 결함의 위상 각을 결정할 수도 있다 [18, 19]. 적층 결함이 나타내는 상의 콘트라스트에는 다음과 같은 특징 이 있다. (D g *·R=0,l,2, …이면 줄무늬가 보이지 않는다. 줄무늬가 보이 지 않는 홍*를 적어도 2 개 이상을 구하여 R 을 구한다. ® 명시야 상에는 적층 결함이 시편의 표면과 만나는 선에 평행하 게 일련의 밝고 어두운 무늬를 만든다. 명시야 상에서 제일 바 깥 줄무늬는 모두 검게 또는 모두 희게 되어 대칭적으로 나타난 다. 그리고 흡수 때문에 시편의 중앙 부분의 콘트라스트가 감소 한다. 적충 결함의 줄무늬를 컴퓨터로 계산하면 명시야 상에서 좌우 대칭인데 비해 암시야 상에서는 대칭이 아니다. 시편의 위 표면 근처에서는 명시야 상과 암시야 상이 바슷하게 나타나고 시편의 아래 표면 근처에서는 명시야 상과 암시야 상이 서로 반
대가 되므로 이룰 이용하여 한 적층 결함의 명시야 상과 암시야 상을 사전 찍으면 적충 결함의 아래와 위를 구별하여 적층 결함 이 어떻게 기울어져 있는지를 알 수 있다 [20-22 〕• ® 암시야 상도 줄무늬를 나타내지만 제일 바깥 줄무늬는 한 쪽이 희면 다른 쪽 줄무늬는 검게 되어 바대칭적으로 나타난다. 같은 맑를 사용하여 중심 암시야 상을 만들면 시편의 위 표면t o p에 있는 줄무늬는 명시야 상과 암시야 상에서 같은 콘트라스트를 아래 표면 쪽에 있는 줄무늬는 반대의 콘트라스트를 나타낸다. 그러나 중심 암시야 상을 만들 경우 명시야 상을 만들 때 사용 한 접* 대신 -홍*를 사용하면, 위 표면에 있는 줄무늬가 반대 콘트라스트를 지닌다. ® 명시야 상에서 시편 위 표면의 첫 줄무늬는 흉 *.R 이 양이면 희 게, g *•R 이 음이면 검게 나타난다. 명시야 상에서 a= +2 짜 3 이면 제일 가장자리에 있는 줄무늬가 밝게, a= ― 2 자 3 이면 맨 가의 줄무늬가 어둡게 나타난다. 죽 제일 가장자리의 명암에 따 라 위상 각 a 의 부호가 결정된다. 비정상적 흡수가 있는 제법 두꺼운 시편의 경우에도 마찬가지로 생각할 수 있다. 명시야 상 의 제일 가장자리 줄무늬에서 위상 각의 부호를 결정하면 여기 에서 R 이 어떻게 되어 있는지를 알 수 있으므로 이로부터 적층 결함이 고유성 int r i n s ic 인지 의부성 extr i n s ic 인지를 알 수 있다 [21 , 22]. ® 시편의 두께가 변하면 줄무늬의 중심에서 줄무늬가 가지를 치게 된다. @ s = O 일 때 검은 줄의 수가 n 이면 시편 두께는 (n — 1)Eg 이다. ® 줄무늬가 관찰될 수 있는 최소 g *•R 의 값은 0.02 이다 [23]. ® 중심 암시야 상에서 적층 결함의 가운데에 홍*의 중심을 두었을 때 200, 222, 440 인 경우 적층 결함이 의부성이면 홍*가 바깥쪽 줄무늬가 흰 쪽으로, 고유성이면 홍*가 검은 쪽을 가리키고
400, 111, 220 인 경 우 반대 로 된다 . 면심 입방에서 적층이 ABCABC··· 가 되나 A 와 B 사이에 아 주 얇은 정합 석출물이 생기면 이 석출물 자체는 작기 때문에 측 정할 만한 회절상을 만들어 내지 못하나 기지에 변위를 일으킬 수 있다. 이 기지의 변위 벡터를 R 이라고 하면 적충 결함과 마 찬가지로 a=2 ;r룡 *.R 에 의해 a 줄무늬를 만들어 낸다. r- 경계 어떤 결정 구조에서는 적층 결함이나 역위상 영역 경계의 위상 각이 7[일 때가 있다 [19, 24-26]. 간단히 흡수가 없는 경우에 a = Rl 때를 생각해 보자. 석 (3 - 274) 에서 브래그 회절 조전에서 (/3 = 처 2) 투과 빔의 강도는 Jo(t', t) = cos2 (2 간/&) (3-279) 이고 2 처 3 의 경우에 같은 조건에서 두과 빔의 강도는 Jo(t', t) = ¼co 공 (高) 나 cos2 (21rt'/ ~g) (3-280) 이다. 식 (3-279) 에서 보면 t를 포함하고 있지 않으므로 쐐기 형 의 결정에서 T- 적충 결함의 줄무늬 명암 분포는 두께에 무관하 다. 그러나 2 자 3- 적층 결함의 식 (3-280) 에서 줄무늬의 명암 분 포는 항 cos2 (;rt/令)에 의해 t에 따라 달라진다. 된다역.위 상따라 경서,계 에기서본는 회변절위 점벡 터fu n dRa 은m e원nta자 l 와re fl원 ec자 ti o사n 이의 의효 *벡와터 가R- 의 곱은 g*• R = 0, l, 2, …이 되므로 a = 21rff *· R = o, 21r, 41r, … 등이 되어 콘트라스트에 기여를 하지 못하게 되어 역위상 경
계가 보이지 않게 된다. 그러나 역위상 영역에서 얻은 회절상에 는 초격자 회절 점이 있는데 이 초격자 회절 점의 점*와 R 의 곱 효 *.R = o,½ , 1, … 등이다. 그러므로 위상 각 a = 2 ;r효 *.R = 0, 7[, 2;r , … 등이 되고 a = 0, 2 ;r이면 물론 역위상 경계는 보이지 않고 a = ;r이면 역위상 경계가 보이게 된다. 이 역위상 경계를 7[-경계라고도 한다. 이 역위상 경계의 특징적인 콘트라스트는 다음과 같다. ® 역위상 경계는 기본 회절 점으로는 보이지 않고 초격자 회철 점 울 사용했을 때 (1 = 7[일 때만 보인다. ® 명시야 상과 암시야 상 모두 바깥 줄무늬가 대칭이 되어 모두 희든가 모두 검게 된다. ® 모든 시편 깊이에서 명시야 상과 암시야 상이 서로 콘트라스트 가 반대로 되어 있다. ® 줄무늬가 경계 면의 중앙 선에 평행하게 나타나고 두께 줄무늬 하나에 두 개의 줄무늬가 더 나타난다. ® 줄무늬 간격은 식 (3-279) 에서 방 Eg 이다. ® 줄무늬는 경계 환상 선을 따라 연속적이다. 8- 경계 두 영역 사이에 흥 값이나 접* 값이 약간 달라서 생긴 두 영역 사이의 경계를 8- 경계라고 한다. 두 영역 사이에 홍 값이 다를 때 줄무늬가 만들어지는데, 이 홍 값의 차이를 o = w1-w2 라는 변수로 나타내고 이 줄무늬를 8 줄무늬라고 한다. 이 줄무늬의 주요 특칭은 다음과 같다.
® 경계와 시편 표면과의 교선에 평행하게 줄무늬가 나타난다. ® 암시야 상은 대칭적이나 명시야 상은 비대칭이다. ® 시편 위쪽의 줄무늬가 희게 되거나 검게 되는 것은 두 영역의 편차 변수 차의 부호에 따라 달라진다. ® 콘트라스트는 편차 변수 절대 값의 함수가 아니고 두 영역의 편 차 변수 차의 함수이다. ® 상을 형성하기 위해 홍*대신 -효*를 사용하면 콘트라스트가 반 대로 된다. 이것은 편차 변수 차의 부호가 반대로 되기 때문이 다. ® 쐐기 모양의 결정에서는 줄무늬가 흰 두께 줄무늬에서 더해져서 만들어진다. ® 줄무늬 간격이 시편의 아래와 위에서 다르게 된다. ® 줄무늬의 가운데가 반드시 시편의 가운데가 되지는 않는다.
'i
임계 같은 상 ph ase 사이 의 경 계 를 보통 임 계 gr ain boundary 라고 하는데 업계 사이의 방향 차이가 1 ° 미만으로 아주 작을 때 두 임계 사이의 계면을 저각 low-an g le 입계라고 한다. 저 각 입계는 전위가 계면을 형성하고 있으므로 2 - 빔 동력학적 조건에서 결상 울 하면 전위 망 dis l ocati on netw ork 울 관찰할 수 있다. 두 부 임계 subg r ain 사이에는 편차 변수의 차이가 작아서, 하나의 g* 로써 상을 얻을 수 있다. 그리고 두께 줄무늬도 때때로 함께 나 타난다. 고각 h ig h-an g le 입계일 때, 한 결정립이 2- 빔 동력학적 조건 으로 결상이 되면, 다른 결정립은 대개 s 가 크게 되어 대부분의 회절 빔은 약하고 투과 빔만 강하게 되는 운동학적 조건이 된다. 이 경우 동력학적 2- 빔 조건인 결정립의 두께 변화가 계면에서 두께 줄무늬로 나타나게 되어, 임계의 콘트라스트는 두께 줄무늬 와 꼭 같고, 두께 줄무늬에서와 같은 식을 적용할 수 있다. 그림 3-42 는 동력학적인 조건으로 결상이 된 결정의 입계에서 생긴 두께 줄무늬를 잘 나타내 주고 있다. 계면에서 두 결정립이 겹쳐 있기 때문에 모아레 줄무늬도 함께 나타날 수 있다. 그림 3-43 은 GaAs 기판 위에 성장한 CdTe 결정들을 나타내 주고 있는 단면 고분해능 현미경 상인데, 위에 있는 CdTe 결정 사이의 입 계에서 생긴 모아레 줄무늬를 보여 준다. 쌍정 경계인 경우에도 한 결정립에서 2- 빔 동력학적 조건으로 결상을 하면 고각 임계와 마찬가지로 두께 줄무늬가 나타난다. 따라서 경사전 쌍정 경계는 두께 줄무늬를 그대로 나타낸다. 그 리고 쌍정 경계에 있는 쌍정 전위가 나타날 수도 있다.
그림 3-43 GaAs 기판 위에 성장한 CdTe 결정들의 고분해능 전자 현미
계면 다른 상 pha se 사이 의 경 계는 보통 정 합 coherent, 반정 합 semi co herent, 부정 합 inc oherent 계 면 int e r fa c e 으로 나뉜 다. 정합 계면의 경우 박막과 기판 또는 침전물과 기지 사이에 불 일치도 m i s fit가 작으면 홍의 작은 차이를 만들어 내어 8 줄무늬 를 만든다. 만일 불일치도가 더 커지면 a 줄무늬를 만들 수도 있 다. 반정합 계면의 경우에는 박막/기판 사이의 계면에 계면 전위가
있으므로 전위의 결상 조건에서 계면 전위를 볼 수 있다. 계면 전위의 분석도 일반 전위의 분석 방법과 유사하게 할 수 있다. 그림 3-44 는 Si 기판과 GaAs 박막 사이의 Si /G aAs 계면에서 생긴 계면 전위의 사진이다. Si 과 GaAs 의 격자 상수 차아로 인하여 계면 전위가 촘촘하게 배열되어 있음을 볼 수 있다. 석출 물/기지 계면인 경우에 기지를 2- 빔 동력학적 조건으로 결상을 하면 임계 때와 마찬가지로 기지의 두께 줄무늬가 나타난다. 두 상p hase 사이의 변위에 의해 생긴 변위 벡터 R 때문에 a = 2 갭 *.R 에서 생기는 a 줄무늬가 나타낼 때도 있다. 두 결정이 겹쳐져 있으므로 모아레 줄무늬도 나타날 수 있다. 부정합 계면인 경우에 기지의 회절 조건을 2- 빔 동력학적 조건 으로 맞추면, 석출물의 회절 조건은 대개 s 가 매우 크게 되어 회 절이 작게 일어나는 운동학적 회절 조건이 되어, 기지가 회절 강
Ga A s
도에 크게 기여하게 되고 계면에서 기지의 두께 변화예 따라 두 께 줄무늬가 석출물/기지 계면에서 나타난다. 2 전위 변위 장fi eld R 을 수학적으로 정확히 표현하기가 적층 결함보 다 어렵지만 , 전위 주위에서는 결정면의 굴곡이 일어나므로 이것 울 위상 각 a = 21r 효 *.R 로 표현하고 변위의 미분을 /3' = 吉뿔 = 읊{룡*.i? (z)} (3-281) 로 정의하자. 죽 결정면의 굴곡은 E 에 비례하고 이 굴곡은 국부 적으로 편차 변수를 변하게 하는 것과 같다. 식 (3-269) 와 식 (3 -270) 을 변환하기 위해 1Jfo' = 1Jfo e xp ( 급 7rz/ to ) (3-282) w; = 1Jfg exp ( 규 7rz/$。 + zm ·s z + 2 7rig * • R) (3-283) 라고 하자. 이렇게 변환하여 위상의 변화를 시켜도 강도에는 영 향을 끼치지 않는다. 그 다음 흡수의 영향을 고려한 식 (3-250) 과 식 (3-251) 을 대 입 하면 뿡=-훑炳'+나-志)1.JJ'; (3-284) 룽 = 刊: 강) 1.JJo' + {-fa + 21ri( s + /3')} 1.JJ'; (3-285) 이 된다. 식 (3-284) 와 식 (3-285) 는 수학적으로 계산할 때 적분 단계마다에서 지수 계산이 필요없으므로 본래 식 (3-269) 와 식 (3-270) 보다 더 간단하다. 더 구나 식 (3-284) 와 식 (3-285) 는 변 위의 미분 B' 만을 포함하고 있는데, 변위 그 자체보다 미분을 계
산하는 것이 보통 훨씬 쉽다. 윗식은 변형 콘트라스트가 근본적 으로 회절을 일으키는 결정면의 국부적인 굴곡 때문에 생긴다는 것을 나타낸다. 그림 3-40 에서 시편의 표면에서 깊이 y에, 표면에 평행하게 있는 나사 전위를R 생= 각*하자t .an -1나 {사(z —전y위) / x주} 위의 원자 변위는 등방 성 탄성 이 론 iso tr o p ic elasti ci t y the ory 에 의 하면 5 (3-286) 이고 따라서 식 (3-281) 에 들어 갈 위상 각 a 는 a = 효* • b tan -1 {(z —y) /x} (3-287) 이다. 따라서 전위의 상은 ff*· b 에 따라 달라전다. 버 거 스 벡 터 가 격 자 이 동 벡 터 이 면 완 전 전 위 pe rf ec t dis l ocati on 라고 하고, 버거스 벡터가 격자 이동 벡터의 분수이 면 불완전 전위 im p e rfe c t dis l ocati on 라고 한다. 완전 전위에서 접*. E 는 역격자 벡터 ff* = ha* + kb* + t c* 와 격자 이동 벡 터인 r = ua + vb + WC( 여기서 5, 5, 5 는 기본 격자 이동 벡 터, U, V, W 는 정수)를 곱해 준 것이기 때문에 값이 0 이거나 정 수가 된다. 그러나 불완전 전위의 경우 버거스 벡터 5 가 분수 격자 이동 벡터이므로 ff*· b 는 0 이거나 분수 혹은 정수가 된다. 완전 전위나 불완전 전위의 경우 ff *·b 가 1,2,3 등의 값이 되 면 식 (3-287) 에서 a 가 일정 값을 지니므로 명시야 상에서 검은 선으로 전위가 나타난다. 점 *.5 가 분수가 되는 불완전 전위에 있어서는 경우에 따라 달라전다. 완전 전위나 불완전 전위의 경 우 점*. b = O 이면 명시야 상과 암시야 상에서 전위가 보이지 않 게 되어 실제 전위가 있어도 마치 전위가 없는 것처럼 보인다.
이것을 홍*· b = O 보이지 않는 조건 inv is ib i l ity crite r io n 이라고 하여 전위의 버거스 벡터를 결정하는 데 이용한다. 만일 ff*· b = o이 면 즉 5 가 회절 면에 있으면 전위는 보이지 않는다. 이를 이용하여 몇 개의 회절 빔 중의 하나씩을 각각 사 용하여 두 빔 조건을 만들어 두과 빔이나 회절 빔 하나로 명시야 상 또는 암시야 상 사진을 찍어 한 전위가 보이는지 안 보이는 지를 판별하여 그 전위의 버거스 벡터를 결정할 수 있다. 시편 표면에 평행한 혼합 전위의 원자 변위는 등방성 탄성 이 론에 의 하면 그림 3-4(p j] 서 R = 吉[ E0 + 5e 4?in _2 ?) + b X 겁 1_-2:) ln r + 흙프먼) }] (3-288) 이 고 여 기 서 )I는 푸아송 Pois s on 의 비 이 고 (J) = ¢ 一 r, b 는 전 체 버거스 벡터, be 는 5 의 칼날 ed g e 성분이고 규는 전위 선 방 향의 단위 벡터이고 r 은 전위에서의 거리이다. E* 가 박판 면에 있으면 g* ·(b x ii) = g*· bet an r 이고 위상 각은 a = 홍*. b
아니라면 그 전위는 반드시 보이지 않는 것으로 되는 것은 아니 다. 완전히 보이지 않는 것으로 되기 위해서는 효 *.5, 점 *.be 와 룡* • b x u 모두 다 0 이 되 어 야 한다. 그러 나 실제 ff* • b = o 이 고 접*. be 와 접*. bx u 가 001 아니면 전위는 일반적으로 약한 잔류 콘트라스트를 보이나 이것도 전위가 보이지 않는 것으로 간 주한다. 이것을 접 *.b=O 효과적으로는 보이지 않는 조건 eff ec tive inv is i b i l it y 이라고 한다. 대개 버거스 벡터를 결정할 때 이 조건을 사용해도 된다. 일반 전위의 실험 상의 정확한 해석을 위하여 컴퓨터를 사용하 여 시편의 여러 조건들을 전산 모사하여 얻은 전산 모사 상 comp u te r sim ulati on im ag e 을 이용한다〔 27-3 이. 식 (3-284) 와 식 (3-285) 에서 컴퓨터를 사용하여 적분하고 회절 빔과 투과 빔 의 전폭을 구하여 전위가 있는 상을 계산한다. 그립 3-45 는 w = 0 근처에서 효*. b = l 일 때 나사 전위의 상 분포를 나타내는데 명시야 상과 암시야 상의 강도를 나타내는 모식도이다. 모두 강 도가 배경보다 낮고, 비슷한 모양으로 하나의 검은 피크를 나타 낸다. 전위가 기울어져 있으면, 죽 y가 변하면 상도 변하게 되 는데 모양이 지그재그 z ig za g 모양이나 검은 점 사슬 모양을 나 타내접*게. b된 *다 〔O 1 인6, 완31전] . 전 위의 주요 특칭은 다음과 같다. ® 명시야 상에서 전위는 실제 전위 중심에서 약간 벗어난 곳에 검 은 선으로 나타나고 홍 *.Fxa 의 부호가 바뀌면 전위 상이 이동 한다. ® 비정상 흡수 때문에 시편의 윗쪽에서는 전위의 명시야 상과 암 시야 상이 서로 상보 관계에 있지 않게 된다. ® 시편의 표면 근처에 있거나 w ;;;; 0.1~1 .0 영역에서 많이 기울어
I
져 있는 전위는 지그재그 콘트라스트롤 나타낸다. ® 효*. b = 2 일 때 전위 상이 때로는 이중 (w 츠 0.1) 때로는 하나 (w 츠 0.1~10) 로 보인다. ® 2- 빔 조건이 정확하게 만들어지지 않았을 때 전위 상이 이중으 로 나타난다. 불완전 전위에 대해서는 면심 입방에서 상이 어떻게 나타나는 지 살펴보자. 쇼클리 Shockley 부분 전위의 E = 강 <112> 이고, 프랭크 Frank 부분 전위의 b =½<111> 이므로 ff*· b 는 홍*oJ]
따라서 0, 土½, 士송, 士 1 이 될 수 있다. 적층 결함의 양쪽에는 부분 전위가 있게 되는데, 앞에서 기술한 바와 같이 변위 벡터 R 에 따라서 적충 결함이 보이기도 하고 보이지 않기도 한다. 변 위 벡터 R 과 부분 전위의 5 사이의 기하학적인 관계 때문에 효 *.R 이 정수면 접*. 5 도 정수가 되고, 홍 *.R 이 분수가 되면 효*. 5 도 분수가 된다. 적충 결함이 보이지 않는 경우〔 32, 33], 효*. b = O 이면 나사 쇼클리 부분 전위는 보이지 않게 되고, g*. 5 = 土 1 이면 w :S: 1. 0 일 때 부분 전위는 보이게 된다. w :s;; 1.0, 효*. b = O 이며 m = 강ff*· bx u = 0.2024 인 칼날 프랭크 부분 전위는 보이게 되 나 경우에 따라 달라진다. 적총 결함이 보일 경우, 이 경우 ff*· r; = 土} 또는 土출가 된다. 호위 How i e 와 윌란 Whelan 은 여러 효*. 5 값의 나사 쇼 클리 screw Shockley 부분 전위를 연구하여 ff*· r; = 士 1/3 이면 효과적으로 보이지 않는 것이 되고, 뭉*. 5 = 士 2/3 이면 검은 선 으로 부분 전위가 나타나게 된다고 하였다〔 16]. 부분 전위는 두 께나 w 에 따라 보이기도 하고 보이지 않는 경우도 있다. 3 버거스 벡터의 결정 버거스 벡터의 방향은 전위의 상이 사라지도록 시편을 여러 방 향으로 기울이는 실험으로 얻을 수 있다〔 34, 35]. 여러 회철 빔, 즉 여러 효*에 대해 2- 빔 조건을 만들어 한 전위에 대해 명시야 상 또는 암시야 상 사진을 찍어 그 전위가 보이는지 안 보이는지 를 각 접*에 대해 판별하여 버거스 벡터를 구한다. 나사 전위의 경우 점*. b = o, 죽 버거스 벡터가 회절 면에 평행한 경우 전위
가 보이지 않게 된다. 이 판단 기준은 혼합 전위의 경우에도 특 별한 경우를 제의하고는 대개 그대로 적용할 수 있다. 혼합 전위 에서 l*· b = o 일 때 보이는 약한 잔여 콘트라스트를 효과적으 로는 안 보이는 것 eff ec ti ve inv is i b i l ity 으로 간주한다 [3-7~3 -9]• 전위가 보이지 않는 2 개의 효*를 구하면 버거스 벡터는 두 효* 룰 만드는 면에 공통으로 들어있으므로 버거스 벡터는 두 면의 정대 축이다. 표 3-2 는 면심 입방에서 여러 홍*와 5* 에 대한 접*. 5 의 값을 나타낸 것이다. 예를 들어 효* = 020 과 점* = 11T 에서 전위가 보이지 않는다면 [020]x[111] = IOI 에서 버거스 벡 터는 강 [101] 또는 표에서 5 = ½[101] 로 정 할 수 있다. 그러나, 효*. 5 효과적으로는 보이지 않는 조건을 사용할 때 주의해야 할 경우도 있다. w 가 1.5 이상이면 점*. b=l 인 경우의 전위의 콘트라스트가 효*. b = O 인 경우와 매우 유사하게 나타난 다 [36, 37]. 어떤 한 5 며 대해 버거스 벡터에 따라 하나는 ff*· t = 1 이고, 다론 하나에서는 ff*· t = 2 인 두 전위가 있을 경우에, w 를 증가시켜 맑· b = 2 인 전위를 잘 보이게 할 때 홍*. b = l 인 전위가 보이지 않을 수가 있다. 이 경우 l*· b = 1 인 전위가 보이지 않은 것을 홍*. b = O 으로 오인할 수 있다. 그 러므로 버거스 벡터 결정 실험을 할 때는 w 가 1 이하가 되도록 하여 전위가 보이지 않는 접*가 적어도 3 개는 되어야 한다. 부분 전위의 경우 버거스 벡터가 격자 이동 벡터가 아니므로 l*· 6는 정수가 되지 않을 경우도 있다. 적층 결함의 양쪽 경계 에도 부분 전위가 반드시 있다. 면심 입방(f ee) 구조에서 쇼클리 부분 전위 Shockley pa rti al dis l ocati on 와 프랭크 부분 전위 Frank pa rtia l d i sloca ti on 는 모두 홍*. 5 의 값이 0, 土 1/3,
표 3-2 면심 입방에서 완전 전위의 효* · 5 표
土 2/3, 土 l 등이 된다. 부분 전위의 버거스 벡터를 결정하기 위 한 실험에서는 부분 전위를 쉽게 관찰할 수 있도록 하기 위해 적 충 결함이 보이지 않는 조건을 선택하고, W 가 1 이하이면서 효 *.b=o 인 적어도 3 개의 밝을 구하도록 한다. 부분 전위에 서 효*. b = l 이면 전위가 보이는 것이 되나, 룡*. 5 가 土} 또는 ±출가 되면 부분 전위의 보이는 것과 보이지 않는 것을 구별하 기가 어렵게 되므로 될 수 있으면 효 *.5= 土§ 또는 土宁가 되 는 조건을 피하고, 피할 수 없으면 컴퓨터 상 전산 모사로 얻은 상과 실제 상을 비교하여 버거스 벡터를 구하는 데 이용한다. 4 석출물 석 출물 pre cip itat e 의 콘트라스트는 기 지 matr i x 와 석 출물 사 이의 관계가 각각 정합, 반정합, 또는 부정합인지에 따라 3 가지 로 나누어 생각할 수 있다. 기지 내에 정합 석출물이 존재하는 경우 석출물의 격자 상수가 기지와 달라 기지와 석출물에 변형장이 만들어져 회절 콘트라스 트롤 일으킨다 [38-40]. 이 콘트라스트롤 계산하기 위해서 반경 ro 의 구형 석출물 내의에 생기는 변형 R 은 R = {er면, r, :I ;t :i :~ :ro: (3-290) 이고 여기서 c 은 속박 변형 constr a in e d str a in 변수이다. 석출물 과 기지가 같은 탄성 계수인 등방성 탄성 이론에서는 이 c = 28/3 이고 8 는 석출물과 기지 격자의 부정합 변수 m i s fit pa rame-
ter 이다. r 은 석출물의 중심에서 반경 벡터이고 ro 는 석출물의 반경이다. 석출물 주위의 상의 동력학적 회절 계산을 하기 위해 서는 식 (3-290) 을 식 (3 -2 81) 에 대입하여야 한다. 석출물 주위 의 변형장 R 이 구형 대칭을 이루고 있으므로 석출물 상에서 홍* 벡터에 수직인 부분은 흉 *.R = O 이 되어 콘트라스트가 없는 선 이 형성되어 석출물의 상이 소위 커피 콩 콘트라스트 co ff ee bean contr a st 를 나타내 게 된다. 반정합성 석출물의 경우, 기지와 석출물 사이의 계면은 전위로 구성되어 있는데, 이때 나타나는 석출물의 콘트라스트에 기여하 는 것은 바로 계면에 있는 전위들의 콘트라스트이다. 부정합성 석출물의 경우, 변형장이나 전위가 계면 주위에 존재 하지 않으므로 이때 생기는 콘트라스트는 기지와 석출물의 구성 원소의 원자 번호의 차이 때문에 생기는 구조 인자 콘트라스트가 주된 콘트라스트가 된다. 3-4 고분해능 투과 전자 현미경학 3-4-1 두사 전하 밀도 근사 정 확하게 초점 이 맞는 가우스 상 면 Gaussia n im ag e pla ne 에 서 어떤 거리만큼 떨어져 있는 면에서의 상인, 약간 초점이 벗어 난 상은 프레넬 회절상으로 위상 정보를 얻을 수 있다. 탈초점 상의 진폭 분포나 강도 분포는 우리가 콘볼루션을 공부할 때 (1 장 1-2-4 절) 나온 것과 같이, 물체 위의 한 점이 탈초점 상에서 그 상의 진폭이 어떻게 변하는지를 나타내 주는 함수와 초점이 맞는 가우스 상 면에 있는 상과의 콘볼루션이다. 초접이 맞는 가
우스 상 면에 있는 상을 나타내는 파의 진폭은 바로 물체의 두과 함수로, 1/f(x ', y') = ¢(-x', —y') (3-4) 이고, 물체 상의 한 점이 탈초점 4 f에 따라 상을 표시하는 파의 전폭 변화를 나타내는 함수는 콘볼루션하는 함수로 식 (3-30) 에 入 1 Pz( x ',y ') = ik ~exp( 27 rik ~) (3-291) 이다. 윗식에서 지수 항 앞의 ik exp (42Tf ik 4 f) 己。 무시하면 탈초 점 면 위에서 파의 진폭 분포는 1fl'(x ', y') = ¢(-x', —y') • exp (zmk ~) (3-292) 이다. 투과 함수
I = l/fl/f* = {1 + J� v2 /3(p�, y')_}2
(3~295) !� 1 + }^ -V2 /3 (-x', Ny')t��" �Ƭ�� �Ɛ� X���� Ȑ� ������ ����`� L� (2 �� 2-3-2 �) �X� �ij P @� �� V(r) X� �|�Ĭ ���� t ���д��� x�Dš� �Ĭ �� = �� e �� �ijX���V( r). ����� �X "v2� (- 3183) ��� t��, V(r) (3(x,y) = ~ oz 'v2x2(, TyC)3k =o(� �ij�� 2 � Y�-'7 2 V-(:P) oz p = 2mk 0 2 Vo e t���,p� k� = ko \= �l/ ,1tI � 1 4f 8z p( x', -y') 2� c (2-157) (3-138) (3-296) (3-297) \� \���\��. ������ �t� ��X� �ij|� ���\� ���д��� ��@� � ���X� �X� �ij p(N x', -y'�t ��. ̹|� �Ƭ�X� �����t� � �Ɛ� X�서 원자의 전하 밀도 분포를 볼 수 있게 되어 원자들을 관찰할 수 있 게 되는데, 이것이 바로 고분해능 투과 전자 현마경 hig h -resoluti on tra nsmi ss io n electr o n m i crosco py (HRTEM) 의 기본 결상 원리이다. 식 (3-297) 에 따르면 고분해능 현미경 상은 전자 현미경의 전위 Vo, 시편의 두께 &, 탈초점 Llf, 시편 내의 원자 종류 및 분포 p( -x', ―y')에 따라 변하게 되는 것을 알 수 있다. 여기에서 제 한점은 물체가 매우 얇아 파동 벡터가 물체를 통과하면서 아주 조금만 변한다고 가정한 약상 근사이다. 식 (3 - 140) 에서 파의 전 폭이 1/f( r) =e xp [거 戶 + 갑 V( r) oz}] = exp [21ri{ -/v; V( r) oz}] exp (21r ik,。• r) (3-298) = exp if]( r) exp (21r i k-지 。 • r) 으로 위상 변화 (J( x, y )=21rk 。 :(:%z 가 처 2 의 상당 부분이 될 때는 1 에서 많이 벗어나 약상 근사가 맞지 않게 된다. 약상 근 사를 적용할 수 있는 한계를 위상 변화 (J( x, y) = 21rk 。 :(:) & 가 중의 갑-, 죽 젊라고 하면 약상 근사를 적용할 수 있는 최대 두께는 21r- fk V( r) az = 듦 (3-299) 에서 8zmax = 꼈1( 홍굶2 ; TTVo7 y = 랐A 5 V(V or ) (3-300)
가 된다. 300 keV 현미 경 에서 A = 1.96 9 pm = 1.96 9 x 10-12 m 기 고 Vo 는 3Xl05V 이며 고체 내의 원자 전위가 어림잡아 lOV라 고 하면, 이에 해당하는 시편 두께는 8Zmax = 1.9 6 9 2x0 10-12 뿐10 (3-301) = 9.85 x 10-10 m = 0.9 8 5 nm 이다. 약상 근사에서 시편이 아주 얇아야 하므로 사실 1nm 의 두께만 되어도 약상 근사가 성립하지 않는다. 그런데 이 두께는 기껏해야 원자 충 두 개 내지 세 개의 두께로 이런 시편이 고체 롤 나타낸다고 이야기하기 어렵다. 더 두꺼운 시편에 대해서는 8z 一 笠쵸i 하고 8z 를 정미분 pro p e r dif fere nti al dz 로 · 바꾸어 한충 한층 적분하여 물체 전체 두께 t에 이르도록 적분한다. 이렇게 하면 물체의 출구 면 z = t에서 파의 전폭은 식 (3-140) 에서 1Jf(x , y, t) = exp (21r i덥 f) exp {21ri- fv; lt V( x, y, z) dz} (3-302) 가 된다. 물론 정초점 상에서는 투사 전위 /t V(x,Y,z)dz 에 대 。 한 정보는 얻을 수 없지만 탈초점으로 상의 강도는 I = l + 훑 v2 1t V(-x', -y', z) dz (3-303) 이 된다. 항 v21。 t v( 군,-y ',z)dz 은 물체의 두사 전하 밀도 pr oje c t ed charge densit y 를 표시 한다. 이 경 우 전하 밀도의 두 사가 원자 구조롤 잘 나타내도록 하기 위해서는 입사 전자 빔의
$* ·•$ $* ' '*$: $.蒸 ·: '漆i· .蒸蒸· ·蒸蕩· :蒸蒸·· ·蒸禁··
그림 3-46 (b) 알루미늄을 [llO] 방향에서 찍은 고분해능 두과 전자 현미
방향을 결정의 고대칭 축으로 해야 한다. 예를 들어 면심 입방 (fee ) 구조인 알루미늄의 박판 시편에 [00 1] 방향으로 전자 빔을 입사시키면 전하 밀도의 두사는 그립 3-46(a) 의 위와 같이 되고 [11 이 방향으로 입 사시 키 면 전하 밀도 두사는 그림 3-46 (a) 의 아래와 같이 된다. 그림 3-46(b) 는 [11 이 정대 축으로 찍은 알루 미늄의 고분해능 투과 전자 현미경 사진이다• 여기서 점들은 원 자들의 위치를 나타낸다. 이 원자들의 원자 간격 이 얼마나 작은지 알아보자. 만일 가로, 세로 각 1cm 의 알루미늄 단결정 시편을 가로, 세로로 각각 500 km 로 늘일 수 있다고 가정을 해보자. 경부 고속도로의 길이가 대략 500km 이다. 알루미늄 원자 간격 중 사전에 표시되어 있는 것은 (002) 면간 간격 0.2 nm 이다. 1 cm 알루미늄 결정이 500 km 로 늘어난다고 가정하면 면간격 0.2nm 는 0.2 X 10 내 50100X-l 20 m3 m = 10-2 m 로 늘어 나게 된다. 죽 알루미늄 결정 1cm 가 서울에서 부산까지의 길이만큼 늘어나도 원자 간의 간격은 1 cm 정도밖에 되지 않을 정도로 아주 작은 것이다. 두사 전하 밀도 근사의 한계점은 회절 전자 빔이 더 이상 전위 와 같은 지역에 있지 않을 때이다. 전위의 주기는 면 간격 dhkl = 1/I 효 .hklI 과 관계 있으므로 전위가 있는 데서 분산 4x 가 Llx = t0 < dhkt =~ (3-304) 이어야 한다• 그림 3-47에 서 () = Llk/k = I 효 :k i l/k 이므로 두께의 한계치는 윗식에서 t < 0|51: u| =一|홍노 ~I _ _I 점누 : kl| = |효kl k t l2 (3-305)
• t• •
이고, 다시 쓰면 t<—dA2 (3-306) 이다. 파장이 4 p m 이고 면 간격 d 가 0.2 nm 일 때 l ff :kl| 은 5run-l 이 고 t < 10 -a m = 10 nm 이 면 얇 은 물 체 근 사 thin- obje c t ap pr oxim ati on 가 성 립 한다고 생 각한다. 금속의 경우 격자 상수가 비교적 작고 단위 포의 크기도 작으
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므로 해당하는 역격자 벡터가 크다. 한편, 현미경에는 수 개의 대물 조리개가 있는데, 회절상에서 브래그 빔들은 대개 제일 작 은 대물 조리개의 밖에서 만들어지게 되고, 그 다음 작은 조리개 내에 기껏해야 두 개 또는 세 개의 브래그 빔만 들어오게 된다. 이렇게 될 때 이것은 주기적인 전위 V( f) 또는 이것의 이차 미 분인 주기적인 전하 밀도에서 정보를 수집할 때, 브래그 빔의 개 수에 해당하는 두 개나 세 개의 푸리에 계수 vg 에서만 정보를 수집한다는 것을 의미한다. 브래그 빔의 개수를 많이 줄이면 전 위를 나타내는 푸리에 급수를 많이 줄이는 것과 똑같다. 그러면 상은 물체의 세밀한 부분을 나타내지 못한다. 한편 그립 3-48 (a) 와 같이 두과 빔 1JJo와 회 절 빔 1Jfg 하나가 대물 조리개 내에 포함되어 상을 형성한다면 만들어지는 상은 그 림 3-4 8 (b) 와 갇이 격 자면 hkl 의 주기로 나타내는 상이 다. 여 기 에서 푸리에 공간에 있는 두 개의 빔울 각각 두 개의 델타 함수 로 생각하고 렌즈가 푸리에 변환을 한다고 생각한다. 두 개의 델 타 함수의 푸리에 변환은 cos 함수이기 때문에 만일 우리가 x' 을 홍; 방향으로 잡으면 1/f(x ', y') = f{ a(Llk + ~) + a(Llk —~ )} exp (-21riL1 / c x') d (Llk) (3- 30 7) = exp (21rix '~) + exp (-21r ix 겔운) =2cos( 날~) 이고강도는 I = 4 cos2 (21rx’ ~) = 4 cos2 玉(孟) (3-308)
이고 상의 강도 분포는 그립 3-48 (c) 와 같이 면 간격 dhkl 의 주 기로 g *hkl 에 수직한 평행 줄무늬를 나타낼 것이다. 이 줄무늬를 격 자 줄무늬 상 latt ice fring e im ag e 이 라고 한다. 결정 이 10 nm 미만이고 입사 빔이 격자면에 평행하게 정렬되고 결정이 적당히 탈초점이 될 때 줄무늬의 위치는 그 면의 위치에 해당될 것이다. 그러나 대부분의 시편은 이보다 두껍기 때문에 투사 전자 밀도와 상에서의 원자 위치와 1 대 l의 대응 관계를 잃어버려 줄무늬의 위치가 실제 원자 면 위치에서 이동된 다른 위치가 된다. 그래서 줄무늬 상은 전위가 어떤 위치에 있다는 것을 나타내지만, 전위 중심과 같은 결함의 줄무늬 상에서 중심의 위치를 정확하게 해석 하기는 상당히 어렵다. 그림 3-48(c) 는 CdTe 에서 나온 두과 빔 000 과 회절 빔 111을 조리개에 포함시켜 얻은 격자 줄무늬 상이다. 계산에서 얻어진 것과 갇이 줄무늬로 나타난다. 시편 중에 칼날 전위가 있어서 잉 여 반면 extr a half pla ne 이 잘 나타나 있다. 3-4-2 콘트라스트 전달 함수와 외피 함수 고분해능 전자 현미경 상을 얻기 위해서는 시편의 두께가 매우 얇고, 현미경 렌즈의 수차가 매우 작고, 가속 전압과 렌즈의 전 류가 안정되고 전자 빔의 정합성이 좋고 현미경의 정렬이 찰 되 어 있어야 한다. 그러나 이 조건을 다 만족하여도 좋은 고분해능 현미경 상을 얻기 힘들다. 좋은 전자 현미경 상을 얻고 이 상의 해석을 정확하게 하기 위해서는, 시편에서 생기는 위상 차가 현 미경에서 결상시 어떤 과정을 통해서 어떻게 전달이 되는지를 이 해하고, 적당한 탈초점을 하여야 한다. 일반적인 시편은 일반 체로 생각할 수 있으므로 이 물체의 투
과함수는 이다. 여기서 진폭을 나타내는 항인 µ.a k(X) 의 앞에 있는 인자 cos x(Llk) 는 물체의 전폭울 상의 강도에 얼마나 잘 전달해 주는 지를 나타내는 인자로, 전폭 콘트라스트 전달 함수 am plit ude contr a st tra nsfe r fun c tion (ACTF) 라고 하고, 물체 의 위 상인 /3 4k(x) 의 앞에 있는 인자 sin x(Llk) 은 물체의 진폭을 상의 강도 에 얼마나 잘 전달해 주는지를 나타내는 인자로, 위상 콘트라스 트 전 달 함수 ph ase contr a st tra nsfe r fun cti on (PCTF) 라고 한 다. 여기서 위상 콘트라스트 전달 함수는 sin x(Llk) = sin [21r{— Llf J~ + CsJ3 ~}] (3-315) 이고, 고분해능 전자 현미경 상에서는 물체의 위상을 이용하여 결상하므로 이 위상 콘트라스트 전달 함수가 매우 중요하다. 이 위상 콘트라스트 전달 함수가 +1 이면 상의 강도가 전위가 있는 부분 죽 원자의 위치에서는 감소하므로 원자의 위치에서 주위보 다 검게 된다. 전달 함수가 -1 이면 상의 강도가 원자 전위 부분 에서 증가하므로 원자 위치에서 주위보다 밝게 되어 원자의 투사 전위의 위치가 바로 상의 위치가 되고, 전달 함수가 O 이면 원자 전위, 즉 위상에 대한 정보를 전달하지 못하므로 상에서는 원자 배열을 볼 수 없게 된다. 또한 이 위상 콘트라스트 전달 함수는 4k 의 함수이므로 x 축 울 4k 로 표시하고 y축에다 위상 콘트라스트 전달 함수를 그리 면, 각 4k, 죽 각 역격자 공간에서 위상을 얼마나 잘 전달해 주 는 것인지롤 나타내 주는 그립이 된다. 그림 3-49 는 가속 전압 이 200 kV이 고 구면 수차 계수 Cs 가 0.7 mm 인 JE OL JE M -2000EX 현미경의 위상 전달 함수의 변화를 각 역격자 공간, 죽 공간 주파수 spa ti al freq u ency 로 나타낸 그림 이 다. 그립 에서
콘트라스트 전달 함수
콘트라스트 전달 함수 contr a st tra nsfe r fun cti on (CTF) 는 전동 을 많이 하고 있는 가는 선으로 나타내었고, 진동 없이 감쇄하는 가는 선은 외피 함수를 나타내고, 두 함수의 곱을 굵은 선으로 나타내었는데 이 곱은 전체적인 콘트라스트의 전달을 나타내고 있다. 이 전달 함수가 대물 렌즈의 초점 면에 있다고 생각하면 그립에 나타나 있는 전달 함수를 이해하기가 더 쉽다. 이 그래프 의 영점에는 광축에 있는 투과 빔 00() o] 있다고 생각하고 각 브 래그 회절 점은 이 영점에서 L1k = g*에 해당되는 위치에 존재
한다. 그러므로, 4k 축 상에 있는 각 점에 해당되는 함수의 각 값들은 바로 회절상에서 그에 해당하는 위치에 있는 회절 빔이 실제로 현미경으로부터 받게 되는 영향을 그대로 · 나타낸 것이다. 실제 전달 함수는 비점 수차가 없으면 광축에 대해 원형 대칭 을 이루게 된다. 보통 이 비점 수차는 사용자가 수정하여 없앨 수 있다. 전달 함수의 값이 士 l 이면 이때는 전자 현미경의 렌즈 가 시편에서 만들어전 위상 정보를 렌즈의 수차 등에 의한 감쇄 가 없이 100% 그대로 전달하게 된다. 그러므로 원자의 배열, 죽 두사 전위가 있는 그대로 결상되기 위해서는 4k 의 많은 부분에 서 될 수 있는 대로 전달 함수의 값이 土 1 이거나 이에 가까운 값 이 되도록 하여야 한다. 이 전달 함수에 영향을 줄 수 있는 여러 변수 중에는 대부분 현미경이나 사용 조건에 따라 고정이 되어 있어 사용자가 변화시킬 수 없으나, 유일하게 렌즈의 초점은 사 용자가 원하는 대로 조절이 가능한 변수이다. 그러므로 주어진 현미경의 조건에서는 탈초점을 조절하여 전달 함수의 값이 士 1 에 가까운 값이 되도록 한다. 전달 함수의 모든 값이 동시에 土 1 이 될 수 없으므로 탈초점을 조절하여 전달 함수의 절대값이 l/e 보 다 크게 나타나는 4k 의 범위가 가장 넓게 될 때의 탈초점 값을 쉬 르처 탈초점 Scherzer defo c us 이 라고 하고 이 값은 LJ/s cherzer = 1.2( CsA)112 (3-316) 이고 구면 수차 계수와 파장에 의해 결정이 된다. 일반적으로 고 분해능 상을 얻기 위한 최적의 탈초점 조건은 바로 쉬르처 탈초 점 조건이다. 구면 수차 계수가 0.7mm 이고 가속 전압이 200 kV 인 현미경은 전자의 파장이 2.sx10-3nm 이므로 쉬르처 탈초 점 은 1.2( 0.7 X 106 X 2.5 X 10-3)112 = 50.2 nm 가 된다. 그림 3-49 는 JE OL JE M-2000EX 현미경에서 쉬르처 탈초접 조건인 탈초접
― 50.5nm 게서의 콘트라스트 전달 함수를 나타낸 그립이다. 이 쉬르처 탈초점 조건에서 콘트라스트 전달 함수의 값이 원점 이의에서 처음으로 ()ol 되는 4k 에 해당하는 간격을 고분해능 전 자 현미경 상에서는 분해능으로 정의하고 이를 쉬르처 분해 한계 Scherzer resoluti on lim i t 라고 부른다. 이 쉬 르처 분해 한계 는 ( or)scherzer = 0.7 C s114A31 4 (3-317) 로 계산되며 구면 수차 계수의 1/4 승에 비례하고 파장의 3/4 승 에 따라 변한다. 파장을 줄이면 분해능을 향상시킬 수 있다. 탈초점을 쉬르처 탈초점보다 음으로 계속 증가시키면 콘트라스 트 전달 함수는 진동을 심하게 하게 되고 전달 함수의 값이 처음 으로 土 1 이 되는 4k 의 값이 점차 감소하게 된다. 탈초점을 음으 로 계속 증가시켜도 마치 쉬르처 탈초점과 같이 콘트라스트 전달 함수의 절대값이 1/e 보다 크게 나타나는 4k 의 범위가 넓게 나타 나는 탈초점이 계속 있게 된다. 이 탈초접은 Llfn = (¥ Cst1 ) 112 (3-318) 이고 여기서 n 은 정수이고 n = O 일 때가 바로 쉬르처 탈초점이 다. 또한 n 은 콘트라스트 전달 함수 절대값이 1/e 보다 큰 4k 의 범위가 넓게 나타나는 밴드보다, 4k 의 값이 작은 공간 주파수에 서 전달 함수의 값이 土 1 이 되는 곳의 개수이다. 쉬르처 탈초점 조건에서 결상을 하면 원자의 투사 전위가 최대 의 공간 주파수 범위 내에서 상으로 전달되기 때문에, 일반적으 로 고분해능 상은 이 조건에서 결상을 하게 된다. 그러나 이때의 분해능의 한계는 쉬르처 분해 한계이다. 쉬르처 탈초점보다 더 음으로 탈초점을 잘 조절하여 콘트라스트 전달 함수의 절대값이
l/e 보다 큰 4k 가 넓은 범위에서는 생기지 않아도, 회절상의 브 래그 회절 점에 해당하는 4k 에서만이라도 콘트라스트 전달 함수 가 같은 부호로 각각 큰 절대값을 가지도록 하면, 각 회절 빔이 렌즈에 의해 결상이 될 때 콘트라스트롤 잘 전달하게 되므로 원 자의 위치가 그대로 상에 나타나게 된다. 이렇게 각 브래그 회절 점이 콘트라스트를 잘 전달할 수 있도록 조절한 탈초점을 무구면 수차 조건 aberrati on -fr ee foc usin g ( AFF) 이라고 하고〔 41 〕 4f AF F = 2 『 {(n + 0.115) + 言} (3-319) 로 주어지고 여기서 n 은 정수이고 면 간격 d 는 첫번째 브래그 회절 점을 만드는 결정의 격자면 간격이다. 당연히 무구면 수차 조건은 결정의 면 간격에 따라 달라진다. 무구면 수차 조건으로 결상을 하면 쉬르처 분해 한계보다 더 작은 간격에 대한 정보를 지닌 고분해능 전자 현미경 상을 얻을 수 있는 장점이 있고, 이 결상 방법은 비교적 상에서 거의 원자 의 위치를 그대로 정확히 파악할 수 있다〔 4 인. 하지만 이 무구면 수차 조건을 사용하는 데도 제약이 있다. 예를 들어, 일반적으로 브래그 회절을 일으키지 않는 결정 내의 여러 결함들은 회절시 회절 강도가 역격자 공간, 죽 회절상에서 확산되어 있으며, 이때 이에 해당하는 공간 주파수의 전달 함수의 철대값이 대개 0 에 가 깝다고 한다 [3-1 이. 이런 무구면 수차 조건에서는 결함 때문에 생기는 정보는 렌즈에 의해 완전히 무시되어 상에서 정확한 결함 에 대한 정보를 얻을 수 없다. 그러므로 무구면 수차 조건으로 결상을 할 때에는 브래그 회절 점에서는 물론이고, 결함 때문에 생기는 확산 회절 점 근처에서도 전달 함수의 값이 커서 결함에 대한 정보가 전달이 잘 되도록 탈초점을 조철하여야 한다. 재료
내의 여러 결정 결함을 연구하는 데 실제 이 방법을 적용해 왔다 [43-5 이. 그림 3-50 은 반도체 /금속 접 합을 만들기 위 해 반도체 GaAs (격자 상수 a = 0.5 6 5nm) 기판 위에 계면에서 한 개의 GaAs 격
GaAs
자 간격에 두 개의 금속 격자 간격이 일치하면서 두 격자 면이 평행하도록 하기 위해 격자 상수가 GaAs 의 반이 되는 금속인 CoGa( 격자 상수 a = 0.288run) 을 분자선 에피택시 방법으로 성장 시킨 시편의 단면울, 분해능이 0.21 nm 인 JE OL JE M- 2 000EX 전자 현미경을 사용하여 고분해능 전자 현미경 상으로 찍은 것이 다. 위에 있는 CoGa 의 고분해능 상에서 격자 상이 점으로 잘 나타나 있는데 여기서 제 일 넓은 {111} 면 간격은 0.166 nm 로 현 미경의 점 분해능 0.21nm 보다 작다. 그리고 콘트라스트 전달 함수가 ()o] 되는 4k 의 값은 n7[ = x(4r) = 27[ { _4fA (4:)2 + cSA3 (『 } (3-320) 에서 구할 수 있고, 전달 함수 값이 0 이면 콘트라스트를 전혀 전달하지 못한다. 윗식은 탈초점에 따라 달라지므로 콘트라스트 가 O 이 되는 4k 값들을 측정하여, 이 값과 콘트라스트 전달 함 수를 비교하여 탈초점 값을 알아낼 수 있다. 이 탈초점을 측정하 기 위해서는 고분해능 상에 반드시 시편 가장자리에 있는 비정질 상을 포함시키고, 이 비정질 상이 있는 음화 필름을 광학 회절기 에서 회절시킨 이 광학 회절상에서 콘트라스트 전달이 0 이 되어 강도가 O 이 되는 4k 를 측정한다. 여러 수차와 수령 각 분포를 지니는 현미경 전달 함수는 T(L1k) = L1k) exp {ix(L 1k)} exp {-½균(하 )2 tl 2(L1k)4} exp (-,r~q) (3-321) 이고 여기서 q = {-L1J. tlL1 k + C 검 (4k)3}2 (3-119)
아고, 탈초점과 구면 수차에 의한 위상 차 x(4E) = 27[ { -4/A (4广 + Cs -13 ~} (3-115) 의 영향은 앞의 콘트라스트 전달 함수로 나타내었다. 식 (3- 32 1) 에서 렌즈의 색 수차에 의한 세번째 항 exp {-}군(하 )2A2(4k) 4 } 은 가우시안 감폭 함수로 표시되어 있고 이 함수를 4k 에 따라 그리면 콘트라스트 전달의 대략적인 겉모양을 나타내기 때문에 이 함수를 외피 함수라고 한다. 입사 빔의 수령 각 분포 때문에 생기는 영향은 네번째 항 ex p(―군『기에서 또한 가우시안 함 수로 표시되어 있고, 이 함수도 역시 또 하나의 의피 함수가 된 다. 이 두 함수의 곱도 역시 의피 함수가 되는데 그림 3-49 에서 이 의피 함수가 높은 공간 주파수에서 급격히 감쇄되는 모습을 가는 선으로 나타내었다. 이 의피 함수의 역할은 높은 공간 주파 수에서 전달 함수를 급격히 감쇄시키는 역할을 한다. 이 그림에 서는 lmrad 의 대단히 작은 수령 반각에서도 높은 공간 주파수 에서는 전달 함수가 급격히 감쇄함을 보여 준다. 그러므로, 좁은 간격에 해당하는 높은 공간 주파수에서는 콘트라스트 전달 함수 의 절대값이 크도록 탈초점을 잘 조절하여 분해능을 향상하고자 하여도, 의피 함수의 감쇄 영향으로 실제 콘트라스트의 전달이 잘 되지 않아 상에서는 분해능 향상이 조금밖에 되지 않는다. 죽 궁극적인 현미경의 분해능은 색 수차와 수렴 각 때문에 생기는 의피 함수의 감쇄의 시작을 비교적 크게 어디서 하느냐에 달려 있다. 그림 3-49 에서 실제적인 콘트라스트 전달은 콘트라스트 전달 함수와 의피 함수의 곱으로 표시되고 굵은 선으로 나타내었 다. 이 곱한 함수는 공간 주파수가 높은 경우 전체적인 대략의
모양을 나타내는 의피 함수의 영향으로 상당한 감쇄 효과를 나타 낸다. 이 의피 함수의 감쇄 효과는 상당하여 어떤 공간 주파수, 죽 4k 이상에서는 원자에서 생기는 위상 변화를 결상 과정에서 전혀 전달을 하지 못하게 하므로 실제 물리적인 조리개가 없을지라도 현미경의 결상시 렌즈 후방 초점 면에 가상의 조리개가 존재하는 것과 같은 효과를 지닌다. 또한 실제적인 조리개나 유한 렌즈의 여o궁 lo: T(4r) = gd( 4r) (3- 32 2) 도 하나의 의피 함수로 나타낼 수 있고 가상적인 조리개와 같은 효과를 나타낸다. 3-4-3 광학 회절과 상 처리 고분해능 전자 현마경 상의 분석에는 컴퓨터를 이용한 상 분석 울 많이 이용해 왔다. 컴퓨터와 더불어 간단하고 쉽게 사용할 수 있기 때문에, 광학 벤치 위에서 레이저와 여러 개의 렌즈와 조리 개 등을 이 용한 광학 회 절 기 op tica l dif frac to m ete r 를 많이 사용 한다. 광학 회절기의 기본 원리는 두과 전자 현미경의 기본 원리 와 똑같다. 그러므로, 전자 현미경의 기본 원리를 학교에서 교육 할 때도 광학 회절기를 주로 사용한다. 그림 3-51 에 나타낸 바와 같이 광학 회절기에서는 전자원 대신 정합성이 매우 좋은 레이저 광원을 사용하고 자기 렌즈 대신 광 학 렌즈를 사용한다. 전자 현미경에서는 시편을 사용하나 시편 대신 고분해능 상을 포함하고 있는 사전 음화를 사용하고 사진 중의 일부분만 조리개를 사용하여 레이저 광선이 지나가도록 하
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여 렌즈를 통해 회절을 시키면 렌즈의 초점 면에 광학 회절상 op tica l dif frac to g r am 이 얻어진다. 광원은 주로 파장이 632.8 nm인 He-Ne 적색의 레아저를 이용한다. 사전 음화에 0 . 1mm 의 간격을 지닌 고분해능 상이 기록되어 있다면 브래그 법칙 n11 = 2dsin BBo J] 따라 회절이 일어나서 렌즈의 후방 초점 면에 회절 상을 만든다. 전자 현미경에서와 같이 광학 회절기의 카메라 상 수를 알면 광학 회절상을 전자 회절상과 똑같은 방법으로 분석할 수있다.
그림 3-52(a) 는 알루미늄울 공기 중에서 6oo·c 에서 5 분간 가 열하였을 때 알루미늄의 표면에 산화물이 형성되는데 이렇게 형 성된 알루미늄/ 비정질 산화 알루미늄의 계면을 찍은 고분해능 단면 두과 전자 현미경 사전이다. 아래는 알루미늄 결정 격자를 나타내 주고 위는 전형적인 비정질의 고분해능 상을 보여 주고 있다. 계면을 관찰해 보면 계면에서 수 nm 크기의 결정 상의 섬 이 생성되어 있음을 알 수 있다. 고분해능 사전 음화 중에서 이 결정 상의 섬을 중심으로 광학 회절기의 조리개를 이용하여 얻은 광학 회절상이 그림 3-52(b) 이다. 광학 회절상에는 알루미늄 기 판에서 나온 회절 점도 포함되어 있지만 결정 상의 섬에서 나온 회절 점도 포함하고 있다• 그림에서 산화물에서 나온 회절 점의 정대 축은 (001] 이고 알루미늄의 정대 축은 (110] 이다. 화살 촉은 산화물의 220 회절 점이고, 회절상에서 산화물의 200 회절 점은 나타나지 않으므로, 결정 상의 섬이 스핀넬 구조의 r 상 산화 알 루미늄임을 알아낼 수 있다. 이와 같이 광학 회절을 이용하면 수 nm 크기의 영역에서 회절 정보를 알아낼 수 있는 장점이 있다. 제한 시야 조리개의 경우 조리개의 크기가 대략 250run 정도이 므로 (2 장 2-4-6 절), 제한 시야 조리개로써는 광학 회절에서와 같 이 작은 영역에서 회절 정보를 알아낼 수 없다. 보통 전자 회철 에 사용되는 제한 시야 조리개는 상당히 넓은 영역을 포함하고 있으므로 조그만 결정으로 되어 있는 시편의 경우에 조리개 내에 많은 결정을 포함하게 되어 다결정이 나타내는 회절상을 보여 주 기 때문에, 알고자 하는 특정 결정에서 회절 정보를 얻는 것이 불가능하다. 그러나 광학 회절에서는 고분해능 현미경 사진 음화 위에서 조리개로 특정 결정을 선택하여 단결정에서 나오는 광학 회절상을 얻을 수 있으므로 특정 결정의 분석이 가능하다• 비정질 시편은 연속적인 여러 원자 간격을 포함하고 있으므로
띠lN이
그림 3-52 (b) 고분해능 사진 음화 중에서 결정상의 섬을 중심으로 광학
회절시 푸리에 변환이 되어 회절상에서 여러 4r, 죽 공간 주파 수에 대한 정보를 포함하고 있다. 전자 회절시 비정질 시편에서 훈륜 halo 이 있는 전자 회절상이 얻어지는 것과 마찬가지로, 여 러 원자 간격을 포함하고 있는 비정질 고분해능 현미경 상의 사 전 음화를 사용하여 광학 회절상을 얻을 수 있다. 비정질 상의 광학 회절상은 4r 에 대한 회절 강도의 분포를 나타내 주므로, 이 강도 분포에서 현미경의 렌즈가 원자의 투사 전위를 사전으로 얼마나 잘 전달해 주었는지를 알 수 있다. 현미경의 실제 콘트라 스트 전달 함수의 자승은 푸리에 공간에서 강도로써 나타나고 이 강도는 비정질 상의 광학 회절상의 강도 분포로써 측정할 수 있 다. 콘트라스트 전달 함수가 O이 되는 각 4r 에서는 회절 강도 가 0 이 되므로 비정질 상의 광학 회절상에서는 전달 함수가 0 이 되는 곳은 검게 나타난다. 앞 절에서 기술한 바대로 식 (3-320) 에서 탈초점에 따라 전달 함수가 O 이 되는 4r 가 달라지게 된 다. 따라서, 각 탈초점에 따른 전달 함수 분포와 비정질 상의 광 학 회절상을 비교함으로써 비정질 상의 결상시 탈초점과 기타 여 러 고분해능 상의 결상 조건들을 알아낼 수 있다. 예를 들면, 비점 수차가 있으면 광학 회절상이 원형 대칭을 나 타내지 못하고 타원형으로 방향성을 나타내어 찌그러져 있으며, 시편이 천천히 움직이고 있으면 d rifti n g 광학 회절상에서 움직이 는 방향으로는 콘트라스트를 전달하지 못하여 검게 나타난다. 비 정질 시편의 고분해능 상에서 콘트라스트 전달 함수를 알 수 있 으므로, 쉬르처 탈초점에서 고분해능 상의 강도 분포에서 전달 함수가 ()o] 되는 4r 를 찾아서 식 (8r)scherzer = 袁 = 十 (3-323)
에서 고분해능 상의 분해능인 쉬르처 분해 한계를 알 수 있다. 비정질 시편으로는 증착 탄소 박막이나 산화 실리콘 박막울 주 로 이용하나 결정의 고분해능 상의 결상 조건과 동일한 조건의 비정질 상을 얻기 위해서는 시편의 가장자리에 있는 얇은 비정질 충을 포함시켜 고분해능 상을 얻는다. 또한 그림 3-51의 광학 회절상에서 조리개나 특수 마스크 mask 를 사용하여 광축에서 멀리 떨어져 있는 회절 범과 상의 배 경 잡음 backg ro und nois e 때문에 생 기는 빔울 제 거 한 다음, 두번째 렌즈로 결상을 하면 렌즈의 결상 면에서 배경 잡음이 제 거된 깨끗한 상을 얻는다. 이 방법으로 본래 사전 음화에 직접 얻을 수 있는 상보다 배경 잡음이 제거된 더 선명한 상을 얻을 수있다. 전자 현미경 상의 컴퓨터 처리 im ag e comp u te r p rocess i n g는 현미경에서 직접 얻어전 상의 분석을 잘 하기 위해 상을 광학 회 절기대신 컴퓨터로 처리하는 기술이다. 상 처리의 기본 원리는 그림 3-51 에서 나타낸 바대로 광학 회절을 이용한 상 처리와 같 다. 광학 회절기에서는 사진 음화를 사용하여 상 처리를 시작하나, 상의 컴 퓨터 처 리 에 서 는 CCD (charge coup le d devic e) 카메 라로 인화된 사전 또는 음화 필름에서 상 처리 대상 상을 컴퓨터로 입 력하든가, 또는 전자 현미경에서 직접 광섬유 전선을 통하여 텔 레비전 수상기로 상을 전송한 다음 이 상을 컴퓨터에 입력하여 상 처리를 시작한다. 처리 대상 상의 강도 분포에서 투과 함수를 계산할 수 있고 이 투과 함수를 푸리에 변환을 하면 후방 초점 면의 회절파가 얻어진다. 이 회절 파와 그 공액 복소수를 곱해 주면 회절 파의 강도, 죽 회절상이 얻어진다. 전자 현미경과 컴 퓨터가 직접 연결되어 있으면 상을 얻는 죽시 회철상을 얻을 수
있다. 현미경의 비점 수차와 콘트라스트 전달 함수의 모양은 비 정질 상의 회절상에서 잘 나타나므로, 실시간 real tim e 에 컴퓨 터 처리된 비정질의 회절상을 직접 보면서 현미경의 비점 수차 수정과 탈초점 조절을 할 수 있는 큰 장점이 있다. 좋은 재생 상을 얻기 위해서는 현미경 전달 함수나 위상 콘트 라스트 전달 함수의 형태가, 관심 있는 영역에서 만들어전 정보 를 포함하고 있는 공간 주파수와 회절 점의 정보를 잘 전달하고 배경 잡음은 전달되지 않는 형태로 만들어 준다. 또한 배경 잡음 울 소거하기 위해 톱니바퀴 모양의 특수한 마스크를 만들어 배경 잡음 전달을 막아 주기도 한다. 이렇게 만들어진 현미경 전달 · 함 수와 회절 파롤 곱하고 이것을 푸리에 변환하여 상 면에서의 파 를 얻고, 이 파와 공액 복소수 파를 곱해 주면 상 면에서의 파의 강도 분포, 즉 배경 잡음이 소거된 재생 상을 얻는다. 3-4-4 현미경 상 전산 모사 현재 고급 투과 전자 현미경의 대부분은 보통 결정의 구조를 원자 규모로 분석할 수 있다. 앞의 절 (3 장 3-3-1) 에서 본 바와 같이 고분해능 전자 현미경 상의 강도는 식 (3-303) 에서 I = l + 훑리t V(-x', —y', z ) dz (3-303) 로 주어진다. 항 'v2 1。 t V (-x', -y',z ) dz 은 물체의 투사 전하 밀 도를 표시한다. 따라서, 상의 강도, 죽 현미경 상은 탈초점, 시 편 두께, 원자의 전위, 가속 전압에 따라 달라진다. 그림 3-53 은 200 kV의 가속 전압에서 한 장의 사전으로 찍은 r 상의 산화
그림 3-53 균J- 산화 알루미늄 결정의 고분해능 사진. (a) 와 (b) 는 두께의
알루미늄 결정 하나를 확대한 고분해능 사전들이다. 그림 3-53 (a) 와 (b) 는 모두 같은 탈초점, 원자 전위, 가속 전압의 조건이 나 두께의 차이로 인해 현미경 상에서는 많은 차이를 나타낸다. 일반적인 산화물이나 광물 시편의 경우 시편 두께가 5~10nm 정도로, 금속 시편의 경우에 수 nm 정도로 시편이 아주 얇을 경 우 고분해능 상과 시편 내의 원자 위치 간에 1 : 1의 대응 관계가 있다 [5 니. 그러나 시편의 두께가 이보다 더 두꺼우면 현미경 상 이 원자의 투사 전위를 그대로 나타내 준다고 생각하기 힘들다. 따라서 상의 해석을 정확하게 하기 위해서 여러 탈초점과 시편 두께에서 시편과 현미경의 조건으로 전산 모사로 얻은 상과 실제 실험에서 얻어전 상 ex p er i men t al i ma g e 을 비교 검토하여 시편
의 원자 구조를 해석한다. 특히 계면과 같은 결정 내의 결함이나 세라믹과 같이 원자 구조가 복잡한 경우에는 실험 상에서 직접 원자의 위치를 파악하기 어려우므로 고분해능 상의 전산 모사가 꼭 필요하다.
I—II I'•’
실제 현미경의 구성은 복잡하게 구성이 되어 있으나 앞(1 장 1 -1 - 3 절)에서 기술한 바와 같이 전자 현미경의 기본 구성은 전자 방 시편, 대물 렌즈 하나로 구성되어 있다(그림 1-6) 고 생각한 다. 상의 전산 모사 com p u t er im ag e sim ulati on 에서도 전자 현 미경 중의 여러 복잡한 결상계를 단순화시켜 그림 3-54 에 그린 것과 같이 전자 현미경을 전자 선, 시편과 대물 렌즈로 구성된 단순한 계로 생각한다. 처음에 시편에 입사하는 전자 빔은 평면 파로 간주하고 전체 렌즈 계의 수차는 대물 렌즈 하나의 수차로 생각한다. 실제 현미경에서도 대물 렌즈가 시편의 결상 및 회절 에 주요 역할을 하고 나머지 렌즈는 단순히 상을 확대하는 역할 울한다. 전자 현미경 전산 모사 상 계산에서는 모델 전자 현미경에서 물체를 나타내는 두과 함수, 후방 초점 면에서 회절 파를 계산하 기 위해 투과 함수의 푸리에 변환, 결상 면에서 파를 계산하기 위해 회절 파의 푸리에 변환 등의 계산이 필요하다. 투과 함수는 모델 시편에서 주어진 자료를 주로 사용하고 가속 전압의 값을 추가하여 사용한다. 후방 초점 면에서의 파는 투과 함수의 푸리에 변환으로 계산한다. 후방 초점 면, 죽 푸리에 공 간에서 렌즈의 수차, 수령 각 및 조리개 등의 현미경 조건이 포 함된 현미경 전달 함수 (3 장 3-1-3 절)를 후방 초접 면의 파에 곱 한다. 이 수정된 후방 초점 면의 파를 푸리에 변환하여 상 면의 파롤 계산한다. 현재 사용되고 있는 전산 모사 계산은 주로 다층 박판 법 mult isli ce me th od 을 사용한다. 이 방법은 시편의 전산 모사 계 산을 전체 두께에 대해 한꺼번에 하는 것이 아니라, 시편을 여러 개의 얇은 총으로 나누어 각 총에서 출구 파 ex it wave 의 전폭 과 위상을 계산한다. 어떤 시편이 두께 8z 의 N개의 얇은 충으
로 구성되어 있다고 생각하면 전체 두께는 t = Noz 이다. 각 얇 은 총의 결정 전위는 충이 아주 얇다고 생각하여 2 차원적인 평 면 전위 죽 투사 전위로 생각한다. 먼저 입사 파가 첫번째 박판 총을 통과한 후의 파를 계산하고 이 파를 다음 박판 충의 입사 파로 생각하여 다음 박판 충을 통과한 파를 계산한다. 이 계산을 박판 두께의 합이 최종 두께가 될 때까지 반복하여 계산한다. 시편이 결정이라면 원자가 규칙적으로 배열되어 있으므로 결정 의 원자 전위도 어떤 주기성을 가지고 있다. 그러므로, 결정의 원자 전위를 주기 함수로 생각할 수 있다. 푸리에 급수에서 주기 함수 V(r) 은 푸리에 급수로 V( r) = n~=00O Vn exp (27rin L 1le· r) (3-120) 로 표시할 수 있고 여기서 Vn 은 푸리에 계수이다. 브래그 법칙 에 따르면 결정은 역격자 공간에서 4r = 홍*일 때만 델타 함수 로 매우 강한 회절 파의 전폭을 갖는다. 그래서 투과 함수의 변 환, 죽 역격자 공간의 각 부분들 중에서 4r = 互*일 때만 중요 한 값을 지니고, n4r 도 일반 역격자 벡터 흉*에 포함되므로 (nLlk = g*), 푸리에 급수에 이것울 대입하고 모든 역격자 벡터 맑에 대해 합을 구하면, V( r) = Lg! Vg exp (21r i결* • r) (3-121) 이 된다. 식 (3-122) 와 윗식에서 푸리에 계수 vg 와 원자 산란 계수 fj의 관계식은 vg = ~2TChm2e e.Q ~fj exp ( 크 2TC i'효* • 7j) (3-124) = 21rmh2e eQ Fg
이고, 여기서 요는 단위 포의 체적아다. 먼저 원자의 종류(또는 원자 번호, Z) 와 위치를 정하여 원자 모델을 만들어 계산용 단위 포를 만든다. 윗식 (3-124) 에서 푸리 에 계수 Vg를 단위 포 내에 있는 모든 원자들에 대해 계산하여 얻는다. 윗식에서 원자의 전자 산란 계수 j el( LJ k) 는 식 (2-183) IeI(4 『) = (41k)2 2n;>:c 2 { Z -IX(4 r)} (2-183) 에서 원자 번호 (Z) 와 실험에서 결정된 x- 선의 원자 산란 계수 IX(4r) 를 대입하여 계산하여 얻는다. 푸리에 계수에서 원자 전 위를 구하는 식 (3-121) 에 위에서 구한 푸리에 계수를 대입하여 전자 빔 방향으로 투사된 단위 포의 투사 원자 전위 pro je c te d ato m i c p o t en ti al 를 계산한다. 역격자 공간의 원점에서 40nm-1 에 있는 모든 푸리에 계수를 포함하여 계산하면 대부분 정확한 계산 결과를 얻을 수 있다 [44]. 박판 시편 충은 매우 얇으므로 위상 체로 간주하고, 전자 파가 두과함에 따라 위상 체는 파의 전폭은 변화시키지 않고 파의 위상만 변화시킨다. 식 (3-139) 에서 전자 현미경 내의 얇은 시편인 순수 위상 체의 투과 함수는 ¢( r) = exp i/3 = exp 2TC i匡 冒 터 = exp 2TCi { (*)1'2V ( r) 터 (3-139) 이고, 이것을 2 차원 투사 전위로 표시하면 ¢(x, y) = exp 治 = exp 2m·{ ko 모晉근 터 (3-324) = exp 2TC i {(2 麟 )112 Vp( x, y) 8z }
으로 위 상 변화 /3( x, y)는 시 편 투사 전위 Vp( x, y), 시 편 두께 & 및 전자 현미경의 가속 전압 Vo 에 의존한다. 박판 시편을 나 와 자유 공간 z 를 지난 파는 2 차원에서 프레넬 전파자인 Pz(x,y ) = ik ~ex p{다(仁 “} (3-30) 의 영향을 받는다. 어떤 시편의 두께 t = noz 에서 시편 표면 출구 파는 두과 함 수와 프레넬 전파자를 사용하여 계산할 수 있다. n 충 시편 출 구파는 n< /J( x y) = {n 一 )
면 수차, 색 수차, 전자 빔의 수령 각, 조리개의 영향을 고려해 야 하는데 이 영향은 바로 역격자 공간에서 렌즈의 후방 초점 면 의 파에다 현미경 전달 함수를 곱하여 얻는다. 이렇게 수정이 된 후방 초점 면의 파는 1fJ'm (4 『) = 1Jf( 4r) T(4r) (3- 32 8) 이고, 여기서 앞의 여러 수차와 수령 각 분포를 지니는 렌즈의 현미경 전달 함수는 T(Llk) = ¢d(Llk) exp {ix(L lk)} exp { ―½균( 하 )2112(L1k) 4 } exp ( —7 [망 이 (3-329) 이고 여기서 §d(4r) 는 조리개 함수의 푸리에 변환이고, x(4 尸) = 27[ {— 4f A (4;)2 + cSA3 (4:)4} (3-115) 이며 q = {-Llf- 1. LJk + C 검 (4k)3}2 (3-119) 이다. 본래 이론적으로는 탈초점 4 f가 있으면 계산된 초점이 맞 는 상 면 파에다 탈초점 4 f인 프레넬 전파자를 콘볼루션하여 탈 초점 면의 파를 계산하나, 탈초점에 의한 위상 변화를 위의 식에 서와 같이 현미경 전달 함수에 포함하여 상을 계산하여도 똑갇은 결과가나온다. 초점 분산 s pread in fo cus( 하)은 실제 찍은 사진과 여러 개의 다론 초점 분산 값을 넣어 계산한 계산 상과 비교해서 구하기도 하고 식 (3-108)
하 = Cc{ (望 )2 + 4( 문 )2 + (景 )2}l l 2 = 4 (3-108) 에서, 색 수차 계수와 현미경 전압 및 렌즈 전류의 리플 r ipp le 과 필라멘트의 전자 에너지 분산에서 초점 분산울 구한다. 수렴 반각 a 는 초점을 맞춘 조명 상태에서 얻어진 회절상에서 식 (2 - 350) 을 사용하여 회절 점의 크기를 측정하여 계산한다. 구면 수 차와 전자의 파장은 주어진 현미경과 조건에서 정해진 값을 사용 한다. 렌즈의 상 면의 파는 수정된 후방 초점 면의 파를 푸리에 변환 하여 ffrm (x, y) = ffr(x , y) * T(x, y) (3-330) 이 되고 고분해능 상, 죽 상 면에서 강도 분포는 상 면 파와 그 공액 복소수를 곱하여 얻으므로 강도는 I = Wm(X, y) ffJ,: (x, y) (3-331) 이 된다. 그림 3-55 는 스핀넬 구조의 산화 알루미늄을 빔 방향을 [110] 방향으로 하여 JE OL JE M- 20 00EX 현미경 조건으로 전산 모사 1하5여, 2얻0, 은2 5고 ru분n 해이능고 현y 미축경은 상탈이초다점. 으x로 축 은一 24시 n편m 에두서께 로— 154, 5 1n0m, 까지이다. 시편의 두께와 탈초점에 따라 현미경 상의 많은 변화 롤 보여 주고 있다. 실제 전자 현미경에서 얻은 실험 상과 원자 모델을 사용하여 전자 현미경의 조건으로 전산 모사한 상을 비교함으로써 결정, 계면, 결함 등의 정확한 원자 배열을 알 수 있다. 그립 3-56 은 실험에서 얻은 알루미늄/산화물 계면의 고분해능 상과 계면의 원
—
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자 모델을 사용하여 전자 현미경 조건으로 전산 모사한 전산 모 사 상을 보여 준다. 전산 모사 상은 실험 상 안에 삽입되어 있 다. 3-4-5 모아레 줄무늬 전자 현미경 시편에서 전자 빔 방향으로 두 개의 겹치는 결정 이 있을 때 모아레 줄무늬 Moir e fring e 가 관찰된다. 각 결정 에 서 강한 회절이 일어나 투과 빔과 회절 빔이 대물 조리개를 동시 에 통과하면서 서로 간섭을 일으켜 상 면에서 두 회절 점을 연결 하는 선에 수직인 줄무늬둘을 만든다. 같은 상p hase 의 얇은 두 결정이 서로 작은 각 a 로 회전이 되어 있는 관계에 있을 때 생 기는 줄무늬를 회전 모아레 줄무늬라고 하는데, 이런 회절 줄무 늬는 쉽게 벽개가 되는 박판 결정에서 많이 관찰된다. 그림 3-57(a) 와 같이 시편이 2 개의 결정 1, 결정 2 로 구성이 되어 있고 위에서 전자 빔이 입사한다고 생각하자. 그림 3-57 (b) 의 왼쪽에 있는 것은 결정 1 의 (h1kil 1) 면울 나타낸 것이다. 이 (h1kil 1) 면에서 생간 회절상은 아래에 표시되어 있는데 회절 점은 h1k1l1 이고 역격자 벡터는 岳 ;IkU1 이 된다. 그림 3-57(b) 오 른쪽에는 결정 2 의 (h2k2l2) 면을 나타내 었는데 결정 1 의 (h1kil 1) 면 보다 면 간격이 더 넓고 각도 a 로 회전되어 있다. 결 정 2 만 있으면 (h2k2l2) 면에 의해서 생기는 회절 점은 h2k2l2 이 고 역격자 벡터는 홍 :2k2lz 이다. 그림 3-57(c) 는 결정 1 과 결정 2 가 그립 3-57(a) 와 같이 겹쳐 져 있을 때 나타나는 모아레 줄무늬와 회철상을 나타낸 것이다. 먼저 결정 1은 (h1k 마) 면에 의해 회철 점 h1k il 1 을 만든다. 이 회절 점 h1k 마이 이중 회절 double d iff rac ti on 로 결정 2 에 두과
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빔으로 역할을 하여 회절 점 晶 k2T2 를 만든다. 이 E2r2T2 점이 000 빔과 가까이 있으면 모아레 줄무늬를 관찰할 수 있는 가능성 이 많아진다. 결정 1 과 2 사이에 면간 간격의 차이가 작거나 회 전 각도가 작으면 결정 1 의 투과 빔 근처에 이중 회절 점이 만들 어질 가능성이 많아전다. h1k1l1 점에서 h2k2T2 까지의 역격자 벡 터는 이중 회절로 인하여 ―용 ;2k 가 2 이다. 투과 빔에서 이중 회절 점 h2k2T2 까지의 역격자 벡터를 45* 라고 하면 그림에서 4 점* = 효: ,k1l1 —ffl 2k 2l2 (3-332) 이다. 그림에서 원은 대물 조리개를 나타낸다. 앞에서 2 개의 회 절 점에서 격자 줄무늬를 얻는 것과 같이 (3 장 3-3-1 절) 투과 빔 과 이중 회절 점을 델타 함수로 생각하여 이것을 푸리에 변환을 하면 상에서 파의 전폭이 나온다. 상에서의 파의 전폭은 x' 방향 울 4 굵 방향으로 잡으면 lfl(x ', y') = 1:{ a(Llk + 묵) + 8(4k —꿍 * )} exp ( —27r iL l kx') d(Llk) = 2 cos (27rx' A(-) (3-333) 이고, 강도는 I = 4 cos2 (;rx' b) (3-334) 으로 4 흥*에 수직한 방향으로 평행한 줄무늬가 나타난다. 줄무 늬의 간격은 d, ig*이다. 이 줄무늬롤 모아레 줄무늬라고 한다. 그림에서
4 맑 = 홍: 1k il 1 - gh*2 k2l2 (3-332) 이므로 양 변을 제곱하면, IL1 점기 2 = lff :1k t1 1 l2 + lf f:2k 212l2 —2l ff 1i ,k1l1II 효 /?2! cos a (3-335) 이고 여기서 a 는 (hIklh) 와 (h2k2l2) 사이의 회전 각이다. 역격자 벡터의 크기는 면간 거리의 역수이므로 d;1g * =- dl i1k 1l 1 +,1 dl21k 가 2 —n,2_ , d1 i11 k i l1 dh21k2 l2 cos a (3-336) d] gd•1 ,ki l, =+ dl2k~2l2 —2파d h1kUl dh2k212 cos a 이 되고 따라서 모아레 줄무늬의 간격은 dg = (dt ki /1 + dl2k2d;2h —IkU2dld h1hk1l21d h2k2l2 cos a?12 (3-337) 로 주어진다. 회전 각이 0 이고 면 간격만 다른 경우에 생기는 모아레를 평행 모아레라고 하고, 이때 줄무늬 간격은 cos a = 1 01 므로 d4g *|dmk=UI 一 ~dh2k212 1 (3-338) 이고 이 평행 모아레 줄무늬는 박막 성장시 에피택셜 성장 또는 토포택 셜 top o ta xia l 성 장시 많이 관찰된다. 회 전 모아레 의 경 우 면 간격이 같으므로 dh,kil i = dh2k2l2 이므로 식 (3-335) 에서 dg = (1 —d2h 빠c os a)172 =- 2d sh iI nk U운I 츠 dhaI klll (3-339) 로 계산된다.
그림 3-58 GaAs 위 에 Au-Ge 합금을 증착하여 열처 리 한 후 GaAs 결 정
그림 3-58 은 GaAs 기 판 위 에 Au-Ge 합금 박막을 증착하여 열처리 후에 만들어전 계면의 모습을 보여주는 사진이다• GaAs 결정과 합금 사이의 반응으로 생긴 화합물이 GaAs 결정과 중첩 이 되어 모아레 줄무늬를 나타낸 것을 보여준다.
제 4 장 분광학 4-l x- 선의 원리 4-1-1 X- 선의 생성과 스펙트럼 지금부터 약 100 년 전인 1895 년, 음극선 실험용 진공관에서 고압 방전을 실험하던 독일 물리학자 뢴트겐 (Ron tg en, 1845 ~1923) 은 눈에 보이지 않는 일종의 투과 방사선이 음극선 시험 용 가스 방전관의 유리 벽을 통하여 근처의 사진 필름을 검게 하 는 것을 발견하였다. 뢴트겐은 이 방사선을 종래의 음극선과 구 별하기 위해 x- 선이라고 명명하였다. 이후 x- 선은 생명과 우주 의 물질 구조를 해석하는 데 커다란 공헌을 했다. 뢴트겐의 1901 년 제 1 회 노벨물리학상 수상은 <20 세 기 과학기술의 시작〉이라 는 상칭적인 의미도 담고 있다. 주목해야 할 점은 x- 선 발견의 배경에는 진공 기술과 사전 기술의 기반이 있었다는 사실이다. 가스 방전관에서는 잔여 기체 분자가 이온화함에 .따라 전자가 만들어지고 이 전자가 금속 양극으로 가속된다. 양으로 하전된
분자 이온은 음극으로 가속되어 이 음극에서 더 많은 자유 전자 가 충격으로 나오게 되고 이것이 양극으로 가속된다. 이 때 양극 에서 나오는 방사선을 x- 선이라고 하는데 금속에 전자가 충돌하 여 발생한다. 가스 방전관의 x- 선 발생은 이온화율과 가 스 압력 에 의존한다. 더 일반적으로는 전공 속에서 가열된 텅스텐 필라 멘트에서 열 이온적으로 만든 전자를, 냉각을 쉽게 하기 위해 접 지 전위로 유지한 금속에 가속시킴으로써 x- 선을 만든다. 전자 룰 금속에 가속시킬 때 진공 유지를 위해 될 수 있는 대로 얇은 베릴륨 (Be), 유리, 운모 등을 x- 선의 두명 창으로 사용한다. 빛 속도의 수분의 일 속도로 가속된 전자들은 움직이는 전하들 이므로 전류 i를 만들고 이 전류는 전자 유도 법칙에 의하여 자 계 H를 만든다. 이때 전자 궤적의 방향으로 단위 길이를 7 로 표시하면, 전자에서 거리 r 에 있는 어떤 점 p에서 순간 자계 값은 il = f~ = fi'v x f막 (4- 1) 이다. H 의 크기는 1/ 군에 따라 감소한다. 윗식을 비오 - 사바르 (Bi ot 1774~1862, Savart 1791~1841) 법칙이라고 하고 그림 4 -1 에 나타내었다. 전류가 속도 紅로 움직이는 점 전하 q 때문에 생긴다면, i d 「 = 뿜(길 dt) = dq v (4-2) 이고 따라서 자계는 H= 갑 vx f근쁜=감 vx f (4-3)
E
가 된다. 그러므로, 점 p에서 시간에 따른 자계 H 의 변화는 속 도의 시간적인 변화율, 즉 가속도 a = a 인 /a t 2 와 연관되어 있다. 그러나 전자계는 빛의 속도로 전파하므로 자계에서의 어떤 변화 가 점 p에 도달하는 데는 그림 4-1 에서 보면 시간 r'/C 가 걸린 다. 그러므로 점 p에서의 자계 fl(r, t)는 실제로는 시간(t― r'/ c) 에서 전하 q 때문에 생긴 것이다. 우리는 이 지연 속도 reta r ded veloc ity 롤 [v] = v(t ―딘 (4-4) 로 표시한다. 자계 H는 H == _집 4g7_ [ v巨x 上r 팔 8[8 tT ] (4-5) • + 촬 lxv(¾)} 이다. 여기서,
[ T] = 「(t -白 (4-6) 이f며i,(r , 자t) 계= 금fl(r (, o t, )o를, ~ 극(좌)'표 계8\ [(r], 0+ ' , ¢장 』)t를〔 ] 사S용1}?하, 『여 ) =다 시H ,:, 쓰(4면-7 ) 이다. 죽 fl(r, t )의 ¢ 성분만 0 이 아니다. 우리는 전자에서 멀 리 있으면, l/r2 ~ l/r 이므로 자계 fl(r, t)의 ¢ 성분 중 첫째 항은 무시하고 둘째 항만 생각해도 된다. 그리고 r' 츠 r 이므로. H(r, t) = H¢ = ~47r 4aPt2 -r~e (4-8) 이다. 맥스웰 Maxwell 방정식을 사용하여 해당되는 전계 E(r, t)를 구하면 E(r, t) = (o, 금 82』 {)~, o) = Ee, (4-9) 이다. 여기서 보는 것처럼 두 계 fiel d E 와 H 는 서로 수직이다. 82』 『 에 대해 더 생각해 보자. 전자가 단순히 일정 속도로 직선 울 따라 움직인다면 H 는 물론 0 이 되어 먼 거리 r 에서는 계가 없을 것이다. 하지만 더 정확히 이야기하면, 자계는 식 (4-7) 에 서 우리가 무시한 부분의 영향으로 l/ 군에 따라 감소한다. 전자가 시편과 만나면 시편 내의 원자와 빠르게 상호 작용한 다. 원자는 서로 반대 부호인 전자와 원자 핵으로 구성되어 있으 므로, 입사하는 전자와 이 원자 내의 핵과 전자들과의 상호 작용 은 탄성 충돌을 일으키는, 먼 거리에서도 작용하는 쿨롱 상호 작 용이다. 전자는 원자 내의 전자나 핵에 에너지를 주고서 운동 에
너지 E k 를 잃는다. 전자의 밀도가 Ne 일 때 에너지 손실률은 —dE dkz( z) = e8W7 [ egZ Ek1( z) ln Eak( 。zn ) (4-10) 이고, 여기서 Ek(Z) 는 전자 궤적의 어떤 점 z 에서 전자 에너지 이고 a 。 n 는 대략 원자의 이온화 문턱 ion iz a ti on thr eshold 값에 해당하는 평균 에너지 전달 값(약 lOZeV) 이다. 전자는 일정하게 운동 에너지를 잃고 있으므로 계속해서 감속이 된다. 50keV 전 자에서 평균 에너지 손실률 _ dE」 : z) 은 109evm - 1 이므로 전자 는 평균 깊이 z = (5 X 104 eV)/(109 evm-1) = 5 X 10-s m = 50 µm 에서 정지하게 된다. 전자가 시편에 z 방향으로 입사할 때 거리 dz 와 식 (4-1) 의 미 분 궤적 길이 dl 을 같다고 보면, a2』 t:] = a2z (t a :2 r / c ) = a(t : (4-11) 이고 여기서 a(t 一 r/c) 는 전자의 가속, 이 경우는 감속을 나타 낸다. 전계와 자계를 z 의 함수로 나타내면 E(r, t) = -4err ssci2n r 0' 82z(t a -t2 r/c) =~a( t-팁 =Ee, (4-12) fi(r, t) = —4e rsricn r 0' 82z(ta -t2 r /c ) =~a( t국 )=H, (4-13) 이다. 시간을 t에서 4 t만큼 감소시켰을 때 r 에서의 전계나 자계
는, t = t에서 r 을 4r = c4 t만큼 증가시켰을 때의 전계나 자계 와 같다. 즉 가속도는 a( t - Llt - 뀝 = a( t —r +c c4 t ) (4-14) 이기 때문이고, 이는 곧 그림 4-2(a) 에서 보는 바와 같이 먼 거 리에 있는 전자계는 더 이른 시간의 전자계에서 만들어진다는 의 가미이 다경.과 하한기편 전어 떤더 시작간은 4거 t리가 경(r과 —한c L l후 t )에r 에있서었의던 전것자과계 는갇 다4.t 즉가속도는 a( t + Llt —덩 = a( t —r —Cc4 t ) (4-15) 이고 시간이 지난 뒤의 전자계는 그림 4-2(b) 와 같이 조금 진행 해 작은 거리에 있었던 전자계가 전행되어 만들어진 것이다. 위 두 식의 성질에서 우리는 전계와 자계가 진행 파의 형태로 방사 되고 있다는 것을 보여준다. 그러므로, 가속 또는 감속하는 전자 는 전자계 방사를 발생한다. 이 감속하는 전자에 의한 전자계 방사 를 독일어로 브레이크를 거는 방사라고 하는 뜻인 브렘스트라홀릉 Bremsstr a hlung 이 라고 한다. 감속 전자에 의해 방출된 전자계 방사는 입사되는 빠른 전자가 상호 작용하는 전자나 핵에 가까이 있는 시간 동안의 감속 시간 에 걸쳐서 방출된다. 원자는 입자로 존재하므로 원자 하나 근처 에서 방출되는 전자계 방사는 하나의 펄스p ulse 나 파단으로 구 성되도록 한다. 양자 역학적으로 이것을 양자라고 하고 각 양자 의 에너지는 U = hv = h (J)/ 27r 이므로 u= 누 (4-16)
l(r, 1 )
이다. 현미경 내에서 입사된 전자가 시편 속의 전자나 원자 핵과의 단 한번 상호 작용 동안에 입사된 운동 에너지의 어떤 분율 f를 잃는다고 가정하자. 본래의 운동 에너지는 물론 전위 Vo 로 가속 되어 얻은 에너지 eVo 이다. 위의 상호 작용 때 방출된 x- 선 양 자의 에너지는 U=f =JeVo (4-17) 또는 A= 끄feV o (4-18) 이다. 전자가 잃는 에너지의 최대 분율은 / = l 이므로 최소 파 장은 /\mi n = 툴 (4-19) 이 고 이 파장을 단파장 단 short- w aveleng th lim i t 이 라고 한다. h = 6.6 X 10-34 Js, c = 3 x 108 m/sec, e = 1.6 x 10-19 C을 대 입 하 고, Vo 를 볼트 단위로 나타내면 11m112.4 n X= 10~-7 m= 가12 ~40n m (4-20) 이다. 해당되는 최대 x- 선 주파수는 !lma x = 운 = 2 X 1014 Vo S-1 (4-21) 이다. Am i n 과 l.l max 울 가속 전압의 함수로 광속에 대한 전자 속도
표 4-1 가속 전압에 따른 x - 선 의 단파장 단 (Am i n) 과 최대 주파수(I/ ma x ), 그
의 비와 함께 표 4-1 에 나타내었다. 시편의 첫 10nm 정도에서는 전자가 에너지를 전혀 잃지 않을 확률이 제일 크고, 에너지 전부를 잃어버릴 확률은 이보다는 작 다. 전자가 투과 현미경 시편 속으로 더욱 들어감에 따라 에너지 의 더 많은 분율을 잃어버릴 확률이 점점 증가한다. 식 (4 ― 10) 에 나타난 것처럼 추가 에너지 손실률 -dEk/dz 는 전자가 에너지를 잃어버림에 따라, 즉 Ek 가 감소함에 따라 증가한다. 시편에서 깊이가 점점 깊어짐에 따라 에너지 손실률 -dEk/dz 는 점점 증 가한다. 따라서 에너 지가 감소함에 따라 단파장 단도 증가한다. 이것을 그림 4-3 에 점선으로 모식적으로 나타내었다. 그러나 동 시에 방출된 x- 선이 시편에 흡수되는 것도 가능하다. 시편이 얇 은 경우 x- 선은 시편을 잘 두과하나 전자 빔이 시편에 들어가는 깊이가 깊을 때는 상당히 많은 흡수가 일어난다. 파장이 간, 죽 에너지가 작은 x- 선은 더 강하게 흡수되고 이 x- 선은 더 깊은 곳에서 생성되기 때문에 시편 밖으로 나오기 위해서는 표면까지 더 긴 거리를 시편 속에서 진행하여야 한다. 결과적으로 파장에 따른 x- 선 방출 확률은 그림 4- 筑 l 실선으로 나타낸 파장 분포 곡선이 되는데 이 연속 곡선은 모든 방출과 홉수 확률을 동시에
x- 선 발생 확률
다 고려하여 그린 것이다. 단파장 단에서 시작하여 반연속적인 이 스펙트럼울, 단파장 단 이상의 여러 파장을 다 포함하고 있으 므로 백 색 방사 whit e radia t i on 라고 한다. 백 색 x- 선 생 성 효 멸O_ T0 W = l.4 X 10-9ZVo (4-22) 이고 여기서 Z 는 시편의 원자 번호이고 Vo 는 전자의 가속 전압 이다. 4-1-2 특성 방사 백 색 브렘스트라홀룽 Bremsstr a hlung 스펙트럼은 하나의 파장
울 가진 단색 방사가 아니기 때문에 어떤 특별한 파장에서 날카 롭게 피크가 만들어지지 않고 l.5t1 m 1n 근처에 넓게 퍼진 혹을 만 들기 때문에 의학용 의에는 거의 쓰이지 않는다. 우리가 공부한 모든 회 절은 k = l/1 1 , 죽 A 에 따라 크게 영 향을 받는다. 파장이 하나가 아니고 여러 종류가 있으면 여러 파장의 영향으로 회절상 이 퍼져 보인다. 다행히 입사 전자는 감속될 때 방사선을 방출할 뿐 아니라 원자 내의 전자에 충분한 에너지를 전달한다. 어떤 경 우에는 전달된 에너지가 원자에서 전자를 떼어 낼 수도 있다. 원 자에서 이와 같이 전자를 떼어 내는 것을 이온화라고 한다. 앞에서와 같이 (2 장 2-3-1 절)시간 독립 슈뢰딩거의 파동 방정식 은
(-~ + Ep )lJf = Ul /f (4-23) 또는 간단히, Hl Jf = UlJ f (4-24) 로 나타낸다. 윗식의 해는 고유값 e ig envalue 이라는 특정한 에너 지 값, Un= 뽀2TC (4-25) 에 대해서만 존재한다. 이런 고유값들에 대웅하여 나오는 해 伊 를 고유 함수 eig e n fun cti on 라고 한다. 원자한핵 예의로 주원위자를 번움호직가이 는Z 이전며자 (양전전하하 —로e ) 되 하어 나의있는 (운전동하에 +대Ze해) 알아보자. 원자핵에서 거리 r 만큼 떨어져 있는 전자가 받는 힘 F 는 정전기 또는 쿨롱 힘으로F = (Ze)(— e) 김 (4-26) 4TC€o 1 이다. 그리고, E=- 延ar (4-27) 이므로, 전자의 위치 에너지 E p는 Ep =-f..rF ·dr = --¾, (4-28) 이다. 그러므로 질량 me 인 전자의 운동을 나타내 주는 시간 독 립 슈뢰딩거 식은 (_ 8KE2me v2 _ 孟무)1/f = u 깐 (4一 29) 이다. 그리고, 이 식의 해는 1/fn = A exp i (2 ;r位) (4-30) 이고 여기서 kn 은 kn= 2ec2omhe2 —Zn (4-31) 인데 이 해를 원 식 (4-29) 에 대입하면 이 해가 맞다는 것을 알 수 있다. 그리고 이때 궤도 반경 rn= JrEeo ~2h m2 e —nz2 (4-32) 에 대해 허용 에너지 고유값은 식 (4-29) 의 슈뢰딩거 방정식에서
鬪 = ( _ 8J[? ;e v2 _ 4 』 Co 론) lJfn (4-33) 이고 V 는 i 2 Jr k 로 쓸 수 있으므로 UnlJ !n = {— 8 7[? 2me( t 2Tk 간 - 4 노 론}lJ!n (4-34) 이 고 식 (4-31) 의 kn 과 식 (4-32) 의 rn 을 대 입 하면 Un 1Jln = {¾.( 麟 군 )2 —孟 ze2(~;구 )} 1Jln = ( 麟 : —: ::국) 1Jln (4-35) = (-:: :)1/fn 이므로 Un =— 8eh4 m님e 了Z2 (4-36) 이다. 여기서 n = 1, 2, 3, …인 정수이다. 그리고 n = l 일 때의 해에서 에너지 값 U1 = —13. 6Z2 eV (4-37) 을 얻는다. 이 에너지 값은 수소와 같이, 원자 번호 Z 의 원자핵 에 전자 하나가 결합되어 있는 에너지를 표시하기 때문에 음의 값을 지닌다. 제일 강하게 속박되어 있는 바닥 상태에 있는 전자 를 원자에서 떼어 내기 위해서는 바로 이 에너지만큼 공급하여야 한다. l..!l다 더 큰 n 에 대한 해에서 나오는 다른 에너지 상태에 있는 전자들은 덜 강하게 속박되 어 있다. 전자는 쿨롱 힘에 의해 전자가 속해 있는 원자의 핵에 속박되
어 있다. 쿨롱 힘은 Fcou(+Zl=e)(~— e) (4-38) 이며 여기서 결합 에너지의 크기를 추정할 수 있다. 안정된 궤도 에서는 이 인력은 구심력 Fcentr = 一쁘r (4-39) 과 균형이 맞아야 한다. 윗식에서 v 는 전자의 궤도 속도, r 은 궤도 반경, 그리고, me 는 전자 질량이다. 위 두 식에서 -47Zr€eo2r 2r ==- 4一 쵸 m €ZoereVm 2e2 V2 (4-40) 아다. 순 전자 에너지는 운동 에너지와 위치 에너지의 합이므로 식 (2-104) 와 식 (4-28) 에 서 u=Ek+Ep = ½meV2 + (-4::。 2 r ) (4-41) 이 고 식 (4-40) 에 서 l} 2 의 값을 구하여 운동 에 너 지 ½me l} 2 의 값 에 대입한 후 윗식에 대입하면 u == -87ZC8e c7Z2o rerc 2o +r' (\ _ 47ZCec2o r ) (4-42)
이다. 운동하는 전자는 파동성을 지니고 있고 안정한 궤도는 파 장의 정 수 배 에 해 당한다는 드 브로이 de Brog lie 의 관계 2rJ=r r n= —2n 1J1r A (4-43) 에서 궤도 반경 r 의 값을 구할 수 있다• 또한 드 브로이의 식에 서 운동량 P 와 파장의 관계에서 p = mv =-ht (4-44) 이고, 궤도 각운동량 mvr 이 h/(2 리의 단위로 양자화되어 있다 는 것을 사용하면 mvr = --hX -r = n 2h7 r (4-45) 으로 쓸 수 있다. 윗식에서 v 를 구해 식 (4 - 40) 에 대입하면 궤 도반경 r=rn= 'lrhc2 i2£ m oe —nz2 (4-46) 울 구할 수 있는데 이는 양자화된 궤도 원자 반경이다. 이 궤도 반경을 식 (4-42) 에 대입하면 각 양자화된 궤도에 대해 에너지는 e4me Z2 Un= ―國 T (4-47) = -표n2 ~ z2ev 으로 시간 독립 슈뢰딩거 식에서 구한 해와 같은 결과이다. 여기
서음의 부호는 전자가 핵에 속박되어 있다는 것을 뜻하고 전자 를 떼내기 위해서는 이온화 에너지 |Un| 울 공급하여야 한다. n =l 인 경우 K 각, n=2 를 L 각, n=3 을 M 각이라고 한다. Z = 1 일 때 n = l 인 에너지 u = — 13.6eV 이고 수소 원자를 이 온화하는 데 필요한 에너지로 리드베리 (Ry d berg 1854~1919) 에 너지라고 한다. 어떤 원자가 전자에 의해 얼마나 쉽게 이온화하는지를 나타내 는 척도를 이온화 단면 ion iz a ti on cross secti on Q라고 하며, 이 는 X- 선 발생 효율과 연관이 있다. Q의 단위는 이온화/전자/(원 자 /cm2) 이고 식 Q = 6.51X10-20 뀝〔信 In(Cs½) (4-48) 로 표시된다. 여기서 ns 는 각의 전자 수, Ui on 는 keV 단위로나 타낸 각의 이온화 에너지, Uo 는 입사 전자의 에너지, 그리고 bs 와 Cs 는 정수이다. 윗식을 다시 쓰면 Q CX: u0U1 on ln Uulo。 n (4-49) 이다. 윗식에서 입사 전자의 에너지를 2 배로 울리면 Q가 약간 감소하므로 높은 가속 전압에서 x- 선 생성 효율이 약간 떨어전 다. 하지만 높은 가속 전압에서 전자 총의 밝기가 증가하므로 이 효과가 상쇄된다. 원자 번호가 감소하면 따라서 U1on 도 감소하므 로 윗식에서 Q는 증가한다. 식 (4-47) 에서 에너지 준위 그림을 그리면 그림 4-4 가 된다. 각 준위의 전자의 수는 궤도 각운동량 orb it al ang u lar momen- tu m 과 전자 각운동량 electr o n ang u lar momentu m 의 양자화에 따라 달라진다. 이 양자화는 각각 양자수 l 과 s 로 표시한다. 궤
///////////자//유/ I공I/ 간/ ///////////// 전자 양자 수
도 각운동량 l 과 전자 각운동량 s 와의 상호 작용을 스핀-궤도 sp in- orbit 상호 작용이 라 하고 또 하나의 양자수 j = l 士 s 로 표 시 한 다. 파울 리 (Pauli, 1900 ~ 1958) 의 배 타 원 리 exclusio n pr in c ip le 에 의 해 같은 상태 에 2 개 의 전자가 있을 수 없으므로 3 개의 양자수 n, l 과 ]·로 전체 에너지 부준위 sublevel 를 표시할 수 있다. 각 에너지 부준위 당 최대 2j+ l 개의 전자가 있울 수
있다. 입사 전자가 궤도 전자와 충돌하여 결합 에너지보다 더 큰 운 동 에너지를 전달하면 궤도 전자는 원자핵을 떠나고 빈자리 hole 를 남긴다. 원자 내에 이렇게 빈자리가 있으면 불안정한 상태가 되어 원자 전자들 사이에 내부 재조정이 되어 빈자리를 채우게 된다. 그래서 높은 에너지 준위에 있던 전자가 아래로 내려와 더 강하게 속박된 상태의 에너지 준위의 빈자리를 채운다. 이것을 천이 tra nsit ion 라고 하는데 4l = 土 1 인 동시에 Llj = 0 또는 土 1 이어야 한다는 선택 법칙 selecti on rule 에 따라 천이한다. 각 천 이는 이온화된 에너지 준위에 따라 K,L,M 등의 이름이 있고, 각 부준위에 따라 a1, a2 등의 첨자로 표시된다. 높은 에너지 준위에서 낮은 에너지 준위로 천이를 하는 전자는 마치 낙하하는 물체처럼 위치 에너지를 잃으면서 가속을 한다. 식 (4-14) 와 (4-15) 에 의해 가속이나 감속하는 전자는 전자계 방 사를 하므로 가속 전자는 x- 선을 발생시킨다. m 각과 n 각 사이 의 에너지 차는 LJU = Um - Un = Un m 2 m_ 2 n 2 (4-50) 이고 식 (4-50) 에 따라 이때 발생하는 X- 선의 에너지는 주 양자 수가 m인 에너지 준위의 각에서 n 인 각으로 천이가 일어날 때, 4u = Un m2m—2 n 2 = (一麟룹) m2m_2 n2 = h: (4-51) 이고 이때 발생하는 x- 선의 파장은 A=— 4hUe = 8ec4hm3ed mm 드2 감# -一z1_2. (4-52)
이다. Ka 선의 경우 에너지는 LlU= U1Y -= U1 f=(-!}_;言): (4-53) 이고 파장은 A == 詞3h32eec4 h m=3ed 8쿵ec41hm 3 ed 2 드221 21 2 T1 (4-54) 으로 x- 선의 에너지와 파장은 원소의 원자 번호 Z 와 연관이 있다. 원자 번호가 14 인 Si의 K 각에 있는 전자의 이온화 에너지는 1.83 9 keV 이고 Si 에 대해 K 각과 L 각의 에너지 차는 UL-K = 1. 740keV 이다. Si 의 경우 L 각에서 K 각으로 천이하는 데 에 너지 차가 1.74 0 keV 이므로 윗식 (4-51) 에 대입하면 이 x- 선의 파장은 0.712nm 이다. 각 에너지 준위는 몇 개의 부준위로 되어 있고, 그 부준위는 매우 인접해 있다. 예를 들어 Si Ka, 의 파장 은 0.712542 nm 이고, Si Ka2 는 0.7 1 2791 nm 로 값이 비슷하고 M 각에 서 K 각으로 천이 할 때 발생 하는 Si KP 의 파장은 0.6753 run 이다. 천이에서 생기는 파장이 단파장 단보다 크면 연속 브렘스 트라홀룽 스펙트럼에 겹쳐져서 나타나게 된다. 모줄리 (Mosle y, 1887 ~ 1915) 는 이 뾰족한 x- 선 방출 선을 연구하여 1913 년 식 (4-54) 에서와 같이 x- 선의 파장은 시편의 원자 번호와 관련되어 원자의 특성을 나타낸다는 것을 처음 발견하였다. 이 선을 특성 characte r is t i c x- 선 또는 이 방사를 특성 방사 characte r is t i c radia t i on 라고 한다. 이 특성 x- 선 은 하나의 파장을 지 닌 단색 방 사 monochromati c radia t i on 이 므로 원 소 분석 등 여 러 용도로 이 용된다. 표 4-2 에 여러 원소의 KaI, LaI, Ma1 선의 파장과 에너지
표 4-2 특성 x- 선의 파장과 흡수 단
/(a, f( 단 La, L J 단 M(/, M3 단
KaI I( 단 LaI L 3 단 A'fa , M 5 단
/(a, I( 단 L(/, L 3 단 M(J , M 5 단
롤 나타내었다. 천이 에너지와 천아 시간을 동시에 확정할 수 없으므로 이 특 성 선의 선폭 wi dt h 은 불확정성의 원리 uncerta i n t y pr in c ip le 에 의해 결정된다. 즉, 8U8t 측2―h7 r (4-55) 이다. 이온 상태의 원자는 t = 10-15 초보다 더 길게 안정한 경 우는 거의 없으므로, 양자 에너지의 불확정 정도는 8u = 21(h 8 t = 21( X\ 。 -rs = 10-19 J = l eV (4-56)
이다. 시편에서 나오는 x- 선 자체의 에너지 분산은 leV로 아주 작다. 그러나 에너지 분산 x- 선 분광 분석에서 검출기가 분해능 을 크게 떨어뜨리기 때문에 에너지 분산 분광 분석에서 분해능은 leV보 다 훨씬 더 큰 oU~lOOeV 정도의 분해능을 지니게 된다. 식 (4-52) 에 서 양자 파장의 불확정 정 도는 &i=—ouU —hue (4-57) 또는 부A =— 부(4-58) 이고 U 가 103eV이 면 특성 선의 선 폭이 8A/A = 10-3 로 폭이 좁 은 편이다. 전자 현미경을 이용하여 원소를 분석할 때 임의의 한 원소에서 제일 강하게 나타나는 피크는 Ka 선이기 때문에 이 특 성 x- 선을 주로 관찰하는데 이 선은 주로 Ka,,Ka2 와 Kp 로 되어 있어서 종종 몇 개가 뭉쳐서 하나로 나타나기도 한다. 특성 피크의 강도는 전류 i와 전위의 차 (Vo- Vi on)312 에 비례한 다. 여기서 Vo 는 현미경의 가속 전압이고 e Vi on 은 그 특성 피크 가 만들어지는 이온화 에너지다. 따라서 특성 방출 선의 강도는 fch arac CX: i( Vo — Vion )3l2 (4-59) 이고, 배경 브렘스트라홀룽 방사의 강도는 실험적으로 IBrem oc iZV o (4-60) 이므로, 브렘스트라홀룽 배경 피크와 특성 피크와의 강도 비율은 IICBhraermac CX: ( Vo —zVVo i on )3f2 (4-61)
이다. Vo ~ Vi on 이면 이 비율은 vt 2/ Z 가 된다. 또한 여기 상태의 원자가 안정된 상태로 되돌아오기 위해 여분 의 에너지를 방출하는 방법에는 x- 선 방사라는 전자기 파 electr o mag n eti c wave 를 발생 하지 않고 오제 전자 Aug e r elec- tro n 라고 하는 이차 전자의 방출로 에너지를 방출하는 또 다른 방법이 있다. 오제 전자의 방출에는 빈 자리가 만들어지는 전자 를 포함하여 3 개의 전자가 관여하는데, 이때 특정한 에너지를 가전 전자들이 관여하기 때문에 한 오제 전자로부터 그 전자가 방출된 원소를 알아낼 수 있다. 이 오제 전자는 아주 작은 에너 지 값을 가지고 있고 표면 충에서 발생한 오제 전자만이 검출 가 능하다. 이 오제 전자를 이용한 표면 분석법을 AES(Aug e r electr o n spe c tr o scop y) 라고 한다. 결과적 으로 여 기 된 상태 에 서 안정된 상태로 돌아오는 방법에는 X- 선의 발생과 오제 전자의 방출이라는 두 가지 방법이 있는데, 이 중 특성 X 선이 발생될 확률을 형 광 수율 fluo rescence yiel d 이 라고 하고 보통 (JJ로 표시 한다. 형광 수율은 원자 번호 Z 의 함수로 Z 가 커질수록 증가한 다. 오제 전자가 방출될 확률은 물론 (1 - (JJ)이고 원자 번호가 증가될수록 감소한다. 4-1-3 X- 선과 시편의 상호 작용 원자에서 내부 전자에 의해 차폐된 바깥 전자들은 원자핵에 의 하여 약하게 속박되어 있지만 내부에서 강하게 속박되어 있는 전 자들의 결합 에너지는 수 104eV로 x- 선 양자 에너지와 거의 같 은 값이다. 여기에서 강하게 속박되어 있는 전자들이 정전기적 용수철 electr o sta t i c sp ring 로 핵 에 연 결되 어 있다고 가정 하자. 그러면, 전자와 핵은 자연 주파수 na t ural freq u ency (JJ n 으로 전
동하는 전동자처럼 행동할 것이다. 이 용수철의 힘 정수를 q n 이 라고 하면, 바교적 다른 전자에 의해 차폐되지 않고 본래의 핵 전하 +Ze 에 의해 강하게 속박되어 있는 전자에 대해서, 전자와 핵 사이에 존재하는 정전기력은 F= 4頭 7[e r 2 ; =4 7二[c r; (4-62) 이다. 여기서 n 은 각 전자각의 주 양자수를 말한다. 만일 전자 의 위치를 작은 양 or 만큼 변화시킨다면, 전자에 작용하는 새로 운힘은 F(rn+= o―47Zrrc궁 - )Z e(=(r2rnn ~++ o8 rr))3 ~~ —4 Z誌e2 (rn +r~ 8r) (4-63) = 4_T訂 1 +른) 이다. 그러므로, 작은 위치 변화 8r 에 대해 복구하고자 하는 힘 은
8F= 4-7Zrcer2~ 호rn (4-64) 이고 후크 (Hook, 1635~1702) 의 법칙에 의해 oF = -qn or (4-65) 이므로 용수철 상수는 qn = 47Zrec2r J (4-66) 이다. 핵의 질량은 전자에 비해 무척 크다. 따라서 x- 선의 전계에 의한 전자의 변위는 핵의 변위보다 매우 클 것으로 예상되므 로 핵의 변위는 무시하고 전자의 변위만 생각하자. 1 차원에서 핵이 전자에 작용하는 힘은 _q n X 이고 x- 선의 전계 E 가 전자에 \작용하는 힘은 ― e E 이고 두 힘의 합은 -qnX 一 eE = F= m e 信 (4-67) 이다. 전계를 시간의 함수로 생각하여 E = Eo exp (-i(J) o t) (4-68) 라고 하여 대입하면 -qnX - eEo exp (-i(JJ o f) = F = me 릅 (4-69) 로 2 차 미분 방정식이 된다. 방정식의 해는 x =(qn—~ /em E e o) /em-e ( JJxo p(-i( JJot ) (4- 7 0) 이다. Eo = 0 으로 x- 선의 전계가 없으면 (J) 2 = mqne (4-71) 또는 (JJ = (1)n = (m요e )1/2 (4-72) 이고, 여기서 (JJ n 은 핵과 전자 결합의 자연 진동 주파수 na tu ral vib r ati on freq u ency 이 다. 윗 식 (4-70) 을 다시 쓰면
x = ~—(f)e n E_eo /(mf)oex p (-i (f)。t) (4-73) 이고 (1) o 는 입사 x- 선의 주파수이다. 윗식에서 (J)o = (J) n 이면 번위 x 가 무한대로 되어 전자가 원자핵을 떠나게 되어 이온화를 하게 된 다. 이것을 양자 역학적으로 광전 효과라고 한다. 그리 1 서, 에너지 U = he/An = h (1) n/27r 룰 지 닌 x- 선 양자가 전자 하나에 그 에 너 지 전부를 잃어버릴 수 있다. 양자 역학적으로 이것은 전자가 속 박 상태에서 채워지지 않은 비속박 연속 상태로 천이되는 것을 뜻한다. (1)。 > (1)n , 즉 입사 x- 선의 에너지가 n 각의 전자를 이온 화하는 데 드는 에너지보다 크면 n 각의 전자가 이온화할 유한한 확률이 존재한다. 원자번호 Z 의 원자에서 K 각 전자를 제거하 고자 할 때, 입사 x- 선이 만들어지는 원소의 원자\번호 Z' 이 Z 보다 큰 원소에서 만들어전 Ka X - 선을 입사 x- 선으로 사용하여 야 한다. 죽 원자 번호 Z’ 의 Ka X- 선의 에너지가 원자 번호 Z 의 K 흡수 에너지보다 커야 한다. 이온화 후 이온 상태에서 높은 준위에 있던 전자는 이미 만들어져 있던 빈 자리로 내려오고 x- 선을 방사할 수 있는데 이를 x_ 선 형광fl uorescence 이라고 한다. 이러한 X- 선 형광도 일종의 x- 선이므로 원소의 원자 번호에 따라 달라 지며 원소 분석에 사용된다. 광전 효과에 대한 단면적은
이므로 파장이 0.1 nm, 죽 에너지가 104 eV 일 때 비탄성 단면과 탄성 단면 (ae1) 비는 ?e? = 市(-M福 )3Z2 = 4 X 10-4Z2 (4- 7 5) 이고 원자 번호가 5()o ] 되면 이 비는 약 1 이 되어 x- 선 광자가 산란 또는 흡수되는 확률이 반반이다. 이 광전 효과는 X 국 1 이 에너지롤 잃어버리는 가장 일반적인 방법이고, 윗식에서 보면 원 자 번호가 클수록 흡수되는 x - 선이 증가하므로 형광에 대한 보 정이 중요해진다. x - 선이 시편에 z 방향으로 입사할 때 어떤 깊이 z 에서 dz 를 더 진행함에 따라 에너지 I(z) 의 x 국 1 에서 손실된 에너지는 -d l(z) = I(z) (Jln e1Nato m dz (4-76) 이다. 여기서 Na t o m 은 단위 체적당 원자 수이다. 다시 정리하면 낍~ = —
로 나타낼 수 있다. 여기서
(4-73) 에 따라 µ / p의 값은 다소 감소한다. 몇 종류의 원자 j를 포함하는 시편에 있어서는 I = I。 exp {-~(µ/ptC p z} (4-85) 이고 C J는 각 원소의 질량 분율이다. 4-2 에너지 분산 x- 선 분광학 4-2-1 정성 분석 l X- 선의 검출 Si 반도체에 의부에서 x - 선이 입사될 때, S i내부의 전자들은 높은 에너지 상태의 광전자로 되거나 오제 전자로 전환하면서 에 너지를 잃게 된다. 광전자로 되는 과정은 가전자 대역 valence band 에 묶여 있던 전자가 X- 선의 에너지로 전도 대역 conduc- tion band 으로 울라가 고체 내 에 서 자유롭게 움직 일 수 있는 자 유 전자가 되는 것이다. 이때 가전자 대역에는 공공이 생성되고 이 공공도 가전자 대역 내에서 +전하를 띠고 자유로이 움직일 수 있게 된다. 따라서 S i소자에 바이어스를 걸어 주면서 x- 선을 조사하면 광전 효과로 만들어전 전자-공공 쌍 때문에 그 x- 선 광자가 존재하는 동안에 전류가 펄스로 흐르게 된다. 이 작은 펄 스로 된 전류를 증폭시켜 계량 장치로 x- 선 광자의 에너지와 양 울 측정할 수 있다. 이 방법에 의해 검출된 x- 선의 스펙트럼은 에너지의 함수로 그 강도가 표시되기 때문에 이 검출 방법을 에 너 지 분산 x- 선 분광 분석 energy dis p e rsiv e x-ray spe ctr o s-
cop y (EDS) 이 라고 한다. 이 방법 은 x 국 1 스펙트럼 의 강도가 파 장의 함수로 표시 되 는 파장 분산 x- 선 분광 분석 waveleng th dis p e rsiv e x-ray spe c tr o scop y (WDS) 보다 역 사적 으로 늦게 채 택된 방법이나 매우 짧은 시간에 모든 x- 선을 검출할 수 있기 때문에 현재 가장 보편적으로 사용되는 x- 선 검출 방법이다. 이 에 너 지 분산 분광기 energy dis p e rsiv e spe ctr o mete r 의 주 역할은 Si 단결정의 한 쪽에 L 邊- 확산시켜 drif ted 만든 다이오드 d i ode 가 한다. S i단결정 성장시 생긴 불순물 원자들의 영향을 없애 주기 위해 L i원자를 첨가한다. 확산 과정에서 Li이 제일 많이 확산된 영역은 n 형 반도체가 되며 가운데 영역은 전성 int r i n s ic 반도체 가 되 고 L i이 적 게 확산된 곳은 P 형 이 되 어 p_t· _n 형 다이오드가 된다. 때로는 Li이 확산된 Ge 결정이 검출 기로 사용되기도 한다. 이 p-i -n 형 다이오드의 앞면과 뒷면에 얇은 금을 진공 증착하여 양극에 100~1000V의 역바이어스 reverse bia s 를 걸 어 준다. X 국] 광자 ph oto n 하나가 다이 오드 의 P 형 쪽으로 들어가서 전성 영역에 들어가면 광전 효과로 인 하여 Si 원자 하나를 이온화시킬 확률이 매우 높다. 이 결과로 X- 선 또는 오제 전자가 만들어지고 또한 Si (L i) 결정에서 여러 개의 전자-공공 쌍을 만든다. Si( L i) 단결정에서 에너지 대역 간 극 band ga p 천이로 전자-공공 쌍을 형성하는 데 필요한 평균 소요 에너지는 3.8eV 이다. 따라서 x_ 선 광자 하나에 의해서 생 성되는 전자-공공의 쌍의 수는 N = 43U.8 ((eeVV)) (4-86) 이고 그 양은 흡수된 x- 선의 에너지에 비례한다. 예를 들면, Si 속에 6.4 keV 에너지를 가지고 흡수된 x- 선은 2.7 X 10-13 Coll 해 당하는 1684 개의 전자-공공 쌍을 만든다. 이 전자와 공공은 자
유롭게 움직이나 바이어스를 걷어 주면 감지기 뒤에 붙어 있는 필드 에펙트 트랜지스터 fiel d eff ec t t rans i s t or(F ET) 의 게이트 ga te 에 신호를 만들게 된다. 이 트랜지스터는 저잡음이고 전하 에 민감한 증폭기로의 역할도 한다. 여기서 나온 신호는 다채널 분석 기 multi ch annel analyz er (MCA) 의 아날로그-디 지 털 변환기 analog -to- dig ital converte r (ADC) 에 서 처 리 가 가능하도록 주중 폭기에서 증폭이 된다. 증폭기 출력 펄스의 높이는 입력 펄스에 비례하고, 그러므로 x- 선 에너지에 바례한다. 변환기로 잡음이 둘어가는 것을 방지하기 위해 신호 식별기를 두어 일정 크기 이 상의 펄스만 통과하도록 한다. 일단 펄스가 들어오면 커패시터를 충전하는 데 사용되고 이 커 패시터는 50MHz 로 작동되는 시계 clock 가 부착된 정 전류 공 급기를 통해서 방전을 하게 된다. ov 로 방전하는 시간은 펄스 의 진폭에 비례한다. 따라서 방전 시간은 x- 선 에너지에 비례한 다. 50 MHz 시계는 방전 시간에 따라서 다채널 분석기 (MCA) 에 있는 1024 채널 중의 하나에 이진수를 만들고 어떤 채널에 증분 이 있으면 l 을 더한다• 입사 x- 선을 적당한 채널로 배당하기 위 해서는 단 하나의 펄스만 측정하는 것이 필요하므로 펄스 처리
스드二寸巴
속도가 단 하나의 펄스를 처리할 수 있도록 되어 있으나, 앞선 펄스가 방전이 다 되기 전에 두번째 펄스가 들어 오는 경우가 가 끔 생기기도 한다. 다채널 분석기 (MCA) 의 채널을 에너지로 보 정하여 x- 선 펄스의 수집 결과를 에너지 히 스 토그램 his t o g r am 으로 음극선 관 cath o de ray tub e (CRT) 에 나타낸 다. 이 과정 을 모식적으로 그림 4-5 에 나타내었다. 그림 4-6 은 304 스테인레스 강에서 얻은 에너지 분산 x- 선 스펙트럼이다. 스펙트럼에서 Fe Ka 가 제 일 강한 피 크를 나타내고, Cr Ka, Ni Ka, Mn Ka, Si Ka 등도 피크롤 나타낸다. 보통 반도체에서 열에 의해서도 전자와 공공이 생겨 전기 전도 도에 기여하는데 이것은 검출기에서 잡음으로 작용하기 때문에 신호 대 잡음 비를 높이기 위해서 검출기의 온도를 될 수 있는
FeKO (
한 낮게 유지한다. 그리고 검출기는 오염을 방지하기 위하여 전 공으로 포장되어 있으며 x- 선은 원자 번호가 작아서 x- 선의 홉 수가 최소가 되는 두께 10 µm 정도의 Be 창을 통하여 검출기에 들어오게 된다. 이 Be 창은 2 keV 이상의 x- 선은 거의 100% 투과시키고 1keV 의 낮은 에너지일 때는 약 40% 정도 투과시킨 다. 따라서 Be 창을 사용한 에너지 분산 x- 선 분광 분석 (EDS) 검출기는 원자 번호가 ll(Na) 보다 작은 원소의 경우 검출하기가 힘들다. 그러므로, 낮은 원소의 검출 및 분석에는 초박막 창 ult ra -th i n wi nd ow 이 나 무창 wi nd owless 검 출기 를 부착한 에 너 지 분산 x- 선 분광 분석 (EDS) 를 사용하거나 전자 에너지 손실 검출기를 사용한다. 2 잡피크의 생성 에너지 분산 x- 선 분광 분석법 (EDS) 으로 전자 현미경의 시편 을 분석할 때 시편에서 원하지 않았던 여러 잡피크 s p ur i ous pe ak 가 생성되어 분광 분석을 방해하게 되는데 이 잡피크의 생 성 원인은 다음과 같은 여러 원인들이 있다. 먼저 조명계 illum i na ti on sys t e m 에서 생기는 가짜 x- 선은 잡 피크 생성의 한 원인이다. 이상적으로는 전자 탐침에서 나오는 전자만이 시편 위에 입사되어 이온화 및 x- 선 발생 원인 제공을 하는 에너지원이 되어야만 하나, 실제로는 조명계에서 생성된 표 류 전자와 x- 선이 전자 현미경 시편 이의의 지역에서 x- 선을 만 드는 경우가 있다 [4-1, 4-2]. 최근 투과 전자 현미경의 가속 전 압은 lOO kV 이상으로 100 keV 이상의 에너지를 전자가 가지고 있으므로, 이러한 가속 전자들이 집속 조리개와 상호 작용하여 x- 선을 발생시켜 이 x- 선이 조리개를 두과하게 된다. 이 x- 선은 대개 에너지가 높으므로 경질 hard x- 선이라고 한다〔 4-3]. 이
경질 x- 선을 차단하기 위해서는 두꺼운 疾} 집속 조리개를 사용 하거나 시편과 조리개 사이에 이 경질 x - 선과 표류 전자가 시편 에 도달하지 않도록 하는 스트레 이 조리 개 str a y ap e rtu r e 를 사 용하기도 한다. x 국 1 측정기로 x- 선을 측정할 때 이 도망 x- 선 울 탐지하는 표준 방법은, 전자 현미경 시편에서 아무 것도 없는 구멍에 탐침을 위치시켜 시편과 전자 빔이 서로 반응을 하지 않 는 상태에서 x- 선의 스펙트럼에 x- 선이 감지되는지를 검사하는 것 이 다. 이 방법 을 구멍 계 수 hole-count 측정 이 라고 한다. 만일 아무것도 없는데 x- 선이 검출되었다면 조명계에서 표류 전자에 의해서나 시편 이의의 장소에서 이러한 x 국]이 만들어졌다고 생 각할 수 있다. 또한 시편실에서도 가짜 x_ 선을 만들어 x 국1 분광 분석 스펙 트럼에 잡피크를 생성할 수 있다. 전자 현미경 시편은 전자가 잘 투과할 수 있고 전방으로 산란하기 때문에, 이 전자들이 시편 가 까이 위치한 전자 현미경 렌즈의 폴 피스p ole - pi ece 나 대물 조 리개 뭉치에 충돌하여, 이들 금속에서 연속 브렘스트라홀룽 스펙 트럼과 시편실의 주된 구성 원소인 Fe t--t C~ 특성 x 국 1 을 생성 할 수 있다 [4- 사. 또한 시편을 두과하여 전방으로 산란한 전자들 이 이들 금속에 부딪혀 상당량이 다시 후방으로 산란할 수 있다. 이 후방 산란 전자가 분석을 하고자 하는 지역이 아닌 곳의 시편 에서 x- 선을 발생시킬 수가 있다. 또 하나의 잡피크는 이탈 피크 escap e pe ak 이다. 에너지 분산 x- 선 분광 분석 (EDS) 검 출기 인 Si (Li) 검 출기 에 x- 선이 입 사하 여 이 x- 선이 Si 원자를 이온화하게 되면서 Si Ka X- 선이 발생 할 가능성이 많다. 입사된 x- 선의 에너지는 S i울 이온화하는 데 사용하였으므로 입사 x- 선의 에너지는 본래 에너지보다 S i의 이 온화 에너지인 1. 840keV 만큼 작은 에너지를 갖게 되어, 본래 x
-선의 에너지 위치보다 1.84 0 keV 작은 에너지 위치의 x- 선 스 펙트럼에서 피크가 검출되게 된다. 이때 생성된 Si 의 x- 선은 Si (Li) 검출기의 활성 영역을 빠져나가 도망울 가므로 1.84 0 keV 만큼 작은 위치에 있는 x- 선을 이탈 피크라고 한다. 이 아탈 피 크롤 종종 다른 원소에서 나온 피크로 생각하여 다른 원소가 존 구크재분는하하 는기5 .것4 1 으4어 로 —렵 1고잘.8 4 못0C ku해 eKV석려 =하 기3이.5가 7탈 4 k쉽e피다V .크로 는 예 C를8a. 0K들41 검면 —의 C1 .r8 K4 30.a6 k9 1e이 Vk탈 e= V 피와 6. 201 keV로 Fe Ka 선의 에너지 6.4 0 0 keV와 가까이 있어 혼동하기 가 쉽다. 정량 분석시에는 이탈 피크가 있으면 그에 해당되는 만 큼 보정해 주어야 한다. 이탈 피크가 나타날 확률은 x_ 선의 에 너지가 작을수록 급격히 증가하고 에너지가 높으면 낮아져 약 1% 정도가 된다. 합계 피크 sum pe ak 도 또한 에너지 분산 x- 선 분광 분석 (EDS) 스펙트럼에서 잡피크롤 형성한다. 같은 에너지를 지닌 두 개의 x- 선 입자가 두 개를 구별할 수 있는 시간보다 짧은 시 간 동안에 검출기에 들어오게 되면 각기 다른 x- 선 입자로 구별 되어 계단식으로 축적되기보다는 2 배의 에너지를 지닌 하나의 입자로 인식되어 2 개의 신호를 합천 1 개의 신호로 인식되고 본 래 에너지의 2 배의 에너지 위치에 새로운 피크를 만들게 되는데 이를 합계 피크라고 한다. 이와 같이 두 개의 펄스가 합쳐져서 2 배의 에너지를 지닌 하나의 펄스로 되는 과정울 파일업 pile- up 이라고 한다. 이것을 막기 위해 반응 속도가 훨씬 더 빠른 새로 운 펄스 증폭기를 사용하여 전자적으로 두번째 펄스를 폐기하여 이 파일업 효과를 될 수 있는 한 작게 해준다. AlKa 의 합계 피 크는 l.48 7 X 2 = 2.974 keV 에 서 나타나는데 Ar Ka 선의 에 너 지 2. 957keV와 매우 가까이 있다.
전자 현미경 시편에는 실제 Si 원소가 전혀 없는데도 X- 선 스 펙트럼에서 1.74 0 keV 위치에 S i에서 나오는 작은 피크가 검출되 는 수가 있다. 이것은 이탈 피크의 원인인 Si K 선이 Si (L i) 검 출기에서 수집되어 스펙트럼에 포함된 것으로 내부 형광 피크라 고 한다. 검출기의 진성 영역이 아닌, 앞 부분인 사충 dead lay e r 에서 Si 의 이온화가 일어날 경우 내부 형광 현상이 일어난 다. x- 선이 Si( Li) 검출기에 감지되어도 주 증폭기의 처 리 p rocess i n g시간 정수가 길기 때문에 최종 에너지 분산 x- 선 분 광 분석 (EDS) 스펙트럼에 입사하는 x- 선이 나타나지 않는 기간 을 폐기 시간이라고 한다. 정확한 화학 분석을 위해서는 폐기 시 간을 가능한 한 40% 이하로 감소시켜야 한다. 4-2-2 정량 분석 l 정량 분석 기본식 분석 시편 내에서 각 원소 A, B 의 중량 %가 각 원소의 x- 선 의 강도 IA,Ia 에 비례한다고 가정하면 CQA O--C —II AB (4-87) 가 된다. 윗식에서 비례 상수를 kAB 라고 하면 —CQA = k1A. B _IIAB_ (4-88) 가 되고, 클리프 C liff와 로리머 Lor i mer 는 윗식을 사용하여 정 량 분석 qu anti tat i ve analys i s 을 쉽 게 할 수 있음을 알아냈다〔 4 -5, 1, 2]. 윗식에서 G 와 G 는 분석하는 시편의 체적 내에서 원
소 A 와 B 의 중량 %이고, kAB 는 비례 계수이며 IA 와 IB 는 배경 위에 있는 원소 A 와 B 의 특성 x- 선의 강도이다. kAB 의 값은 1975 년 클리프와 로리머가 처음 측정하였으므로 클리프-로리머 계수 또는 단순히 k 계수라고 한다. 이 계수는 시편의 성분과 두께에 무관하고 현미경의 가속 전압에 따라 달라진다. kAB 는 원 소 A 와 B 를 포함한 조성을 이미 알고 있는 균질의 박판 시편 에서 실험적으로 결정하거나 계산할 수 있는 값이다. 윗식에서 현미경의 시편이 얇아 x- 선이 시편을 나가는 동안의 흡수와 형 광이 무시할 정도로 작다고 가정하였다. 윗식에서 분석 시편이 2 성분 계라면 CA + Cs = 100% (4-89) 이므로 쉽게 정량 분석이 가능하다. 3 성분 계이면 윗식들을 확 장하여 —CCAc = k,.c A —IlAe— (4-90) —QCc = kCB 一IIBc (4-91) CA + Ca + Cc = 100% (4-92) 이고 kcA =上kA떡B (4-93) 등으로 표시할 수 있다. 2 배경 x- 선 소거 및 강도의 결정 특성 x 국 1 피크 아래에 흡수 단이 존재하지 않고, 배경 x- 선
의 강도가 천천히 감소하면, 피크 전후의 값을 배경 x_ 선이라고 생각하여 이 값을 읽어 직선을 긋고 이 직선의 값을 피크 채널에 서 배경 x- 선의 세기로 생각한다. 실제 스펙트럼 값을 사용하기 때문에 이러한 방법은 파장 분산 x- 선 분광 분석 (WDS) 에서 가 장 많이 사용되고 에너지 분산 x 성 1 분광 분석 (EDS) 에서도 사 용되는 가장 간편한 방법이다. 다음으로 좀더 복잡한 방법으르는 배경 x- 선의 강도 분포에 대한 수학적인 모델을 이용하는 것이다. 크라머스 Kramers 에 따르면〔 3 〕 배경 x- 선의 형태는 Nu=K: t¥ (4-94) 이고 Nu 는 에너지 범위 U 와 (U + ilU) 사이에서 주어진 전자 빔 전류에 의해 주어전 시간에 생성된 브렘스트라흘룽 광자의 수 이고, Z 는 시편의 평균 원자 번호이고, Uo 는 keV 로 나타낸 입 사 전자의 에너지이고, U 는 keV 로 나타낸 x- 선 광자 에너지이 고, K 는 상수이다. 그리고 여기에 검출기 속의 S i과 Au 충에서 만들어지는 흡수 단을 고려해 넣어 여기에서 나온 배경 x 국 1 의 강도 분포를 소거할 수 있다〔 4-6 〕 • 배경 x- 선을 소거하는 또 다른 방법으로 x 국] 물리를 사용하 지 않고 수학적으로 접근한 방법인 디지털 필터링 dig ital filter in g 법이 있다. 그 방법은 배경 x_ 선의 강도 분포가 에너지 에 따라 완만하게 변하는 함수인데 비해 특성 피크는 에너지에 따라 급격히 변한다는 사실을 이용하는 것이다. 가장 많이 사용 되는 방법은 중절모 디지털 필터를 이용하는 것으로 실험적으로 얻어전 스펙트럼에서 각 점에 중절모 필터 함수를 적용하여 필터 가 된 스펙트럼을 만드는 것이다 H- 긴. 이 필터가 된 스펙트럼에
서는, 천천히 변하는 배경 x- 선 스펙트럼은 수평선으로 나타나 게 되어 이 수평선의 값을 但냐료 하면 특성 x- 선의 스펙트럼만 남게 된다. 이 방법은 스펙트럼을 나타내는 함수에다 어떤 함수 을 콘볼루션하면 스펙트럼이 더 퍼져 완만하게 되는데, 완만하게 변하는 스펙트럼은 수평선으로 변하는 사실을 이용한 것이다. 또는 에너지 스펙트럼을 푸리에 변환하여 주파수 스펙트럼으로 만든다. 이 주파수 스펙트럼에서 특성 x - 선은 고주파수의 파장 이 짧은 파동으로, 배경 x- 선은 저주파수의 파장이 긴 파동으 로, 그리고 잡음은 고주파수 파동으로 간주하여 특성 x- 선에 해 당하는 주파수만 선택하여 다시 역푸리에 변환을 하면 배경 x -선 및 잡음이 제거된 특성 x- 선의 스펙트럼만 남게 된다. 이 방법은 우리가 고분해능 전자 현미경 상을 컴퓨터 상 처리를 할 때, 배경 잡음을 제거하기 위해 렌즈의 후방 초점 면에 배경 잡 음에 해당하는 높은 공간 주파수에 해당하는 부분은 조리개를 사 용하여 제거하고 조리개 내부에 있는 회절상을 푸리에 변환하여 배경 잡음이 제거된 고분해능 상을 얻는 과정과 유사하다. 컴퓨터로 배경 x- 선을 제거한 후 특성 피크의 강도는 피크에 가장 유사한 정 상 분포 Gaussia n dis t r i b u ti on 를 맞추어 서 얻거 나 또는 컴퓨터에 저장되어 있는 대량의 표준 피크 s t andard pe ak 목록둘을 사용하여 얻는다• 실제 피크들은 불완전한 전하 수집 등의 여러 검출기 문제 때문에 모양이 정상 분포가 아니므 로 보정을 하거나 표준 피크 목록을 사용하여야 한다 [4-8]. 어느 방법을 사용하든지 컴퓨터가 강도를 비교적 쉽게 계산할 수 있 다. 피크가 중첩이 되면 본래의 각 피크의 세기를 가정하고 이를 중첩시켜 만들어진 스펙트럼이 측정된 x- 선의 중첩 스펙트럼과 제일 유사하게 되도록 적당한 중첩 계수를 사용하여 본래 피크들
울 찾아야 하는데 이를 피크 탈회선 pe ak deconvolut ion 이라 하 고 완전히 묻혀져 있는 피크도 찾아 낼 수 있다 〔 사. 3 k 계수 결정 k 계수를 결정하는 첫번째 방법은 실험을 통하여 직접 얻는 방 법이다. 다성분 계도 괜찮지만 피크들의 중첩을 피하기 위해 적 어도 2 원소를 포함하고 있으면서 그 성분이 정확하게 알려져 있 는 시편으로, 전자 현미경 내에서 조사 전자 빔에 견딜 수 있고 전자 빔 크기의 미소 영역에서도 성분이 균일한 시편이어야 한 다. 매우 균질한 합금 고용체, 금속간 화합물 , 광물질이나 유리 같은 산화물 세라믹 등이 표준 시편으로 널리 사용된다. k 계수를 구하는 방법은 다음과 같다. 예를 들어, 2 성분 계의 어떤 균질한 시편이 70% 의 원소 A 와 30% 의 원소 B 로 구성 되어 있다고 하자. 실험에서 배경 x- 선을 소거한 스펙트럼에서 원소 A 의 Ka 피 크가 232,800 카운트 , 원소 B 의 Ka 피 크가 115,700 카운트라고 하면 석 (4~ 88 ) 에 서 軍70% = k1A. B 123152780000 (4-95) 이고 kAB = 1. 16 로 k 계수를 구할 수 있다. 클리프와 로리머는 주로 광물질을 표준 시편으로 사용하여 주성분인 Si 을 기준으로 하여 각 성분의 k 계수를 구하고 이로부터 다른 여러 k 계수를 구하였다[吐 예를 들면, kASI 와 kBSI 를 구한 후 다음 식 kAB =上kB뿌s1 (4-96) 울 이용하여 kAB 의 값을 구하는 방법을 사용하였다. 일반 금속 시편에서는 S i보다는 Fe 가 더 널리 포함되어 있는 성분이고 Si
Ka 피크는 Si( L i) 검출기의 영향을 받으나 Fe Ka 피크는 영향 을 받지 않으므로 우드 Wood 등은 Fe 를 기준으로 여러 k 계수 룰 측정하여 이용하였다 [5]. 두번째 방법은 구할 수 있는 문헌에 나와 있는 k 계수를 사용 하는 방법이고, 세번째 방법은 적당한 표준 시편도 구할 수 없고 알려진 k 계수 측정값이 없을 때 사용하는 방법으로, x- 선 생성 에 영향을 미치는 각종 인자를 결정한 다음 이를 식에서 계산하 여 k 계수를 결정하는 방법이다. 계산 식은 골드슈타인 Goldste i n 등에 의 해 제 안된 식 kAB = (_Q업血 K )B/( Q K 閃血 K )A (4-97) 로 여기서 Q K 는 K 선 이온화 단면, WK 는 K 선 형광 수율, aK 는 Ka 와 Kp 의 강도의 합 중에서 Ka 의 강도 비율이고 A 는 원자량 이다 [4 선]. 측정된 k 계수를 성분으로 정확히 측정하기 위해서는 k 계수 와 성분의 관계가 선형 관계를 벗어나는 것을 고려하여 측정된 k 계수를 보정해 주어야 한다. 두꺼운 시편의 경우에 시편에서 후방 산란된 전자의 분율과 x_ 선 생성에 기여하는 시편의 체적 울 고려하여 원자 수 보정을 해주게 되는데 이것을 Z 인자 fac to r 보정이라고 한다. 또 만들어진 x- 선이 시편에서 흡수되는 것을 보정해 주어야 하고 이것을 A 인자 보정이라고 한다. 그리 고 시편에서 x 석 1 형광을 일으키는 것에 대한 보정도 필요한데 이를 F 인자 보정이라고 한다. 이런 보정을 하기 위한 여러 종 류의 과정이 알려져 있고 제일 많이 쓰이는 것이 C=kZAF 로 알려진 ZAF 보정이다. 여기서 C 는 성분, Z,A,F 는 각각 Z 보정 인자, A 보정 인자, F 보정 인자이다.
4 흡수 보정 시편이 매우 얇지 않은 경우 시편의 두께 때문에 x- 선이 시편 을 빠져 나오는 동안의 흡수를 무시할 수 없다. 각 성분의 흡수 정도 차이 때문에 생기는 각 성분의 x- 선 강도 비를 보정하기 위해 k 계수를 보정하는 방법을 사용한다. x- 선 생성의 깊이 분 포가 질량 두께 t의 함수라면 골드슈타인 등이 [4-9~4-11] 제 안 한 홉수 보정 absorpt ion correcti on 된 k 계 수는 晶 = kAB ff。ot t <
(µ/p)~pec = ~ Ciµ /p}J (4-100) J 울 사용한다. 여기서 C J는 원소 j의 분율이다. 한 예로 [4-1 이 흡수 보정 인자를 계산해 보자• 양론적인 CaZrO 초 22.4 중량 % Ca(CA), 50.9 중량 % Zr(Cs) 와 26.8 중 량 % O(Cc) 를 포함하고 있다. Zr L 선에 대해서는 질량 홉수 계 수가 c~ 근 845.8, Zr는 700.9, CY,즌 614.3 이고, Ca K선에 대해서는 질 량 흡수 계 수가 Ca 는 139.4 , Zr 는 1155.8, 0 는 115.8 이 면, 시 편의 Zr L 선에 대한 질량 홉수 계수는 (µ/p)盆& = 845.8CA + 700.9Cs + 614.3Cc = 752.1 3 (4-101) 이고 Ca K선에 대한 질량 흡수 계수는 (µ/p)~g:C = 139.4 C A + 1155.8Cs + 115.8Cc = 650.56 (4-102) 이다. 이륙 각이 20 편 흡수 보정 인자는 告 = {; 益티 [ 仁 :: 言問겁:: ::::: {詞 ] (4- 103) 이고 CaZrO 려 밀도는 4.32 g cm-3 이고 시편의 두께롤 5 X 10-5 cm 로 잡으면 흡수 보정 인자는 뿌kzrCa = 1.1 516 -[e~xp {{— — 6 50.56 X 4.32 X 5 X 10-5 cosec (20°)} ] = 1.03 01 (4-104) 로 시편 두께가 5xl0-5cm 인 경우, 검출된 강도 비 lea/ fz r 에 약 3% 의 보정을 하게 된다.
5 형광 보정 형광이 제일 일어나기 쉬운 경우는 기지 B 속에 작은 양의 원 소 N} 들어 있어 홉수가 가장 많이 일어나는 경우로 원소 A 가 형광을 일으키는 경우이다. 형광이 일어나기 위해서는 원소 A의 홉수 단의 에너지가 원소 E 긱 x- 선 에너지의 바로 아래에 있어 야 한다. 예를 들면, 두께가 200 nm 이상이고 Cr을 10 % 정도 포 함하고 있는 Fe-Cr 합금에 서 Cr Ka 의 흡수 단 5.988 keV 이 고 Fe K려 x- 선 에너지는 6.4 0 3 keV 이어서 5% 이상의 형광 효과가 나타난다. 밀도가 p이고 두께가 t인 박판 시편에서 균일하게 x- 선이 생 성된다고 가정하면 두께에 따라 형광이 선형으로 증가하므로 필 리베르트 Ph ili ber t와 틱시어 T i x i er 가〔 4-1 이 제안한 박판 시편 에 서 의 형 광 증대 율 fluo rescence enhancement rati o 은 X= 旦 IA = CB( 1)B rr갑 A 쇼AB (µ/p): (( UUoo// UUloonn))AB llnn (( Uuo。 // U~lon)A 42- {0. 923 - In (µ/p)~pe c } pt sec a (4-105) 이고 여기서 R 는 형광에 의한 원소 A 의 x- 선 강도, k 는 형광 이 없는 경 우의 강도, rA 는 흡수 단 도약률 absor pti on edg e jum p rati o, (1)는 형 광 수율, C 는 중량 분율, A 는 원자량, (µ/ p )l 는 A 속에서 B 의 질량 흡수 계수, Uo 는 입사 전자 에너지, V1on 은 이온화 에너지, a 는 경사 각이다. B 가 A를 형광시키는 AB 계에서, 측정 성분은 식 웅 = kaA i!:(l + X) (4-106)
로 보정할 수 있고, 같은 계에서 측정된 k 계수는 식 kBA = —CC—As —II—BA (1 +l X) (4-107) 로 보정 가능하다 [4-15, 4-16]. 4-3 전자 에너지 손실 4-3-1 전자 에너지 손실 전자 현미경의 전자 총을 나와 고압에 의해 가속된 전자가 시 편과 만나면 시편 내의 원자와 상호 작용한다. 원자는 서로 반대 부호인 전자와 원자 핵으로 구성되어 있으므로 입사하는 전자와 이 원자 내의 핵과 전자들과의 상호 작용은 탄성 충돌을 일으키 는, 먼 거리에서도 작용하는 쿨롱 상호 작용이다. 이 때 전자에 작용하는 힘은 F= _ 47recqo r2 (4-108) 이고 여기서 원자 전자의 전하는 q = -e 이며, 원자핵의 전하는 원자 번호가 Z 인 경우 q = Ze 이다. 빠른 전자는 시편을 지나면 서 시편 내에 존재하는 전자 및 핵과 상호 작용하여 에너지를 잃 는다. 이 상호 작용은 쿨롱 상호 작용이므로 비교적 먼 거리에 걸쳐 서 일어난다. 따라서 강한 상호 작용보다는 약한 상호 작용들이 많이 일어난다. 한 원자 내에서 원자핵은 하나이나 전자는 Z 개 존재한다. 입사 전자는 원자의 많은 전자들과 상호 작용하여 자
기 에너지의 일부를 운동 에너지 형태로 원자의 전자에 전달한 다. 입사 전자와 에너지를 받아 튀어나온 전자는 둘 다 전자이기 때문에 서로 구별할 수 없어, 이전 가능한 최대 에너지는 입사 전자 에너지의 반이다. 대부분의 투과 전자는 에너지를 손실하지 않으므로 최소 에너지 손실은 0 이고 최대 에너지 손실은 입사 전자 에너지의 반이다. 이 최소와 최대 사이의 에너지 손실 중의 하나는 특성 x- 선 발생시와 같이 궤도 전자가 에너지 각 밖으로 여기 excit at i on 하는 경우인데 이것울 보통 내각 전자 손실 core electr o n loss 이라 한다. 내각 전자 에너지 손실은 원자 번호에 따라 달라지기 때문에 이 전자 에너지 손실을 측정하여 원소를 정성, 정량 분석할 수 있다. 수백 킬로볼트로 시편에 입사하는 전자는 몇 과정에 의해 에너 지를 잃어버린다. 약 0 . 02eV의 에너지 손실을 일으키는 광자 여 기는 에너지를 아주 적게 잃어버리기 때문에, 가탄성 ps eudo -elasti c 상호 작용으로도 생각할 수 있으나 에너지 손실값이 너 무 작아 전자 손실 검출기가 이것을 검출하기 힘들 뿐만 아니라 여기에 원소 분석에 필요한 정보를 포함하고 있지도 않다. 1~150 eV 정도의 에너지 손실을 일으키는 과정으로는 약하게 속박되어 있는 가전자 대역 전자의 여기, 또는 같은 각에서 전자 의 에너지 준위를 바꾸는 밴드 내 천이, 그리고 한 각에서 다른 각으로 천이하는 밴드 간 천이 등이 있다. 이 중에서 금속의 자 유 전자나 부도체의 가전자 대역 전자와 같이 거의 마음대로 움 직 일 수 있는 원자의 전자들이 , 집 합적 플라스몬 여 기 collecti ve pla srnon exc itat i on 를 한 경우인, 이 전자들의 집단적이고 양자 화된 전동, 죽 풀라스몬p lasrnon 손실은 에너지 손실 정도가 10~50eV 인 과정이다. 이와 같이 작은 에너지가 이전되는 약한 상호 작용은 매우 자주 일어나기 때문에, 플라스몬 여기가 입사
전자 에너지 손실의 주된 방식의 하나임을 알 수 있다. 고체를, 전하를 지닌 입자들의 모임이라고 단순화시킨 경우에 이 고체를 지니는 전자기 파가 어떻게 변하는지 알아보자. 맥스 웰 방정식 (2 장 2-3-1 절)에서 공간 전하 p = O 인 경우라고 생각 할 수 있으므로 vv·•µ cHE ==_ oo ((44--110190)) vX H;- ; = Eo 言iJE +. 6E;:,; (4- 1 11) vX E = -µ。뿔 (4-112) 이다. 그리고 전류 밀J-도 = c JE- = N q u (4-113) 이다. 여기서 N 은 단위 체적당 전하의 수, q는 입자의 전하, -U 는 속도이다. 벡터의 성질 'v2 E = 'v('v· E) -'v X 'v X E (4-114) 과 식 (4- 10 9) 에서 v2E = —v xvx 11 (4-115) 이고 식 (4-112) 에서 탸 = -vx(- /J.O광) = /J.O f(v x iJ) (4-116) 이다. 또한 식 (4-111) 와 식 (4-113) 에 서
간 = /J-0플 (co 誓 + Nq u ) = µoco~ + µoNq 틀 (4- 1 17) 이고 진동하는 전자계에 있는 자유 전하 q가 속도 5 로 움직일 때 로렌츠 힘은 -F = q -E + q uf xc _ H (4-118) 이나 원자계에서는 U
4(2l1[ kri2k )= 2 =µo Cµoo (JcJ2o (_ -i(µ JJo)mN2 +# µomN q 2 (4-122) 아다. 파장이 아주 긴 경우, 입자는 어떤 같은 각 주파수 (I}p로 위상 이 같도록 모두 함께 전동한다고 생각할 수 있다. 이 경우 A 는 무한대가 되고 k = O 이 되며 이 때 (I}p를 풀라스몬 주파수라고 한다. 석 (4-122) 에 서 0 = µ0€0( I}: —/J m-0 陶 (2/ _} pN=q言 2 (4-123) W p = P!!z 이다. 입자가 전자인 경우 (jJp=R,도 (4-124) 이다. 여기서 Ne 는 단위 체적 당 전자의 수이다. 원자 핵의 경 우 m 이 훨씬 크기 때문에 (J)p는 훨씬 작다. 플랑크의 가설에 의해 에너지는 양자화되어 있으므로 풀라스몬 에너지는 LlUp = hvp =h 뿌21r
=h 吉二도 (4- 12 5) = I 4 7fl2t E2 강o 1 1 Ze Ne 이다. 플라스몬 에너지는 윗식에서 전자의 밀도 Ne 의 1/ 2 승에 비례하므로 풀라스몬 에너지를 측정하면 전자 에너지 손실 분석 에서 금속의 자유 전자나 부도체의 가전자 대역 전자의 밀도 Ne 를 측정할 수 있다. 내부 각 전자의 이온화는 전자 에너지 손실 분석 (EELS) 에서 제일 중요한 상호 작용이다. 수백 keV의 에너지를 지닌 입사 전 자는 전자 현미경 시편 속의 한 원자의 내부 각 전자 를 방출시키 면서 어떤 특정 양의 에너지를 잃을 수 있다. 그 원자가 내부 각 빈자리를 높은 각에 있는 전자로 채우면서 그라운 드 상태로 돌아 갈 때 원자에서 x - 선이 발생된다. 이처럼 에너지 손 실과 x- 선 발생 과정은 상호 관련이 되어 있어 매 x - 선 발생 때마다 여기 에 연관된 에너지 손실 전자가 있다. x - 선 발생 때와 마찬가지 로 원자에 가능한 K, L3, L2, Li, Ms 등에 해당하는 이온화 과정 이 있어 한 원소에서 여러 특성 손실들이 있다. 이 손실을 그림 4-7 에 나타내 었다 [4-17]. 손실 피크의 모양은 단 edg e 모양이므 로 단이라고 부르는데 본래 이 단이란 용어는 x - 선 흡수 연구에 서 쓰이는 용어를 그대로 쓰는 것이다. 가능한 원자 준위가 에너 지 손실 분석에서 단으로 모두 관찰되지는 않는다. 따라서 , 어떤 에너지 준위는 구별이 가능하나 에너지 손실 분석으로 구별이 불 가능한 에너지 준위도 있다. 표 4-2 에는 각 원소들의 에너지 손 실에 의한 K 단, L 단, M 단 등을 에너지와 파장으로 표시하 였다. 내부 각 전자의 이온화는 에너지 손실이 약 50 eV에 서 수 천 eV가 된다.
빈 연 속 체 (Emp ty conti nu um)
에너지 손실 분석에서 재료 공학 분야로 응용 가능한 상호 작 용은 원소에 따라 각각의 에너지 손실 값이 정해져 있는 내부 각 이온화와 자유 전자의 집합적 양자화된 전동, 죽 풀라스몬 손실 이다 [4-18, 6, 7]. 내부 각 전자 이온화에 의해 생기는 각 단에 해당하는 임계 이온화 에너지를 측정함으로써 각 단을 만들어 내 는 원자를 분석해 낸다. 각 단에서 에너지 손실 전자의 강도를 측정함으로써 신호를 만들어내는 원자의 수를 분석하는데 이것이 정량 분석의 기본 원리이다. 빠른 전자가 주로 원자 내의 전자와 상호 작용하는 이온화 손 실의 경우에 전체 에너지 손실률은 비상대론적 전자에 대해 간단 하게 만든 베 이 터 _불로흐 Beth e -Bloch 관계 식 , —dE dkz( z) -= e8W7r€e2Z Ek1( z) ln E(k]1(oz n ) (4-126) 로 주어진다. Ne 는 단위 체적당 전자의 수이고 (]1o n = lOZ eV 는 평균 이온화 에너지다. 윗식에서 에너지 손실률 ― dEk/dz 은 그림 4-8 에 나타나 있는 대로 시편 속으로 깊이 전자가 들어감 에 따라 증가한다. 에너지 손실률은 운동 에너지가 500 keV 이 상일 때는 108~109eV/m 로 거의 일정하고 운동 에너지가 100 keV 이하일 때는 급격히 상승한다. 일반적으로 전자가 시편 안 으로 들어감에 따라 손실률이 어떻게 변하는지를 살펴보면, 입사 하는 전자의 에너지가 l MeV 이하일 때 전자가 들어갈 수 있는 거리의 끝 부분에서는 에너지 손실률이 처음보다 약 3 배 정도 증가하고, 전자가 들어갈 수 있는 거리는 1mm 보다 훨씬 작다. 전자가 에너지롤 거의 손실할 때는 전자의 운동 방향이 초기의 운동 방향과는 상당히 달라지게 된다. 이렇게 전자 빔이 퍼지는 spr eadin g 현상 때문에 전자 빔에서 나오는 특성 x- 선을 사용하
-dEkldz
는 미 세 분석 mi cr oanalys is 법 을 이 용하여 미 세 화학적 mi cr o-chemi ca l 분석을 할 때는 분해능에 제한울 받는다. 그러므로, 비교적 많은 에너지를 손실한 전자는 회절 정보를 잘 유지하며 전달해야 하는 고분해능 상의 결상과 같은 데 사용되기에는 부적 당하다. 고체의 결합 종류에 따라 다르지만 고체 내에서 원자핵들이 대 략 10 에서 200eV 사이의 에너지로 고체 내의 격자 위치에 단단 히 고정되어 있다. 고전적 충돌 이론에 따르면 운동 에너지 Ek 인 한 전자가 질량 M 의 원자 핵에 이전할 수 있는 최대 에너지 는 비상대론적 전자의 경우 Umax = ~Ek (4-127)
이다. 전자가 핵에 운동 에너지를 주기 위해서는 이전 최대 에너 지 Um ax 가 핵의 결합 에너지보다 커야 하므로, 핵에 운동 에너 지를 주기 위해서는 수백 keV 에서 수 MeV 의 전자 에너지가 필 요하다 . 이 에너지보다 작은 에너지로는 전자가 원자핵과 충돌하 여 포논p honon 이라고 하는 원자 전동만 일으키며 이 경우, 단 순히 고체의 온도만 상승시키고 각각의 에너지는 수분의 leV 이 다. 4-3-2 전자 에너지 손실 분석 투과 전자 현미경 시편을 두과하여 나오는 전자의 에너지 분포 롤 분석하여 원소를 분석하는 방법을 전자 에너지 손실 분석 electr o n energy loss spe c tr o scop y (EELS) 이 라고 한다. 전자 에 너지 손실 분광 분석기는 일반적으로 그림 4-9 에 그려진 것과 같이 간단한 구조로 되어 있다. 전자 현미경의 형광 스크린 아래 에 균일한 자계를 만들어 주는 부채꼴 형태의 자석이 있는 분광 분석기가 부착되어 있다. 시편에서 에너지를 손실한 전자는 스크 린 아래의 조리개를 지나 분광기의 입구 면에 도달하게 된다. 둘 어온 전자의 속도 벡터에 수직으로 배열이 된 균일한 자계 영역 에 들어온 전자는, 자계에 의해 원형 궤도를 지나가게 된다. 궤 도의 반경은 r= 쁘eH쓰 (4- 1 28) 로 여기서 u 는 전자의 속도이고 H는 자계의 세기이다. 궤도 반 경은 전자의 속도, 죽 에너지에 비례하고 자계의 세기에 반비례 한다. 분광기 의 상 면 im ag e pla ne 에 적 당한 에 너 지 검 출기를
01 i
두면 그림 4-9 에서와 같이 전자의 속도 죽 에너지의 분포에 따 른 손실 전자의 강도를 분석할 수 있다. 정전계나 전자계를 이용 한 분광기도 사용할 수도 있으나 많이 사용되지는 않는다. 결상 분광기 im ag ing s p ec t rome t er 를 전자 현미경에 부착하면 에너지 손실 여 과 결상 energy loss filte r ed im ag ing 도 할 수 있다. 일 반적으로 에너지 분산 x- 선 분광 분석은 원자 번호가 작은 원소 롤 분석하기 힘든데 비해 전자 에너지 손실 분석은 원자 번호가 작은 경량 원소를 잘 분석할 수 있으므로 두 가지 분석법을 상호
보완적으로 사용할 수 있다. ’ 비탄성 산란으로 생기는 산란 각은 평균적으로 탄성 산란 때의 산란 각보다 훨씬 작다. 비탄성 산란 각 a 는 다음식 a= _42UU_ =-_ 14n—eUU2 . (4-129) 에서 구할 수 있다. 여기서 4U 는 전자의 에너지 손실이고 me 는 전자의 질량, u 는 입사 전자의 속도이다. 윗식에서 250eV 의 에너지 손실이 되는 전자의 산란 각은 1. 37mrad 이다. 그러므로 비탄성 산란 전자들은 대부분 투과 빔 주위에 집중되어 있다. 에너지 분산 x- 선 분광 분석 법에서 x- 선을 검출하는 것과 비 교하여 에너지 손실 전자를 수집하는 것을 생각해 보면 여러 가 지 차이가 존재한다. 우선 x- 선은 한 원자에서 사방으로 죽 47[ 스데라디안으로 방출되므로 x- 선 검출기는 방출 x - 선의 아주 작 은 부분만 검출하게 된다. 에너지 분산 x- 선 분광 분석 검출기 의 x- 선 수집 효율은 대략 10-2 정도인데다 대부분의 검출기는 검출기에 입사하는 x- 선의 일부만 검출하게 된다. x- 선의 경우 이와 · 같이 이온화 과정이 일부분만이 x- 선으로 측정되는데 비 해, 원자를 이온화시키는 전자는 매우 작은 각도로 산란되기 때 문에 에너지 손실 검출기가 이 전자의 대부분의 에너지를 측정할 수 있다. 그러므로 본래 전자 에너지 손실 분석의 효율은 에너지 분산 x- 선 분광 분석보다 월등히 뛰어나다. 예를 들면 수집 각 이 20 mrad 이면 10~1000 eV 범위의 모든 손실 전자의 50% 정 도 수집 가능하고 수집 각이 30mrad 이면 거의 모든 탄성 전자 와 비탄성 전자의 수집이 가능하다. 또 다론 차이점은 에너지 분산 x- 선 분광 분석은 전자가 원자 와 상호 작용을 하여 그 원자가 그라운드 상태로 되돌아 갈 때
생기는 현상을 이용한 것인데 비해, 전자 에너지 손실 분석은 입 사 전자 그 자체가 원자와 비탄성 상호 작용을 하여 생기는 전자 의 에너지 손실을 측정하는 것이기 때문에 나오는 출력 신호를 효율적으로 감지할 수 있는 것이다. 낮은 에너지의 x - 선의 경우 원자 내에서 쉽게 홉수되어 오제 전자를 발생시킬 가능성이 더 많아지므로 원자 번호가 감소하면 x - 선 형광 수율도 감소한다. 예를 들면 탄소의 경우 K 의 형광 수율은 0.3% 로 K 각 이온화 개수가 333 개면 그 중 1 개만이 탄 소 특성 x - 선을 발생하고 Na 의 경우 이온화된 개수가 40 개면 그중 1 개가 X- 선을 발생한다. 나머지는 물론 오제 전자를 발생 하는 데 사용된다. 더구나, 원자 번호가 작으면 낮은 에너지이기 때문에 전자 현미경 시편과 검출기에서 흡수가 많이 일어나 x - 선의 수집 및 검출이 어렵게 된다. 에너지 손실 전자의 수와 x -선 발생을 유도하는 전자의 수가 거의 같다고 하더라도 전자 에 너지 손실 분석의 경우 수집 효율이 에너지 분산 x 一 선 분광 분 석보다 월등히 뛰어난 것이 전자 에너지 손실 분석의 큰 장점이 다. 그래서 전자 에너지 손실 분석은 작은 원자 번호의 경량 원 소 분석에 에너지 분산 x- 선 분광 분석보다 매우 효율적이다. 하지만 투과 전자를 이용하기 때문에 시편의 두께가 얇아야 하고 정량 분석법이 어렵고 정확한 결과를 얻기 어렵기 때문에 에너지 분산 x- 선 분광 분석만큼 널리 사용되지는 않는다. 전자 에너지 손실 분석 스펙트럼에서 제일 왼쪽에 나타나는 가 장 강한 피크는 산란되지 않거나 그대로 투과한 전자가 만들어 내는 영 손실 피크 zero loss pe ak 이다. 입사 전자의 대다수는 이 피크 속에 포함된다. 전자 에너지 손실 분석 스펙트럼에서 일 반적으로 양의 에너지 척도는 손실 에너지를 나타낸다. 영 손실 피크의 폭은 열전자 방출의 경우 약 2eV 가 되는 방출 전자의
에너지 분산과 에너지 분석기에 도달하기까지 에너지 폭에 미치 는 여러 영향을 그대로 나타낸다. 영 손실 피크의 가운데를 영 (0) 에너지 손실, 죽 입사 전자의 에너지 그대로를 나타낸다고 생각한다. 이 피크에서 신호 속도는 초당 10~2 但 1 개 전자가 둘 어오는 것에 해당한다. 영 손실 피크는 전자 현미경 시편 속 원 자의 산란 단면과 밀도 및 두께와 연관이 있는 시편의 산란력에 대한 정보를 포함하고 있다. 영 손실 피크는 2 가지의 주 용도가 있다. 피크의 최고치의 반이 되는 값에서의 폭은 전자 탐침에서 실제 에너지 분산보다 같거나 더 큰 전자 에너지 손실 분석 스펙 트럼의 에너지 분해능을 의미한다. 이 피크는 또한 정량 분석시 표준 강도로도 사용된다. 영 손실 피크에서 약 10~50eV 에너지 손실에 이르는 이 두번 째 영 역은 소위 플라스몬 손실 피 크 pla smon loss pe ak 가 들어 있는 저손실 영역이라고 한다. 이 피크는 약하게 속박되어 있는 전도 대역이나 가전자 대역 전자의 에너지 이동 때문에 만들어전 다. 금속이나 도체에서 약하게 속박되어 있는 전자는 집단적으로 여기가 되어 특정한 에너지에 (Al 경우 15eV) 뾰족한 플라스몬 손실 피크를 만든다. 밖의 전자가 좀더 세게 속박되어 있는, 즉 전기 전도도가 낮은 시료에서는 20~30eV 근처에서 풀라스몬 손 실 피크가 만들어진다. 플라스몬 손실 피크나 저손실 피크의 높 이는 시편의 두께에 따라 민감하게 변하므로 시편 두께 측정에 사용하기도 한다. 금속에서 폴라스몬 손실 피크를 사용하여 화학 분석 에 사용하기도 한다. 가전자 대역 전자의 집단적 여기인 플라스몬 에너지 손실 스펙 트럼은 고체의 유전성에 대한 정보를 지니고 있다. 손실 에너지 스펙트럼의 강도 I(U) 는 에너지 손실 확률 P(U, q)와 관계 있 다. 손실 확률 P( U, q)는 유전 이 론 die l ectr i c the ory 에 서 에 너
지 손실 함수 Im [-c:-1 ( U - q)]로 나타낼 수 있다 [4 - 19]. 여기 서 5 는 운동량 momen t um 벡터이고 e = el + 1 효는 고체의 복 소 유전 함수 comp le x die l ectr i c fun cti on 이 다. 에 너 지 손실 함 수를 크래 머 스-크로닉 Kramers-Kronig 분석 법 으로 분석 하면 유 전 함수의 실수 부분 (€1) 과 허수 부분 (€2) 을 구할 · 수 있다. €1 과 €2 를 이용하면 재료의 굴절률 (n), 흡수 계수 (K), 반사율 (R) 등 광학 상수를 측정할 수 있다 [4-19~4-21 〕• 유전 성질을 분석할 수 있을 뿐만 아니라 저손실 스펙트럼에서 가전자 대 역 전자 밀도를 측정 할 수도 있다. 간단한 자유 전자 모델에서 겉보기 풀라스몬 에너지 bulk pla smon ener gy(L1 Up )는 식 (4-125) 에서 LlUp = hllp = 쿵 = 二 (4-125) 로 나타낼 수 있고 여기서 Co 는 전공의 유전 상수이고 Ne 는 가 전대 전자 밀도이다. 윗식에서 겉보기 풀라스몬 에너지 LlUp 는 가전자 대역 전자 밀도에 따라 달라진다. 따라서, 플라스몬 에너 지를 측정하여 가전자 대역 전자 밀도를 구할 수 있다. 그리고 비탄성 산란 단면의 특성 때문에 전자 에너지 손실 분 석 스펙트럼의 강도는 에너지 손실이 증가함에 따라 급격하게 감 소한다. 전자 에너지 손실 분석 스펙트럼의 배경 스펙트럼은 다 중이나 무작위 에너지 손실을 한 전자 때문에 생기는 것으로 시 편 두께가 증가함에 따라 배 경 강도가 증가한다. 약 50 eV 이상에서는 급격하게 감소하는 배경 스펙트럼 위에 특정 한 원소의 이온화 단 ion iz a ti on edg e 을 나타내 기 때문에 보 통 단이라고 불리는 몇 개의 피크들로 만들어진 스펙트럼으로 나 타난다. 그 원소를 이온화하는 데 필요한 에너지에 해당되는 곳
에서(예를 들면 탄소의 K 각 이온화 에너지는 284eV 이고 Al 의 L 각의 이온화 에너지는 약 72eV 이다.) 단은 비교적 급격하게 증가 한다. 에너지 손실이 임계 아온화 에너지보다 작으면 이온화가 일어나지 않으므로, 에너지 손실은 이온화 에너지에서 급격히 증 가하고, 손실 에 너 지 가 증가하면 강도는 감소하기 시 작한다. 단 은 강도가 점차 감소하지만 이론적으로 손실이 입사 에너지와 갇 아질 때까지 실제 영이 되지 않는다. 이것은 어떤 원자를 이온화 하기 위해서는 전자는 이온화 임계 에너지와 같거나 그 이상의 에너지를 잃어버릴 수 있기 때문이다. 이런 방법으로 더 많은 에 너지를 잃어버리는 것은 방출된 각 전자에 에너지를 더 전달하지 만 x- 선이나 오제 전자 생성 등에 영향을 주지는 않는다. 상호 작용 동안에 이온화 에너지보다 더 많은 에너지를 잃어버릴 기회 는 손실 에너지가 증가할수록 점차 감소한다. 그러므로 이온화 단 뒤의 스펙트럼의 강도는 점차 감소하고 스펙트럼의 배경 강도 는 주로 단의 꼬리로 구성되어 있다. 시편에 여러 원소가 포함되 어 있으면 배경 강도는 스펙트럼 속의 단의 수에 바례하여 증가 한다. 그러므로 다성분계 스펙트럼의 경우 정량 분석이 어렵고 여러 개의 단의 꼬리가 합쳐져 있기 때문에 신호 대 잡음 비가 , 감소하므로 검출 감도가 떨어진다. x_ 선 방출의 경우, 높은 준위에 있는 전자가 내부 전자 각으 로 갈 때 나오는 광자이므로 화학 결합이나 전자 구조를 나타내 지는 않고 존재하는 원자가 무슨 원소인지를 잘 나타낸다. 따라 서, 에너지 분산 분광 분석 (EDS) 은 주로 원소의 정량, 정성에 많이 이용된다. 특성 x_ 선 자체의 에너지 불확정 정도는 앞에서 계산한 대로 (4 장 4-1-2 절) 식 (4-56) 에서 8U= 1eV 로 아주 낮 다. 그러나 에너지 분산 분광 분석에서는 직접 x- 선 에너지를 측정하는 것이 아니고, x- 선 광자를 측정하기 위해 Si( Li) 검출
기를 사용하면 검출기가 분해능을 저하시키기 때문에 에너지 분 해능은 oU~100 eV 정도로 나쁘다. 한편 에너지 손실 분석에서 특성 단의 모양은, 내부 전자 각에 있는 전자가 페르미 Fermi 준위 위의 상태로 여기 excit at i on 하 기 때문에, 각 원자의 페르미 준위 이상에 있는 빈 상태 밀도 emp ty densit y of sta t e 를 잘 나타낸다. 특성 단 구조는 K 단 , L 단, M 단에 따라 달라지고 전자 구조와 화학 결합에 따라서 도 달라진다. 따라서 특성 단 구조에서 K 단, L 단, M 단 등 울 구별할 수 있다. 그리고 이 특성 단 구조는 조사하고 있는 재 료의 전자적, 화학적인 상태에 따라 달라지기 때문에 수많은 종 류의 단 구조가 나타나고 이를 분석하기 위해서는 실험으로 미리 알고 있는 방대한 저장 자료li brar y를 이용하여야 한다. 각각의 특성 단 구조는 페르미 준위 이상의 빈 상태 밀도에 각 각의 천이가 일어날 확률을 곱한 것으로 나타난다. 단 근처의 구 조를 분석하면 전자 및 화학 결합을 알 수 있다. 단 근처 구조는 단이 시작하는 데서부터 수십 eV 까지이나 단이 시작하는 데서부 터 수백 eV 자리에도 보면 에너지 손실 스펙트럼의 강도가 전동 을 하고 있음을 알 수 있다. 이것은 x- 선 흡수 분광 분석에서 나타나는 광역 흡수 미 세 구조 exte n ded absorpt ion fine str u c- t ure(EXAFS) 와 비슷하기 때문에 광역 에너지 손실 미세 구조 exte n ded energy - lo ss fine str u ctu re (EXELFS) 라고 하고 이 것 울 이용하여 각 원자 주위에 있는 최인접 원자 거리와 배위 수 coordin a ti on number 를 알아 낼 수 있다. 전자 에너지 손실 분석은 2 차 방출이나 붕괴 decay 에 의한 것 이 아니고 시편과 직접 상호 작용한 전자를 그대로 사용하는 방 법이므로 에너지 분산 차선 분광 분석 (EDS) 보다는 보정해야 될 요소가 훨씬 적다. 전자 에너지 손실 분석에서 i번째 단 모양에
서 나온 합계 강도는 그 해당 전자 각의 전자가 여기됨에 따라 에너지를 손실한 전자 수를 그대로 나타낸 것이다. 어떤 i번째 단의 전자 강도는 I,· = Na Q ,.1。 (4-130) 으로 분석 체적 내에 있는 원자의 수 Na 와 i번째 단의 이온화 단면 Qi (4 장 4-1-2 절, 식 (4-48) ) 와 입 사 전자의 강도 Io 를 곱해 서 구한다. L 는 적분 창 4U 에 나타나 있는 배경 위에 있는 순 수 강도이고 Io 는 영 손실 피크의 적분 강도이다. 단 아래에 있 는 배경은 단이 시작되기 전의 강도를 단의 아래쪽으로 연장하여
강도 영손실피크
그림 4-10 에 나타낸 것처럼 제거한다. 배경 강도 스펙트럼은 1BG = A( LJ u)-R 의 수식을 사용하여 연장한다. 여기서 A, R 은 단이 시작되기 전의 배경에서 실험적으로 결정된 정수fitti n g pa rame- ter 이다. 식 (4-130) 에서 분석 체적 내의 원자 수는 원자 수 /cm2 단위 로 Na = QIJi 。 (4-131) 와 같이 표시하고, 여기서 Q는 알려져 있는 값을 사용하거나 계산을 통해 구하고 [8, 4-2 나, 강도 Io 와 L 를 측정하면 원자 수 를 구할 수 있다. 또 다른 정량 분석 방법은 비율법이다. 두 단 A,B 의 강도 비 를 구해 보면 식 (4-130) 에 서 NNaa,,AB = QQB山 IA (4-132) 로 주어진다. 여기서는 Io 를 측정할 필요가 없고 두 단 A,B 의 강도 비만 구하면 원자 수의 비가 나오므로 많이 쓰이는 정량 분 석법아다. 여기에서는 시편에서 산란된 전자를 모든 각 범위와 모든 에너지 손실에 대해 측정한다는 가정을 사용하였다. 실제 이것은 불가능하므로 이거론 E g er t on 은 [4-21 〕 식 ( 4-131) 와 식 (4-132) 에서 IA 를 IA4U, 8) 로 Q A 를 QA (LIU, /3)로 대치하였다. 여기서 우리는 일정한 에너지 손실 범위 (4U) 와 각 창 (an gu lar wi nd ow, /3)을 가지고 에너지 손실 측정을 하기 때문이다. 더 정 확히 정 량 분석 을 하기 위 해 서는 Qs(L IU, /3)/QA (LIU, /3) 롤 계산에서 구하지 않고, 시편의 성분에서 Na,A/Na , B 를 알고 있 는 표준 시편을 사용하여 IA/Is 를 측정하고 실험에서 QB (4U,
/3)/QA(LJU , /3)를 직접 구하여 이것을 미지의 시편을 분석할 때 이용한다. 표준 시편을 채택할 때는 단 근처 구조에 따라 단 면 적의 적분 값이 크게 달라지므로 분석하고자 하는 시편과 단 근 처 구조가 서로 유사한 표준 시편을 구하여야 한다.
일반참고문헌 l. G. Thomas, and M. J. Gorin g e , Transmi ssi o n Electr o n Mi cr o- scopy of Mate r i als , Joh n Wi ley & Sons, New York, (1979) . 2. C.E . Ly m an, D.E. Newbury, J.I. Goldste i n , D.B . Wi lliam s, A.D. Romi g Jr., J.T . Armstr o ng , P. Echli n, C.E. Fio r i, D.C. Joy , E. Lifsh in , and K.-R. Pete r s, S cannin g Electr o n Mi cr oscopy , X-Ray Mi cr oanalys i s, and Analyt ica l Electr o n Mi cr oscopy , Plenum Press, New York, (1990) . 3. R.W . Cahn, P. Haasen, and E.J. Kramer, Mate r ia ls Sc ien ce and Technology : A Comp r ehensiv e Treatm ent (Characte r iz a ti on of Mate r ia l s, Part I, volume edit or E. Lifsh in ) , VCH Publis h ers Inc., New York, (1992) . 4. D.C. Joy , A.D . Romi g Jr., and J.I. Goldste i n , Pr inc i ple s of Analyti - cal Electr o n Mi cr oscopy , Plenum Press, New York, (1989) . 5. D.B . Wi lliam s, Practic a l Analyt ica l Elect ro n Mi cr oscopy in Mate - ria l s Scie n ce, Phil ips Electr o nic Instr u ments Inc. Electr o n Op tics Publi sh in g Group, (1983) . 6. J.M . Cowley, Di ffrac tio n Phys i c s , 2nd ed., North - Holland Publi sh - ing Comp a ny, Amste r dam, (1981) . 7. A. Howi e, R.B . Ni ch olson, D.W. Pashley, and M.J. Whelan, Electr o n Mi cr oscopy of Thin Cry st a ls , Robert E. Krie g e r Publi sh - ing Comp a ny, New York, (1977) . 8. M. Von Heim endahl, Elect ro n Mi cr oscopy of Mate r ia ls : An Intr o - ductio n , Academi c Press, New York, (19 80) . 9. ].C.H . Sp e nce, Expe ri me nta l Hig h -Resoluti on Electr on Mi cr oscopy ,
2nd ed., Oxfo rd Univ e rsit y Press, New York, (1980) . 10. P.R. Buseck, J.M . Cowley, and L. Ey r in g , Hig h -R e solu ti o n Trans- mis s io n Elect ro n Mi cr oscopy and Assoc iat e d Te chniq u es , Oxfo r d Univ e rsit y Press, New York, (19 92) . 11. J.C. Bravman, R.M . Anderson, and M. L. McDonald, Sp ec im en Prepa rati on for Transmis si o n Elec t ro n Mi cr os copy of Mate r ial s , Mate r ia l s Research Socie t y , Pit tsb urgh , (1988) . 12. R. Sin c lair , D.J . Smi th, and U. Dahmen, Hi gh Re solu ti o n Elec t ro n Mi cr oscopy of Defe c ts in Mate r i als , Mate r ia l s Research Socie t y , Pit tsb urgh , (1990) . 13. J.W . Edin g ton , Pract ica l Electr o n Mi cr oscopy in Mate r ia l s Scie n ce, Monog ra ph 1, The Ope rati on and Calib r ati on of the Electr o n Mi cr oscop e, Macmi llan Press Ltd . , London, (1974) . 14. J.W . Edin g ton , Practi ca l Electr o n Mi cr oscopy in Mate r i a l s Sc ien ce, Monog ra ph 2, Elect ro n Di ffrac t ion in the Electr o n Mi cr oscop e , Macmi llan Press Ltd., London, (19 74) . 15. J.W . Edin g ton , Practi ca l Electr o n Mi cr oscopy in Mate r ia l s Sc ien ce, Monog r aph 3, Inte r pr eta t i on of Transmi ss io n Elec t r o n Mi cr o- gr aph s , Macmi llan Press Ltd., London, (1974) . 16. J.W . Edin g ton , Practic a l Electr o n Mi cr oscopy in Mate r ia l s Scie n ce, Monog ra ph 4, Ty pica l Elect ro n Mi cr oscop e Investig a ti on s, Macmi l- lan Press Ltd., London, (1974) . 17. J.W . Edin g ton , Practi ca l Electr o n Mi cr oscopy in Mate n ·ats Scie n ce, Monog r aph 5, Elect ro n Mi cr oscop e Sp e cim en Prepa rati on Tech-niq u es in Mate r ia ls Scie n ce, Macmi llan Press Ltd., London, (1974) . 18. J.M . Cowley, Electr o n Di ffrac ti on Techniq u es, Vol. 1, Oxfo r d Univ e rsit y Press, New York, (1992) . 19. L. Reim er, Transmi ssi o n Electr o n Mi cr oscopy , Phys i c s of Image Formati on and Mi cr oanalysi s , Sp ri n g e r-Verlag Berlin , (1984) .
20. P.J. Goodhew, Electr o n Mi cr oscopy and Analys i s , W yk eham Publi- cati on s Lt d. , London, (1975) .
참고문헌(1 장) 일반참고문현 1-1. L. de Brog lie, in Fif ty Years of Elec t ro n Di /frac ti on , P. Good-man, ed., D. Reid ! Pub!. Co., Dordrecht, Bosto n and London, p. 5-6 , (19 81) . 1-2. E. Kreys z ig , Intr o duct or y Func tion al Analys i s wi th Ap pli ca ti on s, Joh n Wi ley & Sons, New York, (19 78) . 1-3. W. Rog o sin s ki, Four ier Sen·es, 2nd ed., C helsea, New York, (19 59) . 1-4. M.J. Ligh th i l l, Intr o duc tion to Fourie r Analys i s and Generalize d Func tion s, Cambrid g e Univ e rsit y Press, New York, (19 60) . 1-5. A. Pap ou li s, The Fourie r Inte g r al and Its Ap pli ca ti on s, McGraw -H i ll Book Comp an y, New York, (1962) . 1-6. RN. Bracewell, The Fouri er Transfo r m and Its Ap pli ca ti on s, McGraw-Hi ll Book Comp an y, New York, (1965) . 1-7. E. Krey sz ig , Advanced Eng ine eri ng Math e mati cs , 6th ed., J oh n Wi ley & Sons, New York, p. 632, (1988) . 1-8. A. Erdelyi, W. Magn nu s, F. Oberhett ing e r, and F. Tric o mi , Tables of Inte g r a l Transfo r ms, 2 vols, McGraw-Hi ll Book Comp an y, New York, (1954) . 1-9. G. Harburn, C.A. Tayl o r, and T.R. Welberry, At la s of Op tica l Transfo r ms, Cornell Univ . Press, New York, (1975) . 1-10. M.J. Ligh th i l l, Fouri er Analys i s and Generalize d Functi on s, Cambrid g e Univ e rsit y Press, Cambrid g e, UK, (1960) . 1-11. J. Arsac, Fouri er Transfo r ms and the Theory of Dis tribu ti on s, Prenti ce Hall, Inc., N. J., (1966) . 1-12. RV. Churchil l, Ope rati on al Math e mati cs, 3rd ed., McGraw-Hi ll Book Comp an y, New York, (1972) . 1-13. J.W . Goodman, Intr o ducti on to Four ier Optics , McGraw-Hi ll
Book Comp a ny , New York, p. 17-21, (19 68) . 인용문현 1. C.J. Davis s on, and L.H . Germer, Natu r e, 119, 558, (19 27) . 2. C.J . Davis s on, and L.H . Germer, P hys . Rev., 30, 705, (19 27) . 3. H. A . Beth e , Ann. Phys . Lp z., 87, 55, (1928) . 4. D. Wata n abe, R. Uy e da, and A. Fukuhara, Acta Cry st a l log r. , A24, 580, (1968) . 5. D. Wata n abe, R. Uy e da, and A. Fukuhara, Acta Cry st a ll og r. , A25, 138, (1969) . 6. J.S. Lally, C.J. Hump h rey s, A.J. F. Meth erell, and R.M . Fis h er, Phil . M a g., 25, 321, (1972) . 참고문헌 (2 장) 일반참고문현 2-1. T. Wu, and T. Ohmura, Qu antu m Theory of Scatt er i ng , (19 61) . 2-2 . A. Rubin o wi cz, The Mi ya moto - Wolf Di ffrac ti on Wave, in Progr e ss in Op tics Vol. N, edit ed by E. Wolf , North - H ol- land Publi sh in g Comp a ny, Amste r dam, (1962) . 2-3. J.W . Goodman, Intr o ductio n to Fouri er Optics , McGraw-Hi ll Book Comp a ny, New York, p. 30-48, (1968) . 2-4. F.B. Hi lde brand, Advanced Calculus for Eng ine ers, Prenti ce Hall, Inc., N. J., p . 312, (19 48) . 2-5. A. Erdelyi , W . Magn n us, F. Oberhett ing er , and F. Tric o mi , Tables of Inte g r a l Transfo r ms, 2nd vol. , McGraw-Hi ll Book Comp a ny, New York, (1954) . 2-6. G.N. Wats o n, A Treatis e on the Theory of Bessel Functi on s, 2nd ed., Cambrid g e , Univ e rsit y Press, Cambrid ge, (19 44) . 2-7. J.M . Cowley, Di ffrac ti on Phys i c s , 2nd ed., Np rth- Holland Publi -
shin g Comp an y, New York, p. 48-49, (19 81) . 2-8. M.F.N . Henry, H. Lip so n, and W .A. Wooste r , Inte r p r et a t i on s of X-ray Photo g r apl is , Macmi llan , New York, (1951) . 2-9 . B.K . Vain s hte i n , Str u ctu r e Analys i s by Elect ro n D iffi寧t i on, Perga mon Press, Oxfo r d, (1964) . 2-10. K.W . Andrews, D.J. Dy so n, and S.R. Keown, Inte r p r et a t i on of Electr o n Di ffrac ti on Patt er ns, Plenum Press, p . 47, (1967) . 2-11 . P.B. Hi rs ch, A. Howi e, R.B . Ni ch olson, D.W . Pashley, and M. J. Whelan, Electr o n Mi cr oscopy of Thin Cry st a ls , Butt er worth s , London, (1967) . 2-12. J.W . Ste e ds, Qu anti tat i ve Mi cr oanalys i s wit h Hig h Sp a ti al Resoluti on , p. 210, (1981) . 2-13. G. Lehmp fuh l, and J. Taft o, Proc. 7th Europ ea n Cong re ss on Electr o n Mi cr oscopy , 3, p. 62, (1980) . 2-1 4 . N. J. Long, M.H. Lorett o, and R.E . Smallman, Proc. 7th Eur-ope an Cong re ss on Electr o n Mi cr oscopy , l, p. 152, (1980) . 2-15. J.W . Ste e ds, Intr o ducti on to Analyt ica l Electr o n Mi cr oscopy , Plenum Press, New York, p. 387, (1979) . 2-16. J.W . Edin g ton , Practi ca l Electr o n Mi cr oscopy in Mate r i als Scie n ce, Macmi llan Press, New York, (1976) . 2-17. J.W . Ste e ds, G.M. Rackham, and M. D. Shannon, Electr o n Di ffrac ti on 1927-1977, The Insti tut e of Phy si c s , Bris t o l and London, p. 135, (1978) . 인용문현 I. A. Sommerf eld , Math . Ann., 47, 317, (1896) . 2. S. Sil ve r, ]. Opt. Soc. Am., 52, 131, (1962) . 3. G. Ki rc hhoff , Wi ed emann Ann., 18 (2) , 663, (18 83) . 4. G.A. Mag gi, Ann. Mate m ati ca , 16, 21, (18 88) . 5. A. Rubin o wi cz, Ann. Phys i k , 53 (14) , 257, (1917) .
6. B. Dawson, P. Goodman, A. W .S. Joh nson, D.F. Ly nc h, and A.F. Moodie , Ac ta Cry st . , A30, 297, (19 74) . 7. C. Hag g, and A. Mag ne li, Arkiv . Mi ne ral. Geo!., 19A, 2, (19 45) . 8. D.W . Pashley , and M.J. Sto w ell, P hil . M ag ., 8, 1605, (19 63) . 9. M.]. Blackburn, and J.C . Wi lliam s, Trans. A.I.M .E ., 239, 287, (1967) . 10. P.J . Jon es, and ].W . Edin g ton , Met. Trans., 3, 2706, (1972) . 11. J.W . Cahn, Trans. A. I.M .E., 242, 166, (1968) . 12. V. Danie l , and H. Lip s on, Proc. Roy. Soc. A, 181, 368, (1943) . 13. V. Danie l , and H. Lip s on, Proc. Roy. Soc. A, 182, 378, (19 48) . 14. A. Guin i e r , Sol. Sta t e Phys . , 9, 293, (1959) . 15. M.E. Hargr ea ves, Acta Cry st . , 4 , 301, (1951)_. 16. J.E . Woodil la, and B.L . Averbach, Acta Met. , 16, 255, (1968) . 17. A.B. Glossop , and D.W . Pashley, Proc. Roy. Soc. A, 250, 132, (19 59) . 18. S. Og a wa, D. Wata nabe, H. Wata n abe, and T. Komoda, Ac ta Cry st . , 11, 872, (19 58) . 19. R.W . Balluff i, S.L . Sass, and T. Schober, Phil . Mag. , 26, 585, (1972) . 20. S. Ki ku chi, Jpn . ]. Phys . , 5, 83, (1928) . 21. M. von Laue, Ann. Phys . Lp z., 23, 705, (19 35) . 22. K. Artm ann, Z. Phys . , 125, 229, (1944) . 23. H. W ilm an, Proc. Phys . Soc. Lond., 60, 341, (1948) . 24. H. W ilm an, Proc. Phys . Soc. Lond., 6 1, 416, (1948) . 25. M. von Heim endahl, W.L. Bell, and G. Thomas, ]. Ap pl. Phys . , 35, 361, (19 64) . 26. J.B . Le Poole, Phil ip s Tech. Rung sc h, 9, 33, (1947) . 27. W . Kosse!, and G. Mollenste d t, Natu rw is , 26, 660, (1938) . 28. W. Kosse!, and G. Mollenste d t, Ann. Phys . (Leip z ig ) , 42, 287, (1942) .
29. J. Hi lli e r , and R.F . Baker, ]. Ap pl. Phys . , 17, 12, (19 46) . 30. J.M . Cowley, and A.L. G . Rees, ] . Sc i. Instr ., 30, 33, (19 53) . 31. D. Cockay n e, P. Goodman, J. Mi lls , and A.F. Moodie , Rev. Sc i. Instr ., 38, 1093, (1967) . 32. W.D. Rie c ke, Op tik, 19, 273, (1962) . 33. P. Goodman, Acta Cry st ., A3l, 804, (1975) . 34. A. Pog a ny, and P. Turner, Ac ta Cry st . , A 24, 103, (1968) . 35. I. Ackermann, Ann. Phys . , 2, 19, (1948) . 36. I. Ackermann, Ann. Phys . , 2, 41, (1948) . 37. P.M. Kelly, A. Jos ts o ns, R.G . Blake, and J.G . Nap ier , Phys . Sta t . Sol., A31, 771, (1975) . 38. J. Gj ¢nnes, and A.F. Moodie , Acta Cry st . , 19, 65, (1965) . 39. P. Goodman, and G. Lemp fuh l, Acta Cry st ., A24, 339, (1968) . 40. B.F. Buxto n , J.A. Eades, J.W . Ste e ds, and G.M . Rackham, Phil . Trans. Roy. Soc., 2 81, 181, (1976) . 참고문헌 (3 장) 일반참고문현 3-1. F.G. Smi th, and J.H . Thomson, Optics , Joh n W iley & Sons, New York, (1971) . 3-2. P.B . Hi rs ch, A. Howi e, R.B . Ni ch olson, D.W. Pashley, and M.J. Whelan, Electr o n Mi cr oscopy of Thin Cry st a l s, 2nd ed., R obert E. Krie g e r Publi sh in g Co., New York, (1977) . 3-3. P.B. Hi rs ch, A. Howi e, R.B. Ni ch olson, D.W. Pashley, and M.J. Whelan, Electr o n Mi cr oscopy of Thin Cry st a l s , Robert E. Krie g e r Publi sh in g Co., Butt er worth s , (1965) . 3-4. D.J. H . Cockayn e, Diffrac ti on and Imag ing Techniq u es in Mate - rial Scie n ce, ed ited by S. Amerlin c ks, R. Gervers, and J. Van Landuy t, Vol. 1, p. 153-83, North - Holland Puhl. Co., Amste r -
dam, NY, Oxfo rd , (1978) . 3-5 . R. De Rid d er, and S. Amerlin c kx, Phys . Sta t . Sol. (B) , 43, 541, (19 71) . 3-6. G. Thomas, and M. J. Gorin g e , Transmi ss io n Electr o n Mi cr oscopy of Mate r i als , ]ohn W ile y and Sons Inc., New York, Chic h este r , Bris b ane, Toronto , p. 366, (19 79) . 3-7. K.F . Hale, and M. Henderson Brown, Proc. 4th Eur. Reg ion al Conj. on Elect ro n Mi cr oscopy , Rome, Vol. 1, p. 409, (19 68) . 3-8 . L.K. France, and M.H. Lorett o, Proc. 4th Eur. Reg ion al Conj. on Elect ro n Mi cr osco p y , Rome, Vol. 1, p. 301, (19 68) . 3-9. D.J . Din g le y, Proc. 4th Eur. Reg ion al Conj. on Electr o n Mi cr os- copy , Rome, Vol. 1, p. 303, (1968) . 3-1 0 . R. Gronsky , Grain Boundary Str u c tur e and Ki ne ti cs, ed ited by R.W . Balluff i, Americ a n Soc iet y for Meta l s, Meta l s Park, Oh io, p. 45, (19 80) . 인용문헌 1. M. S. Pate r son, J Ap pl. Phys . , 2 3, 805, (19 52) . 2. B. Jou ff rey , and D. Taup in, Phil . Ma g., 15, 507, (1967) . 3. A. Howi e, and Z.S . Basin s ki, P hil . Mag. , 17, 1039, (1968) . 4. V.E . Cosslett , Optik, 36, 85, (1972) . 5. R.D . Heid e nreic h , J Ap pl. Phys . , 20, 993, (1949) . 6. P.B. Hirsc h, A. Howi e, and M.J. Whelan, Phil . Trans. Roy. Soc., A252, 499, (1960) . 7. P.B. Hirsc h, R.W . Horne, and M.J. Whelan, Phil . Ma g., 1, 667, (1956) . 8. H.A. Beth e , Ann. Phys . Lp z., 87, 55, (1928) . 9. C.H. McGi llav ry, Phys i c a , 7, 329, (1940) . 10. S. Takagi , Acta Cry st ., 15, 1311, (19 62) . 11. J. H i llier , and R.F . Baker, Phys . Rev., 6 1, 722, (19 42) .
12. R.D . Heid e nreic h , and L. Stu rkey, ]. Ap pl. Phys . , 16, 97, (19 45) . 13. H. Hashim oto , ]. Ap pl. Phys . , 35, 277, (19 64) . 14. A.J.F. Meth e rell, and M.J. Whelan, Phil . Mag. , 15, 755, (19 67) . 15. A. Howi e, and M.J. W helan, Proc. Roy . Soc., A 263, 217, (19 61) . 16. A. Howi e, and M.J. Whelan, Proc. Roy. Soc., A 267, 206, (19 62) . 17. A. Howi e, and Z.S. Basin s ki, Phil . M ag. , 17, 1039, (19 68) . 18. C.M . Drum, Phil . Mag. , 11, 313, (1965) . 19. J. van Landuyt , R. Gervers, and S. Amerlin c kx, Phys . Sta t. Sol., 7, 519, (19 64) . 20. H. Hashim oto , and M.J. W helan, ]. Phys . Soc. Jap a n , 18, 1706, (1963) . 21. R. Gervers, A. Art, and S. Amerlin c kx, Phys . Sta t. Sol., 3, 1563, (1963) . 22. H. Hashim oto , A. Howi e, and M.J. Whelan, Proc. Roy. Soc., A269, 80, (1962) . 23. C.J . Hump h reys , and P.B. Hi rs ch, Phil . Mag ., 18, 115, (1968) . 24. D.W . Pashley, and A.E.B. Presland, ]. Inst. M eta ls , 87, 419, (1959) . 25. R.M . Fis h er, and M.J. Marcin k owski, Phil . Mag ., 6 , 1385, (1961) . 26. C.M. Drum, and M. J. Whelan, Phil . Mag. , 11, 205, (1965) . 27. A.K . Head, Austr a lia n J Phys . , 20, 557, (1967) . 28. A.K. Head, M.H. Lorett o, and P. Humble, Phys . S ta t. Sol., 20, 505, (1967) . 29. P. Humble, Austr a lia n ]. Phys . , 21, 325, (1968) . 30. A.K. Head, Austr a lia n ]. Phys . , 22, 43, (1969) . 31. P.B. Hirsc h, A. Howi e, and M.J. Whelan, Phil . Trans. Roy. Soc., A252, 499, (1960) . 32. A. Howi e, and M.J. Whelan, Proc. Roy. Soc. A, 263, 217, (1961) . 33. J.M . Sil c ock, and W.J. Tunsta l l, Phil . Mag. , 1 0, 361, (1964) . 34. G. Thomas, and M.J. WI:iel an, Phil . Ma g., 4, 511, (1959) . 35. D.J. Din g l e y, and K.F. Hale, Proc. Roy. Soc., A 295, 55, (1966) .
36. M. H . Lorett o, and L.K. France, Phil . Mag ., 1 9, 41, (1969) . 37. M.H. Lorett o, and L.K. France, Phys . Sta t . Sol., 3 5, 167, (19 69) . 38. V.A . Phil lips , and J.D . Liv i n g s to n , Phil . Mag. , 7 , 969, (19 62) . 39. M.F. Ashby , and L.M . Brown, Phil . Mag ., 8, 1083, (19 63) . 40. M.F. Ashby, and L.M . Brown, Phil . Mag ., 8, 1649, (19 63) . 41. H. Hashim oto , H. Endoh, T. Tanji , A. One, and E. Wata n abe, ]. Phys . Soc. jap a n , 42, 1073-1074, (1977) . 42. H. Hashim oto , and H. Endoh, Inst. Phys . Conj Ser., 41, 188-194, (19 78) . 43. O.L. Kriv a nek, S. !soda, and K. Kobay a shi, Phil . Ma g., 36, 931 -94 0, (1977) . 44. A. Bourret, and J.M . Penis s on, Proc. 9th Int. Cong r. Electr o n Mi cr os., edit ed by J.M . Stu rge ss, Vol. I , Mi cro scop ica l Socie t y of Canada, Toronto , p. 294~2°9 5. (19 78) . 45. J.C .H . Sp e nce, M. A . O'K e efe , and S. Iijim a, Phil . M a g., A38, 463 -482, (1978) . 46. N. Uy e da, T. Kobay a shi, K Ishiz u ka, and Y. Fuji yo shi, Chemi ca Scrip ta, 14, 47-61, (1978) . 47. S. Horiu c hi, K. Muramats u , and Y. Mats u i, Acta Cry st ., A34, 939 -946, (1978) . 48. H. Horiu c hi, and M. Mi tom o, ]. Mat. Sci. , 1 4, 2543-2546, (1979) . 49. T. Onozuka, and M. Hira bay a shi , Modulate d Str u c tur es, A1P Conj Proc., N o. 53, p. 373-375, (1979) . 50. H. Hashim oto , Y. Takai, Y. Yokota , H. Endoh, and E. Fukada, Jpn . ]. Ap pl. Phys . , 19, Ll-L4, (1980) . 51. R. De Ri dd er, and S. Arnerlin c kx, Phys . Sta t. Sol. (B) , 43, 541, (1971) .
참고문헌 (4 장) 일반참고문헌 4-1. D.B. Wi lliam s, and J.I. Goldste i n , Energy Dis p e rsiv e X-ra y Sp e ct ro metr y, edit ed by K.F. J. Hein r ic h , D.E . Newbury, R.L. My k lebust, and C.E. Fio r i, NBS Sp e cia l Public a ti on 604, U.S . Dep a rtm ent of Commerce/NBS, Washin g ton , D.C . , 341, (1981) . 4-2 . L.F. Allard, and D.F. Blake, Mi cr obeam Analys i s , edit ed by K.F . J. Hein r ic h , San Francis c o Press, 8, (19 82) . 4-3 . J.I. Goldste i n , and D.B . Wi lliam s, Scannin g Electr o n Mi cr os-copy , edit ed by 0. Joh ari, SEM Inc. AMF, O'H are, Illin o is , 1, 427, (1978) . 4-4. K.F. J. Hein r ic h , Proc. 4th Intl . Cong re ss on X-ray Op tics and Mi cr oanalys i s, edit ed by R. Casta i n g , P. Deschamp s and J. Phil ibe rt, Hermann, Paris , 1 509, (1966) . 4-5 . G. Cli ff, and G.W . Lorim er, Proc. 5th Europ ea n Cong. on Electr o n Mi cr oscopy , The Insti tut e of Phy s ic s , Bris t o l and London, 141, (1972) . 4-6. R.L. My k lebust, C.E. Fio r i, and K.F. J. Hein r ic h , Energy Dis pe r-siv e X-ray Sp ec tr o metr y, edit ed by K.F. J. Hein r ic h , D.E . New-bury, R.L. My k lebust and C.E . Fio r i, U .S . Dep a rtm ent of Com-merce/NBS, Washin g ton , D.C., 365, (1981) . 4-7. J.J. McCarth y , and F.H. Schamber, Energy Di sp e rsiv e X-ray Spe ctr o metr y, edit ed by K.F .J . Hein r ic h, D.E. Newbury, R.L. My k lebust and C.E. Fio r i, U.S. Dep t. of , Commerce/NBS, Washi ng ton , D.C., 273, (1981) . 4-8. C.E . Fio r i, R.L. My k lebust, and K. Gorlen, Energy Dis pe rsiv e X -ray Sp e ctr o metr y, edit ed by K.F. J. Hein r ic h , D.E. Newbury, R. L. My kl ebust and C.E. Fio r i, U.S . Dep t. of Commerce/NBS, Washi ng ton , D.C., 233, (1981) .
4-9 . J.I. Goldste i n , J.L . Costl e y , G.W. Lorim er and S.J. B . Reed, Scannin g Elec t ro n Mi cr oscopy , edit ed by 0. Joh ari, !ITR I, Chic a g o , 315, (19 77) . 4-10. R. Ti xi e r , a nd J. P hil ib e rt, Proc. 5th Int. Cong. on X- ra y Optics and Mi cr o a nalys is , edit ed by G. Mollenste d t and K.H . Gaukler, Sp ri n g e r-V erlag , Berlin , 180, (1969) . 4-1 1 . R. Konig , Electr o n Mi cr oscopy in Mi ne ralogy , edit ed by H.R. Wenk, Sp r in g e r-Verlag, Berlin , 526, (1976) . 4-1 2 . K.F .J . Hein r ic h , The Electr o n Mi cr op r obe, edit ed by T.D . Mckin l ey , K.F. J. Hein r ic h , and D.B. Wi ttry , Joh n & Wi ley Book Comp a ny , New York, 296, (1966) . 4-13. B.L . Henke, and E.S . Ebis r , Advances in X-ray Analysi s , Plenum Press, New York, 150, (1974) . 4-14. N. Ste n to n , M. R. Noti s, J.I. Goldste i n , and D.B . Wi lliam s, Qu anti tat i ve Mi cr o a nalys i s wi th Hig h Spa ti al Resoluti on , edit ed by G.W . Lorim er, M. H . Jac obs, and P. Doig , The Meta l s Socie t y , London, 35, (1981) . 4-15. J. Phil ibe rt, and R. Ti xi e r , Electr o n Mi cr oscopy and Mi cr obeam Analys i s , edit ed by B.M . Sie g e l, and D.R . Beaman, Joh n & W iley Book Comp a ny, New York, 33, (1975) . 4-16. C. Nockolds, M.J. Nasir , G. Cliff , and G.W. Lorim er, Elect ro n Mi cr oscopy and Analysi s , edit ed by T. Mulvey , The Insti tut e of Phy si c s, Bris t o l and London, 417, (19 80) . 4-17. C. Ahn, and O.L. Kriv a nek, A Refe r ence Guid e of Electr on Energy Loss Sp ec tr a Coveri ng All Sta b le Elements , Gata n Inc., Warrendale, (1983) . 4-18. N. Ri dl ey, and G.W. Lorim er, Quan ti tative Mi cr oanalys is wit h Hig h Sp a ti al Resoluti on , edit ed by G.W. Lori m er, M.H. Jac obs and P. Doig , The Meta l s Soc iet y , London, 80, (1981) . 4-19. H. Rath e r, Sp ring e r Tracts in Modern Phys i·cs , 88, (1980) .
4-20. C. Coll iex , Advances in Op tica l and Electr o n Mi cr oscopy , edit ed by R. Barerand, and V.E. Cossleltt, Vol. 9, Academi c Press, (1984) . 4-21 . R.F . Eg e rto n , Electr o n Energy Loss Sp e ctr o metr y in the Elec- tro n Mi cr oscop e, Plenum Press, (1986) . 인용문현 1. G. Cli ff, and G.W. Lorim er, ]. Mi cr osc., 103, 203, (1975) . 2. P. Duncumb, ]. de Mi cr oscop ie, 7, 581, (1968) . 3. H.A. Kramers, Phil. Mag. , 46, 836, (1923) . 4. R.M . Dolby, Proc. Phys . Soc., 73, 81, (19 59) . 5. J.E. Wood, D.B. W illiam s, and J.I. Goldste i n , ]. Mi cr osc., 153, 134, (1982) . 6. J.W . Edin g ton , and G. Hibb ert, ]. Mi cr osc., 99, 125, (1973) . 7. D.B. W illiam s, and J.W . Edin g ton , ]. Mi cr osc., 108, 113, (1976) . 8. R.D . Leapm an, P. Rez, and D.F. May er s, ]. Chem. Phys . , 72, 1232, (1980) .
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-1 가상 조리개 73, 385, 393 가속 전압 25, 148, 370 가속 전압에 따른 전자의 파장 367 가우스 상 면 70, 479-480 가우스 함수 110, 500 가전 자 대 역 (valence band) 5 5 5 가전자 대역 전자 밀도 576 가탄성 (ps eudo-elasti c) 상호 작용 572 가흡수 계수(p seudo-absor pti on co-eff icien t) 3 8 5 각 조리개 21 각 주파수 40 간섭 34, 87-88, 123 1 차원 간섭 125 2 차원 간섭 138 소멸 간섭 123 감지기 26 감폭 (dam pi n g) 함수 372 검출 감도 586 겉보기 플라스몬 에너지 585 격자 79, 141, 170, 176 격자 단위 포에서의 회절 175 격자 이동 벡터 178 격자 상수 측정 244, 318 격 자 줄무늬 (latt ice fring e) 491 격자면 174, 424 결상 부정확도 365 결상 분광기 581
결정 구조의 확인 320 결정계 271, 278 결정 대칭 271 결정 전위 512 결정 파동 벡터 436 결함 416-428, 456-478 결합 에너지 538 경량 원소 분석 583 경로 차 343, 368 경 사 인 사 (inc lin a ti on fac to r ) 96- 97, 104, 344 경 영 대 칭 271, 273, 283 경질 x- 선 559 계 단 함수 (sin g le edg e fun cti on ) 128 계면 468-470 정합 계면 468 반정합 계면 468 부정합 계면 468 계 면 전위 427, 468-469 고각 입계 467 고분해능 투과 전자 현미경 상 24, 34, 99, 238, 482, 491-499 고분해능 투과 전자 현미경학 479-499 고압 투과 전자 현미경 25 고유성 적층 결함 481 고유 함수 535 고유값 535 고 차 라 우 에 존 ( HOLZ ) 211, 301, 314-316, 328 고차 라우에 존 선 318-320
고차 라우에 존 환 320, 328 고차 라우에 존(H OLZ) 키쿠치 선 318, 328 골드스타인 (Goldste i n ) 567 공간 군 195, 302 공간 불변 361 공간 전하 153, 156, 573 공간 주파수 362, 401, 492 공액 복소수 52, 63 관측 면 101-102 광역 에너지 손실 미세 구조 (EXELFS) 587 광역 흡수 미 세 구조 (EXAFS) 587 광원 72 광전 효과 552 광축 32, 342 광학 투과 현미경 26 광학 회 절 (op tica l dif frac ti on ) 224, 501 광학 회절기 501 구멍 계수 560 구면 대칭 164 구면 수차 31, 221, 365, 373, 390, 400, 492-493, 500 구면 수차 계수 366 구면 파 42, 87, 162 구면 파면 88 구조 인자 176, 406 구조 인자 콘트라스트 427-428, 479 입 방정 187-195, 244
다이아몬드 입방 191 단순 입방 187 면심 입방 189 NaCl 구조 195 체심 입방 188 굴곡 줄무늬 (bend conto u r) 387, 414 굴절률 114, 378 궤도 각 운동량 539 그리드 152 그린 함수 (Green's fun cti on ) 162 극점 (po le) 288 극 좌표계 97, 119, 528 금지된 회절 점 254 기본 이동 벡터 171 기 저 (basis ) 79, 176, 478 기자력 155 기함수 51 L 나노 회절상 22 나사 쇼클리 부분 전위 475 나사 전위 448, 473, 475 나선 축 302, 331 내각 전자 손실 572 내부 각 전자의 이온화 576 내부 형광 피크 562 C 다격자 단위 포 187
다결정 204, 391 다이아몬드 입방 191 다채 널 분석 기 (multic h annel anal- yze r) 557 다층 박판법 (multis li ce meth o d) 511 단 (ed g e) 576 단격자 단위 포 171 단결정 227 단결정의 회절상 227 단 근처 구조 (near-edg e str u ctu r e) 590 단면 전자 현미경 회절상 208 단색화 152 단순 입방 187, 316 단순 조화 전동자 574 단순 조화 파 38, 45, 146, 157 단순 조화 파동 방정식 146 단순 조화 평면 파 157 단위 자극 361 단위 포 170, 416, 487 다격자 단위 포 187 단격자 단위 포 171 단일 산란 근사 169 단파장 단 532 대물 렌즈 26, 36, 100, 221 대물 조리개 26, 373, 384, 510 대칭 축 274 덧셈의 (addit ive ) 성질 121 8_ 경 계 465-470 8- 줄무늬 465 . 델 타 함수 65-70, 112, 262, 360,
490 델타 함수의 간섭 73-82 도립 359 동 등 일 반 방 향 ( eq u iv a lent ge ne- ral dir e cti on ) 289 동력학적 결핍선 331 동력 학적 방정 식 428-434 동력 학적 이 론 406, 428-479 동력 학적 조건 390-391, 469 동력학적 회절 318, 331, 406 두께 소멸 무늬 442 두께 줄무늬 387, 409, 467, 469 드 브로이 (de Brog li e) 의 가설 146, 534 등방성 탄성 이론 471 디 락 (D i rac) 델타 함수 65 디지털 필터링 564 2 라우에 경우 436 라우에 경 우의 해 437-449 라우에 군 (Laue grou p ) 283, 300 라우에 (Laue) 조건 180 라우에 존 (Laue zone) 210-211 고차 라우에 존 (HOLZ) 211 영차 라우에 존 (ZOLZ) 210 1차 라우에 존 (FOLZ) 210 라플라스의 작동자 38 란탄 핵사보라이드 (LaB&) 29 레이저 502 레 일 리 한계 (Ray le ig h limit) 73,
397 렌즈 35, 116 렌즈 수차 365 렌즈 전달 함수(l ens tra nsfe r fun c- tion ) 339, 342, 351 렌즈의 전류 변동 371 렌즈의 역할 35, 36, 100 렌즈의 푸리에 변환 성질 350 로리 머 (Lorim er) 562 로킹 곡선 (rockin g curve) 456 뢴트겐 (Rontg e n) 525 리 드베 리 (Ry d berg) 에 너 지 540 □ 맥놀이 442 맥스웰 (Maxwell ) 방정식 573 맥스웰 분포 152 맥스웰 식 154 면 결함 458-467 a- 경계 459 계면 468-470 8- 경 계 465-470 입계 467 적총 결함 416, 458-464 T- 경계 458, 464-465 면 편광 158 면간 거 리 141, 229 면심 입방 189, 416, 461-464 명시야 대칭 328 명 시 야 상 24, 34, 389, 326, 390, 401, 408, 462-463
명시야 회절상 328 모아레 줄무늬 467, 469, 519 모줄리 (Mosley ) 543 모티프 79, 176 Mo03 결정 219 무구면 수차 497 무게 인자 360 무자계 대물 렌즈 18 무창 (w i ndowless) 검출기 559 미끄럼 면 (gli d e pla ne) 302, 331 미세 분석법 579 미세 화학적 분석 579 미소 빔 회절 22, 217, 225, 402 닌 바비 넷 (Babin e t) 의 역 이 론 12 2 박판 시편 205 반사 빔 183 반사 전자 현미경 24 반 영 대 칭 271 -273, 283, 300,-330 반정합 계면 468 반정합 석출물 427, 479 발산 (d i ver g ence) 159 방출 전류 밀도 150, 153 방형 중절모 두과 함수 128 방형 파 47, 57 방형 펄스 84 방형 함수 128 배 경 강도 548, 585 배경 브렘스트랄룽 방사 548
배경 잡음 507 배 위 수 (coordin a ti on number) 587 배율 338, 357 배향성 246 백색 방사 534 밴드 간 천이 572 밴드 내 천이 572 버거스 벡터 425, 448, 475 버거스 벡터의 결정 426, 472, 475-478 법선 단위 벡터 95 베넬트 (Wehnel t) 원통 29, 152 베 셀 (Be ssel) 함수 119 베이터 방법 436 베 이 터 -블로흐 (Be th e -Bloch) 관계 식 578 변위 38-39, 416 변위장 470-475 변위 함수 459 변위 콘트라스트 387 변형장 424, 443, 447 병전 대칭 271, 281, 283 보이 지 않는 조건 (inv is i b i l it y cri- ter io n ) 472 본 (Born) 의 약산란 근사 (weak- scatt er in g ap pr oxim ati on ) 161 부분 전위 448, 474-478 쇼클 리 (Shockley ) 부 분 전 위 474 -478 프랭크 (Frank) 부분 전위 476
부정 합 (inc oherent) 428, 468-469 부정합 계면 469 부정합 변수 478 부정합 석출물 428 부준위 541 분산 관계 45 분산 면 434-437 분자선 에피랙시 231, 499 분해 능 21, 25, 35, 366, 383-402, 496 분해능의 레일리 한계 73, 397 쉬 르처 분해 한계 (Scherzer resolu- tion lim i t) 401, 496 조리개 또는 회절 분해능 397 불완전 전위 471. 불일치도 (m i s fit) 468 불투명 체 91 불확정성의 원리 547 브라배 (Br avais ) 공간 격자 281 브래 그 (Br agg ) 각 109, 182 브래그 면 451 브 래 그 법 칙 34, 110, 181, 221, 262 브래그 빔 182, 490 브래그 조건 183 브래그 피크 204 브래그 피크의 확장 204 브래그 회절 251 브 렘 스 트 랄 룽 (Br emsstr a hlung ) 530 브렘스트랄룽 광자 564 브릴루앙 대 (Brill ou in zone) 436
0� -4
37 �\�P� � 431, 449-451 ��\�P� h�� 434 ��\�8� h ��X� �ٳ ��0� 436 D����`�� ��ٳ ����� 145 D����`�� ��ٳɷ 145 ��D��� � �m 28�5, 300 D� $�-�� � t� (Biot-Savart) �� Y� 526 D� � �(� 375, 495, 506 D�� �(� �� T�|� 376 ���� a�� 449-454, 473 D���� �¸� 223 D���� �¸�X� �� 384 D���0� h�� 58 D���1� ���� 259, 262, 449, 582 D���1� ���� �t� 552 D���1� Ȑ� 263 T� )��� 188 �N��� � m� 273, 280 ��5� 562 ���� t�� 55 2���� ��0� 166 �T� 429 ����� 61-1063, 24,493 1 , 3 43 �� �� m� 273, 280 ��
t� 34, 338 �� t����X� � 338, 516 �� �� ij (depth of image) 20-21 160� � � � � � �� (�image computer simulation) 473, 508, 511 ��� ��ٳ ����� 145 ��� ��ٳɷ 145 ���`�� �� 148, 161 ��� �Ĭ 122, 408, 473 �� �� �� (image processing) 507 �� �(� 370-373 �� �(� Ĭ� 371 ���<� 478 �i� ���<� 478 ��i� ���<� 479 ��� i� � ��<� 427-428, 479 ��� ��Y� 542 �� 360 �� p�i� 41 8 ���� ��X � p�i� 278 NaCl l�p� 195 ��x� �-�색 수차 370 순간 자계 526 순수 탄성 산란 379 순수 회전 대칭 300 숫자 조리개 398 슈뢰 딩 거 (Schrodin g e r) 파동 방정 식 147, 404 쉬 르처 분해 한계 (Scherzer resolu- tion lim i t) 401, 496, 507 쉬 르처 탈초점 (Scherzer defo c us) 495-496, 506 스칼라 파 근사 92 스칼라 파동 방정식 94 스트레 이 (st a ry) 조리 개 560 스피노달 영역 257 스핀-궤도 (s pi n-orb it) 상호 작용 541 슬릿 함수 72 시간 독립 슈뢰딩거 파동 방정식 147, 535 시편실 26, 32 신호 대 잡음 비 558 실격자 171 실격자 벡터 213 실공간 34, 57, 170 실공간 벡터 172 Si( Li) 검출기 556, 561-562, 567 실험상 516 쌍정 205, 467 쌍정 경계 467 쌍정 전위 467 쌍정 회절상 248
쐐기 각 114 。 아베의 현미경 이론 339, 359 a 줄무늬 468-469 암시야 대칭 329 암시 야 상 24, 34, 254, 326, 389- 390, 401, 408, 462-463 암시야 회절상 329 암페어 법칙 155 약빔 조건 414, 448 약산란 근사 161 약상 근사 376, 381, 482-483 얇은 렌즈 339 얇은 물체 근사 487 양자 역학적 턴낼링 효과 153 양자화 539 에너지 분산폭 152 에너지분산 x- 선분광분석 (EDS) 24, 5 5 5 에너지 분산 x- 선 분광기 556 에너지 분해능 548, 587 에너지 손실 여과 결상(filt ered im ag ing ) 581 에너지 손실률 529, 578 에너지 손실 함수 585 에너지 스펙트럼 565 에너지 준위 541 에너지 천이 542 에너지 히스토그램 558 에 어 리 (Airy) 원판 73, 120, 396-
397 A 인자 보정 567 F 인자 보정 567 에피택설 성장 231, 522 x- 선 225 x- 선과 시 편의 상호 작용 549 x- 선 산란 계수 162 x- 선 생성 효율 540 x- 선의 검출 555 x- 선의 생성 525 x- 선 형광 552 x - 선 형 광 수율 549, 583 x- 선 회절상 300 x- 선 흡수 분광 분석 587 여분의 점 248 역격자 170, 202-203 역격자 공간 141, 404, 493 역격자 구 238 역격자 단위포의 체적 316 역격자 막대 205 역격자 막대 128, 171, 461, 490 역격자 원 246 역공간 57 역위상 영역 경계 257, 465 역푸리에 변환 336 연속 브렘스트랄룽 스펙트럼 543 열이온 방출 19, 29 열이온 전자 총 402 열전자 150 영 손 실 피 크 (zero loss pe ak) 583, 588
영 (Young ) 의 이 중 슬 릿 실 험 68, 72, 87 영차 라우에 존 (ZOLZ) 210, 315, 328-330 영 차 라우에 존 (ZOLZ) 키 쿠치 회절상 329 영차 라우에 존 대칭 330 영차 라우에 존 회절상 309, 330 오일러 (Eu ler) 274 오제 전자 분광 분석 (AES) 24, 549 완전 결정 403, 417 완전 전위 471 외피 58, 88, 131, 439 외피 함수 136, 491-500 요소 함수 360 우드 (Wood) 567 우선 배향성 246 우함수 51, 61-63, 133 운동학적 강도 216 운동학적 근사 409-412, 442 운동학적 산란 387 운동학적 상 콘트라스트 403, 416-428 운동학적 이론 376, 428-429, 456 운동학적 적분 408 운동학적 전자 산란 전폭 163 운동학적 콘트라스트 416 운동학적 회철 331, 408, 469 움베간데궁 331 원자 군에 의한 산란 79, 377, 379
원자 규칙화 248 원자 변위 함수 456 원자 분해능 전자 현미경 28 원자 산란 계수 162, 314, 512 원자 산란 전폭 163, 197 x- 선의 원자 산란 진폭 197 전자의 원자 산란 진폭 163, 197 원자의 운동학적 전자 산란 진폭 163 원자의 이온화 문턱 529 원자의 두과 함수 162 원자 전위 161, 378 원주 근사 392, 446 원판 모양의 조리개 119 원형 조리개 119, 396 위상 40, 87, 91, 97 위 상 각 419, 458-482 위상 변화 365 위 상 인자 97, 342, 364, 407 위상 차 114, 368, 431 위상 체 91, 113 위상 콘트라스트 493 위상 콘트라스트 전달 함수 (PCTF) 493 위성 접 257 위치 강도 126 위치 에너지 146-147, 538 위치 함수 125 유전율 154 유전 이론 584 유한 렌즈 373, 393, 401 유한 크기의 결정 199
유효 전하 160 유효 카메라 거리 227 유효 편차 변수 327, 439, 443 육중 대 칭 227, 273, 280 음 극 발 광 (at h odolumi ne scence) 24 이 거 톤 (Eg e rto n ) 589 2- 빔 근사 408, 429, 437 2- 빔 근사의 불로흐 함수 484 2 ― 빔 조건 425, 475 이온 결합 화합물 197 이온 빔 연마 17 이온화 단 585 이온화 단면 540 이온화 문턱 529 이온화 손실 578 이온화 에너지 540, 578 이온화율 526 이월드 (Ewald) 구 183, 204, 207, 227, 246, 403 이전 성질 360 이중 대칭 227, 273, 280 이 중 회 절 243, 251, 254, 259, 519 이차 라우에 존 (SOLZ) 210, 313 2 차원 간섭 138 이차 전자 23 2 차 집 속 렌즈 303, 309 2 차 집속 조리개 303, 318 이탈 피크 (esca p e pea k) 560 일반 330 일반 체 91, 491
일반 파동 방정식 43 1 차 라우에 존 (FOLZ) 210, 313 1 차원 간섭 125 1 차원 파동 방정석 37 일 함수 150 임계 전압 효과 25 임계 467 고각 입계 467 저각 입계 467 부입계 467 입방정 244 입사파 103 입사 파동 벡터 182 입체 두상도 285 잉여 반면 491 x: 자계의 비축상 성분 31 자국 반응 함수 360 자기 두자율 154 자신 콘볼루션 82 자연 주파수 549, 551 자유 공간 거리 350 자 유 전 자 526, 555, 572, 575 -576 ZAF 보정 567 잡 피크 559 장 범위 규칙성 256 저손실 영역 584 저각 입계 467 적층 결함 205, 208, 416, 458
고유성 적층 결함 463 외부성 적층 결함 463 전계 방출 153 전계 방출 총 19, 29 전계의 비축상 성분 31 전기 전도도 154 전도 대 역 (conducti on band) 5 5 5 전산 모사 508 전산 모사 상 473, 508 전압 149, 516 전 압 및 렌 즈의 리 플 (r ipp le) 516 전위 (dis locati on ) 259, 47 0-475 계면 전위 427, 469 나사 전위 448 버거스 벡터 471- 4 72 보이지 않는 조건 (i n vis ib il ity crit e- rio n ) 472 불완전 전위 471 완전 전위 471 전위(p o t en ti a l) 155, 470, 482 전위 망 467 전위 선 259, 425, 472 전위의 조그(j o g) 448 전위 의 콘트라스트 425 전위 중심 424 전위 환 425 전자기 유도 155 전자기 파 (electr omagn e ti c wave) 92, 145, 154 전자원 100 전자의 파장 149
전자 각 운동량 540 전자 방출 효과 153 전자 빔 유도 전류 (EB IC) 24 전자 산란 전폭 162 전자 에너지 손실 571 전자 에너지 손실 검출기 581 전자 에너지 손실 분석 (EELS) 24, 576, 580 전자 총 32, 151 전자 탐침 308, 559 전자 탐침의 크기 303 전자 파 32 전자 파의 파장 149 전자 현미 경 의 구성 26-36 전자 현미경의 역사 19-26 전자 현미경의 장점 15-18 전체 대칭 331 전체 에너지 손실률 578 전체 회 절상 186, 300, 328 전체 회절상 대칭 328 전파 인자 106, 177 전하 밀도 490 전하 밀도 분포 153, 482 점 군 283, 300 점 군의 결정 331 점 원 91, 99 정대 축 188, 231, 267 정량 분석 562 정 상 분 포 (Gaussia n dis t r i b u ti on ) 110, 372, 565 정성 분석 555 정초접상 483
정합 석출물 427 정현 46 제한 시야 조리개 22, 221, 231 제한 시야 회절 22, 217, 313 제한 시야 회절상 22, 210, 218, 305 조리개 63, 106 가상 조리개 73 각 조리개 20 대물 조리개 26 숫자 조리개 398 스트레이 (str a y) 조리개 560 제한 시야 조리개 221 중간 조리개 26 집속 조리개 26, 303 조리개 분해능 397 조리개 함수 373 조명계 29, 559 조성 변화 257 종파 38 주 양자수 550 주기 57 주기 함수 57, 377 주사 전자 현미 경 23, 402 주사 턴넬링 현미경 17 주파수 스펙트럼 565 줄 (str ea k) 205 줄무늬 349, 461 a 줄무늬 464 8 줄무늬 465 중간 조리개 26 중심 암시야 상 389
중절모 디지털 필터 (top -h a t dig i- tal filte r ) 564 중 절 모 함 수 (top -h at fun cti on ) 58, 61, 131, 214, 408 중첩 적분 360 지그재그 콘트라스트 474 G 난 331 Z 보정 인자 567 Z 인자 보정 567 지수 매기기 226 지연 속도 527 GM 선 331 직사각형 조리개 117 전공관 150 진폭 38, 91, 119 진폭 체 (amp li tu d e obje c t) 91 진폭 콘트라스트 전달 함수 (ACTF) 493 진폭 흡수 계수 452 질량 흡수 계수 554 집속 렌즈 26, 29, 36, 100 집속 조리개 26, 559 집합적 플라스몬 여기 572 大 천이 542 채 널 링 (channeli ng ) 451 체심 입방 188 초격자 전위 448 초격자 회절 점 216, 465 초 박 막 창 (ultr a -th i n wi nd ow)
559 초점 362 초점 면 34-35, 99 초점 분산 370-371, 515 초점 상 70-71 초점 심도 (de pt h of foc us) 20- 2 1 최대 주파수 533 최 인접 원자 거 리 (nearest neig h - bor dis t a n ce) 587 추가 광로 길이 114 추가 국부 전위 148 추가 에너지 손실률 533 출구 면 파 338, 382 출구 표면 파 101, 338, 351, 382 7 결정계 278-281 구 카메라 거리 227 카메 라 상수 227-228, 502 칼날 전위 448 칼날 프랭크 부분 전위 475 커 피 콩 콘트라스트 427, 479 코 셀 -될 렌 스 테 트 ( K o s s e 1- Mollenste d t) 줄무늬 325-326 코셀_뮐렌스데트 회절상 305, 325 코셀-필렌스테트 회절 조건 305 코셀 (Kassel) 조건 305 코셀 회절상 305 콘볼루션 70-82, 125, 201-202, 345, 479-480
콘트라스트 416, 426, 448, 456 -4 79 콘트라스트가 없는 선(line of zero contr a st) 427, 479 콘트라스트 전 달 함수 (CTF) 401, 491-500 쿨롱 (Coulomb) 상호 작용 158, 528 k 계수결정 566 크라머스 (Kramers) 564 클리프-로리 머 (Cl iff-L orim er) 계 수 562 키 르히 호프 (Ki rc hhoff ) 의 회 절 적 분 94- 9 5, 101, 162 키쿠치 (Ki ku chi) 밴드 270, 327 키쿠치 선 263, 267, 313 키쿠치 원추 263-264, 268 키쿠치 지도 268 키쿠치 회절 267, 311 키쿠치 회 절상 259, 265, 313 E 탄소 그리드 219 탄성 산란 552 탈초점 71, 222, 362, 349, 370-373, 401, 479-480, 491- 5 00, 515 탈초점 상 70-72, 99, 346, 479- 480, 483 탈회 선 (deconvoluti on ) 566 텅스텐 필라멘트 29, 526 토포랙설 (top o ta x ia l ) 성장 522
투과 빔 24, 429, 455 투 과 함 수 (tra nsmi ss io n fun cti on ) 89- 9 2, 104, 138, 199, 510 두사 대칭 330 두사 원자 전위 513 두사 렌즈 26 투사 전위 512 두사 전하 밀도 근사(p ro j ec t ed charge density ap pr oxim ati on ) 387, 479-491 특성 방사 543 특성 선의 선폭 547 특성 신호 23-24 특성 피크 548 특수 330, 332 틱 시 어 (Tix i e r ) 57 0 工 파동 36 파동 벡 터 40, 45, 103 파동의 위상 40 파동의 진폭 38 파면 87 파접 436 파울리 (Pauli ) 의 베 타 원리 541 파원 36 T- 경계 458, 464 파일업 561 파장 39 파장 분산 x- 선 분광 분석 (WDS) 24, 556
패러데이의 법칙 155 패 럭 시 얼 근사(p arax i al app r oxi- mati on ) 340 패터슨 (Pa tt erson) 함수 339 페르미 (Fermi ) 에너지 150 페르미 함수 150 펜델뢰승 (Pendellosun g) 효과 439 편광 158 편차 변수 63, 211, 265, 268, 327, 403 편차 변수의 정의 211 평균 에너지 손실률 529 평균 흡수 456, 461 평면 파 89, 99-100 평면 파면 87 평행 모아레 522 폐기 시간 562 포논(p honon) 580 폴 피스(p ole-pi ece) 376 표류 전자 559 표준 피크 목록 565 푸리 에 (Fourie r ) 46 푸리에 계수 47, 51-56, 512 푸리 에 공간 35, 60, 83, 128 푸리 에 급수 47, 377 푸 리 에 반 전 82-86, 163, 201, 337 푸리에 법 46 푸리 에 변 환 34-35, 58-70, 104, 163, 201, 207, 210, 214, 265, 338, 359, 490 푸리에 성분 47
푸리에 정리 46 푸리에 해석 47-48, 53 프라운호퍼 (Fraunhofe r ) 회 절 101, 177, 336 프라운호퍼 회절상 99, 356 프랭크 부분 전위 474 프레 넬 (Fresnel) 99 프레넬 근사 343 프레 넬 전파자 339, 342, 345, 350 프레 넬 줄무늬 339, 345-346, 350, 376 프레넬 회절 99, 349 프레넬 회절상 99, 479 프리 델 (Frie d el) 법 칙 300, 328 프리즘 114 푸아송 (Po i sson) 식 160, 481 푸아송의 비 472 土g*대칭 331 풀라스몬(p lasmon) 572, 575-576, 578, 584-585 플라스몬 손실 572, 578, 588 풀라스몬 손실 피크 584, 588 풀라스몬 여기 572 풀라스몬 에너지 575-576, 585 풀라스몬 주파수 575 플랑크 (Planck) 의 가설 146 피크까지의 거리 447 피크의 반폭 448 피 크 탈회 선 (pe ak deconvoluti on ) 566 필리베르트 (P hili ber t) 570
-_o 합계 피크 561 해 밀토니 안 (Ha mi lton ia n ) 147 행 렬식 156 현 미 경 전 달 함 수 (mi cr oscop e tra nsfe r fun cti on ) 359-362, 369 -3 74, 499, 515 He- N e 적색의 레이저 502 형광 보정 570 형 광 수율 549, 570 형광 중대율 570 형광 판 22 형상 강도 126 형상 인자 (sha p e fac to r ) 198 형 상 함수 125, 203 호이 겐스(H u yg ens) 의 원 리 87 一 93, 342-344 혼돈 원반 366, 398, 402 혼합 전위 472, 476 홀로그래피 18 확대 359 회경 285 회반 285, 288 회영 288 회 전 대 칭 271-272, 274-275, 283, 296, 300 회전 모아레 522 회전 보정표 219 회 절 87-88, 110, 217 회절상 34, 110, 219, 300 회절 강도 23, 63, 187, 211
회절 공간 128 회절 군 331 회 절 면 99-100, 336 회절 무늬 127 회절 분해능 397 회절 빔 24 회절 원반 309 회절 원추 311 회절 이론 15, 406, 433 회절 적분 106 회절 점 34 회 절 파의 강도 126-127, 133, 135, 137, 141, 180-181, 202, 216, 442 회 절 파의 진폭 107, 216 회절 환 244 횡파 38 효과적으로 보이지 않는 조건 (eff ec ti ve inv is i b i l ity cond ition ) 473, 476 후방 산란 전자 24 후방 초점 면 34, 515 후크 (Hook) 의 법칙 550 훈륜 (halo) 223, 506 흡수 거리 452 흡수 계수 453-454, 554 흡수 구조 인자 452 흡수 단 554 흡수 단 도약률 570 홉수 보정 568 흡수 보정 인자 568 흡수 콘트라스트 385
이정용 서울대학교 재료공학과 졸업 한국과학기술원 재료공학과 석사 미국 캘 리포니아 대학교(버클리) 재료공학과 박사 금성사 / 금성정밀 중앙연구소 재직 현재 한국과학기술원 교수 저서 『 재료결정학 』 논문 High Resoluti on Transmi ss io n Electr o n Mi cr oscop y Stu d y of Solid Phase Crys t a l l ize d Sil ico n Thin Fi lm s on Si0 2 : Crys t a l Growt h and Defa c ts Formati on 의 다수 전자현미경의 원리와 응용 대우학술총서 자연과학 115 1 판 1 쇄 펴 냄 … 1997 년 6 월 10 일 지은이 ••• 이정용 펴낸이…朴孟浩 펴낸곳…(주)민음사 출판등록 1966. 5. 19. 제 16-490 호 서울특별시 강남구 신사동 506 대표전화 515-2000, 팩시밀리 515-2007 값 34,000 원 ©이정용, 1997 현미경의 종류 KDC/478.1 Prin t e d in Seoul, Korea ISBN 89-374-3615-9 94510 89-374-3000-2 (세트)
대우학술총서사인과州
1 소립자와 게이지 상호작용 김진의 2 동력학특론 이병호 3 질소고정 송승달 4 상전이와 임계현 상 김두철 5 촉매작용 진종식 6 외스바우어 분광학 옥항남 7 극미량원소의 영양 숭정자 8 수소화붕소와 유가봉소 화합물 윤능민 9 항생물질의 전합성 강석구 10 국소적 형태의 Ati ya h - si n g e r 지표이론 지동표 11 Mucop ol y sa cc ha r i de s 의 생화학 및 생물리학 박준우 12 천체물리학 홍승수 13 프로스타글라딘 합성 김성각 14 천연물화학연구법 우원식 15 지방영양 김숙희 16 결정화유리 김병호 17 고분자에 의한 화학반응 조의환 18 과학혁명 김영식 19 한국지질론 장기홍
43 후리에 해석과 의미분 작용소 김도한 44 한국의 고생물 이하영 45 질량분석학 김명수 46 급변론 박대현 47 생체에너지 주충노 48 리이만 기하학 박 을룡 49 군표현론 박승안 50 비선형 편미분 방정식론 하기식 51 생체막 김형만 52 수 리분류학 고철환 53 찰스 다윈 정용 재 54 금속부식 박용수 55 양자광학 이상수 56 효소반응 속도론 서정현 57 화성암 성인론 이민성 58 확률론 구자홍 59 분자 분광학 소현수 60 벡터속 이론 양재현 61 곤충신경 생리학 부경생 62 에너지띠 이론 모혜정 63 수학 기초론 김상운
86 등각장론 임채호 87 방사선생물학 남상열 88 석유지질학 이용일 89 베르누이 시행의 통계적 분석 배도선 김성인 90 신경세포생리학 강만식 91 생리활성을 가진 C-P 화합물 의 화학 김용준 강익중 92 생물유기화학 서정헌 93 조직배양 김승업 94 유기전이금속화합물 조남숙 외 95 실내환경 과학 김윤신 96 유한요소법 정상권 97 대수적 위상수학 우무하 • 김재룡 98 파인만 적분론 장건수 99 응용 미생물학 박무영 100 리보플라빈 이상선 101 노화 김숙희 김화영 102 매트릭스 격리분광학 정기호 103 신경계 조직배양 김승업 104 지구화학 김규한 105 은하계의 형성과 화학적 진화